CN110272160A - 一种半导体制备工艺中废液处理方法以及处理*** - Google Patents

Abstract

本发明适用于环保领域，提供了一种半导体制备工艺中废液处理方法以及处理***，其中所述方法包括：向研磨废液中投入絮凝剂，得到处理后的研磨废液；向酸洗废液中投入氢氧化钙以及重金属离子捕捉剂，得到处理后的酸洗废液；将处理后的研磨废液与处理后的酸洗废液混合，并向混合液中通入二氧化碳；再向处理后的混合液中依次加入硝酸、氨水，然后蒸发浓缩就可得到尿素‑硝酸铵浓缩液。本发明实施例提供的半导体废液处理方法，通过对酸洗段废液以及研磨段废液分开进行预处理，处理完之后混合，充分利用了废液中的铵根离子以及硝酸根离子，制备出尿素‑硝酸铵浓缩液，在处理废液的同时，利用废液中的有效组分，提高了经济效益。

Description

一种半导体制备工艺中废液处理方法以及处理***

技术领域

本发明属于环保领域，尤其涉及一种半导体制备工艺中废液处理方法以及处理***。

背景技术

在半导体的制备工艺流程中会产生大量的废液，例如在蚀刻工艺中需要对半导体进行酸洗除去表面的杂质、氧化膜等从而会产生大量含酸废液，在化学机械研磨工艺中也同样会产生大量含有研磨液、研磨颗粒以及氨水的废液。

然而，现有的技术中，对各工艺段的废液都是单独处理，例如现有的研磨废水处理方法是利用陶瓷膜对研磨废液进行过滤，收集回收废液中的研磨颗粒，并将处理后的悬浮物浓度符合国家标准的废液进行排放，而这样的废液处理方法仅仅只是为了满足国家排放标准，从经济角度上来说并不合理，大量可以回收利用的物质直接被排放。

可见，现有的半导体废水处理方法还存在着严重的资源浪费问题，不利于经济可持续发展。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种半导体制备工艺中废液处理方法，旨在解决现有的半导体废水处理方法还存在的严重的资源浪费问题，不利于经济可持续发展的技术问题。

本发明实施例是这样实现的，一种半导体制备工艺中废液处理方法，包括：

向半导体研磨工艺段产生的废液投入絮凝剂，沉降后过滤，得到处理后的研磨废液；

向半导体酸洗工艺段产生的废液中投入氢氧化钙，控制pH为碱性，反应完成后沉降并过滤，得到一次处理后的酸洗废液；

向一次处理的酸洗废液中投入重金属离子捕捉剂，反应完成后沉降并过滤，得到二次处理后的酸洗废液；

将处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液混合，向废液中通入二氧化碳，并控制pH在5~6之间，反应完成后，沉降并过滤，得到处理后的混合废液；

向处理后的混合废液中加入硝酸，升温除去二氧化碳，冷却后再加入氨水，蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液。

本发明实施例的另一目的在于提供一种半导体制备工艺中废液处理***，包括研磨废液处理池、酸洗废液一次处理池、酸洗废液二次处理池、混合池以及蒸发浓缩池，所述酸洗废液一次处理池与酸洗废液二次处理池之间通过管道相连通，所述混合池与研磨废液处理池、酸洗废液二次处理池以及蒸发浓缩池之间通过管道相连通；

所述研磨废液处理池，用于通过投入絮凝剂，对研磨废液进行处理；

所述酸洗废液一次处理池，用于通过投入氢氧化钙，对酸洗废液进行一次处理；

所述酸洗废液二次处理池，用于通过投入重金属离子捕捉剂，对酸洗废液进行二次处理；

所述混合池，用于混合处理后的研磨废液以及二次处理后的酸洗废液，并通过通入二氧化碳，对混合液进行处理；

所述蒸发浓缩池，用于通过向处理后的混合液中依次投入硝酸以及氨水，蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液。

本发明实施例提供的一种半导体制备工艺中废液处理方法，一方面通过向半导体研磨工段产生的废液中投入絮凝剂，沉降后过滤，得到含有铵根离子浓度的研磨废液，另一方面通过向半导体酸洗工艺段的废液中投入氢氧化钙，将废液中的氟离子沉淀，再投入重金属离子捕捉剂，除去废液中含有的重金属离子，得到含有硝酸根离子浓度的研磨废液，将处理后的研磨废液和酸洗废液混合，并进一步通过向废液通入二氧化碳除去过量的钙离子，向废液中加入硝酸并升温除去二氧化碳，最后加入氨水，蒸发浓缩过程中除去过量的氨气，得到较为纯净的硝酸铵浓缩液，通过上述对两种废液的处理，最终制备出了可用于制备肥料的中间产品硝酸铵浓缩液，且处理过程中加入的反应物均为成本低廉的可直接购买的化工产品，在处理废液的同时，有效地利用了废液中的可用成分，提高了经济效益，符合环保要求的同时，也符合了可持续发展的思想理念。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种半导体制备工艺中废液处理***；

图2为本发明实施例提供的另一种半导体制备工艺中废液处理***；

图3为本发明实施例提供的又一种半导体制备工艺中废液处理***。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种半导体制备工艺中废液处理方法，包括：

向半导体研磨工艺段产生的废液投入絮凝剂，沉降后过滤，得到处理后的研磨废液；

向半导体酸洗工艺段产生的废液中投入氢氧化钙，控制pH为碱性，反应完成后沉降并过滤，得到一次处理后的酸洗废液；

向一次处理的酸洗废液中投入重金属离子捕捉剂，反应完成后沉降并过滤，得到二次处理后的酸洗废液；

将处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液混合，向废液中通入二氧化碳，并控制pH在4.5~6之间，反应完成后，沉降并过滤，得到处理后的混合废液；

向处理后的混合废液中加入硝酸，升温除去二氧化碳，冷却后再加入氨水，蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液。

在本发明实施例中，半导体研磨工艺段产生的废液主要包括研磨液、研磨颗粒，其中含有大量的铵根离子，由于本段工艺废水中的主要污染源是研磨颗粒即悬浮物，现有技术大多数是在除去废液中的研磨颗粒，使得悬浮物的含量符合国家规定后，就直接排放。例如，利用陶瓷膜对废液进行过滤以除去研磨颗粒。而本发明通过加入絮凝剂除去研磨颗粒后，充分利用废液中存在的铵根离子作为制备肥料中间产物的原料，提高了经济效益。

在本发明实施例中，半导体酸洗工艺段产生的废液主要包括氢氟酸、硝酸等酸液以及重金属离子，现有技术通常是在除去废液中的氢氟酸以及重金属离子后，再加入碱液进行酸碱中和，使得废液的pH达到允许排放标准。而本发明通过除去溶液中的氢氟酸即氟离子以及重金属离子后，利用废液中存在的硝酸根离子，与研磨工艺中制备的含有铵根离子的废水混合，以制备硝酸铵，进一步通过硝酸铵可以制备肥料。

在本发明实施例中，通过向溶液中加入氢氧化钙，引入钙离子，可以有效和溶液中的氟离子结合生成氟化钙沉淀，从而去除溶液中的氟化钙，考虑到氢氧化钙在水中的溶解度不高，本发明优选加入饱和石灰石溶液即氢氧化钙溶液，相比于加入固体石灰石颗粒，反应更加迅速，氟离子去除效果更好。

在本发明实施例中，通过加入重金属离子捕捉剂就可以有效地和溶液中的重金属离子（主要是铜离子）发生络合反应，从而除去溶液中的重金属离子，市面上销售的重金属离子捕捉剂有很多，本发明不对重金属离子捕捉剂做具体的限定。

在本发明实施例中，由于硝酸铵在制备肥料的过程中对纯度的要求较高，而在除去氟离子的过程中引入的钙离子对硝酸铵的纯度影响较大，为此，我们通过向混合液中通入二氧化碳，使得混合液中的钙离子先沉淀下来，进一步，通过加入少量的硝酸并加热以除去引入的碳酸根，优选的，升温的温度控制在30°C~60°C即可，进一步加入少量的氨水进行中和，在蒸发浓缩的同时除去过量的氨，最终得到纯度高的硝酸铵溶液，优选的，蒸发浓缩的过程中温度控制在25°C~50°C即可。

在本发明实施例中，考虑到下述步骤中“向半导体酸洗工艺段产生的废液中投入氢氧化钙，控制pH为碱性，反应完成后沉降并过滤”“向一次处理的酸洗废液中投入重金属离子捕捉剂，反应完成后沉降并过滤，得到二次处理后的酸洗废液”以及“将处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液混合，向废液中通入二氧化碳，并控制pH在5~6之间，反应完成后，沉降并过滤”，都是通过生成沉淀/络合物的形式以除去溶液中的相应物质，而自然沉降的效率相对较低，可以通过向溶液中加入絮凝剂以提高污水处理效率，优选的，所述絮凝剂选用有机高分子絮凝剂。

在本发明实施例中，考虑到在除去氟离子的过程中，为保证氟离子完全除去，优选在酸洗废液处理池入口处利用氟离子测量仪检测酸洗废液中的氟离子浓度，并结合废液处理池的体积确定废液中含有的氟离子总量，从而根据氟离子总量确定投放的氢氧化钙，使得氢氧化钙的量微过量，以保证最佳的负离子去除效果。

在本发明实施例中，在酸洗废液处理池出口和研磨废液处理池出口分别设置硝态氮离子浓度测量仪和铵离子氨氮检测仪检测处理后的酸洗废液中的硝酸根离子浓度和处理后的研磨废液中的铵根离子浓度，根据所述硝酸根离子浓度以及铵根离子浓度可以控制研磨废液与酸洗废液在混合时的混合体积比，使得混合后的硝酸根离子浓度以及铵根离子浓度维持在相对平衡的水平。

如图1所示，本发明还提供一种半导体制备工艺中废液处理***，详述如下。

在本发明实施例中，所述半导体制备工艺中废液处理***包括研磨废液处理池101、酸洗废液一次处理池102、酸洗废液二次处理池103、混合池104以及蒸发浓缩池105，所述酸洗废液一次处理池102与酸洗废液二次处理池103之间通过管道相连通，所述混合池104与研磨废液处理池101、酸洗废液二次处理池103以及蒸发浓缩池105之间通过管道相连通。

所述所述研磨废液处理池101，用于通过投入絮凝剂，对研磨废液进行处理。

在本发明实施例中，半导体研磨工艺段产生的废液主要包括研磨液、研磨颗粒，还含有大量的铵根离子，通过加入絮凝剂除去研磨颗粒后，充分利用废液中存在的铵根离子作为制备肥料中间产物的原料，提高了经济效益。

所述酸洗废液一次处理池102，用于通过投入氢氧化钙，对酸洗废液进行一次处理。

在本发明实施例中，半导体酸洗工艺段产生的废液主要包括氢氟酸、硝酸等酸液以及重金属离子，通过加入氢氧化钙可以有效的除去废液中存在的氟离子。

所述酸洗废液二次处理池103，用于通过投入重金属离子捕捉剂，对酸洗废液进行二次处理。

在本发明实施例中，通过加入重金属离子捕捉剂就可以有效地和溶液中的重金属离子（主要是铜离子）发生络合反应，从而除去溶液中的重金属离子。

所述混合池104，用于混合处理后的研磨废液以及二次处理后的酸洗废液，并通过通入二氧化碳，对混合液进行处理。

在本发明实施例中，由于引入了钙离子，对最终制备出的硝酸铵的纯度影响较大，因此需要除去钙离子，通过向混合液中通入二氧化碳，可以将钙离子沉淀。

所述蒸发浓缩池105，用于通过向处理后的混合液中依次投入硝酸以及，蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液。

在本发明实施例中，通过再次加入硝酸以及氨水可以进一步对溶液进行提纯，蒸发浓缩后可以得到纯度高的硝酸铵浓缩液，制备出的肥料质量更好。

作为本发明的另一个实施例，如图2所示，一种半导体制备工艺中废液处理***，与图1示出的一种半导体制备工艺中废液处理***的区别在于：

在所述研磨废液处理池101出口处设有铵离子氨氮检测仪201，用于测定处理后的研磨废液中的铵根离子浓度。

在所述酸洗废液一次处理池102入口处设有氟离子测量仪202，用以测定半导体酸洗工艺段产生的废液中的氟离子浓度。

在所述酸洗废液二次处理池103出口处设有硝态氮离子浓度测量仪203，用于测定二次处理后的酸洗废液中的硝酸根离子浓度。

在本发明实施例中，考虑到在除去氟离子的过程中，为保证氟离子完全除去，优选在酸洗废液处理池入口处利用氟离子测量仪检测酸洗废液中的氟离子浓度，并结合废液处理池的体积确定废液中含有的氟离子总量，从而根据氟离子总量确定投放的氢氧化钙，使得氢氧化钙的量微过量，以保证最佳的负离子去除效果。

在本发明实施例中，在酸洗废液处理池出口和研磨废液处理池出口分别设置硝态氮离子浓度测量仪和铵离子氨氮检测仪检测处理后的酸洗废液中的硝酸根离子浓度和处理后的研磨废液中的铵根离子浓度，根据所述硝酸根离子浓度以及铵根离子浓度可以控制研磨废液与酸洗废液在混合时的混合体积比，使得混合后的硝酸根离子浓度以及铵根离子浓度维持在相对平衡的水平。

作为本发明的另一个实施例，如图3所示，一种半导体制备工艺中废液处理***，与图2示出的一种半导体制备工艺中废液处理***的区别在于：

在所述混合池104与研磨废液处理池101、酸洗废液二次处理池103相连的管道上分别设有流量控制阀门301和302，用于根据所述铵根离子浓度以及硝酸根离子浓度控制处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液的混合比。

为了使上述方案更加具体，提供如下实施例。

实施例1：

将半导体研磨工艺段产生的8吨废液统一排放至研磨废液处理池中，其中半导体研磨工艺段产生的废液是对采用市面销售的碱性研磨液（厂商：日立化成工业（东莞）有限公司系列：HS-8005）对半导体进行研磨以使元件表面平滑的过程中产生；

向研磨废液处理池中按照5ppm的用量投入聚丙烯酰胺，反应并沉降1小时，除去沉淀物，将上清液排放至混合池中；

将半导体酸洗工艺段产生的5吨废液统一排放至酸洗废液一次处理池中，其中半导体酸洗工艺段产生的废液是利用硝酸以及氢氟酸按照2:1的体积比复配制得的混合酸对半导体表面进行清洗杂质及氧化膜的过程中产生；

向酸洗废液一次处理池中投入固体石灰石颗粒调节pH至7.5，反应并沉降4小时，除去沉淀物，将上清液排放至酸洗废液二次处理池中；

向酸洗废液二次处理池中按照200ppm的用量投入市面上销售的重金属离子捕捉剂（厂商：广州蓝沣环保科技有限公司），反应并沉降4小时，除去沉淀物，将上清液排放至混合池中；

当处理后的研磨废液和处理后的酸洗废液在混合池中混合后，向混合池中通入二氧化碳，调节pH为6，反应并沉降2小时，除去沉淀物，将上清液排放至蒸发浓缩池中；

向蒸发浓缩池中投入浓度为30%的稀硝酸至pH为4.5，在30°C环境下保温1小时以除去二氧化碳，冷却后再加入浓度为20%的氨水调节pH至6.5，然后在25°C环境下蒸发浓缩即可得到质量分数为12%的硝酸铵浓缩液约10吨。

实施例2：

将半导体研磨工艺段产生的8吨废液统一排放至研磨废液处理池中，其中半导体研磨工艺段产生的废液是对采用市面销售的碱性研磨液（厂商：日立化成工业（东莞）有限公司系列：HS-8005）对半导体进行研磨以使元件表面平滑的过程中产生；

向研磨废液处理池中按照8ppm的用量投入聚二烯丙基二甲基氯化铵，反应并沉降1小时，除去沉淀物，将上清液排放至混合池中；

将半导体酸洗工艺段产生的5吨废液统一排放至酸洗废液一次处理池中，，其中半导体酸洗工艺段产生的废液是利用硝酸以及氢氟酸按照1:1的体积比复配制得的混合酸对半导体表面进行清洗杂质及氧化膜的过程中产生；

向酸洗废液一次处理池中投入石灰石溶液调节pH至8，并按照2ppm的用量投入聚二烯丙基二甲基氯化铵，反应并沉降1小时，除去沉淀物，将上清液排放至酸洗废液二次处理池中；

向酸洗废液二次处理池中按照250ppm的用量投入市面上销售的重金属离子捕捉剂（厂商：广州蓝沣环保科技有限公司），反应并沉降4小时，除去沉淀物，将上清液排放至混合池中；

当处理后的研磨废液和处理后的酸洗废液在混合池中混合后，向混合池中通入二氧化碳，调节pH为5.5，反应并沉降2小时，除去沉淀物，将上清液排放至蒸发浓缩池中；

向蒸发浓缩池中投入浓度为25%的稀硝酸至pH为4.8，在45°C环境下保温1小时以除去二氧化碳，冷却后再加入浓度为22%的氨水调节pH至6.8，然后在35°C环境下蒸发浓缩即可得到质量分数为10%的硝酸铵浓缩液约9吨。

实施例3：

将半导体研磨工艺段产生的8吨废液统一排放至研磨废液处理池中，其中半导体研磨工艺段产生的废液是对采用市面销售的碱性研磨液（厂商：日立化成工业（东莞）有限公司系列：HS-8005）对半导体进行研磨以使元件表面平滑的过程中产生；

向研磨废液处理池中按照8ppm的用量投入聚丙烯酰胺，反应并沉降1小时，除去沉淀物，将上清液排放至混合池中；

将半导体酸洗工艺段产生的5吨废液统一排放至酸洗废液一次处理池中，其中半导体酸洗工艺段产生的废液是利用硝酸以及氢氟酸按照1:2的体积比复配制得的混合酸对半导体表面进行清洗杂质及氧化膜的过程中产生，主要含有硝酸、氢氟酸以及铜、铬等重金属离子；

向酸洗废液一次处理池中投入饱和石灰石溶液调节pH至8.5，反应并沉降4小时，除去沉淀物，将上清液排放至酸洗废液二次处理池中；

向酸洗废液二次处理池中按照300ppm的用量投入市面上销售的重金属离子捕捉剂（厂商：广州蓝沣环保科技有限公司），然后按照2ppm的用量投入聚丙烯酰胺，反应并沉降1小时，除去沉淀物，将上清液排放至混合池中；

当处理后的研磨废液和处理后的酸洗废液在混合池中混合后，向混合池中通入二氧化碳，调节pH为5，反应并沉降2小时，除去沉淀物，将上清液排放至蒸发浓缩池中；

向蒸发浓缩池中投入浓度为20%的稀硝酸至pH为5，60°C环境下保温1小时以除去二氧化碳，冷却后再加入浓度为25%的氨水调节pH至7.2，然后在50°C环境下蒸发浓缩即可得到质量分数为10%的硝酸铵浓缩液约8吨。

通过上述处理方法，可以将半导体研磨段废水以及半导体酸洗段废水处理成质量分数在10%~12%的硝酸铵浓缩液，进一步可以制备高效液态氮肥，具有很高的经济效益。按照100吨/天的总废水处理量计算，硝酸铵浓缩液可达65~85吨/天，总体上废液中的氮元素利用率在90%以上。

本发明提供的实施例中，一方面通过向半导体研磨工段产生的废液中投入絮凝剂除去废液中含有的研磨颗粒，沉降后过滤，得到含有铵根离子的研磨废液，另一方面通过向半导体酸洗工艺段的废液中投入氢氧化钙，先将废液中的氟离子沉淀，再投入重金属离子捕捉剂，进一步除去废液中含有的重金属离子，得到含有硝酸根离子浓度的研磨废液，将处理后的研磨废液和酸洗废液混合，得到含有硝酸根离子、铵根离子以及少量钙离子的混合液，并进一步通过向废液通入二氧化碳以除去过量的钙离子，并向废液中加入硝酸并升温除去二氧化碳，最后加入氨水，在蒸发浓缩过程中除去过量的氨气，同时得到纯度高的硝酸铵浓缩液，通过上述对两种废液的处理，最终制备出了可用于制备肥料的中间产品硝酸铵浓缩液，且处理过程中加入的反应物均为成本低廉的可直接购买的化工产品，在处理废液的同时，有效地利用了废液中的可用成分，提高了经济效益，符合环保要求的同时，也符合了可持续发展的思想理念。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，包括：

向半导体研磨工艺段产生的废液投入絮凝剂，沉降后过滤，得到处理后的研磨废液；

向半导体酸洗工艺段产生的废液中投入氢氧化钙，控制pH为碱性，反应完成后沉降并过滤，得到一次处理后的酸洗废液；

向一次处理的酸洗废液中投入重金属离子捕捉剂，反应完成后沉降并过滤，得到二次处理后的酸洗废液；

将处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液混合，向废液中通入二氧化碳，并控制pH在5~6之间，反应完成后，沉降并过滤，得到处理后的混合废液；

向处理后的混合废液中加入硝酸，升温除去二氧化碳，冷却后再加入氨水，蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液。

2.根据权利要求1所述的半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，所述絮凝剂选用有机高分子絮凝剂。

3.根据权利要求1所述的半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，所述氢氧化钙选用饱和石灰石溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，在所述向半导体酸洗工艺段产生的废液中投入氢氧化钙的步骤之前，还包括利用氟离子测量仪测定所述半导体酸洗工艺段产生的废液中的氟离子浓度，并基于氟离子浓度以及废液体积向废液中投入与氟离子总量对应的量的氢氧化钙。

5.根据权利要求1所述的半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，在所述将处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液混合的步骤之前，还包括利用铵离子氨氮检测仪测定处理后的研磨废液中的铵根离子浓度，利用硝态氮离子浓度测量仪测定二次处理后的酸洗废液中的硝酸根离子浓度，并基于所述铵根离子浓度以及硝酸根离子浓度控制处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液在混合时的混合比。

6.根据权利要求1所述的半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，所述升温除去二氧化碳的步骤中，升温温度控制在30°C~60°C。

7.根据权利要求1所述的半导体制备工艺中废液处理方法，其特征在于，所述蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液的步骤中，温度控制在25°C~50°C。

8.一种半导体制备工艺中废液处理***，其特征在于，包括研磨废液处理池、酸洗废液一次处理池、酸洗废液二次处理池、混合池以及蒸发浓缩池，所述酸洗废液一次处理池与酸洗废液二次处理池之间通过管道相连通，所述混合池与研磨废液处理池、酸洗废液二次处理池以及蒸发浓缩池之间通过管道相连通；

所述研磨废液处理池，用于通过投入絮凝剂，对研磨废液进行处理；

所述酸洗废液一次处理池，用于通过投入氢氧化钙，对酸洗废液进行一次处理；

所述酸洗废液二次处理池，用于通过投入重金属离子捕捉剂，对酸洗废液进行二次处理；

所述混合池，用于混合处理后的研磨废液以及二次处理后的酸洗废液，并通过通入二氧化碳，对混合液进行处理；

所述蒸发浓缩池，用于通过向处理后的混合液中依次投入硝酸以及氨水，蒸发浓缩得到硝酸铵浓缩液。

9.根据权利要求8所述的半导体制备工艺中废液处理***，其特征在于，所述研磨废液处理池出口处设有铵离子氨氮检测仪，用于测定处理后的研磨废液中的铵根离子浓度，所述酸洗废液一次处理池入口处设有氟离子测量仪，用以测定半导体酸洗工艺段产生的废液中的氟离子浓度，所述酸洗废液二次处理池出口处设有硝态氮离子浓度测量仪，用于测定二次处理后的酸洗废液中的硝酸根离子浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体制备工艺中废液处理***，其特征在于，所述混合池与研磨废液处理池、酸洗废液二次处理池相连的管道上分别设有流量控制阀门，用于根据所述铵根离子浓度以及硝酸根离子浓度控制处理后的研磨废液与二次处理后的酸洗废液的混合比。