CN110197824A - 智能功率模块封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种智能功率模块封装结构,包括智能功率集成单元及一体成型的封装壳体,智能功率集成单元包括功率电路基板、内置功能电路板及多个连接柱;内置功能电路板上开设有与多个连接柱对应的多个第一通孔,多个连接柱的底端均固定在功率电路基板上,多个连接柱的顶端分别通过多个第一通孔穿过内置功能电路板,并在与其对应的第一通孔处与内置功能电路板固定连接;封装壳体包括底部具有开口的安装腔,智能功率集成单元安装在安装腔内,且智能功率集成单元的功率电路基板封堵在安装腔的底部开口位置处,与封装壳体形成密闭的封装结构。该结构降低了生产线的投入成本,提高了智能功率集成单元的空间利用率及设计自由度,简化了封装壳体结构及封装工序。
Description
技术领域
本发明实施例涉及功率模块封装技术领域,尤其涉及一种智能功率模块封装结构。
背景技术
智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)在传统功率模块的基础上集成了功能电路单元,因其高集成度、高可靠性以及简易外置配套电路,被广泛应用在家电、工业传动等领域。现有IPM的封装方式包括两种:
一种封装方式是,IPM以带引脚的铜导线框架作为封装框架,将功率电路基板以及以集成电路芯片形式存在功能电路放置在封装框架上,然后通过树脂类材料包裹并固化后形成坚硬塑封外壳的封装结构。这种封装方式中功能电路以集成芯片的形式存在,导致装配过程对生产线自动化要求较高,复用度较低,IPM结构上微小改动往往需要生产线大变更,导致IPM种类稀少,成本高昂,难以满足竞争激烈且需要越发丰富的工控产品市场。
另一种封装方式是,功能电路以内置功能电路板的形式存在,其封装结构往往包括功率电路基板、内置功能电路板、封装框体以及封装盖体,封装框体先和功率电路基板粘接,再将内置功能电路板通过粘接或卯接的方式固定在封装框体上,然后灌胶固化,将封装盖体通过粘接或卯接固定在封装壳体上,形成堆栈层叠式封装结构。这种封装方式封装工序复杂、成本较高,且内置功能电路板必须要通过粘接或卯接的方式固定在封装框体上,使得内置功能电路板和封装框体的设计必须互相耦合,降低了IPM设计的自由度。
综上,现有IPM封装方式存在有装配过程对生产线要求较高,复用度较低,IPM结构上微小改动往往需要生产线大变更,导致IPM种类稀少,成本高昂,难以满足竞争激烈且需要越发丰富的工控产品市场;或者,封装工序复杂、成本较高,降低了IPM设计的自由度的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的在于提供一种智能功率模块封装结构,以解决上述现有技术中存在的装配过程对生产线要求较高,复用度较低,IPM结构上微小改动往往需要生产线大变更,导致IPM种类稀少,成本高昂,难以满足竞争激烈且需要越发丰富的工控产品市场;或者,封装工序复杂、成本较高,降低了IPM设计的自由度的问题。
本发明实施例解决上述技术问题所采用的技术方案如下:
根据本发明实施例的一个方面,提供一种智能功率模块封装结构,包括智能功率集成单元及一体成型的封装壳体,其中:
所述智能功率集成单元包括功率电路基板、内置功能电路板以及用于多个连接柱;所述内置功能电路板上开设有与所述多个连接柱对应的多个第一通孔,所述多个连接柱的底端均固定在所述功率电路基板上,所述多个连接柱的顶端分别通过所述多个第一通孔穿过所述内置功能电路板,并在与其对应的所述第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接,使所述内置功能电路板堆栈层叠在所述功率电路基板上方;
所述封装壳体包括底部具有开口的安装腔,所述智能功率集成单元安装在所述安装腔内,且所述智能功率集成单元的功率电路基板封堵在所述安装腔的底部开口位置处,与所述封装壳体形成密闭的封装结构。
在上述技术方案的基础上,所述安装腔侧壁的底部设置有与所述功率电路基板相配合台阶式凹槽,所述功率电路基板通过粘接方式固定在台阶式凹槽位置处。
在上述技术方案的基础上,所述多个连接柱包括第一短连接柱和第二长连接柱,其中:
所述第一短连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第一短连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板后不再延伸,且所述第一短连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述第二长连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第二长连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板并具有延伸部,且所述第二长连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述封装壳体的上表面开设有多个第二通孔,所述多个第二通孔的数量大于或等于所述第二长连接柱的数量,所述第二长连接柱的延伸部通过与其对应的所述第二通孔穿过所述封装壳体的上表面。
在上述技术方案的基础上,所述多个连接柱包括第一短连接柱,所述第一短连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第一短连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板后不再延伸,且所述第一短连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述智能功率模块封装结构还包括多个第三长连接柱,所述第三长连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第三长连接柱的顶端避开所述内置功能电路板并具有延伸部;
所述封装壳体的上表面开设有多个第二通孔,所述多个第二通孔的数量大于或等于所述第三长连接柱的数量,所述第三长连接柱的延伸部通过与其对应的第二通孔穿过所述封装壳体的上表面。
在上述技术方案的基础上,所述封装壳体上开设有第一灌胶注入口,所述智能功率封装结构还包括绝缘硅胶,所述封装壳体与所述智能功率集成单元装配完成后,通过所述第一灌胶注入口将所述绝缘硅胶注满所述封装壳体与所述智能功率集成单元装配后形成的腔体。
在上述技术方案的基础上,所述内置功能电路板上开设有第二灌胶注入口,所述绝缘硅胶通过所述第二灌胶注入口注入所述内置功能电路板与所述功率电路基板之间的空间。
在上述技术方案的基础上,所述内置功能电路板与所述封装壳体侧壁的内表面之间具有间隙,所述绝缘硅胶通过所述间隙溢满所述封装壳体和所述智能功率集成单元粘接后形成的密封腔体。
在上述技术方案的基础上,所述内置功能电路板上焊接有连接器,所述封装壳体上开设有连接器延伸口,所述连接器通过所述连接器延伸口延伸出所述封装壳体与外界电路进行信号交互。
在上述技术方案的基础上,所述封装壳体的两侧分别设置有用于通过锁固件将所述智能功率模块封装结构固定在外部散热平面上的装配孔。
在上述技术方案的基础上,还包括形变抑制柱体,所述形变抑制柱体的顶端与所述封装壳体上顶部内表面中心部位相抵接,所述形变抑制柱体底端穿过所述内置功能电路板后与所述功率电路基板的上表面相抵接。
本发明实施例有益效果如下:
本发明实施例提供的智能功率模块封装结构中,功能电路以内置功能电路板形式存在,其装配过程无需特殊工艺处理,对生产线要求较低,使得生产线具有高复用性,降低了生产线的投入成本;由于内置功能电路板通过连接柱固定在功率电路基板上方,使得内置功能电路板与封装壳体之间无需耦合设计,从而增加了智能功率集成单元设计的自由度,且提高了封装结构的空间利用率,有利于降低封装结构体积和增加封装结构的功率密度;此外,由于内置功能电路板与封装壳体之间无需耦合设计,使得智能功能模块的外壳可以设计为一体成型的封装壳体,减少了外壳部件的数量,简化了封装工序,降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构的***图;
图2是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构中的智能功率集成单元在一具体实现方式中的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构中的智能功率集成单元在另一具体实现方式中的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构中封装壳体侧壁底部开设的台阶式凹槽的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构封装完成后的剖面示意图;
图6是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构封装完成后的结构示意图;
图7是本发明另一实施例提供的智能功率模块封装结构的***图;
图8是本发明另一实施例提供的智能功率模块封装结构中形变抑制柱体与封装壳体之间配合关系的示意图;
图9是本发明另一实施例提供的智能功率模块封装结构封装完成后的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本发明实施例的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明实施例进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明实施例,并不用于限定本发明实施例。
实施例一
图1是本发明实施例提供的智能功率模块封装结构的***图。为了便于说明,仅仅示出了与本实施例相关的部分。
参见图1所示,本实施例提供的智能功率模块封装结构包括智能功率集成单元1及一体成型的封装壳体2,其中:
所述智能功率集成单元1包括功率电路基板11、内置功能电路板12以及用于信号传输及固定所述内置功能电路板12的多个连接柱13;所述内置功能电路板12上开设有与所述多个连接柱13对应的多个第一通孔(图中未示出),所述多个连接柱13的底端均固定在所述功率电路基板11上,所述多个连接柱13的顶端分别通过所述多个第一通孔穿过所述内置功能电路板12,并在与其对应的所述第一通孔处与所述内置功能电路板12固定连接,使所述内置功能电路板12堆栈层叠在所述功率电路基板11上方;
所述封装壳体2包括底部具有开口的安装腔,所述智能功率集成单元1安装在所述安装腔内,且所述智能功率集成单元1的功率电路基板11封堵在所述安装腔的底部开口位置处,与所述封装壳体2形成密闭的封装结构。
其中,所述智能功率集成单元1中所述功率电路基板11包括但不限于铝基树脂覆铜板、铜基树脂覆铜板或者双面覆铜陶瓷基板,且所述功率电路基板11上焊接有功能不仅限于逆变、整流、制动、缓冲等功率开关器件以及温度和电信号采样器件。所述内置功能电路板12上焊接有功能不仅限于电源、信号采样调理、保护、驱动、微控制单元运算等分立功能器件。
其中,所述多个连接柱13的底端通过焊接的方式固定在所述功率电路基板11上,所述多个连接柱13在其对应的第一通孔处通过焊接和/或压接的方式实现与所述内置功能电路板12的固定和信号传输。优选的,本实施例中,所述多个连接柱上可堆栈层叠多个内置功能电路基板。
本实施例中,多个连接柱13采用焊接的方式固定在所述功率电路基板11上,采用焊接和/或压接的方式与至少一个内置功能电路板12实现固定和信号传输,可以实现连接柱与功率电路基板11和内置功能电路板12之间连接的稳定性,并且功率电路基板11和内置功能电路板12能够基于连接柱13实现信号复用;此外,由于功率开关器件均是通过焊接固定在所述功率电路基板11上的,这样使得连接柱可以同功率开关器件一起进行装配,简化了装配工序。
进一步的,参见图2所示,在一具体实现方式中,所述多个连接柱13包括第一短连接柱131和第二长连接柱132,其中:
所述第一短连接柱131的底端固定在所述功率电路基板11上,所述第一连接柱131的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板12后不再延伸,且所述第一连接柱131在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板12固定连接;
所述第二长连接柱132的底端固定在所述功率电路基板11上,所述第二长连接柱132的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板12并具有延伸部,且所述第二长连接柱132在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板12固定连接;
所述封装壳体2的上表面开设有多个第二通孔21,所述多个第二通孔21的数量大于或等于所述第二长连接柱132的数量,所述第二长连接柱132的延伸部通过与其对应的所述第二通孔21穿过所述封装壳体2的上表面。
优选的,在本实施例中,所述第一短连接柱131的底端通过焊接的方式固定在所述功率电路基板11上,所述第一短连接柱131在其对应的第一通孔处通过焊接或压接的方式与所述内置功能电路板12实现信号传输和结构固定的功能复用。
优选的,在本实施例中,所述第二长连接柱132的底端通过焊接的方式固定在所述功率电路基板11上,所述第二长连接柱132的顶端在其对应的通孔处通过焊接或压接的方式与所述内置功能电路板12实现信号传输和结构固定的功能复用。
优选的,在本实施例中,所述第一短连接柱131和所述第二长连接柱132的顶端可以设置为针头式形状,这样便于所述第一短连接柱131和所述第二长连接柱132快速穿过所述内置功能电路板12上的第一通孔,便于装配。
优选的,在本实施例中,所述第一短连接柱131和所述第二长连接柱132的外观实现形式不受某一固定外形限制,在具体实现时,所述第一短连接柱131和所述第二长连接柱132的具体实现形式包括但不限于圆柱状端子、正多边形端子和/或扁状端子。
优选的,在本实施例中,所述封装壳体2的上表面开设的第二通孔21的数量大于所述第二长连接柱132的数量,这样使得封装壳体2可以兼容多个不同类型功率电路基板11的长端子的延伸需求。当然,在其他对封装壳体2兼容性较低的应用场景下,所述封装壳体2的上表面开设的第二通孔21的数量也可以等于所述功率电路基板11上焊接的第二长连接柱132的数量。
进一步的,参见图3所示,在另一具体实现方式中,所述多个连接柱13包括第一短连接柱131,所述第一短连接柱131的底端固定在所述功率电路基板11上,所述第一短连接柱131的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板12后不再延伸,且所述第一短连接柱131在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板12固定连接;
所述智能功率模块封装结构还包括用于信号传输的多个第三长连接柱133,所述第三长连接柱133的底端固定在所述功率电路基板11上,所述第三长连接柱133的顶端避开所述内置功能电路板12并具有延伸部;
所述封装壳体2的上表面开设有多个第二通孔21,所述多个第二通孔21的数量大于或等于所述第三长连接柱133的数量,所述第三长连接柱133的延伸部通过与其对应的第二通孔21穿过所述封装壳体2的上表面。
优选的,在本实施例中,所述第一短连接柱131的底端通过焊接的方式固定在所述功率电路基板11上,所述第一短连接柱131在其对应的第一通孔处通过焊接或压接的方式与所述内置功能电路板12实现信号传输和结构固定的功能复用。
优选的,在本实施例中,所述内置功能电路板12的面积小于所述功率电路基板11的面积,所述第三长连接柱133分别设置在所述功率电路基板11上靠近四周的位置处,所述第三长连接柱133的底端通过焊接的方式固定在所述功率电路基板11上,所述第三长连接柱133的顶端避开所述内置功能电路板12后通过所述封装壳体2上的第二通孔21延伸出所述封装壳体2与外部电路进行信号交互。
优选的,在本实施例中,所述封装壳体2上表面开设的第二通孔21的大小与所述第三柱体的延伸部的横截面积大小相等,使得所述第三柱体的延伸部恰好通过与其对应的第二通孔21延伸出所述封装壳体2与外界电路进行信号交互。
优选的,在本实施例中,所述封装壳体2的上表面开设的第二通孔21的数量大于所述第三长连接柱133的数量,这样使得封装壳体2可以兼容多个不同类型功率电路基板11的长端子的延伸需求。当然,在其他对封装壳体2兼容性较低的应用场景下,所述封装壳体2的上表面开设的第二通孔21的数量也可以等于所述功率电路基板11上焊接的第三长连接柱133的数量。
优选的,在本实施例中,所述第一短连接柱131和所述第三长连接柱133的外观实现形式不受某一固定外形限制,在具体实现时,所述第一短连接柱131和所述第三长连接柱133的具体实现形式包括但不限于圆柱状端子、正多边形端子和/或扁状端子。
进一步的,参见图2所示,所述封装壳体2上开设有第一灌胶注入口22,所述智能功率封装结构还包括绝缘硅胶,所述封装壳体2与所述智能功率集成单元1装配完成后,通过所述第一灌胶注入口22将所述绝缘硅胶注入所述封装壳体2与所述智能功率集成单元1装配后形成的腔体。所述内置功能电路板12上开设有第二灌胶注入口122,所述绝缘硅胶通过所述第二灌胶注入口122注满所述内置功能电路板12与所述功率电路基板11之间的空间。所述内置功能电路板12与所述封装壳体2侧壁的内表面之间具有间隙,所述绝缘硅胶通过所述间隙溢满所述封装壳体2和所述智能功率集成单元1粘接后形成的密封腔体。在本实施例中,所述绝缘硅胶可以通过所述第一灌胶注入口22、所述第二灌胶注入口122及所述间隙溢满所述封装壳体2与所述智能功率集成模块封装后形成的密封腔体内的空间,对所述功能电路基板和所述内置功能电路板12起到绝缘保护和防尘的作用。
进一步的,参见图2所示,所述内置功能电路板12上焊接有连接器123,所述封装壳体2上开设有连接器延伸口23,所述连接器123通过所述连接器延伸口23延伸出所述封装壳体2与外界电路进行信号交互。
进一步的,参见图2所示,所述封装壳体2的两侧分别设置有用于通过锁固件将所述智能功率模块封装结构固定在外部散热平面上的装配孔24。优选的,在本实施例中,所述锁固件为螺钉。
进一步的,参见图4所示,所述安装腔侧壁的底部设置有与所述功率电路基板11相配合台阶式凹槽25,所述功率电路基板11通过粘接方式固定在台阶式凹槽25位置处。优选的,在本实施例中,所述台阶式凹槽25表面涂有硅橡胶,所述功率电路基板11通过所述硅像胶粘接在所述台阶式凹槽25处。智能功率集成模块与封装壳体2封装后的结构示意图参见图5和图6所示。
以上可以看出,本实施例提供的智能功率模块封装结构,由于功能电路以内置功能电路板12形式存在,其装配过程无需特殊工艺处理,对生产线要求较低,使得生产线具有高复用性,降低了生产线的投入成本;由于内置功能电路板12通过连接柱固定在功率电路基板11上方,使得内置功能电路板12与封装壳体2之间无需耦合设计,从而增加了智能功率集成单元1设计的自由度,且提高了封装结构的空间利用率,有利于降低封装结构体积和增加封装结构的功率密度;此外,由于内置功能电路板12与封装壳体2之间无需耦合设计,使得智能功能模块的外壳可以设计为一体成型的封装壳体2,减少了外壳部件的数量,简化了封装工序,降低了成本。
实施例二
图7是本发明另一实施例提供的智能功率模块封装结构的结构示意图。为了便于说明仅仅示出了与本实施例相关的部分。
参见图7所示,相对于上一实施例,本实施例提供的智能功率模块封装结构还包括形变抑制柱体14,所述形变抑制柱体14的顶端与所述封装壳体2上顶部内表面中心部位相抵接,所述形变抑制柱体14底端穿过所述内置功能电路板12后与所述功率电路基板11的上表面相抵接。
在本实施例中,所述内置功能电路板12上开设有形变抑制柱体14延伸口,所述形变抑制柱体14的底端抵接在所述功率电路基板11的上表面,所述形变抑制柱体14的顶端通过所述形变抑制柱体延伸口124穿过所述内置功能电路板12并与所述封装壳体2顶部壳体的内表面相抵接(如图8所示),这样当通过螺钉等锁固件将所述智能功率封装结构锁固到外部散热平面上时,所述形变抑制柱体14可以起到抑制功率电路基板11发生形变的作用。形变抑制柱体14与功率电路基板11、内置功能电路板12及封装壳体2封装完成后的剖面示意图参见图9所示。
进一步的,相对于上一实施例,本实施例中的智能功率集成单元1还包括多个具有限位支撑平台的限位支撑柱,所述内置功能电路板12上开设有与多个限位支撑柱一一对应的第三通孔;所述多个限位支撑柱的底端均固定在所述功率电路基板11上,所述多个限位支撑柱的顶端分别通过与其对应的第三通孔穿过所述内置功能电路板12,使所述多个限位支撑柱的限位支撑平台分别与所述内置功能电路板12的底面相抵接,以对所述内置功能电路板12进行限位和支撑,且所述多个限位支撑柱分别在其对应的所述第三通孔处与所述内置功能电路板12固定连接。
其中,所述限位支撑柱对所述内置功率电路板起限位、支撑及固定作用。优选的,在本实施例中,所述多个限位支撑柱的底端均焊接在所述功率电路基板11上,所述多个限位支撑柱分别在其对应的第二通孔21处通过焊接和/或压接的方式与所述内置功能电路板12实现固定。
优选的,在本实施例中,所述智能功率集成单元1包括四个限位支撑柱,所述四个限位支撑柱分别分布在所述功率电路基板11的四个角位置处,所述四个限位支撑柱的底端分别焊接在所述功率电路基板11上表面的四个角位置处,顶端分别通过内置功能电路板12上开设的四个第三通孔穿过所述内置功能电路板12,并使所述四个限位支撑柱的限位支撑平台分别与所述内置功能电路板12的底面相抵接,以对所述内置功能电路板12进行限位和支撑,且所述四个限位支撑柱分别在其对应的所述第三通孔处通过焊接和/或压接的方式与所述内置功能电路板12实现固定。
本实施例提供的智能功率集成单元1电路板封装结构由于在所述功率电路基板11和所述内置功能电路基板之间还设置有用于对所述内置功能电路板12进行限位、支撑及固定的限位支撑柱,这样可以进一步提高内置功能电路板12封装的稳固性。
需要说明的是,本实施例提供的智能功率模块封装结构的其他部分结构由于与上一实施例完全相同,因此在此不再赘述。
相对于上一实施例,本实施例提供的智能功率模块封装结构由于还设置有形变抑制柱体14,且形变抑制柱体14的底端与功率电路基板11上表面相抵接,顶端穿过内置功能电路板12后与封装壳体2顶部壳体的内表面相抵接,从而可以在通过锁固件将智能功率模块封装结构安装到外部散热平面上时,抑制功率电路基板11发生形变,进一步提高了智能功率模块封装结构的可靠性;此外,由于在所述功率电路基板11和所述内置功能电路基板之间还设置有用于对所述内置功能电路板12进行限位、支撑及固定的限位支撑柱,这样可以进一步提高内置功能电路板12封装的稳固性。
以上参照附图说明了本发明的优选实施例,并非因此局限本发明的权利范围。本领域技术人员不脱离本发明的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进,均应在本发明的权利范围之内。
Claims (10)
1.一种智能功率模块封装结构,其特征在于,包括智能功率集成单元及一体成型的封装壳体,其中:
所述智能功率集成单元包括功率电路基板、内置功能电路板以及用于信号传输及固定所述内置功能电路板的多个连接柱;所述内置功能电路板上开设有与所述多个连接柱对应的多个第一通孔,所述多个连接柱的底端均固定在所述功率电路基板上,所述多个连接柱的顶端分别通过所述多个第一通孔穿过所述内置功能电路板,并在与其对应的所述第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接,使所述内置功能电路板堆栈层叠在所述功率电路基板上方;
所述封装壳体包括底部具有开口的安装腔,所述智能功率集成单元安装在所述安装腔内,且所述智能功率集成单元的功率电路基板封堵在所述安装腔的底部开口位置处,与所述封装壳体形成密闭的封装结构。
2.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述安装腔侧壁的底部设置有与所述功率电路基板相配合台阶式凹槽,所述功率电路基板通过粘接方式固定在台阶式凹槽位置处。
3.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述多个连接柱包括第一短连接柱和第二长连接柱,其中:
所述第一短连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第一短连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板后不再延伸,且所述第一短连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述第二长连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第二长连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板并具有延伸部,且所述第二长连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述封装壳体的上表面开设有多个第二通孔,所述多个第二通孔的数量大于或等于所述第二长连接柱的数量,所述第二长连接柱的延伸部通过与其对应的所述第二通孔穿过所述封装壳体的上表面。
4.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述多个连接柱包括第一短连接柱,所述第一短连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第一短连接柱的顶端通过与其对应的第一通孔穿过所述内置功能电路板后不再延伸,且所述第一短连接柱在其所对应的第一通孔处与所述内置功能电路板固定连接;
所述智能功率模块封装结构还包括多个第三长连接柱,所述第三长连接柱的底端固定在所述功率电路基板上,所述第三长连接柱的顶端避开所述内置功能电路板并具有延伸部;
所述封装壳体的上表面开设有多个第二通孔,所述多个第二通孔的数量大于或等于所述第三长连接柱的数量,所述第三长连接柱的延伸部通过与其对应的第二通孔穿过所述封装壳体的上表面。
5.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述封装壳体上开设有第一灌胶注入口,所述智能功率封装结构还包括绝缘硅胶,所述封装壳体与所述智能功率集成单元装配完成后,通过所述第一灌胶注入口将所述绝缘硅胶注满所述封装壳体与所述智能功率集成单元装配后形成的腔体。
6.如权利要求5所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述内置功能电路板上开设有第二灌胶注入口,所述绝缘硅胶通过所述第二灌胶注入口注满所述内置功能电路板与所述功率电路基板之间的空间。
7.如权利要求6所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述内置功能电路板与所述封装壳体侧壁的内表面之间具有间隙,所述绝缘硅胶通过所述间隙溢满所述封装壳体和所述智能功率集成单元粘接后形成的密封腔体。
8.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述内置功能电路板上焊接有连接器,所述封装壳体上开设有连接器延伸口,所述连接器通过所述连接器延伸口延伸出所述封装壳体与外界电路进行信号交互。
9.如权利要求1所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,所述封装壳体的两侧分别设置有用于通过锁固件将所述智能功率模块封装结构固定在外部散热平面上的装配孔。
10.如权利要求9所述的智能功率模块封装结构,其特征在于,还包括形变抑制柱体,所述形变抑制柱体的顶端与所述封装壳体上顶部内表面中心部位相抵接,所述形变抑制柱体底端穿过所述内置功能电路板后与所述功率电路基板的上表面相抵接。
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