CN110208998A - 烘干装置、纳米银pet导电膜的智能变色膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种烘干装置、纳米银PET导电膜的智能变色膜及其制备方法，该智能变色膜包括：上膜片，包括:上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；上纳米银导电膜，设置于上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及调光晶体层，设置于上纳米银导电膜上；下膜片，与上膜片复合形成一体式结构，下膜片包括：下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；下纳米银导电膜，设置于下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及光学胶水层，一侧设置于下纳米银导电膜上，光学胶水层的另一侧与调光晶体层连接；上引电电极，设置于上纳米银导电膜的一侧边缘，并与调光晶体层位于同侧。本发明可以实现降低智能变色膜的使用电压，可节约20‑45％的电能，并且可大幅提高了智能变色膜透光度的变化范围。

Description

烘干装置、纳米银PET导电膜的智能变色膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种智能变色膜，特别是涉及一种烘干装置、纳米银PET导电膜的智能变色膜及其制备方法。

背景技术

现有技术中的智能变色膜通常包括电致变色膜、光致变色膜及热致变色膜，其中电致变色膜应用极为广泛，主要应用于建筑玻璃、电子窗帘、汽车贴膜、投影(动车玻璃，飞机玻璃，船玻璃)等方面。

现有技术的电致变色膜的工作原理是，将聚合物分散液晶(PDLC)或氮-磷检测器晶体(NPD)涂布于两层铟锡氧化物半导体与聚对苯二甲酸乙二醇酯复合导电膜(ITO-PE)之间，在外加电场作用下使聚合物分散液晶层内部从无规则状态呈有序排列状态，从而实现从不透明(磨砂状态)到透明状态的变换(从低透光度到高透光度的转变)，得到具有电控特性的智能调光膜。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

1、铟锡氧化物半导体(ITO)膜的表面阻值较高，会导致智能变色膜使用电压高，会浪费较多的电能，不利于环保；

2、铟锡氧化物半导体(ITO)膜透光度低，使得利用其制备的智能变色膜透的光度变化范围较小，并且采用铟锡氧化物半导体(ITO)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制作的智能变色膜延展性较差。

发明内容

为解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明实施例提供了一种烘干装置、纳米银PET导电膜的智能变色膜及其制备方法。具体的技术方案如下：

第一方面，提供一种纳米银PET导电膜的智能变色膜，其中纳米银PET导电膜的智能变色膜包括：

上膜片，包括:

上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；

上纳米银导电膜，设置于上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及

调光晶体层，设置于上纳米银导电膜上；

下膜片，与上膜片复合形成一体式结构，下膜片包括：

下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；

下纳米银导电膜，设置于下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及

光学胶水层，一侧设置于下纳米银导电膜上，光学胶水层的另一侧与调光晶体层连接；

上引电电极，设置于上纳米银导电膜的一侧边缘，并与调光晶体层位于同侧；以及

下引电电极，设置于下纳米银导电膜的一侧边缘，并与光学胶水层位于同侧。

在第一方面的第一种可能实现方式中，上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的厚度为25-250微米，上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的可见光透过率大于93％；下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的厚度为25-250微米，下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的可见光透过率大于93％。

在第一方面的第二种可能实现方式中，上纳米银导电膜的厚度为50-150纳米，上纳米银导电膜的方块电阻小于等于100Ω/□；下纳米银导电膜的厚度为50-150纳米，下纳米银导电膜的方块电阻小于等于100Ω/□。

在第一方面的第三种可能实现方式中，光学胶水层的厚度为50-100微米，光学胶水层的可见光透光率大于95％。

第二方面，提供一种烘干装置，应用于纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备，对调光晶体或光学胶水进行间歇循环烘烤，其中烘干装置包括：

第一烘箱，用于烘烤调光晶体或光学胶水；

第二烘箱，用于烘烤调光晶体或光学胶水；

保温筒，一端与第一烘箱连接，保温筒的另一端与第二烘箱连接；以及

传送机构，两端穿过保温筒，并且其中一端穿过第一烘箱，另一端设置于第二烘箱内，传送机构用于传输调光晶体或光学胶水；

其中，当烘干装置烘干调光晶体或光学胶水时，第一烘箱及第二烘箱依次对调光晶体或光学胶水进行烘烤。

在第二方面的第一种可能实现方式中，烘干装置还包括：

密封板，与传送机构对应设置于第一烘箱上，密封板用于密封第一烘箱；以及

挡板，设置于第二烘箱上，并位于远离保温筒侧。

第三方面，提供一种纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法，其中纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法包括以下步骤：

于上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的下表面形成上纳米银导电膜；

于上纳米银导电膜上形成调光晶体层，进而形成上膜片；

于下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的上表面形成下纳米银导电膜；

于下纳米银导电膜上形成光学胶水层，进而形成下膜片；

将上膜片与下膜片复合形成一体式结构；以及

于上纳米银导电膜及下纳米银导电膜上的一侧边缘印刷导电银浆，形成上引电电极和下引电电极。

在第三方面的第一种可能实现方式中，上纳米银导电膜是利用磁控溅射工艺形成于上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的下表面；下纳米银导电膜是利用磁控溅射工艺形成于下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的上表面。

在第三方面的第二种可能实现方式中，形成调光晶体层的方法还包括以下步骤：

将调光晶体均匀涂布于位于上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的上纳米银导电膜上；以及

将上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜放置于烘干装置内，调节烘干装置的温度，对调光晶体进行烘干，形成调光晶体层；

形成光学胶水层的方法还包括以下步骤：

将光学胶水均匀涂布于位于下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的下纳米银导电膜上；以及

将下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜放置于烘干装置内，调节烘干装置的温度，对光学胶水进行烘干，形成光学胶水层。

结合第三方面的第二种可能实现方式，在第三方面的第三种可能实现方式中，烘干装置的温度为115-125摄氏度。

本发明与现有技术相比具有的优点有：

1、本发明使用纳米银导电膜代替现有技术中的铟锡氧化物半导体(ITO)膜，可以实现降低智能变色膜的使用电压，可节约20-45％的电能，并且可大幅提高了智能变色膜透光度的变化范围，而且具有较好的延展性，大幅增加了智能变色膜的使用场景。

2、本发明的间歇循环烘干装置在烘干调光晶体或光学胶水时，调光晶体或光学胶水依次进入第一烘箱、第二烘箱进行烘干，第一烘箱和第二烘箱循环使用，可增大烘箱的利用率，便于节约能源，同时，调光晶体或光学胶水是经过保温筒传送的，可以使其温度不会发生骤变，还可以进行一定时间的冷却，再次进行烘干，可大幅提升烘干的品质，从而大幅提升智能变色膜的品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例的纳米银PET导电膜的智能变色膜的结构示意图。

图2、3是本发明二实施例的烘干装置的结构示意图。

图4是本发明二实施例的烘干装置的主视结构示意图。

图5是本发明二实施例的图4中A-A向的剖视结构示意图。

图6是本发明三实施例的纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法的步骤流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明的一实施例中，请参考图1，其示出了本发明一实施例的纳米银PET导电膜的智能变色膜1的结构示意图。纳米银PET导电膜的智能变色膜1包括上膜片101、下膜片102、上引电电极103和下引电电极104，其中：

请再次参考图1，上膜片101包括上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11、上纳米银导电膜12和调光晶体层13，上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11为由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成的薄膜，该薄膜(上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11)的厚度优选为25-250微米，例如可以为25微米、100微米、150微米、200微米或250微米，但并不以此为限。上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的可见光透过率大于93％，以防止其因透过率过低而影响智能变色膜的光透过率，但并不以此为限。

上纳米银导电膜12设置于上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11上，通过使用上纳米银导电膜12代替现有技术中的铟锡氧化物半导体(ITO)膜，以实现降低智能变色膜的使用电压，可节约20-45％的电能，并且可大幅提高了智能变色膜透光度的变化范围，而且具有较好的延展性，大幅增加了智能变色膜的使用场景。

在一优选实施例中，上纳米银导电膜12的厚度为50-150纳米，例如可以为50纳米、100纳米或150纳米，但并不以此为限。上纳米银导电膜12的方块电阻小于等于100Ω/□，以防止其电阻过高，增加电能消耗量，但并不以此为限。

调光晶体层13设置于上纳米银导电膜12上，调光晶体层13用于调节智能变色膜1的颜色变化，在本实施例中对于调光晶体层13的选择可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可。

请再次参考图1，下膜片102与上膜片101复合形成一体式结构，下膜片102包括下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14、下纳米银导电膜15和光学胶水层16，下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14为由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成的薄膜，该薄膜(下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14)的厚度优选为25-250微米，例如可以为25微米、100微米、150微米、200微米或250微米，但并不以此为限。下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14的可见光透过率大于93％，以防止其因透过率过低而影响智能变色膜的光透过率，但并不以此为限。

下纳米银导电膜15设置于下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14上，通过使用下纳米银导电膜15代替现有技术中的铟锡氧化物半导体(ITO)膜，以实现降低智能变色膜的使用电压，可节约20-45％的电能，并且可大幅提高了智能变色膜透光度的变化范围，而且具有较好的延展性，大幅增加了智能变色膜的使用场景。

在一优选实施例中，下纳米银导电膜15的厚度为50-150纳米，例如可以为50纳米、100纳米或150纳米，但并不以此为限。下纳米银导电膜15的方块电阻小于等于100Ω/□，以防止其电阻过高，增加电能消耗量，但并不以此为限。

光学胶水层16的一侧设置于下纳米银导电膜15上，光学胶水层16的另一侧与调光晶体层13连接，进而使下膜片102与上膜片101通过光学胶水层16复合形成一体式结构。在本实施例中对于光学胶水层16的选择可以没有特殊要求，参照本领域技术人员的常规选择即可，例如可以选择有机硅胶、丙烯酸型树脂及不饱和聚酯、聚氨酯、环氧树脂等胶粘剂作为光学胶水层16。

上引电电极103设置于上纳米银导电膜12的一侧边缘，并与调光晶体层13位于同侧，上引电电极103用于引出以接线电路，并通过该接线电路与交流电压连接。

下引电电极104设置于下纳米银导电膜15的一侧边缘，并与光学胶水层16位于同侧，下引电电极104用于引出另一接线电路，并通过该另一接线电路与交流电压连接。

该交流电压通过上引电电极103及下引电电极104分别为上膜片101及下膜片102提供电压，通过输入交流电压的大小而调节纳米银PET导电膜的智能变色膜1的透光度大小。

本发明的二实施例中，请参考图2、3，其分别示出了本发明二实施例的烘干装置2的结构示意图。烘干装置2主要应用于上述一实施例中的纳米银PET导电膜的智能变色膜1的制备，对调光晶体或光学胶水进行间歇循环烘烤，然烘干装置2的应用并不局限于此，本领域技术人员也可以根据本实施例的教导选择将其应用于对其他的材料烘烤。本实施例公开的烘干装置2包括第一烘箱201、第二烘箱202、保温筒203和传送机构204，其中：

第一烘箱201用于烘烤调光晶体或光学胶水，本实施例公开的第一烘箱201的烘箱外壳一般采用薄钢板制作，表面烤漆，工作室采用优质的结构钢板制作。外壳与工作室之间填充硅酸铝纤维。加热器安装底部，也可安置顶部或两侧。温度控制仪表采用数显智温控能表，PID调节:配置99.99小时时间控制器并与报警装置相连接，使烘箱的操作更简便，快捷与有效，但并不以此为限。

第二烘箱202用于烘烤调光晶体或光学胶水，本实施例公开的第二烘箱202的烘箱外壳一般采用薄钢板制作，表面烤漆，工作室采用优质的结构钢板制作。外壳与工作室之间填充硅酸铝纤维。加热器安装底部，也可安置顶部或两侧。温度控制仪表采用数显智温控能表，PID调节:配置99.99小时时间控制器并与报警装置相连接，使烘箱的操作更简便，快捷与有效，但并不以此为限。

为了对图2、3所示的烘干装置2做进一步描述，请参考图4，其示出了本发明二实施例的烘干装置2的主视结构示意图。保温筒203的一端与第一烘箱201连接，保温筒203的另一端与第二烘箱202连接，以使第一烘箱201与第二烘箱202通过保温筒203连接，进而使得调光晶体或光学胶水是经保温筒203由第一烘箱201向第二烘箱202传输，可以防止其调光晶体或光学胶水裸露在空气中，温度发生骤变，并且还可以在保温筒203内进行一定时间的冷却，以使再次进行烘干时，大幅提升烘干的品质，从而大幅提升智能变色膜的品质。

请参考图5，其示出了本发明二实施例的图4中A-A向的剖视结构示意图。传送机构204的两端穿过保温筒203，并且其中一端穿过第一烘箱201，另一端设置于第二烘箱202内，以使传送机构204在传输调光晶体或光学胶水时，是经保温筒203进行传输的，传送机构204可以选择传输带，但并不以此为限。

当烘干装置2烘干调光晶体或光学胶水时，将调光晶体或光学胶水放置于传送机构204上，传送机构204将调光晶体或光学胶水传输至第一烘箱201，进行第一次烘烤，在第一次烘烤完成后，传送机构204将调光晶体或光学胶水经保温筒203传输至第二烘箱202，进行第二次烘烤，通过第一烘箱201和第二烘箱202循环使用，可增大烘箱的利用率，便于节约能源，

在一优选实施例中，请再次参考图2、3，烘干装置2还包括密封板205和挡板206，密封板205与传送机构204对应设置于第一烘箱201上，密封板205用于密封第一烘箱201，以减少热量的散失。同时，挡板206设置于第二烘箱202上，并位于远离保温筒203侧，该侧通常设置一下料口，用于下料烘烤后的物料，挡板对应设置于下料口位置，以减少热量的散失，但并不以此为限。

本发明的三实施例中，请参考图6，其示出了本发明三实施例的纳米银PET导电膜的智能变色膜1的制备方法3的步骤流程示意图。纳米银PET导电膜的智能变色膜1的制备方法3包括以下步骤301-306，其中：

步骤301，形成上纳米银导电膜12。于上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的下表面形成上纳米银导电膜12。

具体的，利用磁控溅射工艺，于上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11的下表面形成上纳米银导电膜12，但并不以此为限。至于磁控溅射工艺为本领域技术人员的常规技术手段，因此在此不进行赘述。

步骤302，形成上膜片101。于上纳米银导电膜12上形成调光晶体层13，进而形成上膜片101。

具体的，利用涂布机，将调光晶体均匀涂布于位于上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11上的上纳米银导电膜12上，将上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11放置于烘干装置2内，调节烘干装置2的温度，优选为115-125摄氏度，例如可以为115摄氏度、120摄氏度或125摄氏度，但并不以此为限。通过烘干装置2对调光晶体进行烘干，形成调光晶体层13，进而形成上膜片101。

更具体的，将上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11放置于传送机构204上，传送机构204将上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11传输至第一烘箱201，第一烘箱201对调光晶体进行第一次烘烤，在第一次烘烤完成后，传送机构204将上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜11经保温筒203传输至第二烘箱202，第二烘箱202对进行第二次烘烤调光晶体，经过第一次及第二次烘烤，使调光晶体固化，形成调光晶体层13，进而形成上膜片101。

更具体的，在上膜片101形成后，对其进行收卷，以方便其与下膜片102的贴合，但并不以此为限。

步骤303，形成下纳米银导电膜15。于下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14的上表面形成下纳米银导电膜15。

具体的，利用磁控溅射工艺，于下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14的上表面形成下纳米银导电膜15，但并不以此为限。至于磁控溅射工艺为本领域技术人员的常规技术手段，因此在此不进行赘述。

步骤304，形成下膜片102。于下纳米银导电膜15上形成光学胶水层16，进而形成下膜片102。

具体的，利用涂布机，将光学胶水均匀涂布于位于下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14上的下纳米银导电膜15上，将下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14放置于烘干装置2内，调节烘干装置2的温度，优选为115-125摄氏度，例如可以为115摄氏度、120摄氏度或125摄氏度，但并不以此为限。通过烘干装置2对光学胶水进行烘干，形成光学胶水层16，进而形成下膜片102。

更具体的，将下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14放置于传送机构204上，传送机构204将下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14传输至第一烘箱201，第一烘箱201对光学胶水进行第一次烘烤，在第一次烘烤完成后，传送机构204将下聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜14经保温筒203传输至第二烘箱202，第二烘箱202对进行第二次烘烤光学胶水，经过第一次及第二次烘烤，使光学胶水固化，形成光学胶水层16，进而形成下膜片102。

步骤305，复合。将上膜片101与下膜片102复合形成一体式结构。

具体的，将上膜片101上的调光晶体层13贴合于光学胶水层16上，滚压上膜片101，使上膜片101与下膜片102通过光学胶水层16复合形成一体式结构，但并不以此为限。

步骤306，形成上引电电极103和下引电电极104。于上纳米银导电膜12及下纳米银导电膜15上的一侧边缘印刷导电银浆，形成上引电电极103和下引电电极104。

优选的，于上引电电极103和下引电电极104上分别引出接线电路，通过该接线电路与交流电压连接，通过调节交流电压的大小而调节纳米银PET导电膜的智能变色膜1的透光度大小。

上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施方式，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施方式的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述纳米银PET导电膜的智能变色膜包括：

上膜片，包括:

上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；

上纳米银导电膜，设置于所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及

调光晶体层，设置于所述上纳米银导电膜上；

下膜片，与所述上膜片复合形成一体式结构，所述下膜片包括：

下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；

下纳米银导电膜，设置于所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及

光学胶水层，一侧设置于所述下纳米银导电膜上，所述光学胶水层的另一侧与所述调光晶体层连接；

上引电电极，设置于所述上纳米银导电膜的一侧边缘，并与所述调光晶体层位于同侧；以及

下引电电极，设置于所述下纳米银导电膜的一侧边缘，并与所述光学胶水层位于同侧。

2.根据权利要求1所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的厚度为25-250微米，所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的可见光透过率大于93％；所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的厚度为25-250微米，所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的可见光透过率大于93％。

3.根据权利要求1所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述上纳米银导电膜的厚度为50-150纳米，所述上纳米银导电膜的方块电阻小于等于100Ω/□；所述下纳米银导电膜的厚度为50-150纳米，所述下纳米银导电膜的方块电阻小于等于100Ω/□。

4.根据权利要求1所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述光学胶水层的厚度为50-100微米，所述光学胶水层的可见光透光率大于95％。

5.一种烘干装置，应用于纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备，对调光晶体或光学胶水进行间歇循环烘烤，其特征在于，所述烘干装置包括：

第一烘箱，用于烘烤所述调光晶体或光学胶水；

第二烘箱，用于烘烤所述调光晶体或光学胶水；

保温筒，一端与所述第一烘箱连接，所述保温筒的另一端与所述第二烘箱连接；以及

传送机构，两端穿过所述保温筒，并且其中一端穿过所述第一烘箱，另一端设置于所述第二烘箱内，所述传送机构用于传输所述调光晶体或光学胶水；

其中，当所述烘干装置烘干所述调光晶体或光学胶水时，所述第一烘箱及所述第二烘箱依次对所述调光晶体或光学胶水进行烘烤。

6.根据权利要求5所述的烘干装置，其特征在于，所述烘干装置还包括：

密封板，与所述传送机构对应设置于所述第一烘箱上，所述密封板用于密封所述第一烘箱；以及

挡板，设置于所述第二烘箱上，并位于远离所述保温筒侧。

7.一种纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法，其特征在于，所述纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法包括以下步骤：

于上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的下表面形成上纳米银导电膜；

于所述上纳米银导电膜上形成调光晶体层，进而形成上膜片；

于下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的上表面形成下纳米银导电膜；

于所述下纳米银导电膜上形成光学胶水层，进而形成下膜片；

将所述上膜片与所述下膜片复合形成一体式结构；以及

于所述上纳米银导电膜及所述下纳米银导电膜上的一侧边缘印刷导电银浆，形成上引电电极和下引电电极。

8.根据权利要求7所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法，其特征在于，所述上纳米银导电膜是利用磁控溅射工艺形成于所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的下表面；所述下纳米银导电膜是利用磁控溅射工艺形成于所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的上表面。

9.根据权利要求7所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法，其特征在于，所述形成调光晶体层的方法还包括以下步骤：

将调光晶体均匀涂布于位于所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的所述上纳米银导电膜上；以及

将所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜放置于烘干装置内，调节所述烘干装置的温度，对所述调光晶体进行烘干，形成所述调光晶体层；

所述形成光学胶水层的方法还包括以下步骤：

将光学胶水均匀涂布于位于所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的所述下纳米银导电膜上；以及

将所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜放置于烘干装置内，调节所述烘干装置的温度，对所述光学胶水进行烘干，形成所述光学胶水层。

10.根据权利要求9所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备方法，其特征在于，所述烘干装置的温度为115-125摄氏度。