CN110148593B - 有机电致发光器件 - Google Patents
有机电致发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110148593B CN110148593B CN201910378037.0A CN201910378037A CN110148593B CN 110148593 B CN110148593 B CN 110148593B CN 201910378037 A CN201910378037 A CN 201910378037A CN 110148593 B CN110148593 B CN 110148593B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- light
- emitting unit
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 23
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/841—Applying alternating current [AC] during manufacturing or treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机电致发光器件。有机电致发光器件包括依次层叠的透明导电层、发光单元层、透明绝缘体介电层、电极层。其中,所述发光单元层包括并列间隔排布的第一发光单元和第二发光单元。通过并列间隔排布第一发光单元和第二发光单元,使有机电致发光器件可直接连入到外部交流电中,不仅可免除交流电转换为直流电造成的能量损耗,而且可提高器件的发光效率;并且可使有机电致发光器件整体较为轻薄。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种交流电驱动的有机电致发光器件。
背景技术
由于有机发光化合物具有光色可调,发光效率高,成本低廉的特点,有机电致发光器件(Organic EL)具有十分巨大的潜力。其中有机发光二极管(OLED)是最典型的例子,目前已广泛应用于全彩显示和平面照明光源中。但是二极管的特点是必须在直流电下驱动,而首先把日常家庭生活中的交流电转换为直流电将造成不可避免的能量损耗。
因此,有必要提供一种交流电驱动的有机电致发光器件,以克服现有技术中存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种有机电致发光器件,能够与外部交流电直接连接,可解决现有有机电致发光器件无法直接使用交流驱动的问题,同时还可提高器件的发光效率。
为了解决上述问题,本发明提供一种有机电致发光器件,包括依次层叠的透明导电层、发光单元层、透明绝缘体介电层、电极层。具体的,所述发光单元层包括并列间隔排布的第一发光单元和第二发光单元;所述透明绝缘体介电层位于所述透明导电层上且完全包覆所述发光单元层;所述电极层包括与所述第一发光单元相对设置的第一电极和与所述第二发光单元相对设置的第二电极。使用时,所述第一电极与交流电源的一端相连,所述第二电极与交流电源的另一端相连,构成两组发光电路;在交流信号接通的第一个半周期所述透明导电层产生电子或空穴,在交流信号的另外一个半周期所述第一发光单元、所述第二发光单元同时被驱动发光。
进一步的,其中所述第一发光单元、所述第二发光单元均包括依次层叠的电荷注入层、电荷传输层、发光层和电子累积层;具体地讲,所述电荷注入层位于所述透明导电层上且电连接;所述电荷传输层位于所述电荷注入层上;所述发光层位于所述电荷传输层上;所述电子累积层位于所述发光层上。
进一步的,其中所述透明导电层的材料包括氧化铟锡,通过磁控溅射方式制备。
进一步的,其中所述透明绝缘体介电层的材料包括二氧化硅,通过化学沉积方式制备,厚度范围为20-1000nm。
进一步的,其中所述第一电极和所述第二电极的材料包括铝,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为100-200nm。
进一步的,其中所述电荷注入层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
进一步的,其中所述电荷传输层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-200nm。
进一步的,其中所述电子累积层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
根进一步的,其中所述发光层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
进一步的,其中所述真空热蒸镀方式的真空压强<5×10-5Pa。
本发明的优点在于,提供一种有机电致发光器件,通过并列间隔排布第一发光单元和第二发光单元,使有机电致发光器件可直接连入到外部交流电中,透明导电层连接入外电路产生的电子和空穴直接由外部交流电控制,且交流电的电子和空穴的注入能力很强;因此不仅可免除交流电转换为直流电造成的能量损耗,而且可提高器件的发光效率。并且并列间隔排布第一发光单元和第二发光单元使有机电致发光器件整体较为轻薄。
附图说明
图1为本发明一实施例的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为本发明又一实施例的有机电致发光器件的结构示意图;
图3为本发明一实施例的有机电致发光器件的发光原理第一个半周期示意图;
图4为本发明一实施例的有机电致发光器件的发光原理第二个半周期示意图;
图5为本发明一实施例的有机电致发光器件的发光原理第二个半周期结束示意图;
图6为本发明一实施例的有机电致发光器件的发光原理第三个半周期示意图。
图中部件标识如下:
1透明导电层、2发光单元层、3透明绝缘体介电层、4电极层;
21第一发光单元、22第二发光单元、41第一电极、42第二电极;
100有机电致发光器件;
211电荷注入层、212电荷传输层、213发光层、214电子累积层。
具体实施方式
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明中,相同或相对应的部件用相同的附图标记表示而与图号无关,在说明书全文中,当“第一”、“第二”等措辞可用于描述各种部件时,这些部件不必限于以上措辞。以上措辞仅用于将一个部件与另一部件区分开。
请参阅图1所示,本发明提供一种有机电致发光器件100,包括依次层叠的透明导电层1、发光单元层2、透明绝缘体介电层3、电极层4。具体地讲,所述发光单元层2包括并列间隔排布的第一发光单元21和第二发光单元22;所述透明绝缘体介电层3位于所述透明导电层1上且完全包覆所述发光单元层2;所述电极层4包括与所述第一发光单元21相对设置的第一电极41和与所述第二发光单元22相对设置的第二电极42。
使用时,所述第一电极41与交流电源的一端相连,所述第二电极42与交流电源的另一端相连,构成两组发光电路:由所述透明导电层1、所述第一发光单元21、所述透明绝缘体介电层3和所述第一电极41组成一组发光电路,由所述透明导电层1、所述第二发光单元22、所述透明绝缘体介电层3和所述第二电极42组成另一组发光电路。在交流信号接通的第一个半周期所述透明导电层1产生电子或空穴,在交流信号的另外一个半周期所述第一发光单元21、所述第二发光单元22同时被驱动发光。
请参阅图2所示,所述第一发光单元21、所述第二发光单元22均包括依次层叠的电荷注入层211、电荷传输层212、发光层213和电子累积层214;具体地讲,所述电荷注入层211位于所述透明导电层1上且电连接;所述电荷传输层212位于所述电荷注入层211上;所述发光层213位于所述电荷传输层212上;所述电子累积层214位于所述发光层213上。
使用时,所述第一电极41与所述第二电极42所加交流电压极性相反,其原理具体详见图3-图5所示。
如图3所示,以所述第一电极41接通负极与所述第二电极42接通正极为交流信号接通的第一个半周期,与所述第一电极41相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下产生正电荷并移动至所述电子累积层214逐渐积累,同时与所述第二电极42相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下产生负电荷并移动至所述电子累积层214逐渐积累;此时由于为交流信号接通的第一个半周期,所述发光单元层2(指并列间隔排布的第一发光单元21和第二发光单元22)不发光。
如图4、图5所示,在交流信号接通的第二个半周期,所述第一电极41接通正极且所述第二电极42接通负极,即所述第二个半周期与所述第一个半周期极性相反;在所述第一发光单元21中,与所述第一电极41相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下产生负电荷并向所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)移动,此时位于所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)中的正电荷向所述透明导电层1方向移动,最终负电荷和正电荷在所述发光层213相遇形成激发子,辐射发光(有机发光材料原理)使得所述发光层213被点亮。同时在所述第二发光单元22中,与所述第二电极42相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下产生正电荷并向所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)移动,此时位于所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)中的负电荷向所述透明导电层1方向移动,最终正电荷和负电荷在所述发光层213相遇形成激发子,辐射发光(有机发光材料原理)使得所述发光层213被点亮。发光过程结束后由于所述第一电极41接通正极且所述第二电极42接通负极,与所述第一电极41相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下持续产生负电荷并移动至所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)逐渐积累,同时与所述第二电极42相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下持续产生正电荷并移动至所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)逐渐积累。
如图6所示,在交流信号接通的第三个半周期,所述第一电极41接通负极且所述第二电极42接通正极,即所述第三个半周期与所述第二个半周期极性相反;在所述第一发光单元21中,与所述第一电极41相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下产生正电荷并向所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)移动,此时位于所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)中的负电荷向所述透明导电层1方向移动,最终正电荷和负电荷在所述发光层213相遇形成激发子,辐射发光(有机发光材料原理)使得所述发光层213被点亮。同时在所述第二发光单元22中,与所述第二电极42相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下产生负电荷并向所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)移动,此时位于所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)中的正电荷向所述透明导电层1方向移动,最终负电荷和正电荷在所述发光层213相遇形成激发子,辐射发光(有机发光材料原理)使得所述发光层213被点亮。发光过程结束后由于所述第一电极41接通负极且所述第二电极42接通正极,与所述第一电极41相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下持续产生正电荷并移动至所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)逐渐积累,同时与所述第二电极42相对应的所述透明导电层1在电场的诱导下持续产生负电荷并移动至所述第一发光单元21的上表面(即所述电子累积层214)逐渐积累。如此循环往复,在交流信号一个周期内所述发光层213被点亮两次,即位于所述发光单元层2的所述第一发光单元21和所述第二发光单元22被点亮两次。
综上所述,在使用时,所述第一电极41与所述第二电极42所加交流电压极性相反,在交流信号的其中一个半周期所述透明导电层1在电场作用下产生电子或空穴,在交流信号的另外一个半周期所述透明导电层1在电场作用下产生与上半个周期相反的空穴或电子,从而使得所述发光层213被点亮,即所述第一发光单元21、所述第二发光单元22同时被驱动发光。
通常市电交流信号的频率为50Hz,而上述两个发光单元的发光层激发的频率要远低于50Hz,人眼可分辨的最高频率为24Hz,即反应一次需要0.042s,因此用50Hz的交流电驱动有机电致发光器件100可以达到无频闪的效果。
在本实施例中,所述透明导电层1的材料包括氧化铟锡,通过磁控溅射方式制备。
在本实施例中,所述透明绝缘体介电层3的材料包括二氧化硅,通过化学沉积方式制备,厚度范围为20-1000nm。
在本实施例中,所述第一电极41和所述第二电极42的材料包括铝,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为100-200nm。所述第一电极41和所述第二电极42可以反射光线,且所述第一电极41与所述第一发光单元21相对设置、所述第二电极42与所述第二发光单元22相对设置,可使第一发光单元21和第二发光单元22发出的光经反射从同一侧面出光。
在本实施例中,所述电荷注入层211的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
在本实施例中,所述电荷传输层212的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-200nm。
在本实施例中,所述发光层213的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
在其他实施例中,所述发光层213材料采用有机发光材料、无机发光材料、有机无机杂化发光材料的一种或者多种。
值得说明的是,所述第一发光单元21的所述发光层213与所述第二发光单元22的所述发光层213所用材料可相同,亦可不相同;因此所述第一发光单元21、所述第二发光单元22的发光颜色可相同亦可不相同。在其他实施例中,所述第一发光单元21发出蓝色光,所述第二发光单元22发出红色光,通过交流电快速的切换正负电压,使得所述第一发光单元21、所述第二发光单元22两种颜色发光条在短时间内交互闪亮,人眼难以短时间内分辨亮暗,再通过蓝色和红色组合可实现白光发光。
在本实施例中,所述电子累积层214的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
在本实施例中,所述真空热蒸镀方式的真空压强<5×10-5Pa。
本发明的优点在于,提供一种有机电致发光器件,通过并列间隔排布第一发光单元和第二发光单元,使有机电致发光器件可直接连入到外部交流电中,透明导电层连接入外电路产生的电子和空穴直接由外部交流电控制,且交流电的电子和空穴的注入能力很强;因此不仅可免除交流电转换为直流电造成的能量损耗,而且可提高器件的发光效率。并且并列间隔排布第一发光单元和第二发光单元使有机电致发光器件整体较为轻薄。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括
透明导电层;
发光单元层,位于所述透明导电层上,所述发光单元层包括并列间隔排布的第一发光单元和第二发光单元;
透明绝缘体介电层,位于所述透明导电层上且完全包覆所述发光单元层;以及
电极层,位于所述透明绝缘体介电层上,所述电极层包括
第一电极,与所述第一发光单元相对设置;
第二电极,与所述第二发光单元相对设置;
其中,所述第一发光单元、所述第二发光单元均包括
电荷注入层,位于所述透明导电层上且电连接;
电荷传输层,位于所述电荷注入层上;
发光层,位于所述电荷传输层上;以及
电子累积层,位于所述发光层上;
使用时,所述第一电极与交流电源的一端相连,所述第二电极与交流电源的另一端相连,构成两组发光电路;在交流信号接通的第一个半周期所述透明导电层产生电子或空穴,在交流信号的另外一个半周期所述第一发光单元、所述第二发光单元同时被驱动发光。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述透明导电层的材料包括氧化铟锡,通过磁控溅射方式制备。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述透明绝缘体介电层的材料包括二氧化硅,通过化学沉积方式制备,厚度范围为20-1000nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极的材料包括铝,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为100-200nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电荷注入层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电荷传输层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-200nm。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子累积层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料包括有机半导体,通过真空热蒸镀方式制备,厚度范围为10-100nm。
9.根据权利要求5-8任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述真空热蒸镀方式的真空压强<5×10-5Pa。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910378037.0A CN110148593B (zh) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | 有机电致发光器件 |
US16/496,632 US11315995B2 (en) | 2019-05-08 | 2019-05-17 | Organic electroluminescence device |
PCT/CN2019/087367 WO2020223999A1 (zh) | 2019-05-08 | 2019-05-17 | 有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910378037.0A CN110148593B (zh) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | 有机电致发光器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110148593A CN110148593A (zh) | 2019-08-20 |
CN110148593B true CN110148593B (zh) | 2020-09-08 |
Family
ID=67594868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910378037.0A Active CN110148593B (zh) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | 有机电致发光器件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11315995B2 (zh) |
CN (1) | CN110148593B (zh) |
WO (1) | WO2020223999A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110611034A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件和显示面板 |
CN112864336A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光器件 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5552678A (en) * | 1994-09-23 | 1996-09-03 | Eastman Kodak Company | AC drive scheme for organic led |
JP2001223088A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Tdk Corp | El素子 |
JP3983037B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
TWI272874B (en) * | 2002-08-09 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Organic electroluminescent device |
JP4544518B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2010-09-15 | キヤノン株式会社 | 電界励起型発光素子及び画像表示装置 |
KR101453082B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2014-10-28 | 삼성전자주식회사 | 교류 구동형 양자점 전계발광소자 |
EP2663163B1 (en) * | 2011-01-07 | 2020-02-26 | Kaneka Corporation | Organic el device and method for manufacturing organic el device |
US9386656B2 (en) * | 2012-02-20 | 2016-07-05 | Kaneka Corporation | Luminescent system and organic EL device |
CN104218068A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-12-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光结构、显示装置和光源装置 |
CN104538553B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-08-04 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种颜色可调的有机电致发光器件 |
CN106972108A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-07-21 | 武汉华美晨曦光电有限责任公司 | 一种交流电源驱动的oled面发光器件 |
CN108123050B (zh) * | 2017-12-04 | 2020-05-12 | 武汉华美晨曦光电有限责任公司 | 一种以交流驱动的白光oled器件 |
-
2019
- 2019-05-08 CN CN201910378037.0A patent/CN110148593B/zh active Active
- 2019-05-17 WO PCT/CN2019/087367 patent/WO2020223999A1/zh active Application Filing
- 2019-05-17 US US16/496,632 patent/US11315995B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11315995B2 (en) | 2022-04-26 |
CN110148593A (zh) | 2019-08-20 |
US20210367180A1 (en) | 2021-11-25 |
WO2020223999A1 (zh) | 2020-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100440528C (zh) | 用于交流驱动有机二极管的电路装置及其制造方法 | |
KR100870113B1 (ko) | 유기발광소자를 이용한 휴대폰 키패드백라이트 | |
CN103168374B (zh) | 有机发光器件 | |
WO2011074633A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR101700444B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 세그먼트 | |
CN110148593B (zh) | 有机电致发光器件 | |
CN108123050B (zh) | 一种以交流驱动的白光oled器件 | |
CN104319355B (zh) | 一种发光器件及其驱动控制方法、灯具 | |
JP2010033780A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色調整方法 | |
TW201318471A (zh) | 具有空間電荷/電壓不穩定度之穩動驅動之有機電致發光元件 | |
CN103682144B (zh) | 有机电致发光装置及其电源供应装置 | |
WO2016026223A1 (zh) | 发光结构、显示装置和光源装置 | |
CN111129322A (zh) | 一种颜色可调的共面电极型有机电致发光器件 | |
US8269408B2 (en) | LED base structure with embedded capacitor | |
TW201306643A (zh) | 交流驅動有機發光元件 | |
KR20060127787A (ko) | 유기 전계 발광 소자를 이용한 발광 디바이스 | |
JP5964415B2 (ja) | 有機発光素子及びこれを含む発光装置 | |
CN110611034A (zh) | 一种有机电致发光器件和显示面板 | |
KR20100030980A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN102110786A (zh) | 一种有机电致发光照明器件的布线方法 | |
JP2011258588A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
CN201323672Y (zh) | 一种el显示器件 | |
CN110854285A (zh) | 一种交流电源驱动的激基复合物oled发光器 | |
KR101512218B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
CN115768153A (zh) | 一种发光二极管及显示设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |