CN110161065A - 一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置 - Google Patents

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李杨威
孔飞
邵涛
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刘俊标
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Abstract

本发明公开了一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，包括:屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩由内向外依次同轴布置形成的收集极模块，屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩的中心均设有通孔，所有通孔处于同一直线上；样品台模块从下而上依次为冷却层、加热层、绝缘层和样品座；偏压装置包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与收集极连接，第二偏压电源与抑制栅网连接；收集极模块和样品台模块均设于真空腔内，且收集极模块位于样品台模块的正上方；电子枪设于收集极模块的正上方，且电子枪、收集极模块和样品台模块的中心轴线位于同一直线上；屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和样品座分别与不同的弱电流测量装置连接。

Description

一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置
技术领域
本发明涉及材料二次电子特性的测量和表征技术领域，具体而言，涉及一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置。
背景技术
电子与固体材料相互作用会发射电子，称为二次电子发射，发射电子数目与入射电子数目的比值称为二次电子发射系数。二次电子包含真二次电子、背散射电子、非弹性散射电子等。其中真二次电子占绝大部分，准确区分各种发射电子的数量对于表征材料表面特性具有重要意义。真二次电子和背散射电子的主要区别是能量不同，真二次电子能量一般小于50eV。
二次电子发射系数δ等于1时，入射电子数量等于出射电子数目。当二次电子发射系数δ小于1或大于1时，入射电子数目多于或少于出射电子数目，对于金属材料而言由于金属材料电导率大，不会在材料表面引起电荷积聚，对于介质材料而言，会导致介质材料表面电荷积聚，进而影响后续二次电子的发射和测量。因此，绝缘材料二次电子发射系数测量时，材料表面电荷的中和对测量结果有至关重要的影响。
二次电子发射是一个动态的过程，受材料表面带电状态、表面粗糙度、环境温度、入射电子能量等综合影响。一定作用环境下发射的二次电子具有特定的能量分布，测量不同条件下的二次电子发射系数及二次电子能谱分析对材料的表征具有重要意义。
中国专利201410023001.8公开的一种平板型二次电子收集极，结构简单、操作方便，但收集极与样品之间存在较大的间隙，因此二次电子收集效率很难保证。中国专利201410022709.1公布的半球型二次电子收集极装置，通过脉冲电子束的方式来减少入射到材料表面的电荷量，进而来减少介质材料表面带电对二次电子发射的影响，但长时间或者多次测量并不能很好的消除介质带电对二次电子发射系数的影响，同时本装置不能对二次电子能谱进行分析，不能实现温度变化下材料二次电子的测量。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，准确测量固体材料受电子作用时的二次电子发射系数，并区分真二次电子和背散射电子，实现二次电子的能谱分布测量。
本发明提供了一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，该装置包括：
收集极模块，其包括屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩，所述屏蔽栅网、所述抑制栅网、所述收集极和所述屏蔽罩由内向外依次同轴布置形成多层筒状结构，所述屏蔽栅网、所述抑制栅网、所述收集极和所述屏蔽罩的中心均设有通孔，且所有通孔均处于同一直线上；
样品台模块，其包括从下往上依次设置的冷却层、加热层、绝缘层和样品座，样品置于所述样品座上；
偏压装置，其包括第一偏压电源和第二偏压电源，所述第一偏压电源与所述收集极连接，所述第二偏压电源与所述抑制栅网连接；
真空腔，所述收集极模块和所述样品台模块均设于所述真空腔内，且所述收集极模块位于所述样品台模块的正上方；
电子枪，其设于所述收集极模块的正上方，且所述电子枪、所述收集极模块和所述样品台模块的中心轴线位于同一直线上；
所述屏蔽栅网、所述抑制栅网、所述收集极和所述样品座分别与不同的弱电流测量装置连接。
作为本发明的进一步改进，所述电子枪输出电子能量为50eV～30k eV，且具有直流和脉冲两种工作模式。
作为本发明的进一步改进，所述屏蔽栅网、所述抑制栅网、所述收集极和所述屏蔽罩中心位置上的通孔的孔径大小均可调。
作为本发明的进一步改进，所述屏蔽栅网为多孔网状结构，所述屏蔽栅网与所述抑制栅网之间的间距为8～16mm。
作为本发明的进一步改进，所述抑制栅网为多孔网状结构，所述抑制栅网与所述收集极之间的间距为8～16mm。
作为本发明的进一步改进，所述收集极为直径和高度相等的金属圆筒，所述收集极的直径为80～160mm。
作为本发明的进一步改进，所述第一偏压电源的偏压范围为+30～+60V，所述第二偏压电源的偏压范围为0～﹣1500V。
作为本发明的进一步改进，所述样品台模块为温控平台，其温度范围为﹣150～150℃。
作为本发明的进一步改进，所述冷却层底面设有沿X、Y、Z轴三个方向的滑动轨道。
作为本发明的进一步改进，所述屏蔽栅网为高导电率金属材料，所述屏蔽罩为高磁导率金属材料，所述绝缘层为高导热率绝缘材料。
作为本发明的进一步改进，所述收集极模块在测量绝缘材料时抑制栅网和收集极加一定的负偏压，同时通过样品台模块对样品加热，可实现绝缘材料表面电荷的中和。
本发明的有益效果为：第一，本发明所述的多层筒状二次电子收集极模块，通过抑制栅网的偏压作用来区分能量不同的真二次电子和背散射电子，并通过最外层高磁导率材料屏蔽地磁场对电子束轨迹的影响，屏蔽栅网屏蔽偏压电场对电子束轨迹的影响；第二，本发明所述的抑制栅网偏压扫描的方式，能够在某一个入射电子能量下连续分辨不同能量的二次电子，从而得到该发射状态下的二次电子能谱分布曲线；第三，本发明所述的三维运动温控样品台能够实现不同温度下二次电子发射系数的测量，同时可通过对样品加热来中和材料表面电荷。
附图说明
图1为本发明实施例所述的一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置结构示意图。
图中，
1、电子枪；2、真空腔；3、屏蔽栅网；4、抑制栅网；5、收集极；6、屏蔽罩；7、冷却层；8、加热层；9、绝缘层；10、样品座；11、样品；12、第一偏压电源；13、第二偏压电源。
具体实施方式
下面通过具体的实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
如图1所示，本发明实施例所述的是一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，该装置包括：
收集极模块，其包括屏蔽栅网3、抑制栅网4、收集极5和屏蔽罩6，屏蔽栅网3、抑制栅网4、收集极5和屏蔽罩6由内向外依次同轴布置形成多层筒状结构，屏蔽栅网3、抑制栅网4、收集极5和屏蔽罩6的中心均设有通孔，且通孔均处于同一直线上；
样品台模块，其包括从下往上依次设置的冷却层7、加热层8、绝缘层9和样品座10，样品11置于样品座10上；在本实施例中冷却层7用液氮进行冷却，加热层8用电阻丝实现加热，在实际操作中可在不影响实验的前提下选择其他方式实现冷却层7的冷却和加热层8的加热，而不仅限于液氮和电阻丝。样品11直径小于60mm，厚度为1～2mm，绝缘层9和样品座10连接以实现样品11与加热层8之间的热传导，同时可通过样品座10测量流过样品11的电流。
偏压装置，其包括第一偏压电源12和第二偏压电源13，第一偏压电源12与收集极5连接，第二偏压电源13与抑制栅网4连接。本实施例中第一偏压电源12为电池偏压电源，收集极5与第一偏压电源12连接用于提供正偏压；本实施例中第二偏压电源13为可调节偏压电源，抑制栅网4与第二偏压电源13连接用于提供连续可调偏压电场。本实施例中选用开关S2来控制第一偏压电源12和第二偏压电源13的接通与断开，当需要调节第一偏压电源12时则通过控制开关S2将第一偏压电源12接入电路中；当需要调节第二偏压电源13时则通过控制开关S2将第二偏压电源13接入电路中。测量绝缘材料时，抑制栅网4和收集极5同时连接第二偏压电源13，产生一定幅值的负偏压，可实现绝缘材料表面电荷的中和。
真空腔2，收集极模块和样品台模块均设于真空腔2内，且收集极模块位于样品台模块的正上方；
电子枪1，其设于收集极模块的正上方，且电子枪1、收集极模块和样品台模块的中心轴线位于同一直线上；此设置即可保证电子枪1发出的电子束可以穿过屏蔽栅网3、抑制栅网4、收集极5和屏蔽罩6中心位置上的通孔到达样品台模块上的样品11上。
屏蔽栅网3、抑制栅网4、收集极5和样品座10分别与不同的弱电流测量装置连接。屏蔽栅网3与第三弱电流测量装置连接用于测量二次电流I3；抑制栅网4与第二弱电流测量装置连接用于测量二次电流I2；收集极5与第一弱电流测量装置连接用于测量二次电流I1；样品座10与第四弱电流测量装置连接用于测量透过样品的电流I4。
进一步的，电子枪1输出电子能量为50eV～30k eV，且具有直流和脉冲两种工作模式。测量金属材料的二次电子发射系数或能谱时选用直流工作模式，测量绝缘材料的二次电子发射系数或能谱时选用脉冲工作模式。
进一步的，屏蔽栅网3、抑制栅网4、收集极5和屏蔽罩6中心位置上的通孔的孔径大小均可调，从而可以供不同焦斑的电子束通过。
进一步的，屏蔽栅网3为多孔网状结构，屏蔽栅网3与抑制栅网4之间的间距为8～16mm。屏蔽栅网3通过开关接地，用于屏蔽收集极5和抑制栅网4上偏压电场对电子束的影响。
进一步的，抑制栅网4为多孔网状结构，抑制栅网4与收集极5之间的间距为8～16mm。
进一步的，收集极5为直径和高度相等的金属圆筒，收集极5的直径为80～160mm。
进一步的，第一偏压电源12的偏压范围为+30～+60V，第二偏压电源13的偏压范围为0～﹣1500V。
进一步的，样品台模块为温控平台，其温度范围为﹣150～150℃。样品台模块通过冷却层7和加热层8实现温度调节，可以实现不同温度环境下二次电子发射系数的测量。
进一步的，冷却层7底面设有沿X、Y、Z轴三个方向的滑动轨道。冷却层7可以沿X、Y、Z轴三个方向的滑动轨道自由移动，从而实现样品台模块在三维方向上的运动，以实现样品11上不同点或者不同平面的扫描测量。
进一步的，屏蔽栅网3为高导电率金属材料，屏蔽罩6为高磁导率金属材料，以屏蔽地磁场对电子束轨迹影响。绝缘层9为高导热率绝缘材料。
进一步的，测量绝缘材料时抑制栅网4和收集极5加负偏压，同时通过样品台模块对样品11加热。测量绝缘材料时表面电荷积聚影响后续二次电子的发射和测量。因此，绝缘材料二次电子发射系数测量时，材料表面电荷的中和对测量结果有至关重要的影响。通过抑制栅网4和收集极5施加﹣30～﹣60V的负偏压可抑制电荷的积聚，同时通过样品台对样品加热，用脉冲电子束轰击材料表面以解决绝缘材料表面电荷的积聚问题。
实施例1
二次电子发射系数测量操作步骤如下：
1)首先在样品座10放置样品11，设定工作台温度，真空腔2抽真空，加热样品11至指定温度。
2)调节电子枪1电子束能量Ep以及工作模式。测金属材料时用直流模式，测量绝缘材料时用脉冲模式。
3)设置收集极5偏压V1为50V，抑制栅网4偏压源V2为0V，屏蔽栅网3通过开关S1接地，电子束轰击样品11，此时收集极5收集全部二次电流I1，样品座10收集透过样品11的电流I4，屏蔽栅网3和抑制栅网4分别测量二次电流I2、I3，根据公式计算该温度和入射能量下全二次电子发射系数σ。
4)调整抑制栅网4偏压V2为﹣50V，电子束轰击样品11，此时只有能量大于50eV的背散射电子才能穿过抑制栅网4到达收集极5，为背散射二次电流I1BSE，样品座10收集透过样品的电流I4，屏蔽栅网3和抑制栅网4分别测量二次电流I2、I3，根据公式计算该温度和入射能量下背散射二次电子发射系数η，根据公式δ＝σ-η计算真二次电子发射系数δ。
5)如果测量绝缘材料，抑制栅网4和收集极5通过加﹣50V的偏压，电子枪1发射脉冲电子束轰击样品11中和表面电荷，残余电荷通过给样品11加热实现，电荷中和后重复步骤2)～4)，改变电子入射能量Ep，直至完成所有入射能量测量，获得该测试温度下完整的二次电子发射系数曲线；如果测量金属材料直接重复步骤2)～4)。改变样品台设定温度可测不同温度下二次电子发射系数曲线。
实施例2
二次电子能谱分析操作步骤如下：
1)首先放置样品11至样品座10，设定工作台温度，真空腔2抽真空，加热样品11至指定温度。
2)调节电子枪1的电子束能量Ep以及工作模式，测金属材料时用直流模式，测量介质材料时用脉冲模式。
3)设置收集极5偏压V1为50V，抑制栅网4偏压V2从﹣1500V～0V扫描测量，屏蔽栅网3通过开关S1接地，扫描过程中能量大于V2的电子穿过抑制栅网4被收集极5收集，为电流I1，能量小于V2的电子被弹回屏蔽栅网3收集，为电流I3，大于V2的电子数量比例为小于V2的电子数量比例为改变V2重复测量，可获得在该入射能量Ep下的二次电子完整的能谱分布曲线。
4)如果测量绝缘材料，抑制栅网4和收集极5通过加﹣50V偏压，电子枪1发射脉冲电子束轰击材料中和表面电荷，残余电荷通过给样品11加热实现，电荷中和后重复步骤2)～3)获得不同入射电子能量Ep下的二次电子能谱分布曲线，如果测量金属材料直接重复步骤2)～3)，改变样品台设定温度可获得不同温度下二次电子能谱曲线。
本发明可测量金属及绝缘材料的二次电子发射系数及能谱分析，可用于不同领域中金属及绝缘材料的二次电子特性测量和表征。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，包括：
收集极模块，其包括屏蔽栅网(3)、抑制栅网(4)、收集极(5)和屏蔽罩(6)，所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述屏蔽罩(6)由内向外依次同轴布置形成多层筒状结构，所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述屏蔽罩(6)的中心均设有通孔，且所有通孔均处于同一直线上；
样品台模块，其包括从下往上依次设置的冷却层(7)、加热层(8)、绝缘层(9)和样品座(10)，样品(11)置于所述样品座(10)上；
偏压装置，其包括第一偏压电源(12)和第二偏压电源(13)，所述第一偏压电源(12)与所述收集极(5)连接，所述第二偏压电源(13)与所述抑制栅网(4)连接；
真空腔(2)，所述收集极模块和所述样品台模块均设于所述真空腔(2)内，且所述收集极模块位于所述样品台模块的正上方；
电子枪(1)，其设于所述收集极模块的正上方，且所述电子枪(1)、所述收集极模块和所述样品台模块的中心轴线位于同一直线上；
所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述样品座(10)分别与不同的弱电流测量装置连接。
2.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述电子枪(1)输出电子能量为50eV～30k eV，且具有直流和脉冲两种工作模式。
3.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述屏蔽栅网(3)、所述抑制栅网(4)、所述收集极(5)和所述屏蔽罩(6)中心位置上的通孔的孔径大小均可调。
4.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述屏蔽栅网(3)和所述抑制栅网(4)均为多孔网状结构，所述屏蔽栅网(3)与所述抑制栅网(4)之间的间距和所述抑制栅网(4)与所述收集极(5)之间的间距均为8～16mm。
5.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述收集极(5)为直径和高度相等的金属圆筒，所述收集极(5)的直径为80～160mm。
6.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述第一偏压电源(12)的偏压范围为+30～+60V，所述第二偏压电源(13)的偏压范围为0～﹣1500V。
7.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述样品台模块为温控平台，其温度范围为﹣150～150℃。
8.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述冷却层(7)底面设有沿X、Y、Z轴三个方向的滑动轨道。
9.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，所述屏蔽栅网(3)为高导电率金属材料，所述屏蔽罩(6)为高磁导率金属材料，所述绝缘层(9)为高导热率绝缘材料。
10.根据权利要求1所述的二次电子发射系数测量和能谱分析装置，其特征在于，测量绝缘材料时所述抑制栅网(4)和所述收集极(5)加负偏压，同时通过所述样品台模块对所述样品(11)加热。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113009242A (zh) * 2021-02-25 2021-06-22 西安理工大学 一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法
CN113163564A (zh) * 2021-04-30 2021-07-23 中国科学院电工研究所 一种具有静电消除功能的电子束加工装置
CN113533404A (zh) * 2021-07-13 2021-10-22 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54149568A (en) * 1978-05-17 1979-11-22 Jeol Ltd Scanning electron microscope
CN1820346A (zh) * 2003-05-09 2006-08-16 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
CN101017123A (zh) * 2007-03-02 2007-08-15 北京工业大学 加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法
CN101166411A (zh) * 2006-10-18 2008-04-23 中国科学院高能物理研究所 一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置
CN102109477A (zh) * 2010-12-31 2011-06-29 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 一种区分材料二次电子和背散射电子的测试装置
CN103713001A (zh) * 2013-12-03 2014-04-09 西安交通大学 介质薄膜的二次电子发射系数的测量***及其测量方法
CN103776858A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 西安交通大学 一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法
CN103776857A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 西安交通大学 用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法
CN105092626A (zh) * 2015-07-13 2015-11-25 中国科学院高能物理研究所 二次电子特性参数的测量装置和方法
CN106093094A (zh) * 2016-07-19 2016-11-09 西安交通大学 一种介质材料的二次电子能谱测量装置及测量方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54149568A (en) * 1978-05-17 1979-11-22 Jeol Ltd Scanning electron microscope
CN1820346A (zh) * 2003-05-09 2006-08-16 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
CN101166411A (zh) * 2006-10-18 2008-04-23 中国科学院高能物理研究所 一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置
CN101017123A (zh) * 2007-03-02 2007-08-15 北京工业大学 加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法
CN102109477A (zh) * 2010-12-31 2011-06-29 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 一种区分材料二次电子和背散射电子的测试装置
CN103713001A (zh) * 2013-12-03 2014-04-09 西安交通大学 介质薄膜的二次电子发射系数的测量***及其测量方法
CN103776858A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 西安交通大学 一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法
CN103776857A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 西安交通大学 用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法
CN105092626A (zh) * 2015-07-13 2015-11-25 中国科学院高能物理研究所 二次电子特性参数的测量装置和方法
CN106093094A (zh) * 2016-07-19 2016-11-09 西安交通大学 一种介质材料的二次电子能谱测量装置及测量方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
徐正卜 等译: "《真空光电器件》", 30 September 1980, 原子能出版社 *
王瑞生 主编: "《无机非金属材料实验教程》", 31 May 2004, 冶金工业出版社 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113009242A (zh) * 2021-02-25 2021-06-22 西安理工大学 一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法
CN113009242B (zh) * 2021-02-25 2022-10-04 西安理工大学 一种阵列式磁通门表面电势分布及衰减的测量装置及方法
CN113163564A (zh) * 2021-04-30 2021-07-23 中国科学院电工研究所 一种具有静电消除功能的电子束加工装置
CN113163564B (zh) * 2021-04-30 2024-06-04 中国科学院电工研究所 一种具有静电消除功能的电子束加工装置
CN113533404A (zh) * 2021-07-13 2021-10-22 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用
CN113533404B (zh) * 2021-07-13 2023-04-28 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用

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