CN110148374A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板，包括基板、多个第一像素以及多个第二像素。基板具有第一显示区以及第二显示区。第一像素位于第一显示区上。第二像素位于第二显示区上。第二像素的穿透率与第一像素的穿透率的比值为0.33～0.66。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种包括两种像素的显示面板。
背景技术
目前，为了增加产品的使用便利性，许多厂商会将显示装置与相机结合在一起。举例来说，现有的手机或平板电脑内时常附载有相机功能。在现有的手机或平板电脑中，为了提供足够的边框区空间来设置前镜头，显示区的面积往往会被限缩。具体来说，常常会于显示面板的边框区钻孔，用以设置相机的镜头。然而，由于钻孔的部分不具备显示功能，导致显示装置整体可以显示画面的显示区的面积被限缩。
发明内容
本发明提供一种显示面板，可以增加显示面板可以显示影像的区域的面积。
本发明的至少一实施例提供一种显示面板，包括基板、多个第一像素以及多个第二像素。基板具有第一显示区以及第二显示区。第一像素位于第一显示区上。第二像素位于第二显示区上。第二像素的穿透率与第一像素的穿透率的比值为0.33～0.66。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的一种显示面板的俯视示意图。
图1B是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。
图1C是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。
图1D是图1C剖线AA’及BB’的剖面示意图。
图2A是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。
图2B是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。
图3是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。
图4是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。
其中，附图标记说明如下：
10、20、30、40：显示面板
100：基板
110：第一显示区
120：第二显示区
130：第三区
200：光学模块
AA：显示区
A1a、A1b：第一电极
A2a、A2b：第二电极
BA：周边区
B1：第一蓝色发光二极管
B2：第二蓝色发光二极管
Cha、CHb：通道层
Da、Db：漏极
Ea、Eb：发光层
DL1～DL6：数据线
G1：第一绿色发光二极管
G2：第二绿色发光二极管
GI：闸绝缘层
Ga、Gb：栅极
H1、H2、O1、O2：开口
I1：第一绝缘层
I2：第二绝缘层
L1：第一发光区
L2：第二发光区
P1：第一像素
P2：第二像素
P3：第三像素
PDL：像素定义层
R1：第一红色发光二极管
R2：第二红色发光二极管
Sa、Sb：源极
SL：扫描线
T1～T6：开关元
TR：穿透区
具体实施方式
图1A是本发明一实施例的一种显示面板的俯视示意图。
请参考图1A，显示面板10的基板100具有显示区AA，显示区AA中具有第一显示区110以及第二显示区120。于图1A的实施例中，第二显示区120是位于第一显示区110外侧，但本发明不以此为限，于不同的设计或产品需求而调整第一显示区110与第二显示区120的相对位置关系。举例而言，在本实施例中，第二显示区120环绕第一显示区110，于另一实施例中，第一显示区110可位于第二显示区120的一侧边或一角落。在本实施例中，基板100还包括位于显示区AA至少一侧的周边区BA，且周边区BA可以用来设置驱动电路，但本发明不此为限。在其他实施例中，基板100不包括周边区BA。
图1B是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。图1C是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。图1B为图1A的显示面板靠近第一显示区110处的局部放大示意图，图1C是图1B中第一像素、第二像素及其周围元件的放大示意图。图1D是图1C剖线AA’及BB’的剖面示意图。
请参考图1B～图1D，显示面板10包括基板100、多个第一像素P1以及多个第二像素P2。第一像素P1位于基板100上，且位于第一显示区110上。第二像素P2位于基板100上，且位于第二显示区120上。
在本实施例中，第一像素P1包括第一发光区L1以及穿透区TR。第一发光区L1包括第一蓝色发光二极管B1、第一绿色发光二极管G1以及第一红色发光二极管R1。穿透区TR例如相邻于第一蓝色发光二极管B1。第二像素P2包括第二发光区L2。第二发光区L2包括第二蓝色发光二极管B2、第二绿色发光二极管G2以及第二红色发光二极管R2。
在本实施例中，第一像素P1还包括开关元件T1～T3。开关元件T1～T3电性连接至扫描线SL，且分别电性连接至数据线DL1～DL3。开关元件T1～T3分别电性连接至第一红色发光二极管R1、第一蓝色发光二极管B1以及第一绿色发光二极管G1。在本实施例中，第一蓝色发光二极管B1、第一绿色发光二极管G1以及第一红色发光二极管R1为有机发光二极管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一蓝色发光二极管B1、第一绿色发光二极管G1以及第一红色发光二极管R1为无机发光二极管(或微型发光二极管μLED)。在本实施例中，第一像素P1为主动式有机发光二极管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一像素P1为被动式有机发光二极管。
在本实施例中，第二像素P2还包括开关元件T4～T6。开关元件T4～T6电性连接至扫描线SL，且分别电性连接至数据线DL4～DL6。开关元件T4～T6分别电性连接至第二红色发光二极管R2、第二蓝色发光二极管B2以及第二绿色发光二极管G2。在本实施例中，第二蓝色发光二极管B2、第二绿色发光二极管G2以及第二红色发光二极管R2为有机发光二极管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二蓝色发光二极管B2、第二绿色发光二极管G2以及第二红色发光二极管R2为无机发光二极管(或微型发光二极管μLED)。在本实施例中，第二像素P2为主动式有机发光二极管，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二像素P2为被动式有机发光二极管。
开关元件T1～T6具有类似的结构，且第一蓝色发光二极管B1、第一绿色发光二极管G1、第一红色发光二极管R1、第二蓝色发光二极管B2、第二绿色发光二极管G2以及第二红色发光二极管R2具有类似的结构。
请参考图1D，主动元件T1包括通道层CHa、栅极Ga、源极Sa与漏极Da。实质上，栅极Ga电性连接至扫描线SL(图1D的剖面角度无法展示其连接关系)。栅极Ga重叠于通道层CHa，且栅极Ga与通道层CHa之间夹有闸绝缘层GI。源极Sa与漏极Da位于通道层CHa上，且电性连接至通道层CHa。源极Sa电性连接至数据线DL1。主动元件T4包括通道层CHb、栅极Gb、源极Sb与漏极Db。栅极Gb电性连接至扫描线SL。栅极Gb重叠于通道层CHb，且栅极Gb与通道层CHb之间夹有闸绝缘层GI。源极Sb与漏极Db位于通道层CHb上，且电性连接至通道层CHb。源极Sb电性连接至数据线DL4。
在本实施例中，主动元件T1～T6是以底部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件T1～T6也可以是顶部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。于本实施例中，主动元件T1～T6是以非晶硅的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限，于另一实施例中，主动元件T1～T6亦可为低温多晶硅的薄膜晶体管或氧化物半导体薄膜晶体管。
第一红色发光二极管R1电性连接至主动元件T1。第一红色发光二极管R1包括第一电极A1a、发光层Ea以及第二电极A2a。第一绝缘层I1位于闸绝缘层GIa、源极Sa与漏极Da上。第二绝缘层I2位于第一绝缘层I1上。第一电极A1a位于第二绝缘层I2上，且通过开口O1而电性连接至主动元件T1的漏极Da，开口O1贯穿第一绝缘层I1以及第二绝缘层I2。像素定义层PDL位于第二绝缘层I2上，且具有开口H1。发光层Ea位于开口H1中，且电性连接第一电极A1a。第二电极A2a位于像素定义层PDL上，且电性连接发光层Ea。
第二红色发光二极管R2电性连接至主动元件T4。第二红色发光二极管R2包括第一电极A1b、发光层Eb以及第二电极A2b。第一绝缘层I1位于闸绝缘层GIb、源极Sb与漏极Db上。第一电极A1b位于第二绝缘层I2上，且通过开口O2而电性连接至主动元件T4的漏极Db，开口O2贯穿第一绝缘层I1以及第二绝缘层I2。像素定义层PDL具有开口H2。发光层Eb位于开口H2中，且电性连接第一电极A1b。第二电极A2b位于像素定义层PDL上，且电性连接发光层Eb。
在本实施例中，第一发光区L1的面积约等于第一蓝色发光二极管B1、第一绿色发光二极管G1以及第一红色发光二极管R1的发光层的发光面积总合，也可以说第一发光区L1的面积是由像素定义层PDL所界定。在本实施例中，第二发光区L2的面积包括第二蓝色发光二极管B2、第二绿色发光二极管G2以及第二红色发光二极管R2的发光层的发光面积总合，也可以说第二发光区L2的面积是由像素定义层PDL所界定。
调整第一发光区L1的面积、穿透区TR的面积以及第二发光区L2的面积，可以使第一像素P1与第二像素P2有不同的穿透率。
在本实施例中第二发光区L2的面积约等于第一发光区L1的面积，而第一像素P1除了第一发光区L1之外还包括穿透区TR。换句话说，第一像素P1的面积大于第二像素P2的面积。在本实施例中，第一蓝色发光二极管B1的发光面积实质等于第二蓝色发光二极管B2的发光面积，第一绿色发光二极管G1的发光面积实质等于第二绿色发光二极管G2的发光面积，第一红色发光二极管R1的发光面积实质等于第二红色发光二极管R2的发光面积，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第一像素P1与第二像素P2的面积约等于对应的两条扫描线以及对应的两条数据线所围绕出来的面积，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一像素P1与第二像素P2的面积是由像素定义层PDL所界定。
穿透区TR是第一像素P1中穿透率较第一发光区L1大的区域，其面积例如是由第二电极所界定。举例来说，各发光二极管的第二电极彼此连成一体，且连成一体的第二电极于穿透区TR处具有开口，使穿透区TR具有较高的穿透率。在其他实施例中，穿透区TR除了未设置第二电极外，亦可同时没有其他层别，如发光层、第一电极、各绝缘层等。换句话说，发光层、第一电极、各绝缘层等层别亦可于穿透区TR处具有开口，使穿透区TR具有较高的穿透率。于此实施例中，穿透区TR的面积可视为第二电极的开口面积，但本发明不以此为限。于另一实施例中，穿透区TR的面积亦可通过像素定义层PDL来界定。
在本实施例中，显示面板10还包括光学模块200，光学模块200设置位置对应于第一显示区110。第一显示区110也可以称之为摄像区，光线可以穿过第一显示区110而抵达光学模块200。光学模块200例如为电荷耦合元件(Charge-coupled Device)、三维感测装置(3D sensor)、虹膜辨识装置等等。
在一些实施例中，穿透区TR约占据第一像素P1面积的1/3～2/3，第一发光区L1约占据第一像素P1面积的2/3～1/3。第二像素P2的穿透率与第一像素P1的穿透率的比值为0.33～0.66。举例来说，各个第二像素P2的穿透率(或第二显示区120的平均穿透率)与各个第一像素P1(或第一显示区110的平均穿透率)的穿透率的比值为0.33～0.66。
当第二像素P2的穿透率与第一像素P1的穿透率的比值小于0.33时，第一像素P1的穿透率太大，会导致第一显示区110的影像品质不佳。举例而言，当第一像素P1的穿透率或者穿透区面积比例增加时，其影像清晰程度会随之降低。一旦第一像素P1与第二像素P2之间的穿透率差异变大时，第一显示区110与第二显示区120之间的影像解析也会随的产生差异，甚至影响观看者的视觉舒适度与显示面板10的影像品质。此外，当穿透率第二像素P2的穿透率与第一像素P1的穿透率的比值大于0.66时，第一像素P1的穿透率太小，会导致光学模块200的收光量不足。因此，于本实施例中，第二像素P2与第一像素P1的穿透率比值介于0.33～0.66时，显示面板10能确保良好的显示品质外，亦可兼顾对应第一显示区110的光学模块200的效能。以整体观之，第二显示区120与第一显示区110的平均穿透率比值介于0.33～0.66，使得显示面板10亦能具备显示品质与光学膜组200的效能。
具体而言，由于第一像素P1的穿透率比第二像素P2的穿透率大，当欲执行拍摄功能时，影像可以穿过第一像素P1，并抵达光学模块200。此外，第一像素P1具备显示功能。举例来说，第一显示区110上的第一像素P1可以显示图示(Icon)，如电池电量、网络信号或其他影像。换句话说，第一像素P1在达到显示功能的同时，亦可保有照相、感测等功能。
基于上述，由于显示面板10包括穿透率不同的第一像素P1以及第二像素P2，可以增加能够显示画面的区域的面积，借此获得窄边框或无边框而形成全面屏的优点。
在一些实施例中，第一像素P1以及第二像素P2具有相同的亮度。不同颜色的发光二极管的老化情况不同，当老化问题发生时，可用演算法或电路来补偿，避免发光二极管的寿命问题对显示品质造成影响。
图2A是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。图2B是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。图2B是图2A中第一像素、第二像素及其周围元件的放大示意图。在此必须说明的是，图2A和图2B的实施例沿用图1A～图1D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图2A和图2B，在本实施例中，显示面板20的第一像素P1的面积约等于第二像素P2的面积。
在本实施例中第二发光区L2的面积大于第一发光区L1的面积。在本实施例中，第二蓝色发光二极管B2的发光面积大于第一蓝色发光二极管B1的发光面积，第二绿色发光二极管G2的发光面积大于第一绿色发光二极管G1的发光面积，第二红色发光二极管R2的发光面积大于第一红色发光二极管R1的发光面积，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，穿透区TR约占据第一像素P1面积的1/3～2/3，第一发光区L1约占据第一像素P1面积的2/3～1/3。第二像素P2的穿透率与第一像素P1的穿透率的比值为0.33～0.66。借此，显示面板20可以兼具影像品质以及光学模块20的收光量。
基于上述，由于显示面板20包括穿透率不同的第一像素P1以及第二像素P2，可以增加能够显示画面的区域的面积，借此能提高显示面板20的影像品质，并获得窄边框或无边框的优点。
图3是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1A～图1D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图3，在本实施例中，为了使显示面板30于第一显示区110与第二显示区120的分辨率差异较小，第一像素P1之间的间距d1小于相邻的第二像素P2之间的间距d2。更具体地说，由于第一像素P1的面积大于第二像素P2的面积，若要使第一显示区110与第二显示区120的分辨率相同，则间距d1小于间距d2。
在一些实施例中，相邻的第一像素P1之间的间距d1与相邻的第二像素P2之间的间距d2的比值为0.33～0.66。
基于上述，由于显示面板30包括第一像素P1以及第二像素P2，显示装置30具有较高的穿透率，且可以增加能够显示画面的区域的面积，借此能提高显示面板30的影像品质，并获得窄边框或无边框的优点。
图4是本发明一实施例的一种显示面板的局部俯视示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1A～图1D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图4，显示面板40的基板100具有第三区130。第三区130位于第一显示区110以及第二显示区120之间。显示面板30还包括第三像素P3。第三像素P3位于第三区130上。
第三像素P3的穿透率介于第一像素P1的穿透率与第二像素P2的穿透率之间。在一些实施例中，可以通过调整穿透区的面积来控制第三像素P3的穿透率。举例来说，第三像素P1的穿透区面积小于第一像素P1的穿透区面积。在本实施例中，第三像素P3的面积介于第一像素P1的面积与第二像素P2的面积之间。
第三像素P3的设置可以使显示面板40产生的影像较为连续，借此能使不同像素产生的影像之间不会有明显的线条产生。
综上所述，本发明由于显示面板包括穿透率不同的第一像素以及第二像素，可以增加能够显示画面的区域的面积，借此能提高显示面板的影像品质，并获得窄边框或无边框的优点。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括：
一基板，具有一第一显示区以及一第二显示区，其中，像素阵列基板包括；
多个第一像素，位于该第一显示区上；以及
多个第二像素，位于该第二显示区上，其中，所述第二像素的穿透率与所述第一像素的穿透率的比值为0.33～0.66。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中，该基板具有一第三显示区，位于该第一显示区以及该第二显示区之间，且该显示面板还包括：
多个第三像素，位于该第三显示区上，其中，所述第三像素的穿透率介于所述第一像素的穿透率与所述第二像素的穿透率之间。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中，各该第三像素的面积介于各该第一像素的面积与各该第二像素的面积之间。
4.如权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一像素以及所述第二像素具有相同的亮度。
5.如权利要求1所述的显示面板，其中，各该第一像素的面积大于各该第二像素的面积。
6.如权利要求5所述的显示面板，其中，各该第一像素包括一第一发光区以及一穿透区，该穿透区占据该第一像素面积的1/3～2/3。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中，各该第二像素包括一第二发光区，该第二发光区的面积等于该第一发光区的面积。
8.如权利要求1所述的显示面板，其中，各该第一像素的面积约等于各该第二像素的面积。
9.如权利要求8所述的显示面板，其中，各该第一像素包括一第一发光区以及一穿透区，该穿透区的占据该第一像素面积的1/3～2/3。
10.如权利要求9所述的显示面板，其中，各该第二像素包括一第二发光区，该第二发光区的面积大于该第一发光区的面积。
11.如权利要求1所述的显示面板，其中，相邻的所述第一像素之间的间距小于相邻的所述第二像素之间的间距。
12.如权利要求11所述的显示面板，其中，相邻的所述第一像素之间的间距与相邻的所述第二像素之间的间距的比值为0.33～0.66。
13.如权利要求1所述的显示面板，其中，各该第一像素包括一第一发光区以及一穿透区，该第一发光区包括一第一蓝色发光二极管、一第一绿色发光二极管以及一第一红色发光二极管，其中该穿透区相邻于该第一蓝色发光二极管。
14.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
一光学模块，设置位置对应于该第一显示区。
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