CN110146763A - 消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法、设备及存储介质，该方法包括：控制第一开关模块、第二开关模块及第三开关模块进行N次投切，以模拟单次单相金属性接地故障阻抗接地故障及电弧接地故障；获取上述任一接地故障时的低电阻投切参数，作为第一试验参数；其中，低电阻投切参数包括：低电阻接地电阻器未投入时的中性点对地电压、消弧线圈输出的补偿电流和接地点电流，低电阻接地电阻器投入时的低电阻接地电阻器的电流，低电阻接地电阻器的切除时刻；当第一试验参数符合预设的单次单相接地试验条件时，确定消弧线圈并联低电阻接地装置通过单次单相接地故障试验；该方法能够验证消弧线圈并联低电阻接地装置的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及消弧线圈并联低电阻接地技术领域，尤其涉及一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法、设备及存储介质。
背景技术
在电力***中，中性点接地方式是根据电网设备的绝缘水平、电容电流的大小来选择的。对于以架空线为主的配电网，一般采用中性点经消弧线圈接地方式；对于以电缆线路为主的城市配电网，单相接地故障电容电流较大的，多采用中性点经小电阻接地方式。但是，中性点经消弧线圈接地方式给永久性故障选线带来一定的困难，难以快速、准确地切除故障；中性点经小电阻接地方式无法区分瞬时接地故障与永久性接地故障，对所有单相接地均启动线路跳闸，增加了线路跳闸次数，影响了供电可靠性。采用消弧线圈并联小电阻的灵活接地方式可以结合消弧线圈消除瞬时性故障、小电阻快速隔离永久故障二者的优点，解决各自存在的问题，大大提高配电网的供电安全性和可靠性。目前消弧线圈并联小电阻的灵活接地控制装置已研制成功，已经在全国范围内普遍试用，取得了良好效果。
目前，消弧线圈并联低电阻接地装置的工作原理还存在一定不足，因此对消弧线圈并联低电阻接地装置进行试验，验证证消弧线圈并联低电阻接地装置的可靠性的在消弧线圈并联低电阻接地装置的过程中显得尤为重要。但是，目前市场上缺少对消弧线圈并联低电阻接地装置的试验方法。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种消弧线圈并联低电阻接地装置的试验方法，其能够验证消弧线圈并联低电阻接地装置的可靠性。
第一方面，本发明实施例提供了一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，包括以下步骤：
依次控制第一开关模块、第二开关模块及第三开关模块进行N次投切，以依次模拟单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障及单次单相电弧接地故障；其中，所述第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块的第一端接入三相***，所述第一开关模块的第二端接地；所述第二开关模块的第二端通过一对地电阻接地；所述第三开关模块的第二端通过一熔丝接地；在所述单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障中的任一单次单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；低电阻接地电阻器；其中，在单次单相故障状态下接地持续时间大于低电阻接地电阻器的延时投入时间；
获取单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第一试验参数；其中，所述低电阻投切参数包括：所述低电阻接地电阻器未投入时的中性点对地电压、消弧线圈输出的补偿电流和接地点电流，所述低电阻接地电阻器投入时的所述低电阻接地电阻器的电流，低电阻接地电阻器的切除时刻；
当所述第一试验参数符合预设的单次单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过单次单相接地故障试验。
优选地，所述方法还包括：
依次控制所述第一开关模块及第二开关模块进行N次间歇性投切，以依次模拟间歇性单相金属性接地故障及间歇性单相阻抗接地故障；
在所述间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障中的任一间歇性单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；
获取间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第二试验参数；
当所述第二试验参数符合预设的间歇性单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过间歇性单相接地故障试验。
优选地，所述方法还包括：
控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；
在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器不投入，以模拟低电阻投入失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；
获取单次单相金属性接地故障时低电阻投入失败对应的低电阻投切参数，作为第三试验参数；
当所述第三试验参数符合预设的低电阻投入试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻投入失败试验。
优选地，所述方法还包括：
控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；
在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投入，并在所述低电阻接地电阻器的投入时间达到预设的时间后控制所述低电阻接地电阻器不退出，以模拟低电阻退出失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；
获取单次单相金属性接地故障时低电阻退出失败对应的低电阻投切参数，作为第四试验参数；
当所述第四试验参数符合预设的低电阻退出试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻退出失败试验。
优选地，所述预设的单次单相接地试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长；
当达到延时投入时间段时，所述低电阻接地电阻器投入；其中，所述延时投入时间段为消弧线圈投入补偿时刻后的TR-TL时段，TR表示所述低电阻接地电阻器的投入时刻，TL表示消弧线圈投入补偿时刻；
当达到低电阻工作时间段时，所述低电阻接地电阻器切除；其中，所述低电阻工作时间段为电阻投入时刻后的TR2-TR时段，TR2表示所述低电阻接地电阻器的切除时刻。
优选地，所述预设的间歇性单相接地试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长；
低电阻接地电阻器低电阻接地电阻器低电阻接地电阻器根据间歇性接地频次M投入低电阻接地电阻器，且低电阻接地电阻器在前M-1次接地时，不投入低电阻，在第M次接地发生后，投入低电阻，记录低电阻投入时刻TR，当达到低电阻工作时间段时，所述低电阻接地电阻器切除；其中，所述低电阻工作时间段为电阻投入时刻后的TR2-TR时段，TR2表示所述低电阻接地电阻器的切除时刻。
优选地，所述预设的低电阻投入试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长。
优选地，所述预设的低电阻退出试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长。
第二方面，本发明实施例提供了一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面中任意一项所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法。
第三方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如第一方面中任意一项所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法。
相对于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：
通过上述试验方法分别对消弧线圈并联低电阻接地装置进行单次单相接地故障试验、模拟间歇性单相接地故障试验、低电阻投入失败试验、低电阻退出失败试验，一方面可以有效验证消弧线圈并联低电阻接地装置的可靠性，另一方面还可以验证消弧线圈并联低电阻接地装置的完整性，从而极大提高配电网的供电安全性和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的模拟单相接地故障试验回路示意图；
图2是本发明实施例提供的一种消弧线圈并联低电阻接地装置的示意图；
图3是本发明实施例提供的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，模拟单相接地故障试验回路包括三相***电源U，消弧线圈并联低电阻接地装置ASCPLR，用于模拟三相***的对地电容的三相电容器组C，，第一开关模块k1、第二开关模块k2以及第三开关模块k3；所述消弧线圈并联低电阻接地装置与所述三相***电源U三相连接；所述三相电容器组C与所述三相***电源U三相连接；所述第一开关模块k1、第二开关模块K2、第三开关模块K3的第一端接入所述三相***电源U的一相线路上，所述第一开关模块k1的第二端接地；所述第二开关模块k2的第二端与对地电容电阻R1的第一端连接，对地电容电阻R1的第二端接地；所述第三开关模块k3的第二端与熔丝D的第一端连接，所述熔丝的第二端接地。其中，熔丝D将空气间隙两极短接，空气间隙的两极由金属线构成。
在本发明实施例中，所述三相***电源U用于模拟电力三相***，所述三相电容器组包括分别与三相***电源U三相线路一一对应连接的所述第一电容、第二电容、第三电容，用于模拟电力三相***的对地电容；通过闭合第一开关模块K1模拟单相金属性接地故障，通过闭合第二开关模块K2模拟单相阻抗接地故障，通过闭合第三开关模块K3模拟单相电弧接地故障。
如图2所示，所述消弧线圈并联低电阻接地装置，包括：消弧线圈装置L、接地变压器1、低电阻接地电阻器R、低电阻投切开关K以及控制器2；所述接地变压器1的三相输入端用于接入电网，所述接地变压器1的输出端与所述消弧线圈装置L的输入端、所述低电阻投切开关的第一端连接；所述低电阻投切开关的第二端与所述低电阻接地电阻器R的第一端连接；所述消弧线圈装置L的输出端、所述低电阻接地电阻器R的第二端接地；所述控制器2与所述低电阻投切开关的控制端连接，用于识别故障点过渡电阻以及过渡电阻控制，并根据所述故障点过渡电阻以及所述临界过渡电阻控制所述低电阻接地电阻器R的投、切。
所述接地变压器1为Y型接线的三绕组变压器，其中，所述接地变压器1的中性点与所述消弧线圈装置L的输入端连接。
所述消弧线圈并联低电阻接地装置还包括与所述控制器2连接的第一电压互感器(图中未标识)、第二电压互感器(图中未标识)；所述第一电压互感器用于接入电网母线，用于测量单相接地故障相的相电压；所述第二电压互感器接在所述接地变压器1的中性点与所述消弧线圈装置L的输入端之间，用于检测所述接地变压器1的中性点对地电压；第一电流互感器，用于测量接地点电流。
所述消弧线圈并联低电阻接地装置还包括与所述控制器2连接的电流互感器(图中未标识)，所述电流互感器连接在所述消弧线圈装置L的支路上，用于检测所述消弧线圈装置L补偿时的补偿电流。
所述消弧线圈并联低电阻接地装置还包括与所述控制器2连接的显示模块(图中未标识)，用于显示故障点过渡电阻监测结果。
本装置在单相接地故障发生后，若低电阻第一次投入后故障未消除，则在后续消弧线圈补偿过程中，装置根据故障点过渡电阻监测结果决定是否再次投入低电阻，进而实现故障动态识别与隔离。所述消弧线圈并联低电阻接地装置的工作原理如下：
正常运行时中性点为经消弧线圈接地状态；发生单相接地故障时，消弧线圈短时补偿以消除瞬时性故障；若短时补偿后接地故障未消失，或者***监测到期间发生多次瞬时性接地故障，经一定延时后投入低电阻接地电阻器R以加大接地点故障电流，增强继电保护的灵敏性。投入低电阻接地电阻器R后一定时间后，退出低电阻接地电阻器R；若故障未消失，则消弧线圈继续补偿一定时间(一般＜2h)，在此期间，所述消弧线圈并联低电阻接地装置同时启动故障点过渡电阻监测识别功能，若监测到故障点过渡电阻小于或等于临界过渡电阻，则再次投入低电阻接地电阻器R以增大故障点接地电流触发继电保护装置动作，否则，继续保持消弧线圈补偿状态；若故障消失，则退出消弧线圈补偿状态。
请参阅图3，本发明第一实施例提供了一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，包括以下步骤：
S11：依次控制第一开关模块、第二开关模块及第三开关模块进行N次投切，以依次模拟单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障及单次单相电弧接地故障；其中，所述第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块的第一端接入三相***，所述第一开关模块的第二端接地；所述第二开关模块的第二端通过一对地电阻接地；所述第三开关模块的第二端通过一熔丝接地；在所述单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障中的任一单次单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；其中，在单次单相故障状态下接地持续时间应大于低电阻接地电阻器的延时投入时间。
S12：获取单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第一试验参数；其中，所述低电阻投切参数包括：所述低电阻接地电阻器未投入时的中性点对地电压、消弧线圈输出的补偿电流和接地点电流，所述低电阻接地电阻器投入时的所述低电阻接地电阻器的电流，低电阻接地电阻器的切除时刻；
S13：当所述第一试验参数符合预设的单次单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过单次单相接地故障试验。
进一步地，所述预设的单次单相接地试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长；
当达到延时投入时间段内时，所述低电阻接地电阻器投入；其中，所述延时投入时间段为消弧线圈投入补偿时刻后的TR-TL时段，TR表示所述低电阻接地电阻器的投入时刻，TL表示消弧线圈投入补偿时刻；
当达到低电阻切除时间段时，所述低电阻接地电阻器切除；其中，所述低电阻切除时间段为电阻切除时刻后的TR2-TR时段，TR2表示所述低电阻接地电阻器的切除时刻。
在本发明实施例中，N不小于5。在U等于***标称电压、***电容电流等于消弧线圈额定电流条件下利用投切K1、K2、K3进行单相接地试验并由消弧线圈装置设定脱谐度(或补偿状态及最大残流)，每种状态试验重复5次。在低电阻接地电阻器未投入时、投入期间、切除时，记录中性点对地电压(即消弧线圈两端电压)、消弧线圈输出的补偿电流和接地点电流等参数及生成对应的波形图，根据补偿电流的波形图和接地点电流的波形确定残流稳定时间、残流大小(取各次接地试验中最大值)、以及消弧线圈投入补偿时刻。
要求1：中性点对地电压(即消弧线圈两端电压)是装置启动电压，该参数可根据***要求设置。通常情况下，一般为20％～35％Un(Un为***标称电压除以)。每次试验时，通过测试记录的中性点对地电压的波形图，判断装置是否在达到启动电压时正常启动。
要求2：残流稳定时间为***发生单相接地开始时刻到残流小于装置设定值的时间间隔，该参数用于考核装置中消弧线圈的补偿性能。每次试验时的统计方法为：记录接地发生后装置检测出接地并调整到消弧线圈设定的补偿状态所需的时间间隔ΔT1；其次，记录装置在设定的补偿状态下开始输出补偿电流到残流小于设定值所需的过渡时间ΔT2。则ΔT1与ΔT2的和为残流稳定时间。每次试验时，残流稳定时间应小于预设的时间阈值。优选地，预设的时间阈值为200ms。
要求3：残流大小指消弧线圈稳定补偿时接地点电流大小，该参数用于考核装置中消弧线圈的补偿性能。每次试验时，残流大小应该小于预设的残流阈值(一般设置为10A)，如果测试得到的残流大于预设的定残流阈值，则判断试验未通过，否则试验通过。
要求4：根据低电阻接地电阻器的电流的波形图，可确定低电阻投入时刻TR。TR-TL为低电阻延时投入时间，该参数值可通过装置设定，一般为3～10秒之间。在消弧线圈投入补偿时刻之后的(TR-TL)时刻，低电阻接地电阻器应投入，若到达(TR-TL)未投入，则试验不通过，否则试验通过。其中，消弧线圈投入补偿时刻为消弧线圈开始输出补偿电流的时刻TL，通过消弧线圈输出的补偿电流的波形图，可确定该时刻。
要求5：在低电阻接地电阻器切除后，低电阻投入工作时间一般为2～3秒，该参数可设置。根据低电阻接地电阻器的电流的波形图，可确定低电阻切除时刻TR2,则可得到低电阻切除时间段为TR2-TR。当低电阻在达到低电阻切除时间段后切除，则试验通过，否则不通过。
当步骤S11-13中的单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障试验均满足上述要求1-5时，则认为装置通过了试验，通过上述试验方法可以有效验证消弧线圈并联低电阻接地装置的可靠性，从而极大提高配电网的供电安全性和可靠性。
在一种可选的实施例中，所述方法还包括：
依次控制所述第一开关模块及第二开关模块进行N次间歇性投切，以依次模拟间歇性单相金属性接地故障及间歇性单相阻抗接地故障；
在所述间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障中的任一间歇性单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；
获取间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第二试验参数；
当所述第二试验参数符合预设的间歇性单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过间歇性单相接地故障试验。
进一步地，所述预设的间歇性单相接地试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长；
低电阻接地电阻器低电阻接地电阻器低电阻接地电阻器根据间歇性接地频次M投入低电阻接地电阻器，且低电阻接地电阻器在前M-1次接地时，不投入低电阻，在第M次接地发生后，投入低电阻，记录低电阻投入时刻TR，当达到低电阻工作时间段时，所述低电阻接地电阻器切除；其中，所述低电阻工作时间段为电阻投入时刻后的TR2-TR时段，TR2表示所述低电阻接地电阻器的切除时刻。
要求6：低电阻接地电阻器根据间歇性接地频次M投入低电阻接地电阻器，且低电阻接地电阻器在前M-1次接地时，不投入低电阻，在第M次接地发生后，投入低电阻。
在本发明实施例中，低电阻接地电阻器应根据间歇性接地频次M投入低电阻接地电阻器(而不是根据要求5投入)，此时低电阻接地电阻器在前M-1次接地时不应动作，在第M次接地发生后，装置应立即动作，投入低电阻
所述预设的间歇性单相接地试验条件的具体说明请参见上述要求1-3、5和6，再次不再详细说明。
在本发明实施例中，用快速投、切接地开关k1、K2的方法进行间歇性单相接地试验(分别在金属性接地、阻抗接地两种状态下进行)，过程中应至少有N+2次接地(N≥3)且每两次的间隔不应超过1s，单次接地持续时间应小于低电阻接地电阻器的延时投入时间。试验回路阻尼率应≤3％；试验电压U不应低于20％Un(Un为***线电压除以并能保证在该电压下模拟接地时，装置能正常启动。记录试验全过程中中性点对地电压(即消弧线圈两端电压)、消弧线圈输出电流、接地点电流、低电阻电流、低电阻投入时刻及投入持续时间等数据。由记录的波形确定在接地故障发生时装置是否输出补偿电流、接地故障间隔期间装置是否退出补偿以及是否发生串联谐振现象。消弧线圈应能连续地在每次接地时输出补偿电流，且在每两次接地间隔期间能退出补偿、不发生串联谐振现象。
在一种可选的实施例中，所述方法还包括：
控制所述第一开关模块进行单次投切，以单次单相金属性接地故障；
在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器不投入，以模拟低电阻投入失败；其中，接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的整定时间；
获取单次单相金属性接地故障时低电阻投入失对应的低电阻投切参数，作为第三试验参数；
当所述第三试验参数符合预设的低电阻投入试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻投入失败试验。
进一步地，所述预设的低电阻投入试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长。
所述预设的低电阻投入试验条件的具体说明请参见上述要求1-3，再次不再详细说明。
在本发明实施例中，通过快速投、切接地开关k1的方法进行单次单相接地试验(在金属性接地状态下进行)。接地持续时间应大于投入低电阻的整定时间，以保证触发投入低电阻的条件。试验时通过控制器控制低电阻不投入，以模拟单相接地故障时低电阻投入失败。此时，消弧线圈并联低电阻接地装置应满足要求1～3，此外，装置还应根据故障情况控制消弧线圈运行状态并发出报警。
在一种可选的实施例中，所述方法还包括：
控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；
在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投入，并在所述低电阻接地电阻器的投入时间达到预设的时间后控制所述低电阻接地电阻器不退出，以模拟低电阻退出失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；；
获取单次单相金属性接地故障时低电阻退出失败对应的低电阻投切参数，作为第四试验参数；
当所述第四试验参数符合预设的低电阻退出试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻退出失败试验。
进一步，所述预设的低电阻退出试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长。
所述预设的低电阻退出试验条件的具体说明请参见上述要求1-3，再次不再详细说明。
在本发明实施例中，通过快速投、切接地开关k1的方法进行单次单相接地试验(在金属性接地状态下进行)。接地持续时间应大于投入低电阻的整定时间，以保证触发投入低电阻的条件。低电阻投入并超过设定时间后，通过控制器控制低电阻不退出，以模拟单相接地故障时低电阻退出失败。此时，消弧线圈并联低电阻接地装置应满足要求1～3，此外，装置还应根据故障情况控制消弧线圈运行状态并发出报警。
相对于现有技术，本发明实施例的有有益效果在于：
通过上述试验方法分别对消弧线圈并联低电阻接地装置进行单次单相接地故障试验、模拟间歇性单相接地故障试验、低电阻投入失败试验、低电阻退出失败试验，一方面可以有效验证消弧线圈并联低电阻接地装置的可靠性，另一方面还可以验证消弧线圈并联低电阻接地装置的完整性，从而极大提高配电网的供电安全性和可靠性。
参见图4，是本发明第二实施例提供的消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的示意图。如图4所示，该消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备包括：至少一个处理器11，例如CPU，至少一个网络接口14或者其他用户接口13，存储器15，至少一个通信总线12，通信总线12用于实现这些组件之间的连接通信。其中，用户接口13可选的可以包括USB接口以及其他标准接口、有线接口。网络接口14可选的可以包括Wi-Fi接口以及其他无线接口。存储器15可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatilememory)，例如至少一个磁盘存储器。存储器15可选的可以包含至少一个位于远离前述处理器11的存储装置。
在一些实施方式中，存储器15存储了如下的元素，可执行模块或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集:
操作***151，包含各种***程序，用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务；
程序152。
具体地，处理器11用于调用存储器15中存储的程序152，执行上述实施例所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，例如图1所示的步骤S11。或者，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述各方法实施例中步骤。
示例性的，所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器中，并由所述处理器执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序在所述消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备中的执行过程。
所述消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。所述消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备可包括，但不仅限于，处理器、存储器。本领域技术人员可以理解，所述示意图仅仅是消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的示例，并不构成对消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件。
所称处理器11可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器11是所述消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整个消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的各个部分。
所述存储器15可用于存储所述计算机程序和/或模块，所述处理器11通过运行或执行存储在所述存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现所述消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备的各种功能。所述存储器15可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作***、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器15可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
其中，所述消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
本发明第三实施还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如上述中任意一项所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，包括以下步骤：
依次控制第一开关模块、第二开关模块及第三开关模块进行N次投切，以依次模拟单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障及单次单相电弧接地故障；其中，所述第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块的第一端接入三相***，所述第一开关模块的第二端接地；所述第二开关模块的第二端通过一对地电阻接地；所述第三开关模块的第二端通过一熔丝接地；在所述单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障中的任一单次单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；低电阻接地电阻器；其中，在单次单相故障状态下接地持续时间大于低电阻接地电阻器的延时投入时间；
获取单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第一试验参数；其中，所述低电阻投切参数包括：所述低电阻接地电阻器未投入时的中性点对地电压、消弧线圈输出的补偿电流和接地点电流，所述低电阻接地电阻器投入时的所述低电阻接地电阻器的电流，低电阻接地电阻器的切除时刻；
当所述第一试验参数符合预设的单次单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过单次单相接地故障试验。
2.如权利要求1所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述方法还包括：
依次控制所述第一开关模块及第二开关模块进行N次间歇性投切，以依次模拟间歇性单相金属性接地故障及间歇性单相阻抗接地故障；
在所述间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障中的任一间歇性单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；
获取间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第二试验参数；
当所述第二试验参数符合预设的间歇性单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过间歇性单相接地故障试验。
3.如权利要求2所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述方法还包括：
控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；
在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器不投入，以模拟低电阻投入失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；
获取单次单相金属性接地故障时低电阻投入失败对应的低电阻投切参数，作为第三试验参数；
当所述第三试验参数符合预设的低电阻投入试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻投入失败试验。
4.如权利要求3所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述方法还包括：
控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；
在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投入，并在所述低电阻接地电阻器的投入时间达到预设的时间后控制所述低电阻接地电阻器不退出，以模拟低电阻退出失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；
获取单次单相金属性接地故障时低电阻退出失败对应的低电阻投切参数，作为第四试验参数；
当所述第四试验参数符合预设的低电阻退出试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻退出失败试验。
5.如权利要求1所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述预设的单次单相接地试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长；
当达到延时投入时间段时，所述低电阻接地电阻器投入；其中，所述延时投入时间段为消弧线圈投入补偿时刻后的TR-TL时段，TR表示所述低电阻接地电阻器的投入时刻，TL表示消弧线圈投入补偿时刻；
当达到低电阻工作时间段时，所述低电阻接地电阻器切除；其中，所述低电阻工作时间段为电阻投入时刻后的TR2-TR时段，TR2表示所述低电阻接地电阻器的切除时刻。
6.如权利要求2所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述预设的间歇性单相接地试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长；
低电阻接地电阻器低电阻接地电阻器低电阻接地电阻器根据间歇性接地频次M投入低电阻接地电阻器，且低电阻接地电阻器在前M-1次接地时，不投入低电阻，在第M次接地发生后，投入低电阻，记录低电阻投入时刻TR，当达到低电阻工作时间段时，所述低电阻接地电阻器切除；其中，所述低电阻工作时间段为电阻投入时刻后的TR2-TR时段，TR2表示所述低电阻接地电阻器的切除时刻。
7.如权利要求3所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述预设的低电阻投入试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长。
8.如权利要求4所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述预设的低电阻退出试验条件包括：
中性点对地电压大于预设的启动电压；
消弧线圈补偿后的接地点电流小于预设的残流阈值；
残流稳定时间小于预设的时间阈值；其中，所述残流稳定时间为以消弧线圈开始输出补偿电流的时刻至接地点电流小于预设的残流阈值对应的时刻的时长。
9.一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验设备，其特征在于，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至8中任意一项所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如权利要求1至8中任意一项所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法。
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