一种基于SIW结构的RFID抗金属标签天线
技术领域
本发明涉及一种RFID抗金属标签天线,尤其是涉及一种基于SIW结构的RFID抗金属标签天线。
背景技术
近年来,随着无线通信技术的飞速发展,对天线的要求也越来越高。RFID技术是一种通过无线射频方式进行非接触双向数据通信,对目标加以识别并获取相关信息的技术,该项技术发展迅速,应用领域越来越广。其中RFID标签天线是该项技术的应用之一,RFID标签天线靠接收到一定能量的电磁波工作。电磁波由RFID阅读器通过阅读器天线发出,而金属对电磁波有反射作用,不利于RFID标签天线的正常使用。但是在一些实际运用中,需要RFID标签天线使用在金属物品上,这对RFID标签天线的要求就比较高,需要有非常良好的性能,特别是其抗电磁干扰能力需要足够好,并且在使用过程中不易被破坏。因此RFID抗金属标签天线的设计和开发成为热点。
现在市面上的RFID抗金属标签天线种类越来越多,有PCB板抗金属标签天线、陶瓷抗金属标签天线、抗金属硬标签天线和柔性抗金属标签天线等。如何提高这些抗金属标签天线的抗电磁干扰能力一直是一个研究热点。如PCB板抗金属标签天线,由于电子元器件之间存在相互影响以及易受到外界环境的影响,其抗电磁干扰能力相对来说较差。并且现在对天线的研究日益向更高频的方向发展,这对PCB板抗金属标签天线的抗电磁干扰能力将会是一个更大的挑战。陶瓷抗金属标签天线利用了陶瓷介质介电常数高的特点,使天线的体积能够做到很小,利用金属表面作为更大的反射面,大大提高了它的抗电磁干扰能力,使天线性能更加稳定。但是陶瓷抗金属标签天线的造价太高,并不适用于电子标签天线的低成本批量生产。对于其他类型的抗金属标签天线,在抗电磁干扰能力上也都存在着或多或少的不足。而随着应用的深入,不仅要求抗金属标签的尺寸越来越小,其抗电磁干扰能力也将越来越重要。
SIW技术,即基片集成波导技术,是20世纪90年代加拿大蒙特利尔大学的吴柯教授提出的。作为一个新兴的研究领域,SIW技术发展迅速,其中SIW阵列天线得到了国内外学者的广泛关注。SIW阵列天线是一种可以集成于介质基片中的具有低插损、低辐射等特性的新型导波结构,继承了波导缝隙天线低损耗和高增益等优点的同时,兼具有尺寸小,集成度高和加工成本低等特点,最重要的是这种技术大大提高了天线的抗电磁干扰能力。SIW阵列天线的基本结构是上下底面均为金属层的低损耗介质基片,并利用金属化通孔在介质基片上实现波导的场传播模式。SIW既拥有类似金属波导结构的优异性能,又拥有平面电路的诸多优点,是设计天线时较好的选择。
鉴此,结合SIW技术和RFID标签天线技术,设计一种成本较低,尺寸较小,且抗电磁干扰能力强的基于SIW结构的RFID抗金属标签天线具有重要意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种成本较低,尺寸较小,且抗电磁干扰能力强的基于SIW结构的RFID抗金属标签天线。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种基于SIW结构的RFID抗金属标签天线,包括介质基板、RFID芯片、辐射层和设置在所述的介质基板下表面的接地层,所述的介质基板为矩形板,所述的辐射层包括第一金属层和辐射槽结构,所述的第一金属层为矩形且其外部尺寸与所述的介质基板的外部尺寸相同,所述的第一金属层将所述的介质基板的上表面完全盖住,所述的辐射槽结构通过在所述的第一金属层上开设多个矩形槽形成,所述的介质基板的上表面在暴露在所述的辐射槽结构处,所述的接地层包括第二金属层,所述的第二金属层为矩形且其外部尺寸与所述的介质基板的外部尺寸相同,所述的第二金属层将所述的介质基板的下表面完全盖住,所述的介质基板上设置有SIW通孔阵列结构,所述的SIW通孔阵列结构包括多个均匀间隔设置的金属化通孔,所述的SIW通孔阵列结构依次贯穿所述的第一金属层、所述的介质基板和所述的第二金属层,所述的SIW通孔阵列结构沿所述的介质基板的边缘设置,所述的RFID芯片设置在所述的第一金属层上且与所述的第一金属层连接。
所述的SIW通孔阵列结构包括四个金属化通孔组,将四个金属化通孔组分别称为第一金属化通孔组、第二金属化通孔组、第三金属化通孔组和第四金属化通孔组,将所述的介质基板其中一组对边延伸方向记为左右方向,将所述的介质基板另一组对边延伸方向记为前后方向,所述的第一金属化通孔组包括从左往右均匀间隔排布的n个金属化通孔,所述的第二金属化通孔组包括从前往后均匀间隔排布的m个金属化通孔,所述的第三金属化通孔组包括从左往右均匀间隔排布的n个金属化通孔,所述的第四金属化通孔组包括从前往后均匀间隔排布的m个金属化通孔,n和m均为大于等于2的整数,所述的第一金属化通孔组中n个金属化通孔的中心连线所在直线分别通过所述的第二金属化通孔组中位于最前端的金属化通孔的中心和所述的第四金属化通孔组中位于最前端的金属化通孔的中心,所述的第三金属化通孔组中n个金属化通孔的中心连线所在直线分别通过所述的第二金属化通孔组中位于最后端的金属化通孔的中心和所述的第四金属化通孔组中位于最后端的金属化通孔的中心,所述的第一金属化通孔组中n个金属化通孔的中心连线所在直线平行于所述的第三金属化通孔组中n个金属化通孔的中心连线所在直线,所述的第二金属化通孔组中m个金属化通孔的中心连线所在直线平行于所述的第四金属化通孔组中m个金属化通孔的中心连线所在直线,所述的第一金属化通孔组中n个金属化通孔的中心连线所在直线分别垂直于所述的第二金属化通孔组中m个金属化通孔的中心连线所在直线和所述的第四金属化通孔组中m个金属化通孔的中心连线所在直线,所述的第一金属化通孔组中相邻两个金属化通孔的间距、所述的第二金属化通孔组中相邻两个金属化通孔的间距、所述的第三金属化通孔组中相邻两个金属化通孔的间距、所述的第四金属化通孔组中相邻两个金属化通孔的间距、所述的第一金属化通孔组中位于左端的金属化通孔组与所述的第四金属化通孔组中位于前端的金属化通孔的间距、所述的第一金属化通孔组中位于右端的金属化通孔组与所述的第二金属化通孔组中位于前端的金属化通孔的间距、所述的第三金属化通孔组中位于左端的金属化通孔组与所述的第四金属化通孔组中位于后端的金属化通孔的间距、所述的第三金属化通孔组中位于右端的金属化通孔组与所述的第二金属化通孔组中位于后端的金属化通孔的间距均相等。该结构中,沿介质基板边沿设置的所述的四个金属化通孔组,相当于矩形SIW波导周围的一圈金属壁,使电磁波的传播限制在所述的第一金属层、第二金属层和所述的四个金属化通孔组之间,从而构成和介质填充的矩形金属波导的电磁传播特性类似的等效波导结构。
所述的辐射槽结构包括第一辐射槽组和第二辐射槽组,所述的第一辐射槽组位于所述的第二辐射槽组的左侧,所述的第一辐射槽组和所述的第二辐射槽组为左右对称结构;所述的第一辐射槽组包括设置在所述的第一金属层上的第一矩形槽、第二矩形槽、第三矩形槽、第四矩形槽、第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽、第八矩形槽和第九矩形槽,所述的第一矩形槽的左端平行于所述的第四金属化通孔组中m个金属化通孔的中心连线,所述的第一矩形槽的右端和所述的第二矩形槽的左端连通,所述的第二矩形槽的前端与所述的第一矩形槽的前端位于同一平面,所述的第一矩形槽沿前后方向的长度大于所述的第二矩形槽沿前后方向的长度,所述的第二矩形槽的右端和所述的第三矩形槽的左端连通,所述的第三矩形槽的前端和所述的第二矩形槽的前端位于同一平面,所述的第三矩形槽沿前后方向的长度大于所述的第一矩形槽沿前后方向的长度,所述的第三矩形槽的右端和所述的第四矩形槽的左端连接,所述的第四矩形槽的后端和所述的第三矩形槽的后端位于同一平面,所述的第四矩形槽沿前后方向的长度小于所述的第三矩形槽沿前后方向的长度,所述的第四矩形槽的右端和所述的第五矩形槽的左端连通,所述的第五矩形槽的后端和所述的第四矩形槽的后端位于同一平面,所述的第五矩形槽沿前后方向的长度等于所述的第三矩形槽沿前后方向的长度,所述的第五矩形槽的右端和所述的第六矩形槽的左端连通,所述的第六矩形槽的前端与所述的第五矩形槽的前端位于同一平面,所述的第六矩形槽沿前后方向的长度等于所述的第二矩形槽沿前后方向的长度,所述的第六矩形槽的右端和所述的第七矩形槽的左端连通,所述的第七矩形槽的前端和所述的第六矩形槽的前端位于同一平面,所述的第七矩形槽沿前后方向的长度大于所述的第六矩形槽沿前后方向的长度,所述的第七矩形槽的右端和所述的第八矩形槽的左端连通,所述的第八矩形槽的前端所在平面位于所述的第七矩形槽的前端所在平面的后侧,所述的第八矩形槽的后端所在平面位于所述的第七矩形槽的后端所在平面的前侧,所述的第七矩形槽的后端与所述的第九矩形槽的前端连通,所述的第九矩形槽的后端与所述的第四矩形槽的后端位于同一平面,所述的第九矩形槽的左端与所述的第五矩形槽的右端之间具有一段距离,所述的第九矩形槽的右端与所述的第八矩形槽的右端位于同一平面,所述的第九矩形槽的左端所在平面与所述的第七矩形槽的左端所在平面之间的距离大于所述的第九矩形槽的右端所在平面与所述的第七矩形槽的右端所在平面之间的距离,所述的RFID芯片位于所述的第一辐射槽组的第八矩形槽和所述的第二辐射槽组的第八矩形槽之间。该结构中,工作时,外部的电磁波驱动RFID芯片后,通过周围第一辐射槽组和第二辐射槽组辐射进入由SIW通孔阵列结构、第一金属层和第二金属层形成的矩形封闭腔体内部,而通过改变辐射槽结构的形状以及辐射槽结构和RFID芯片的位置可以调整矩形封闭腔体的谐振频率,以接收不同频率的电磁波,同时可以调整RFID抗金属标签天线的阻抗,以匹配不同的RFID芯片。
与现有技术相比,本发明的优点在于通过等间距的SIW通孔阵列结构、第一金属层和第二金属层形成矩形封闭腔体,使得电磁波无法向外辐射,其中、第二金属层与等间距的SIW通孔阵列结构构成背腔结构,抑制了电磁波向下辐射,减少能量的泄露,同时矩形封闭腔体结构也抑制了外部的电磁波对矩形封闭腔体内部电磁波的干扰,大大提高了抗电磁干扰能力,与传统谐振金属腔体相比,用SIW通孔阵列结构代替金属壁,而达到了金属壁的效果,成本较低,尺寸较小,且抗电磁干扰能力强。
附图说明
图1为本发明的基于SIW结构的RFID抗金属标签天线的立体图;
图2为本发明的基于SIW结构的RFID抗金属标签天线的俯视图;
图3为本发明的基于SIW结构的RFID抗金属标签天线的侧视图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一:如图所示,一种基于SIW结构的RFID抗金属标签天线,包括介质基板1、RFID芯片2、辐射层3和设置在介质基板1下表面的接地层4,介质基板1为矩形板,辐射层3包括第一金属层5和辐射槽结构,第一金属层5为矩形且其外部尺寸与介质基板1的外部尺寸相同,第一金属层5将介质基板1的上表面完全盖住,辐射槽结构通过在第一金属层5上开设多个矩形槽形成,介质基板1的上表面在暴露在辐射槽结构处,接地层4包括第二金属层,第二金属层为矩形且其外部尺寸与介质基板1的外部尺寸相同,第二金属层将介质基板1的下表面完全盖住,介质基板1上设置有SIW通孔阵列结构,1SIW通孔阵列结构包括多个均匀间隔设置的金属化通孔,SIW通孔阵列结构依次贯穿第一金属层5、介质基板1和第二金属层,SIW通孔阵列结构沿介质基板1的边缘设置,RFID芯片2设置在第一金属层5上且与第一金属层5连接。
实施例二:本实施例与实施例一基本相同,区别在于:
本实施例中,SIW通孔阵列结构包括四个金属化通孔组,将四个金属化通孔组分别称为第一金属化通孔组6、第二金属化通孔组7、第三金属化通孔组8和第四金属化通孔组9,将介质基板1其中一组对边延伸方向记为左右方向,将介质基板1另一组对边延伸方向记为前后方向,第一金属化通孔组6包括从左往右均匀间隔排布的n个金属化通孔,第二金属化通孔组7包括从前往后均匀间隔排布的m个金属化通孔,第三金属化通孔组8包括从左往右均匀间隔排布的n个金属化通孔,第四金属化通孔组9包括从前往后均匀间隔排布的m个金属化通孔,n和m均为大于等于2的整数,第一金属化通孔组6中n个金属化通孔的中心连线所在直线分别通过第二金属化通孔组7中位于最前端的金属化通孔的中心和第四金属化通孔组9中位于最前端的金属化通孔的中心,第三金属化通孔组8中n个金属化通孔的中心连线所在直线分别通过第二金属化通孔组7中位于最后端的金属化通孔的中心和第四金属化通孔组9中位于最后端的金属化通孔的中心,第一金属化通孔组6中n个金属化通孔的中心连线所在直线平行于第三金属化通孔组8中n个金属化通孔的中心连线所在直线,第二金属化通孔组7中m个金属化通孔的中心连线所在直线平行于第四金属化通孔组9中m个金属化通孔的中心连线所在直线,第一金属化通孔组6中n个金属化通孔的中心连线所在直线分别垂直于第二金属化通孔组7中m个金属化通孔的中心连线所在直线和第四金属化通孔组9中m个金属化通孔的中心连线所在直线,第一金属化通孔组6中相邻两个金属化通孔的间距、第二金属化通孔组7中相邻两个金属化通孔的间距、第三金属化通孔组8中相邻两个金属化通孔的间距、第四金属化通孔组9中相邻两个金属化通孔的间距、第一金属化通孔组6中位于左端的金属化通孔组与第四金属化通孔组9中位于前端的金属化通孔的间距、第一金属化通孔组6中位于右端的金属化通孔组与第二金属化通孔组7中位于前端的金属化通孔的间距、第三金属化通孔组8中位于左端的金属化通孔组与第四金属化通孔组9中位于后端的金属化通孔的间距、第三金属化通孔组8中位于右端的金属化通孔组与第二金属化通孔组7中位于后端的金属化通孔的间距均相等。
本实施例中,辐射槽结构包括第一辐射槽组10和第二辐射槽组11,第一辐射槽组10位于第二辐射槽组11的左侧,第一辐射槽组10和第二辐射槽组11为左右对称结构;第一辐射槽组10包括设置在第一金属层5上的第一矩形槽12、第二矩形槽13、第三矩形槽14、第四矩形槽15、第五矩形槽16、第六矩形槽17、第七矩形槽18、第八矩形槽19和第九矩形槽20,第一矩形槽12的左端平行于第四金属化通孔组9中m个金属化通孔的中心连线,第一矩形槽12的右端和第二矩形槽13的左端连通,第二矩形槽13的前端与第一矩形槽12的前端位于同一平面,第一矩形槽12沿前后方向的长度大于第二矩形槽13沿前后方向的长度,第二矩形槽13的右端和第三矩形槽14的左端连通,第三矩形槽14的前端和第二矩形槽13的前端位于同一平面,第三矩形槽14沿前后方向的长度大于第一矩形槽12沿前后方向的长度,第三矩形槽14的右端和第四矩形槽15的左端连接,第四矩形槽15的后端和第三矩形槽14的后端位于同一平面,第四矩形槽15沿前后方向的长度小于第三矩形槽14沿前后方向的长度,第四矩形槽15的右端和第五矩形槽16的左端连通,第五矩形槽16的后端和第四矩形槽15的后端位于同一平面,第五矩形槽16沿前后方向的长度等于第三矩形槽14沿前后方向的长度,第五矩形槽16的右端和第六矩形槽17的左端连通,第六矩形槽17的前端与第五矩形槽16的前端位于同一平面,第六矩形槽17沿前后方向的长度等于第二矩形槽13沿前后方向的长度,第六矩形槽17的右端和第七矩形槽18的左端连通,第七矩形槽18的前端和第六矩形槽17的前端位于同一平面,第七矩形槽18沿前后方向的长度大于第六矩形槽17沿前后方向的长度,第七矩形槽18的右端和第八矩形槽19的左端连通,第八矩形槽19的前端所在平面位于第七矩形槽18的前端所在平面的后侧,第八矩形槽19的后端所在平面位于第七矩形槽18的后端所在平面的前侧,第七矩形槽18的后端与第九矩形槽20的前端连通,第九矩形槽20的后端与第四矩形槽15的后端位于同一平面,第九矩形槽20的左端与第五矩形槽16的右端之间具有一段距离,第九矩形槽20的右端与第八矩形槽19的右端位于同一平面,第九矩形槽20的左端所在平面与第七矩形槽18的左端所在平面之间的距离大于第九矩形槽20的右端所在平面与第七矩形槽18的右端所在平面之间的距离,RFID芯片2位于第一辐射槽组10的第八矩形槽19和第二辐射槽组11的第八矩形槽19之间。
本发明的基于SIW结构的RFID抗金属标签天线的工作原理为:RFID抗金属标签天线接收外部有效电磁波,驱动RFID芯片工作,能量通过RFID芯片周围矩形槽结构辐射进入SIW通孔阵列结构、第一金属层和第二金属层形成的矩形封闭腔体内部,SIW通孔阵列结构与第一金属层和第二金属层形成矩形封闭腔体,使得能量无法向外辐射。其中背腔结构抑制了电磁波向下辐射,减少能量的泄露,同时,矩形封闭腔体结构也抑制了外部的电磁波对矩形封闭腔体内部电磁波的干扰,大大提高了抗电磁干扰能力,而通过改变辐射槽结构的形状以及辐射槽结构和RFID芯片的位置可以调整矩形封闭腔体的谐振频率,以接收不同频率的电磁波,同时可以调整RFID抗金属标签天线的阻抗,以匹配不同的RFID芯片。