CN110165188A - 一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于采用“氟参与反应法”合成，通过引入氟元素，实现在低温下制备“硅/碳”，“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料。将“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料应用于锂离子电池负极，取得了优异的循环性能。在0.5C电流下，经过30次循环比容量保持在1580 mAh g‑1，有望在未来广泛应用在车用动力锂离子电池负极材料领域。同时，这种方法有望为硅和碳化硅材料在传感器和太阳能电池领域的应用拓展新的机会。

Description

一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种新型合成方法“氟参与反应法”用于制备硅/碳化硅材料，特别是涉及一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法。
通过引入氟元素，实现了在低温下制备“硅/碳”，“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料。主要应用于纯电动汽车动力锂离子电池硅/碳负极领域，也可应用于传感器和太阳能电池硅/碳化硅材料领域。
背景技术
锂离子电池作为一种电能储存器件，具有环境友好、循环寿命长、能量密度高等优点，在便携式可移动电子设备上的应用已经非常普遍。但是，目前锂离子电池的能量密度还不足以满足纯电动汽车在续航里程上的需求，新型高能量密度的正、负极电极材料的研发非常重要。单质硅具有4200 mAh g-1的理论比容量，是高能量密度负极材料的首选。
相关研究表明，单质硅作为锂离子电池负极材料存在三个主要问题：1) 充放电过程中体积变化非常剧烈（常温下约300%，），这会导致电极活性材料几次循环后从电极上脱落。2) 体积变化导致新表面的暴露，SEI 膜会持续生长消耗大量的锂离子和电解液。3) Si是一种半导体，本征载流子浓度很低，导电性很差。这些缺点严重损害了单质硅在电池应用中的表现，研究人员采取对硅进行改性的手段以提高其电化学性能。
对硅改性的方法主要是采用碳包覆。大量研究表明，包碳后硅碳复合材料比容量会略有下降，但循环性能，倍率性能等都会有较大提高。但部分研究表明，碳壳较脆弱，给硅材料包碳后经过几次循环，体积膨胀可能会涨破碳壳，进而失去对内部硅的保护作用。所以，迫切需要寻找一种既可以导电，又不易被涨破的包覆材料。碳化硅具有较好的刚性，不易被涨破，可以有效保护硅。“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料既可以对硅的良好保护，又可以满足电极材料导电性的要求。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明目的在于提出一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法。
本发明目的通过下述方案实现：一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，采用“氟参与反应法” 合成，通过引入氟元素，实现在低温下制备“硅/碳”、“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料，包括如下步骤：
a、取0.2 g硅材料（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h；
b、取400 mg含氟聚合物，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h；
c、将步骤a所得分散液加入到步骤b所得分散液中, 搅拌30分钟，然后超声机超声1h；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃/分钟升温到不低于含氟聚合物的分解温度，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，得到“硅/碳”、“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料。
使用包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯的含氟聚合物或含氟有机溶液，有与硅反应的氟化自由基。
在上述方案基础上，所述含氟聚合物为聚四氟乙烯时，升温到360℃-400℃。
在上述方案基础上，反应物的硅材料是纳米硅粉、硅纳米线，微米硅粉、粗硅颗粒、单晶硅片、掺杂硅片、太阳能电池回收硅废料中的任何一种。
本发明通过控制反应中加入的含氟有机物的量和反应温度，实现局部生成碳化硅，即“硅/碳”， “碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构的制备，控制碳化硅的生成量，形成任何比例的硅/碳复合材料。
反应温度不局限于400℃，只要满足该含氟聚合物的分解温度即可；如聚四氟乙烯的分解温度为360℃，则360℃以上的任何温度均满足反应条件，对其他含氟聚合物同理。
本发明使用含氟有机物（如聚四氟乙烯，聚偏氟乙烯等），而不是直接使用四氟化碳等含氟气体，来提供与硅反应的氟化自由基。含氟有机物相对加工更加安全，而气体原料极易***。
在氟参与条件下，碳材料可以在400℃就与硅反应生成碳化硅，该方法比碳与硅直接反应制备碳化硅（约1400℃）降低了1000℃。通过控制反应物“含氟聚合物”的加入量，可以实现局部生成碳化硅，即“硅/碳”， “碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构的制备。该方法不仅适用于纳米尺寸的硅，同样适用于微米硅，块体硅，硅片等硅材料。我们将“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料应用于锂离子电池负极，取得了优异的循环性能。在0.5C电流下，经过30次循环比容量保持在1580 mAh g-1，有望在未来广泛应用在车用动力锂离子电池负极材料领域。同时，这种方法有望为硅和碳化硅材料在传感器和太阳能电池领域的应用拓展新的机会。
通过引入氟元素实现在400℃的低温下制备硅/碳化硅材料（比硅和碳直接反应温度降低1000℃），主要包括“硅/碳”，“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料。本发明的目的是：提出一种新颖的“氟参与反应法”，实现低温制备硅/碳化硅材料，可将其应用于锂离子电池，传感器，和太阳能电池。
本发明采用低温一步“氟参与反应法”，在硅粉表面原位制备出碳化硅材料。通过控制反应原料中含氟聚合物的使用量，可以控制硅粉表面碳化硅的生成量。制得的“硅/碳化硅/碳”三层结构，内层硅充当反应的活性材料提供电容，中间层碳化硅能够有效抑制硅的体积膨胀效应，外层无定型碳可以充分保证电极的导电性，使整个负极同时兼具高比容量、高循环稳定性和高电子电导率的优点。
附图说明
图1为本发明实施例1合成的“硅/碳”核壳结构的扫描电镜图；
图2为本发明实施例2合成的“碳化硅/碳”核壳结构的透射电镜图；
图3为本发明实施例3合成的“硅/碳化硅/碳”三层结构的透射电镜图；
图4为本发明实施例4合成的微米级“硅/碳化硅/碳”三层结构的扫描电镜图；
图5为本发明实施例3合成的“硅/碳化硅/碳”三层结构的循环性能图，电流为0.2C。
具体实施方式
本发明下面通过具体实例进行详细的描述，但是本发明的保护范围不受限于这些实施例子。
实施例1
一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料，采用“氟参与反应法” 合成，通过引入氟元素，实现在低温下制备“硅/碳”、“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料，按如下步骤制备：
a、取0.2 g纳米硅粉（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h，得到a分散液；
b、取200 mg含聚氟聚合物，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h，得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中, 搅拌30分钟，然后，超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到400℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“硅/碳”核壳结构复合材料。图1为本实施例1合成的“硅/碳”核壳结构的扫描电镜图。
实施例2
一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料，按如下步骤制备：
a、取0.2 g纳米硅粉（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h得到a分散液；
b、取1000 mg聚四氟乙烯，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中，搅拌30分钟，然后，超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到不低于360℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“碳化硅/碳”核壳结构复合材料。图2为本实施例2合成的“碳化硅/碳”核壳结构的透射电镜图。
实施例3
一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料，按如下步骤制备：
a、取0.2 g纳米硅粉（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h得到a分散液；
b、取400 mg聚四氟乙烯，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中, 搅拌30分钟，然后超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到400℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“硅/碳化硅/碳”核壳结构复合材料。图3为本实施例3合成的“硅/碳化硅/碳”三层结构的透射电镜图，图5为本发明实施例3合成的“硅/碳化硅/碳”三层结构的循环性能图，电流为0.2C。
实施例4
一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料，按如下步骤制备：
a、取0.5 g微米硅粉（1~10 μm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h得到a分散液；
b、取1 g聚四氟乙烯，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中, 搅拌30分钟，然后超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到700℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“硅/碳化硅/碳”核壳结构复合材料。图4为本实施例4合成的微米级“硅/碳化硅/碳”三层结构的扫描电镜图。

Claims (8)

1.一种“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于，采用“氟参与反应法”合成，通过引入氟元素，实现在低温下制备“硅/碳”、“碳化硅/碳”核壳结构或“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料，包括如下步骤：
a、取0.2 g硅材料（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h；
b、取400 mg含氟聚合物，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h；
c、将步骤a所得分散液加入到步骤b所得分散液中, 搅拌30分钟，然后超声机超声1h；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃/分钟升温到不低于含氟聚合物的分解温度，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，得到“硅/碳”、“碳化硅/碳”核壳结构和“硅/碳化硅/碳”三层结构复合材料。
2.根据权利要求1所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：使用包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯的含氟聚合物或含氟有机溶液，有与硅反应的氟化自由基。
3.根据权利要求1或2所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：所述含氟聚合物为聚四氟乙烯时，升温到360℃-400℃。
4.根据权利要求1所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：反应物的硅材料是纳米硅粉、硅纳米线，微米硅粉、粗硅颗粒、单晶硅片、掺杂硅片、太阳能电池回收硅废料中的任何一种。
5.根据权利要求1或2所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：按如下步骤制备：
a、取0.2 g纳米硅粉（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h得到a分散液；
b、取400 mg聚四氟乙烯，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中, 搅拌30分钟，然后超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到400℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“硅/碳化硅/碳”核壳结构复合材料。
6.根据权利要求1或2所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：按如下步骤制备：
a、取0.5 g微米硅粉（1~10 μm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h得到a分散液；
b、取1 g聚四氟乙烯，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中, 搅拌30分钟，然后超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到700℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“硅/碳化硅/碳”核壳结构复合材料。
7.根据权利要求1或2所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：按如下步骤制备：
a、取0.2 g纳米硅粉（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h，得到a分散液；
b、取200 mg含聚氟聚合物，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h，得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中, 搅拌30分钟，然后，超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到400℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“硅/碳”核壳结构复合材料。
8.根据权利要求1或2所述“硅/碳化硅/碳”三层结构材料的制备方法，其特征在于：按如下步骤制备：
a、取0.2 g纳米硅粉（20~100 nm）放入烧杯，加入10ml的氮-甲基吡咯烷酮，超声机超声0.5h得到a分散液；
b、取1000 mg聚四氟乙烯，加入到30 ml氮-甲基吡咯烷酮中，搅拌2h，超声分散1h得到b分散液；
c、将a分散液加入到b分散液中，搅拌30分钟，然后，超声机超声1h得到c分散液；
d、将步骤c所得分散液放到80℃烘箱中，静置24h，烘干；
e、将烘干的样品放入管式炉，在氩气保护气氛下，10℃每分钟升温到不低于360℃，保温2h；
f、降至室温后，取出管式炉中的产物，产物即为“碳化硅/碳”核壳结构复合材料。图2为本实施例2合成的“碳化硅/碳”核壳结构的透射电镜图。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571426A (zh) * 2019-09-10 2019-12-13 石家庄尚太科技有限公司 一种掺氮硅碳复合负极材料及其制备方法
CN112687853A (zh) * 2020-12-10 2021-04-20 安普瑞斯（南京）有限公司 硅氧颗粒团聚体及其制备方法、负极材料、电池
CN112687852A (zh) * 2020-12-10 2021-04-20 安普瑞斯（南京）有限公司 硅氧锂颗粒及其制备方法、负极材料、极片和电池
CN112736225A (zh) * 2020-12-10 2021-04-30 安普瑞斯（南京）有限公司 硅氧锂颗粒团聚体及其制备方法、负极材料、极片和电池
CN114335474A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种锂电池高镍正极无机化合物包覆方法
CN114497485A (zh) * 2022-01-07 2022-05-13 中南大学 一种多孔硅基复合材料及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Y. LIU等: "Electrochemical behaviors of Si/C composite synthesized from F-containing precursors", 《JOURNAL OF POWER SOURCES》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571426A (zh) * 2019-09-10 2019-12-13 石家庄尚太科技有限公司 一种掺氮硅碳复合负极材料及其制备方法
CN112687853A (zh) * 2020-12-10 2021-04-20 安普瑞斯（南京）有限公司 硅氧颗粒团聚体及其制备方法、负极材料、电池
CN112687852A (zh) * 2020-12-10 2021-04-20 安普瑞斯（南京）有限公司 硅氧锂颗粒及其制备方法、负极材料、极片和电池
CN112736225A (zh) * 2020-12-10 2021-04-30 安普瑞斯（南京）有限公司 硅氧锂颗粒团聚体及其制备方法、负极材料、极片和电池
CN114335474A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种锂电池高镍正极无机化合物包覆方法
CN114497485A (zh) * 2022-01-07 2022-05-13 中南大学 一种多孔硅基复合材料及其制备方法和应用

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