CN110091246A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置，进行基板的研磨工艺的基板处理装置包括：基板放置部，其用于放置基板；研磨单元，其包括研磨垫，并且对所述基板的上面进行研磨，研磨垫以接触于所述基板的状态进行移动；温度调节部，其在所述研磨垫接触到所述基板之前，将所述研磨垫的温度调节至规定的温度范围，由此可以获得提高研磨均匀度及研磨稳定性的有利效果。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，更为具体地，涉及一种基板处理装置，其可以提高研磨均匀度及研磨稳定性。

背景技术

最近，对信息显示器的兴趣高涨，并且想利用能够携带的信息媒体的要求变高，与此同时，重点进行针对代替现有显示装置布劳恩管(Cathode Ray Tube；CRT：阴极射线管)的轻量薄型平板显示装置(Flat Panel Display；FPD：平板显示器)的研究及商业化。

在所述平板显示装置领域中，到目前为止，虽然轻且电力消耗少的液晶显示装置(Liquid Crystal Display Device；LCD)是最受关注的显示装置，但是液晶显示装置并不是发光元件而是受光元件，并且在亮度、对比度(contrast ratio)及视场角等方面存在缺点，因此正在积极展开针对可以克服所述缺点的新显示装置的开发。其中，最近，有机发光显示器(OLED:Organic Light Emitting Display)是正受到关注的新一代显示器之一。

通常，显示装置使用强度及透过性优秀的玻璃基板，但是最近，显示装置倾向于超薄化及高像素(high-pixel)，因此需要准备与之相应的玻璃基板。

例如，ELA(Eximer Laser Annealing：准分子激光退火)工艺为OLED工艺中的一种，将激光扫描到非晶硅(a-Si)从而结晶为多晶硅(poly-Si)，在所述ELA工艺中，多晶硅结晶的同时会在表面产生凸起，所述凸起会产生不均匀现象(mura-effects)，所以玻璃基板必须经研磨处理，以便去除凸起。

为此，最近正在进行用于有效研磨基板表面的多种研究，但是仍不能令人满意，因此要求对此的开发。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基板处理装置，其可以提高研磨均匀度及研磨稳定性。

此外，本发明的目的在于，可以提高基板的研磨效率，并且使得基板的研磨量均匀。

此外，本发明的目的在于，可以提高基板的研磨质量，并且可以提高生产率。

根据用于实现所述本发明目的的本发明的优选实施例，使得研磨垫在事先预热好的状态下对基板进行研磨，由此可以提高研磨均匀度及研磨稳定性。

此外，根据本发明的另一个优选实施例，按照相对于基板的研磨垫的位置，使得研磨单元的移动速度不同，由此可以减小基板研磨面的研磨量偏差，并且提高研磨均匀度。

如上所述，根据本发明，可以获得提高研磨均匀度及研磨稳定性的有利效果。

尤其，根据本发明，使得研磨垫在事先预热至规定温度的状态下对基板进行研磨，由此可以获得如下有利效果：减小基板研磨面的研磨量偏差，提高研磨均匀度。

此外，根据本发明，按照相对于基板的研磨垫的位置，对研磨单元的移动速度进行不同的调节，由此可以获得如下有利效果：可以按照研磨垫的位置，使得由研磨垫进行的每单位时间研磨量均匀，并且减小基板研磨面的研磨量偏差，提高研磨均匀度。

此外，根据本发明，可以获得如下有利效果：提高相对于基板的研磨垫的平坦度，提高研磨稳定性。

此外，根据本发明，可以获得如下有利效果：提高基板的研磨效率，缩短研磨时间。

此外，根据本发明，可以获得使得基板的研磨量均匀的有利效果。

此外，根据本发明，可以获得如下有利效果：可以提高基板的研磨质量，并且提高收率及生产率。

附图说明

图1是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置进行说明的立体图，

图2是示出根据本发明第一实施例的基板处理装置的侧面图，

图3是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置进行说明的平面图，

图4是用于对根据研磨垫温度的每单位时间研磨量进行说明的图，

图5及图6是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的基板的各个区间研磨量进行说明的图，

图7是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的止动件进行说明的图，

图8是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的研磨单元的研磨路径进行说明的平面图，

图9是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的研磨单元的另一个实施例进行说明的图，

图10是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的预热部的另一个实施例进行说明的图，

图11是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的预热部的又另一个实施例进行说明的图，

图12至图14是用于对根据本发明第一实施例的基板处理装置的基板放置部的另一个实施例进行说明的图，

图15是用于对根据本发明第二实施例的基板处理装置进行说明的图，

图16是用于对根据研磨垫的移动速度的每单位时间研磨量进行说明的图，

图17及图18是用于对根据本发明第二实施例的基板处理装置的研磨垫的移动速度和研磨量的相关关系进行说明的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明，但是本发明并非受实施例的限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的标号实际上意味着相同的要素，并且在所述规则下，可以引用记载于其他附图的内容来说明，并且省略判断为对本领域技术人员来说显而易见或者反复的内容。

参照图1至图11，根据本发明的基板处理装置10包括：基板放置部210，其用于放置基板W；研磨单元220，其包括研磨垫222，并且对基板W的上面进行研磨，研磨垫222以接触于基板W的状态进行移动；温度调节部400，其在研磨垫222接触到基板W之前，将研磨垫222的温度调节至规定的温度范围。

其目的是为了提高基板W的研磨均匀度及研磨稳定性。

换句话说，若对基板进行研磨的研磨垫的温度发生变化，则由研磨垫进行的每单位时间研磨量也发生变化，所以为了均匀地研磨基板，在研磨工艺中必须使得研磨垫的温度均匀地保持在规定的温度范围。换句话说，若研磨垫的温度在规定的温度范围内，则由研磨垫进行的每单位时间研磨量显示为规定的研磨量范围，与此相反，若研磨垫的温度低于规定的温度范围，则由研磨垫进行的每单位时间研磨量低于规定的研磨量范围，所以在研磨工艺中，必须使得研磨垫的温度保持在均匀的温度范围。

在研磨垫以接触于基板表面的状态进行移动的过程中，可以通过由研磨垫和基板之间的摩擦产生的发热而使得研磨垫的温度保持在规定的温度范围。但是，在研磨垫最初接触于基板时，研磨垫的温度形成为低于规定的温度范围，所以具有在研磨垫最初接触于基板的区域由研磨垫进行的每单位时间研磨量会不可避免地变低的问题，据此具有如下问题：基板研磨面的研磨量偏差变大，降低基板的研磨均匀度。

但是，就本发明而言，使得研磨垫在接触于基板前以事先被预热的状态对基板进行研磨，由此可以获得如下有利效果：可以将基板研磨面的研磨量偏差控制得很小，并且提高研磨均匀度及研磨稳定性。

而且，就本发明而言，使得研磨垫在事先被预热至规定的温度范围的状态下对基板进行研磨，由此可以获得如下有利效果：提高基板W的研磨效率，缩短研磨时间。

基板放置部210配置于装载部分(参照图13的100)和卸载部分(参照图14的300)之间，供给到装载部分的基板W被移送至基板放置部210，并在安置于基板放置部210的状态下被研磨后，通过卸载部分300被卸载。

更为具体地，设置装载部分100是为了将要进行研磨处理的基板W装载到研磨部分(未示出)。

装载部分100可以形成为能够将基板W装载到研磨部分的多种结构，本发明并非受装载部分100的结构的限制或限定。

例如，装载部分100包括以相隔规定间隔的形式隔开配置的多个装载移送滚筒110，并且当装载移送滚筒110旋转时，由多个装载移送滚筒110相互配合地移送供给到多个装载移送滚筒110的上部的基板W。根据不同的情况，装载部分也能够包括循环带，循环带通过装载移送滚筒进行循环旋转。

同时，就供给到装载部分100的基板W而言，在供给至装载部分100之前，姿势及位置可以通过对齐单元(未示出)排列为规定的姿势和位置。

作为参考，就在本发明中所使用的基板W而言，可以使用一侧边的长度大于1m的四边形基板W。例如，可以将具有1500mm*1850mm尺寸的第六代玻璃基板W用作执行化学机械研磨工艺的被处理基板W。根据不同的情况，第七代及第八代玻璃基板也能够用作被处理基板W。不同地，也能够使用一侧边的长度小于1m的基板(例如，第二代玻璃基板)。

基板放置部210和研磨单元220在装载部分100和卸载部分300之间构成研磨部分。

基板放置部210可以设置为能够放置基板W的多种结构，并且基板放置部210的结构及形态可以根据所要求的条件及设计规范变更为多种。

例如，基板放置部210包括基板支撑部212和表面垫214，表面垫214设置于基板支撑部212的上面，通过提高相对于基板W的摩擦系数来抑制滑动，基板W安置于表面垫214的上面。

作为参考，在本发明中，所谓的对基板W进行研磨定义为，通过针对基板W的机械研磨工艺或化学机械研磨(CMP)工艺来对基板W进行研磨。例如，在研磨部分进行针对基板W的机械研磨期间，同时供给用于化学研磨的研磨液，并进行化学机械研磨(CMP)工艺。此时，可以从研磨垫222的内侧区域供给研磨液，或者也可以从研磨垫222的外侧区域供给研磨液。

基板支撑部212为了支撑基板W的底面而设置。

基板支撑部212可以构成为根据所要求的条件及设计规范以多种方式来支撑基板W的底面。

以下，以基板支撑部212大致形成为四边形板状为例进行说明。根据不同的情况，基板支撑部可以形成为其他不同形状及结构，并且也能够利用两个以上的基板支撑部来支撑基板的底面。

同时，作为基板支撑部212，可以使用岩石平板。根据不同的情况，基板支撑部可以由金属材料或多孔性材料形成，本发明并非受基板支撑部的材料的限制或限定。

在基板支撑部212的上面设置有表面垫214，表面垫214通过提高相对于基板W的摩擦系数来抑制滑动。

如上所述，在基板支撑部212的上面设置有表面垫214，基板W安置于表面垫214的外表面，由此可以获得如下有利效果：在基板W放置于基板支撑部212的状态下，可以约束相对于基板支撑部212的基板W的移动(约束滑动)，并且稳定地保持基板W的配置位置。

表面垫214可以由与基板W具有接合性的多种材料形成，并且本发明并非受表面垫214的材料的限制或限定。例如，表面垫214可以利用伸缩性及黏着性(摩擦力)优秀的聚氨酯、工程塑料、硅材料中任意一种以上形成。根据不同的情况，表面垫也能够由具有防滑功能的其他材料形成。

此外，表面垫214形成为具有较高的压缩率。在此，所谓的表面垫214形成为具有较高的压缩率，也可以表述为表面垫214具有较高的延伸率，并且定义为，表面垫214由可以易于压缩的松软材料形成。

优选地，表面垫214形成为具有20～50％的压缩率。如上所述，表面垫214形成为具有20～50％的压缩率，由此可以获得如下有利效果：即使异物流入于基板W和表面垫214之间，也可以轻松将表面垫214按压异物的厚度程度，所以可以使得由异物导致的基板W的高度偏差(基板的特定部位因异物而局部地凸出)最小化，并且使得由基板W的特定部位局部凸出而导致的研磨均匀度下降最小化。

另外，在以上所提到的及所示出的本发明的实施例中，以基板支撑部212构成为通过接触方式来支撑基板W为例进行了说明，但是根据不同的情况，基板支撑部也能够构成为以非接触方式来支撑基板的底面。

例如，基板支撑部可以构成为，向基板的底面喷射流体，通过由流体产生的喷射力来支撑基板的底面(或表面垫的底面)。此时，基板支撑部可以向基板的底面喷射气体(例如，空气)和液体(例如，纯水)中的至少任意一种，并且可以根据所要求的条件及设计规范对流体的种类进行多种变更。

根据不同的情况，基板支撑部也能够构成为，利用磁力(例如，斥力；repulsiveforce)或由超声波振动产生的悬浮力，以非接触方式来支撑基板的内表面。

研磨单元220包括研磨垫222，并且设置为对基板W的表面进行研磨，研磨垫222以接触于基板W表面的状态进行移动。

例如，研磨垫222形成为小于基板W的尺寸，并且以接触于基板W的状态自转的同时移动。

更为具体地，研磨垫222安装于研磨垫222载体(未示出)，并且以接触于基板W表面的状态自转的同时对基板W的表面进行线性研磨(平坦化)。

研磨垫载体可以形成为能够使得研磨垫222自转的多种结构，本发明并非受研磨垫载体的结构的限制或限定。例如，研磨垫载体可以构成为一个主体，或者能够以多个主体相结合的形式构成，并且构成为与驱动轴(未示出)相连接并旋转。此外，在研磨垫载体设置有加压部(例如，利用空气压力对研磨垫进行加压的空气压力加压部)，加压部用于将研磨垫222加压于基板W的表面。

研磨垫222由适合于对基板W进行机械研磨的材料形成。例如，研磨垫222可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯基聚合物、丙烯酸以及甲基丙酸烯(methacrylic)聚合物、硅材料、乳胶、硝化橡胶、异戊二烯橡胶、丁二烯橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多种共聚物来形成，并且可以根据所要求的条件及设计规范对研磨垫222的材料及特性进行多种变更。

优选地，将大小小于基板W的圆形研磨垫222用作研磨垫222。换句话说，也能够使用大小大于基板W的研磨垫222来研磨基板W，但是，若使用大小大于基板W的研磨垫222，则为了使得研磨垫222自转而需要非常大的旋转装备及空间，因此具有降低空间效率及设计自由度并且降低稳定性的问题。更为优选地，研磨垫形成为具有与基板W的横向长度或纵向长度相对应的直径，或者可以形成为具有小于基板W的横向长度或纵向长度的二分之一的直径。

实际上问题在于，因为基板W的至少一侧边的长度具有大于1m的大小，所以使得大小大于基板W的研磨垫(例如，直径大于1m的研磨垫)自转的本身是非常困难的。此外，若使用非圆形研磨垫(例如，四边形研磨垫)，则无法从整体上将被自转的研磨垫研磨的基板W的表面研磨为均匀的厚度。但是，在本发明中，通过使得大小小于基板W的圆形研磨垫222自转而对基板W的表面进行研磨，由此可以获得如下有利效果：既不会大幅降低空间效率及设计自由度，也能够通过使得研磨垫222自转而对基板W进行研磨，并且从整体上均匀地保持由研磨垫222进行的研磨量。

研磨单元220构成为通过构台(gantry)单元20沿着X轴方向及Y轴方向移动。

更为具体地，构台单元20包括：X轴构台22，其沿着第一方向(例如，X轴方向)进行直线移动；Y轴构台24，其安装于X轴构台22，沿着与第一方向直角交叉的第二方向(例如，Y轴方向)进行直线移动，并且研磨单元220安装于Y轴构台24，沿着X轴方向及Y轴方向移动的同时研磨基板W。

X轴构台22可以形成为“U”字形状，并且构成为沿着导轨22a移动，导轨22a沿着第一方向配置。在导轨22a交替排列有N极和S极的永久磁铁，并且可以通过施加到X轴构台22线圈的电流控制，按照能够精确控制位置的线性马达的原理来驱动X轴构台22。

此时，可以根据所要求的条件及设计规范对研磨单元220的研磨路径进行多种变更。

例如，参照图8，研磨垫222构成为，沿着相对于基板W的一边倾斜的第一斜线路径L1和向第一斜线路径L1的相反方向倾斜的第二斜线路径L2反复进行之字形移动，同时对基板W的表面进行研磨。

在此，第一斜线路径L1是指，例如相对于基板W的底边倾斜规定角度θ的路径。此外，第二斜线路径L2是指，以与第一斜线路径L1相交叉的形式朝向第一斜线路径L1的相反方向倾斜规定角度的路径。

此外，在本发明中，所谓的研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行之字形移动定义为，在研磨垫222以接触于基板W表面的状态进行移动的过程中，相对于基板W的研磨垫222的移动路径并非被中断，而是转向其他方向(从第一斜线路径转向第二斜线路径)。换句话说，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2连续移动，并且形成连续连接的波浪形态的移动轨迹。

更为具体地，第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边为基准呈线对称，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行之字形移动并对基板W的表面进行研磨。此时，第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边为基准呈线对称是指，以基板W的一边11为中心使得第一斜线路径L1和第二斜线路径L2对称时，第一斜线路径L1和第二斜线路径L2完全重叠，并且定义为基板W的一边与第一斜线路径L1形成的角度和基板W的一边与第二斜线路径L2形成的角度相同。

优选地，以小于或者等同于研磨垫222的直径的长度为往复移动节距(pitch)，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2相对于基板W进行往复移动。以下，对以相当于研磨垫222直径的长度为往复移动节距P，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2相对于基板W有规律地进行往复移动进行说明。

此时，研磨单元220可以构成为通过如构台(Gantry)一样的结构物(未示出)进行线性移动，并且本发明并非受使得研磨单元220移动的结构物的种类及结构的限制或限定。例如，构台可以包括：第一支撑轴和第二支撑轴，其在隔着基板W的状态下配置于基板W的两侧，并且设置为能够沿着基板W的移送方向进行直线移动；以及连接轴，其对第一支撑轴和第二支撑轴进行连接，并且研磨单元220可以安装于连接轴上。

如上所述，相对于基板W，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行之字形移动的同时对基板W的表面进行研磨，并且以小于或等同于研磨垫222的直径的长度为往复移动节距P，研磨垫222相对于基板W进行前进移动，由此可以获得如下有利效果：在基板W的整个表面区域没有遗漏研磨垫222研磨的区域的状态下，有规律且均匀地对基板W的整个表面进行研磨。

在此，所谓的研磨垫222相对于基板W进行前进移动定义为，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2相对于基板W移动的同时朝向基板W的前方(例如，以图8为基准，从基板的底边朝向上边)进行直进移动。换句话说，以由底边、斜边、对边构成的直角三角形为例，可以将直角三角形的底边定义为基板W的底边，将直角三角形的斜边定义为第一斜线路径L1或第二斜线路径L2，并且可以将直角三角形的对边定义为相对于基板W的研磨垫222的前进移动距离。

换句话说，以小于或等同于研磨垫222的直径的长度为往复移动节距，研磨垫222相对于基板W反复进行之字形移动(沿着第一斜线路径和第二斜线路径移动)的同时对基板W进行研磨，由此可以获得如下有利效果：可以防止在基板W的整个表面区域产生遗漏研磨垫222研磨的区域，所以均匀地控制基板W的厚度偏差，相对于二维板面均匀地调节基板W的厚度分布，从而提高研磨质量。

再如，研磨垫也能够在沿着第一直线路径(未示出)和第二直线路径反复进行之字形移动的同时对基板W的表面进行研磨，第一直线路径是沿着基板W的一边方向的路径，第二直线路径是第一直线路径的相反方向的路径。在此，第一直线路径是指，例如沿着从基板W的底边一端朝向另一端的方向的路径。此外，第二直线路径是指朝向与第一直线路径相反方向的路径。

作为参考，在以上所提到的及所示出的本发明的实施例中，以研磨部分仅由一个研磨单元构成为例进行了说明，但是参照图9，研磨部分能够包括两个以上的研磨单元220、220＇。此时，多个研磨单元220、220＇分别设置有研磨垫222、222＇，并且可以构成为，朝向相同路径或相反方向路径移动的同时对基板W的表面进行研磨。

此外，基板处理装置可以包括调节器(未示出)，调节器对研磨垫的外表面(接触于基板的表面)进行改质。

例如，调节器可以配置于基板W的外侧区域，并且通过事先规定好的加压力对研磨垫的表面(底面)进行加压并进行微细切削，从而将形成于研磨垫表面的微孔改质为露出表面。换句话说，调节器为了防止许多发泡微孔堵塞于研磨垫的外表面而对研磨垫的外表面进行微细切削，从而顺畅地将填满于研磨垫发泡气孔的研磨液供给到基板W，发泡微孔起到盛放由研磨剂和化学物质混合的研磨液的作用。优选地，调节器设置为能够旋转，并且以旋转的方式接触于研磨垫的外表面(底面)。

参照图7，研磨部分包括止动件130，止动件130设置为以包裹基板W的周围周边的形式凸出于表面垫214的外表面的状态。

止动件130是为了如下目的而设置的：在研磨工艺中，研磨单元220的研磨垫210从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域进入时，使得研磨垫210在基板W的边缘部位反弹的现象(弹回现象)最小化，并且使得由研磨垫210的反弹现象而导致的基板W边缘部位中的非研磨区域(dead zone)(未经研磨垫研磨的区域)最小化。

更为具体地，与基板W的形态相对应的基板收容部130a贯通形成于止动件130，在基板收容部130a的内部，基板W安置于表面垫214的外表面。

在基板W收容于基板收容部130a的状态下，止动件130的表面高度具有与基板W边缘的表面高度相类似的高度。如上所述，使得基板W的边缘部位和与基板W的边缘部位相邻近的基板W的外侧区域(止动件区域)具有相互类似的高度，由此可以获得如下有利效果：在研磨工艺中，在研磨垫210从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或者从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动的过程中，可以使得由基板W的内侧区域和外侧区域之间的高度偏差导致的研磨垫210的反弹现象最小化，并且使得由反弹现象所产生的非研磨区域最小化。

同时，止动件130设置为从放置有基板W的基板放置部210的放置面凸出，研磨单元220的研磨垫210构成为，以同时接触于止动件130的上面和基板W的上面的状态经过基板W的边缘并对基板W的上面进行研磨。

优选地，在通过研磨单元220的研磨垫210进行基板W的研磨工艺开始的研磨开始位置上，研磨垫210的一部分配置为接触于止动件130的上面的状态，研磨垫210的另一部分配置为接触于基板W的上面的状态。

如上所述，在研磨开始位置上，研磨单元220的研磨垫210在同时接触于基板W的上面和止动件130的上面的状态下开始研磨，由此可以获得如下有利效果：在研磨单元220的研磨垫210经过基板W的边缘时更能抑制研磨垫210从基板W反弹的现象。

优选地，止动件130形成为具有比基板W薄或者与基板W相同的厚度(T1≥T2)。如上所述，使得止动件130形成为具有比基板W薄或者与基板W相同的厚度(T2)，由此可以获得如下有利效果：在研磨垫210从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动的过程中，使得由研磨垫210和止动件130的碰撞而导致的研磨单元220的反弹现象最小化。

止动件130可以根据所要求的条件而由多种材料形成。但是，因为研磨垫232接触于止动件130，所以优选地，由在研磨工艺时磨损较小的如聚乙烯(PE)、不饱和聚酯(unsaturated polyester；UPE)等一样的材料形成止动件130。

温度调节部400设置为在研磨垫222接触于基板W之前事先将研磨垫222的温度调节至规定的温度范围。

在此，所谓的将研磨垫222的温度调节至规定的温度范围定义为，将研磨垫222的温度调节至由研磨垫222进行的每单位时间研磨量可以显示为规定的研磨量范围的温度范围。

作为参考，参照图4，若研磨垫222的温度处在低温温度范围A1，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为渐渐增加的形态，若研磨垫222的温度增加至规定的温度范围A2(例如，40℃～80℃)，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为均匀地保持在规定的研磨量范围的形态。

如上所述，若在研磨垫222的温度达到规定温度范围的状态下进行基板W的研磨，则在高温环境下更快地去除覆盖于基板W研磨层的膜，从而促进机械研磨，与此同时，设定为最适合研磨液的化学反应的温度，从而更加缩短化学研磨时间。

以此为基础，温度调节部400在研磨垫222接触于基板W之前将研磨垫222的温度调节至规定的温度范围A2，规定的温度范围A2显示为由研磨垫222进行的每单位时间研磨量均匀地保持为规定的研磨量范围的形态。

换句话说，在研磨垫222以接触于基板W表面的状态进行移动的过程中，通过由研磨垫222和基板W之间的摩擦而产生的发热，可以将研磨垫222的温度保持至规定的温度范围。但是，在研磨垫222最初接触于基板W时，研磨垫222的温度形成为低于规定的温度范围，所以具有在研磨垫222最初接触于基板W的区域EZ由研磨垫222进行的每单位时间研磨量不可避免地降低的问题，据此具有如下问题：基板W研磨面的研磨量偏差ΔRR变大，基板W的研磨均匀度降低。

由此，就本发明而言，研磨垫222在接触于基板W之前在被事先预热的状态(将温度调节为规定的温度范围的状态)下对基板W进行研磨，由此可以获得如下有利效果：可以将基板W研磨面的研磨量偏差控制得很小，并且提高研磨均匀度及研磨稳定性。

优选地，温度调节部400将研磨垫222的温度调节为高于常温温度。如上所述，以将研磨垫222的温度调节为高于常温温度的状态开始由研磨垫222进行的研磨，由此可以获得如下有利效果：提高基板W的研磨均匀度，减小基板W研磨面的研磨量偏差。

温度调节部400可以构成为根据所要求的条件及设计规范以多种方式对研磨垫222的温度进行调节。

例如，温度调节部400配置于基板W的外侧区域，并且包括预热部410，预热部410将研磨垫222预热至规定的温度范围。以下，以研磨垫222接触于预热部410并通过由摩擦而产生的发热来进行预热为例进行说明。

优选地，由研磨垫222与预热部410的接触而产生的发热量和由研磨垫222与基板W的接触而产生的发热量构成为处于相同范围。

如上所述，在与研磨垫222接触于基板W时相类似的条件下，研磨垫222接触于预热部410，由此可以获得如下有利效果：提高研磨垫222的预热精确度，并且提高稳定性及可靠性。

作为参考，研磨垫222和预热部410之间的发热量可以由预热部410的材料和将研磨垫222加压于预热部410的加压力等决定。优选地，使得预热部410由与基板W相同的材料形成，并且在与使得研磨垫222接触于基板W的条件相同的条件下，使得研磨垫222接触于预热部410，由此可以使得由研磨垫222和预热部410的接触产生的发热量和由研磨垫222和基板W的接触产生的发热量形成至相同的范围。

此外，包括将预热研磨液供给到预热部410和基板W之间的预热研磨液供给部420。

在此，将预热研磨液定义为被事先加热至规定的温度范围的研磨液。

如上所述，在研磨垫222接触于预热部410并被预热的过程中，将被事先加热好的预热研磨液供给到研磨垫222和预热部410之间，由此可以获得如下有利效果：可以提高研磨垫222的预热效率，缩短预热所需要的时间，并且更加提高研磨垫222的预热准确度及稳定性。

此外，基板W处理装置包括温度检测部检测500，温度检测部500在研磨垫222被预热的过程中检测研磨垫222的温度，若在温度检测部500检测的研磨垫222的温度在规定的温度范围内，则使得研磨垫222接触于基板W。

作为温度检测部500，可以使用能够检测研磨垫222温度的常用的温度传感器510。例如，可以使用常用的温度传感器510。例如，作为温度检测部500，可以使用红外线(IR)温度传感器。根据不同的情况，能够将其他不同的非接触温度传感器用作温度检测部。不同地，能够将温度检测部构成为接触式温度传感器。

如上所述，若在温度检测部500检测的研磨垫222的温度在规定的温度范围内，则使得研磨垫222接触于基板W，由此可以获得如下有利效果：将在研磨垫222最初进入至基板W内侧区域的区域(进入研磨区间；EZ)中的每单位时间研磨量精密地控制为规定的研磨量。

参照图3，温度调节部400构成为，以使得研磨垫222接触于配置在基板W周边的止动件216的形式将研磨垫222预热至规定的温度范围。

如上所述，为了减少研磨单元220的反弹而事先设置好止动件216，利用所述止动件216来预热研磨垫222，由此可以获得如下有利效果：因为没有必要另外设置用于对研磨垫222进行预热的预热装置，所以可以简化装备及设备，并且提高空间利用度。

更为优选地，止动件216配置于从基板W的外侧向内侧进入的研磨垫222的进入路径PL，预热部410设置于止动件216的一边，研磨垫222在从基板W的外侧向内侧进入之前，接触于止动件216的一边并被预热。以下，以如下情况为例进行说明：研磨垫222经过止动件216的底边(以图3为基准)向基板W的内侧区域进入，研磨垫222在进入到基板W的内侧区域之前，在止动件216底边被预热。

如上所述，使得研磨垫222在配置于研磨垫222的进入路径PL的止动件216的一边被预热，由此可以获得如下有利效果：即使未变更或追加研磨垫222的移动路径，也可以在进入至基板W的内侧区域之前，对研磨垫222进行预热，所以防止由进行预热研磨垫222的预热工艺而导致的工艺效率下降，使得预热工艺所需的工艺时间最小化。

作为参考，研磨垫222构成为，以接触于止动件216的状态沿着左右方向进行往复移动及旋转的同时通过摩擦来预热。根据不同的情况，研磨垫也能够以接触于止动件的状态仅进行旋转的同时通过摩擦而被预热。

如上所述，研磨垫222在从基板W的外侧区域进入至基板W的内侧区域之前被事先预热至规定的温度范围，由此，如图6所示，可以获得均匀地控制每单位时间研磨量RR1和每单位时间研磨量RR2的有利效果，每单位时间研磨量RR1是在研磨垫222最初进入至基板W的内侧区域的区域中(进入研磨区间；EZ)的研磨量，每单位时间研磨量RR2是在研磨垫222在基板W的内侧区域移动的区域(移动研磨区间；MZ)中的研磨量。

而且，就本发明而言，使得研磨垫222在接触于基板W之前在预热部反复被摩擦，由此可以获得如下有利效果：可以使得研磨垫222在接触于基板W之前事先得以平坦化(接触于基板的研磨垫的接触面被调节为平坦状态)，所以提高相对于基板W的研磨垫222的接触稳定性，提高研磨稳定性。

另外，在以上所提到的及所示出的本发明的实施例中，以预热部410设置于止动件为例进行了说明，但是根据不同的情况，也能够将预热部设置于基板放置部的外侧。

例如，参照图10，预热部410＇能够以与基板放置部相隔开的形式配置于基板放置部的外侧，并且研磨垫222可以在经过预热部410＇预热后，进入至基板W的内侧。

此外，在以上所提到的及所示出的本发明的实施例中，以研磨垫222接触于预热部410并且研磨垫222通过由摩擦产生的发热而被预热为例进行了说明，但是根据不同的情况，预热部也能够以非接触方式对研磨垫进行预热。

例如，参照图11，预热部410＂可以构成为利用辐射热将研磨垫222预热至规定的温度范围。根据不同的情况，预热部也能够利用传导热将研磨垫预热至规定的温度范围。

设置卸载部分(参照图14的300)是为了从研磨部分卸载完成研磨处理的基板W。

换句话说，从基板放置部210分离出的基板W被卸载于卸载部分300。

卸载部分300可以形成为能够从研磨部分卸载基板W的多种结构，本发明并非受卸载部分300的结构的限制或限定。

例如，卸载部分300包括以相隔规定间隔的形式隔开配置的多个卸载移送滚筒310，当卸载移送滚筒310旋转时，由多个卸载移送滚筒310相互配合地移送供给到多个卸载移送滚筒310的上部的基板W。根据不同的情况，卸载部分也能够包括循环带，循环带通过卸载移送滚筒进行循环旋转。

另外，图12至图14是用于对根据本发明的另一个实施例的基板处理装置进行说明的图。同时，对与所述构成相同及相当于相同部分赋予相同或相当于相同的参照标号，并且省略对此的详细说明。

参照图12至图14，根据本发明的另一个实施例，基板放置部210＇包括：移送带214＇，其沿着规定的路径移动，并且在外表面安置有基板W；基板支撑部212，其配置于移送带214＇的内部，并且在隔着移送带214＇的状态下对基板W的底面进行支撑。

作为参考，与所述实施例相同，温度调节部400在研磨垫222接触于基板W之前将研磨垫222的温度调节至规定的温度范围，若在温度检测部500检测的研磨垫222的温度位于规定的温度范围，则使得研磨垫222接触于基板W并开始基板的研磨。同时，在移送带214＇的外表面可以设置有止动件216。

移送带214＇可以构成为根据所要求的条件及设计规范以多种方式沿着规定的路径进行移动。例如，移送带214＇可以构成为沿着规定的路径循环旋转。

移送带214＇的循环旋转可以根据所要求的条件及设计规范以多种方式进行。例如，移送带214＇通过滚筒单元150沿着规定的路径进行循环旋转，并且通过移送带214＇的循环旋转沿着直线移动路径来移送安置于移送带214＇的基板W。

移送带214＇的移动路径(例如，循环路径)可以根据所要求的条件及设计规范变更为多种。例如，滚筒单元150包括：第一滚筒152；第二滚筒154，其配置为与第一滚筒152平行地隔开，移送带214＇通过第一滚筒152和第二滚筒154以无限循环方式进行循环旋转。

作为参考，移送带214＇的外表面是指暴露在移送带214＇外侧的外侧表面，并且基板W安置于移送带214＇的外表面。并且，移送带214＇的内表面是指第一滚筒152和第二滚筒154所接触的移送带214＇的内侧表面。

此外，第一滚筒152和第二滚筒154中任意一个以上可以选择性构成为向相互接近及隔开的方向进行直线移动。例如，第一滚筒152的位置固定，第二滚筒154可以构成为，向接近第一滚筒152及与第一滚筒152相隔开的方向进行直线移动。如上所述，根据制造公差及组装公差等，第二滚筒154接近第一滚筒152及与第一滚筒152相隔开，由此可以调节移送带214＇的张力。

在此，所谓的调节移送带214＇的张力定义为，通过拉紧或放松移送带214＇来调节张力。根据不同的情况，也能够设置有另外的张力调节滚筒，通过使得张力调节滚筒移动来调节移送带的张力。但是，优选地，使得第一滚筒和第二滚筒中任意一个以上移动，以便可以提高结构及空间利用度。

此外，基板处理装置包括装载控制部(未示出)，在从装载部分100向研磨部分移送基板W的装载移送工艺中，装载控制部使得装载部分100移送基板W的装载移送速度与移送带214＇移送基板W的带移送速度同步。

更为具体地，若基板W的一端配置于事先定义在移送带214＇的安置开始位置SP，则装载控制部使得装载移送速度和带移送速度同步。

在此，所谓的事先定义在移送带214＇的安置开始位置SP定义为，通过移送带214＇的循环旋转可以开始移送基板W的位置，在安置开始位置SP上赋予移送带214＇与基板W之间的接合性。例如，安置开始位置SP可以设定在与从装载部分100移送的基板W的前端相面对的基板收容部216a的一边(或者与基板收容部的一边相邻近的位置)。

作为参考，若通过如传感器或视觉摄像机一样的常用感知装置感知到基板收容部216a的一边位于安置开始位置SP，则移送带214＇停止旋转，以便保持基板收容部216a的一边位于安置开始位置SP的状态。

之后，在移送带214＇停止旋转的状态下，若通过感知装置感知到基板W的前端配置于安置开始位置SP，则装载控制部以使得装载移送速度和带移送速度成为相互相同的速度的形式使得移送带214＇旋转(同步旋转)，并将基板W移送至研磨位置，装载移送速度为装载部分100移送基板W的速度，带移送速度为移送带214＇移送基板W的速度。

此外，移送带214＇在使得完成研磨的基板W移送一定区间以上的状态下向与基板W的底面相隔开的方向移动。

更为具体地，参照图14，移送带214＇构成为沿着规定的路径进行循环旋转并移送基板W，并且随着移送带214＇从沿着旋转路径开始移动的位置(移送带沿着曲线路径开始移动的位置，曲线路径是沿着第二滚筒外表面的路径)向移送带214＇与基板W的底面相隔开的方向移动，基板W从移送带214＇分离。

如上所述，在移送基板W的移送带214＇使得基板W移送一定区间以上的状态下，移送带214＇向与基板W的底面相隔开的方向移动，由此可以获得如下有利效果：在没有额外的拾取工艺(例如，利用基板吸附装置的拾取工艺)的状态下，自然地从移送带214＇分离基板W。

在现有技术中，为了使得供给至装载部分的基板装载至研磨部分，利用额外的拾取装置(例如，基板吸附装置)从装载部分拾取基板后，应再将基板放置于研磨部分，因此具有如下问题：装载基板所需要的时间花费数秒～数十秒，从而增加处理时间。而且，在现有技术中，为了将完成研磨的基板卸载至卸载部分，利用额外的拾取装置(例如，基板吸附装置)从研磨部分拾取基板W后，应再将基板放置于卸载部分，因此具有如下问题：卸载基板W所需要的时间花费数秒～数十秒，从而增加处理时间。

但是，本发明在由循环旋转的移送带214＇直接移送供给到装载部分的基板W的状态下，进行针对基板W的研磨工艺，并且基板W从移送带214＇上被直接移送至卸载部分300，由此可以获得如下有利效果：简化基板W的处理工艺，并且缩短处理时间。

此外，就本发明而言，装载及卸载基板W时将额外的拾取工艺排除外在，利用循环旋转的移送带214＇通过直列方式来处理基板W，由此可以获得如下有利效果：简化基板W的装载时间及卸载工艺，缩短装载及旋卸载基板W所需要的时间。

而且，在本发明中，因为没有必要设置装载及卸载基板W时用于拾取基板W的拾取装置，所以可以获得如下有利效果：可以简化装备及设备，提高空间利用度。

作为移送带的另一个例子，移送带也能够构成为从一方向向另一方向卷绕并移送基板W。(未示出)

在此，所谓的移送带从一方向向另一方向卷绕定义为，移送带通过常用的盒式磁带的卷到卷(reel to reel)的卷绕方式(卷绕于第一卷然后再次向相反方向卷绕于第二卷的方式)沿着开环形态的移动轨迹移动(卷绕)。

以下，对根据本发明的第二实施例的基板处理装置进行说明。

参照图1及图15至图18，根据本发明的第二实施例的基板处理装置10包括：基板放置部210，其用于放置基板W；研磨单元220，其包括以接触于基板W的状态进行移动的研磨垫222，并且对基板W的上面进行研磨；速度控制部600，其按照相对于基板W的研磨垫222的位置，对研磨单元220的移动速度进行不同控制。

就本发明而言，按照相对于基板的研磨垫的位置，使得研磨单元的移动速度相互不同，由此可以获得如下有利效果：可以减小基板研磨面的研磨量偏差，提高研磨均匀度。换句话说，在每单位时间研磨量低的位置，使得研磨单元的移动速度低，相反，在每单位时间研磨量高的位置，使得研磨单元的移动速度高，由此可以获得使得基板研磨面的研磨量均匀的有利效果。

基板放置部210配置于装载部分(参照图13的100)和卸载部分(参照图14的300)之间，并且供给到装载部分的基板W被移送至基板放置部210，在安置于基板放置部210的状态下经研磨后，通过卸载部分300被卸载。

更为具体地，设置装载部分100是为了将要进行研磨处理的基板W装载于研磨部分(未示出)。

装载部分100可以由能够将基板W装载于研磨部分的多种结构形成，并且本发明并非受装载部分100的结构的限制或限定。

基板放置部210、研磨单元220在装载部分100和卸载部分300之间构成研磨部分。

基板放置部210可以设置为能够放置基板W的多种结构，并且基板放置部210的结构及形态可以根据所要求的条件及设计规范变更为多种。

例如，基板放置部210包括：基板支撑部212；表面垫214，其配置于基板支撑部212的上面，并且通过提高相对于基板W的摩擦系数来抑制滑动，基板W安置于表面垫214的上面。

基板支撑部212为了支撑基板W的底面而设置。

基板支撑部212可以构成为根据所要求的条件及设计规范以多种方式来支撑基板W的底面。

以下，以基板支撑部212大致形成为四边形板状为例进行说明。根据不同的情况，基板支撑部可以形成为其他不同形状及结构，并且也能够利用两个以上的基板支撑部来支撑基板的底面。

在基板支撑部212的上面设置有表面垫214，表面垫214通过提高相对于基板W的摩擦系数来抑制滑动。

如上所述，在基板支撑部212的上面设置有表面垫214，使得基板W安置于表面垫214的外表面，由此可以获得如下有利效果：在基板W放置于基板支撑部212的状态下，可以约束(约束滑动)相对于基板支撑部212的基板W的移动，并且稳定地保持基板W的配置位置。

优选地，表面垫214形成为具有20～50％的压缩率。如上所述，表面垫214形成为具有20～50％的压缩率，由此可以获得如下有利效果：即使异物流入于基板W和表面垫214之间，也可以轻松将表面垫214按压异物的厚度程度，所以可以使得由异物导致的基板W的高度偏差(基板的特定部位因异物而局部地凸出)最小化，并且使得由基板W的特定部位局部凸出而导致的研磨均匀度下降最小化。

研磨单元220包括研磨垫222，并且设置为对基板W的表面进行研磨，研磨垫222以接触于基板W表面的状态移动。

例如，研磨垫222形成为小于基板W的尺寸，并且以接触于基板W的状态自转的同时移动。

更为具体地，研磨垫222安装于研磨垫载体(未示出)，并且以接触于基板W表面的状态自转的同时对基板W的表面进行线性研磨(平坦化)。

研磨垫222由适合于对基板W进行机械研磨的材料形成。例如，研磨垫222可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯基聚合物、丙烯酸以及甲基丙酸烯(methacrylic)聚合物、硅材料、乳胶、硝化橡胶、异戊二烯橡胶、丁二烯橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多种共聚物形成，并且可以根据所要求的条件及设计规范对研磨垫222的材料及特性进行多种变更。优选地，将大小小于基板W的圆形研磨垫222用作研磨垫222。

研磨单元220构成为通过构台(gantry)单元20沿着X轴方向及Y轴方向移动。

更为具体地，构台单元20包括：构台主体22，其沿着第一方向(例如，X轴方向)进行直线移动；移动体24，其安装于构台主体22，沿着与第一方向直角交叉的第二方向(例如，Y轴方向)进行直线移动，并且研磨单元220安装于移动体24，沿着X轴方向及Y轴方向移动的同时研磨基板W。

此时，可以根据所要求的条件及设计规范对研磨单元220的研磨路径进行多种变更。

例如，研磨垫222构成为，沿着相对于基板W的一边倾斜的第一斜线路径L1和向第一斜线路径L1的相反方向倾斜的第二斜线路径L2反复进行之字形移动，同时对基板W的表面进行研磨。(参照图8)

再如，研磨垫也能够沿着第一直线路径(未示出)和第二直线路径反复进行之字形移动的同时对基板W的表面进行研磨，第一直线路径是沿着基板W的一边方向的路径，第二直线路径是第一直线路径的相反方向的路径。在此，第一直线路径是指，例如沿着从基板W的底边一端朝向另一端的方向的路径。此外，第二直线路径是指朝向与第一直线路径相反方向的路径。

研磨部分包括止动件130，止动件130设置为以包裹基板W的周围周边的形式凸出于表面垫214外表面的形态。(参照图7)

止动件130是为了如下目的而设置的：在研磨工艺中，研磨单元220的研磨垫210从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域进入时，使得研磨垫210在基板W的边缘部位反弹的现象(弹回现象)最小化，并且使得由研磨垫210的反弹现象而导致的基板W边缘部位中的非研磨区域(dead zone)(未经研磨垫研磨的区域)最小化。

更为具体地，与基板W的形态相对应的基板收容部130a贯通形成于止动件130，在基板收容部130a的内部，基板W安置于表面垫214的外表面。

在基板W收容于基板收容部130a的状态下，止动件130的表面高度具有与基板W边缘的表面高度相类似的高度。如上所述，使得基板W的边缘部位和与基板W的边缘部位相邻近的基板W的外侧区域(止动件区域)具有相互类似的高度，由此可以获得如下有利效果：在研磨工艺中，在研磨垫210从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或者从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动的过程中，可以使得由基板W的内侧区域和外侧区域之间的高度偏差导致的研磨垫210的反弹现象最小化，并且使得由反弹现象所产生的非研磨区域最小化。

同时，止动件130设置为从放置有基板W的基板放置部210的放置面凸出，研磨单元220的研磨垫210构成为，以同时接触于止动件130的上面和基板W的上面的状态经过基板W的边缘并对基板W的上面进行研磨。

优选地，通过研磨单元220的研磨垫210进行基板W的研磨工艺，在所述基板W的研磨工艺开始的研磨开始位置上，研磨垫210的一部分配置为接触于止动件130的上面的状态，研磨垫210的其他一部分配置为接触于基板W的上面的状态。

如上所述，在研磨开始位置上，研磨单元220的研磨垫210在同时接触于基板W的上面和止动件130的上面的状态下开始研磨，由此可以获得如下有利效果：在研磨单元220的研磨垫210经过基板W的边缘时更能抑制研磨垫210从基板W反弹的现象。

优选地，止动件130形成为具有比基板W薄或者与基板W相同的厚度(T1≥T2)。如上所述，使得止动件130形成为具有比基板W薄或者与基板W相同的厚度(T2)，由此可以获得如下有利效果：在研磨垫210从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动的过程中，使得发生由研磨垫210和止动件130的碰撞而导致的研磨单元220的反弹现象最小化。

速度控制部400设置为按照相对于基板W的研磨垫222的位置对研磨单元220的移动速度进行不同控制。

在此，所谓的对相对于基板W的研磨单元220的移动速度进行控制定义为，在研磨垫222以接触于基板W的状态对基板W进行研磨的过程中，对研磨单元220相对于基板W移动的速度进行控制。

更为具体地，速度控制部400按照相对于基板W的研磨垫222的位置对研磨单元220的移动速度进行控制，以便由研磨垫222进行的每单位时间研磨量在规定的研磨量范围。

作为参考，参照图16，由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为如下形态：随着相对于基板W的研磨单元220的移动速度的增加而逐渐减小。更为具体地，若在研磨垫222的移动速度低的速度范围A2内，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为均匀地保持为规定的研磨量范围的形态，若在研磨垫222的移动速度高的速度范围A1内，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为渐渐减小的形态。

以此为基础，速度控制部400按照相对于基板W的研磨垫222的位置对研磨单元220移动的速度进行调节，以便由研磨垫222进行的每单位时间研磨量根据相对于基板的研磨垫222的位置均匀地显示。

此外，若研磨垫222的温度在低温温度范围A1内，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为渐渐增加的形态，若研磨垫222的温度增加至规定的温度范围A2(例如，40℃～80℃)，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为均匀地保持为规定的研磨量范围的形态。(参照图4)

换句话说，若在研磨垫222的温度达到规定的温度范围的状态下进行基板W的研磨，则在高温环境下更快地去除覆盖于基板W研磨层的膜，从而促进机械研磨，与此同时，设定为最适合研磨液的化学反应的温度，从而更能缩短化学研磨时间，所以由研磨垫222进行的每单位时间研磨量充分显示为规定的研磨量范围。

如上所述，在研磨垫222以接触于基板W表面的状态进行移动的过程中，可以通过由研磨垫222和基板W之间的摩擦而产生的发热使得研磨垫222的温度保持在规定的温度范围。但是，在研磨垫222最初接触于基板W时，研磨垫222的温度形成为低于规定的温度范围，所以具有在研磨垫222最初接触于基板W的区域EZ由研磨垫222进行的每单位时间研磨量不可避免地变低的问题，据此具有如下问题：基板W研磨面的研磨量偏差ΔRR变大，基板W的研磨均匀度下降。

由此，就本发明而言，以研磨垫222的温度为基础来控制研磨单元220的移动速度，研磨垫222的温度是根据相对于基板W的研磨垫222的研磨位置的温度，由此可以获得如下有利效果：可以将基板W研磨面的研磨量偏差控制得很小，并且提高研磨均匀度。

优选地，在研磨垫222的温度为第一温度范围的第一位置(例如，进入研磨区间)，与在研磨垫222的温度为高于所述第一温度范围的第二温度范围的第二位置(例如，移动研磨区间)相比，速度控制部400将研磨单元220的移动速度控制得很低。

换句话说，与在研磨垫222的温度高的第二位置相比，在研磨垫222的温度低的第一位置，速度控制部400将研磨单元220的移动速度控制得很低，由此在第一位置也显示出与第二位置相对应的每单位时间研磨量。

更为具体地，参照图17及图18，速度控制部400对研磨垫222从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域进入的进入研磨速度V1和研磨垫222在基板W的内侧区域移动的移动研磨速度V2、V2＇进行不同控制。例如，速度控制部400将进入研磨速度V1控制为与移动研磨速度V2、V2＇相比相对缓慢。

其目的在于，将研磨垫222最初进入至基板W内侧区域的区域(进入研磨区间；EZ)中的每单位时间研磨量控制为规定的研磨量(与移动研磨区间中的每单位时间研磨量相同的范围)。

换句话说，若在未在研磨垫222发生发热的状态(研磨垫和基板相隔开的状态)下，研磨垫222向基板的内侧区域进入并接触于凉基板W，则研磨垫222的温度形成为低于规定的温度范围，由此进入研磨区间EZ中的每单位时间研磨量变小。

但是，就本发明而言，将研磨垫222从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域进入的进入研磨速度V1控制为与移动研磨速度(研磨垫222在基板W的内侧区域以接触的状态移动的速度)V2相比相对缓慢，由此可以获得将进入研磨区间EZ中的每单位时间研磨量控制为规定的研磨量的有利效果。

另外，基板处理装置10可以包括温度调节部400，温度调节部400在研磨垫222接触到基板W之前事先将研磨垫222的温度调节为规定的温度范围。(参照图3)

在此，所谓的将研磨垫222的温度调节为规定的温度范围定义为，将研磨垫222的温度调节为由研磨垫222进行的每单位时间研磨量可以显示为规定的研磨量范围的温度范围。

如上所述，若研磨垫222的温度在低温温度范围A1内，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为渐渐增加的形态，若研磨垫222的温度增加至规定的温度范围A2(例如，40℃～80℃)，则由研磨垫222进行的每单位时间研磨量显示为均匀地保持在规定的研磨量范围的形态。(参照图4)

以此为基础，温度调节部400以使得研磨垫222的温度成为规定的温度范围A2的形式对研磨垫222的温度进行调节，规定的温度范围A2显示为在研磨垫222接触到基板W之前由研磨垫222进行的每单位时间研磨量均匀地保持为规定的研磨量范围的形态。

换句话说，在研磨垫222以接触于基板W表面的状态移动的过程中，通过由研磨垫222和基板W之间的摩擦产生的发热，研磨垫222的温度可以保持为规定的温度范围。但是，研磨垫222最初接触于基板W时，研磨垫222的温度形成为低于规定的温度范围，所以具有在研磨垫222最初接触于基板W的区域EZ由研磨垫222进行的每单位时间研磨量不可避免地变小的问题，据此具有如下问题：基板W研磨面的研磨量偏差ΔRR变大，基板W的研磨均匀度下降。

但是，就本发明而言，使得研磨垫222在接触于基板W之前被事先预热好的状态(成为规定的温度范围的状态)下对基板W进行研磨，由此可以获得如下有利效果：可以使得基板W研磨面的研磨量偏差变小，并且提高研磨均匀度及研磨稳定性。

如上所述，仅通过对研磨单元200的移动速度进行调节，就可以控制由研磨垫222进行的每单位时间研磨量，但是为了将进入研磨区间EZ中的每单位时间研磨量控制为规定的研磨量，在进入研磨区间EZ研磨单元200的移动速度应非常缓慢，所以不可避免地使得工艺时间(研磨时间)增加。由此，就本发明而言，使得研磨垫222在接触到基板W之前被事先预热的状态下对基板W进行研磨，由此可以获得如下有利效果：在进入研磨区间EZ可以使得研磨单元200的移动速度下降最小化，并且提高工艺效率，缩短工艺时间。

优选地，温度调节部400将研磨垫222的温度调节至高于常温的温度。如上所述，以将研磨垫222的温度调节至高于常温温度的状态开始由研磨垫222进行的研磨，由此可以获得如下有利效果：提高基板W的研磨均匀度，降低基板W研磨面的研磨量偏差。

温度调节部400可以构成为根据所要求的条件及设计规范以多种方式调节研磨垫222的温度。

例如，温度调节部400配置于基板W的外侧区域，并且包括预热部410，预热部410将研磨垫222预热至规定的温度范围。以下，以研磨垫222接触于预热部410并通过由摩擦产生的发热而被预热为例进行说明。

优选地，由研磨垫222和预热部410的接触产生的发热量和由研磨垫222和基板W的接触产生的发热量在相互相同的范围内。

如上所述，在与研磨垫222接触于基板W时相类似的条件下，使得研磨垫222接触于预热部410，由此可以获得如下有利效果：提高研磨垫222的预热准确度，提高稳定性及可靠度。

作为参考，研磨垫222和预热部410之间的发热量可以由预热部410的材料和将研磨垫222加压于预热部410的加压力等来决定。优选地，使得预热部410由与基板W相同的材料形成，并且在与使得研磨垫222接触于基板W的条件相同的条件下，使得研磨垫222接触于预热部410，可以将由研磨垫222和预热部410的接触产生的发热量和由研磨垫222和基板W的接触产生的发热量形成至相互相同的范围。

此外，可以包括预热研磨液供给部420，预热研磨液供给部420将预热研磨液供给于预热部410和基板W之间。

在此，将预热研磨液定义为被事先加热至规定的温度范围的研磨液。如上所述，在研磨垫222接触于预热部410并被预热的过程中，将被事先预热的预热研磨液供给到研磨垫222和预热部410之间，由此可以获得如下有利效果：可以提高研磨垫222的预热效率，缩短预热所需要的时间，更能提高研磨垫222的预热准确度及稳定性。

此外，基板W处理装置包括温度检测部500，温度检测部500在研磨垫222被预热的过程中检测研磨垫222的温度，若温度检测部500检测的研磨垫222的温度在规定的温度范围内，则使得研磨垫222接触于基板W。

作为温度检测部500，可以使用能够检测研磨垫222的温度的常用的温度传感器510。例如，可以使用常用的温度传感器510。例如，作为温度检测部500，可以使用红外线(IR)温度传感器。根据不同的情况，能够将其他不同的非接触温度传感器用作温度检测部。不同于此，能够将温度检测部构成为接触式温度传感器。

如上所述，若温度检测部500检测的研磨垫222的温度在规定的温度范围内，则使得研磨垫222接触于基板W，由此可以获得如下有利效果：使得在研磨垫222最初进入至基板W内侧区域的区域(进入研磨区间；EZ)中的每单位时间研磨量精确为规定的研磨量。

温度调节部400可以构成为，使得研磨垫222接触于配置在基板W周边的止动件216，并将研磨垫222预热至规定的温度范围。(参照图3)

如上所述，为了减少研磨单元220的反弹而利用已经设置好的止动件216来使得研磨垫222被预热，由此可以获得如下有利效果：因为没有必要另外设置用于对研磨垫222进行预热的预热装置，所以可以简化装备及设备，并且提高空间利用度。

更为优选地，止动件216配置于从基板W的外侧向内侧进入的研磨垫222的进入路径PL，预热部410设置于所述止动件216的一边，研磨垫222在从基板W的外侧向内侧进入之前，接触于止动件216的一边并被预热。以下，以如下情况为例进行说明：研磨垫222经过止动件216的底边(以图3为基准)向基板W的内侧区域进入，研磨垫222在进入到基板W的内侧区域之前，在止动件216底边被预热。

如上所述，使得研磨垫222在配置于研磨垫222的进入路径PL的止动件216的一边被预热，由此可以获得如下有利效果：即使未变更或追加研磨垫222的移动路径，也可以在进入至基板W的内侧区域之前，对研磨垫222进行预热，所以防止由进行研磨垫222的预热而导致的工艺效率下降，使得预热所需的工艺时间最小化。

作为参考，研磨垫222构成为，以接触于止动件216的状态沿着左右方向进行往复移动及旋转的同时通过摩擦来预热。根据不同的情况，研磨垫也能够以接触于止动件的状态仅进行旋转的同时通过摩擦而被预热。

如上所述，研磨垫222在从基板W的外侧区域进入至基板W的内侧区域之前被事先预热至规定的温度范围，由此，可以获得均匀地控制每单位时间研磨量RR1和每单位时间研磨量RR2的有利效果，每单位时间研磨量RR1是在研磨垫222最初进入至基板W的内侧区域的区域中(进入研磨区间；EZ)的研磨量，每单位时间研磨量RR2是研磨垫222在基板W的内侧区域移动的区域(移动研磨区间；MZ)中的研磨量。(参照图6)

而且，就本发明而言，使得研磨垫222在接触于基板W之前在预热部被反复摩擦，由此可以获得如下有利效果：可以使得研磨垫222在接触于基板W之前事先得以平坦化(接触于基板的研磨垫的接触面研磨为平坦状态)，所以提高相对于基板W的研磨垫222的接触稳定性，提高研磨稳定性。

另外，在以上所提到的及所示出的本发明的实施例中，以预热部410设置于止动件为例进行了说明，但是根据不同的情况，也能够将预热部设置于基板放置部的外侧。例如，预热部能够以与基板放置部相隔开的形式配置于基板放置部的外侧，并且研磨垫可以在经过预热部预热后进入至基板W的内侧。

此外，在以上所提到的及所示出的本发明的实施例中，以研磨垫接触于预热部并且研磨垫通过由摩擦产生的发热而被预热为例进行了说明，但是根据不同的情况，预热部也能够以非接触方式对研磨垫进行预热。例如，预热部可以构成为利用辐射热将研磨垫预热至规定的温度范围。根据不同的情况，预热部也能够利用传导热将研磨垫预热至规定的温度范围。

设置卸载部分(参照图14的300)是为了从研磨部分卸载完成研磨处理的基板W。

换句话说，从基板放置部210分离出的基板W被卸载于卸载部分300。

卸载部分300可以形成为能够从研磨部分卸载基板W的多种结构，本发明并非受卸载部分300的结构的限制或限定。

例如，卸载部分300包括以相隔规定间隔的形式隔开配置的多个卸载移送滚筒310，当卸载移送滚筒310旋转时，由多个卸载移送滚筒310相互配合地移送供给到多个卸载移送滚筒310的上部的基板W。根据不同的情况，卸载部分也能够包括循环带，循环带通过卸载移送滚筒进行循环旋转。

另外，根据本发明的另一个实施例，基板放置部210＇包括：移送带214＇，其沿着规定的路径移动，并且在外表面安置有基板W；基板支撑部212，其配置于移送带214＇的内部，并且在隔着移送带214＇的状态下对基板W的底面进行支撑。(参照图12)

作为参考，与所述实施例相同，按照研磨垫222的位置使得研磨单元220的移动速度不同，以便由研磨垫222进行的每单位时间研磨量根据相对于基板W的研磨垫222的位置而均匀地显示。同时，在移送带214＇的外表面可以设置有止动件216。

移送带214＇可以构成为根据所要求的条件及设计规范以多种方式沿着规定的路径进行移动。例如，移送带214＇可以构成为沿着规定的路径循环旋转。

如上所述，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是可以理解，若是在所属技术领域具有一般知识的技术人员，则可以在没有脱离以下权利要求书所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明进行多种修改及变更。

标号说明

10：基板处理装置 20：构台单元

22：构台主体 24：移动体

100：装载部分 110：装载移送滚筒

210：基板放置部 212：基板支撑部

214：表面垫 214＇：移送带

216：止动件 217：滚筒单元

220：研磨单元 222：研磨垫

300：卸载部分 310：卸载移送滚筒

400：温度调节部 410：预热部

500：温度检测部 510：温度传感器

600：速度控制部

Claims (35)

1.一种基板处理装置，作为进行基板的研磨工艺的基板处理装置，其特征在于，包括：

基板放置部，其用于放置基板；

研磨单元，其包括研磨垫，并且对所述基板的上面进行研磨，研磨垫以接触于所述基板的状态进行移动；

温度调节部，其在所述研磨垫接触到所述基板之前，将所述研磨垫的温度调节至规定的温度范围。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节部将所述研磨垫的温度调节为高于常温的温度。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节部配置于所述基板的外侧区域，并且包括预热部，预热部将所述研磨垫预热至所述规定的温度范围。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述研磨垫接触于所述预热部，并且通过由摩擦产生的发热而被预热。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

由所述研磨垫和所述预热部的接触产生的发热量和由所述研磨垫和所述基板的接触产生的发热量处于相同的范围。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述预热部由与所述基板相同的材料形成。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

预热研磨液供给部，其将预热研磨液供给至所述预热部和所述研磨垫之间。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

温度检测部，其对所述研磨垫的温度进行检测，

若所述温度检测部所检测的所述研磨垫的温度在所述规定的温度范围内，则使得所述研磨垫接触于所述基板。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

止动件，其设置为以包裹所述基板的周围周边的形式凸出。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节部以使得所述研磨垫接触于所述止动件的形式将所述研磨垫预热至所述规定的温度范围。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述研磨垫接触于所述止动件的一边，所述止动件配置于从所述基板的外侧向所述基板的内侧进入的所述研磨垫的进入路径。

12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述止动件形成为具有比所述基板薄或者与基板相同的厚度。

13.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述研磨单元以接触于所述止动件的上面的状态对所述基板的上面进行研磨。

14.根据权利要求1至13中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板放置部包括：

移送带，其设置为能够沿着规定的路径移动，并且在外表面安置有所述基板；

基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，并且在隔着所述移送带的状态下对所述基板的底面进行支撑。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

所述移送带沿着规定的路径循环旋转。

16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

随着所述移送带向与所述基板的底面相隔开的方向移动，所述基板从所述移送带分离并被卸载于卸载部分。

17.根据权利要求1至13中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板放置部包括：

基板支撑部；

表面垫，其设置于所述基板支撑部的上面，通过提高相对于所述基板的摩擦系数来抑制滑动，

所述基板安置于所述表面垫的上面。

18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，

所述表面垫由工程塑料、聚氨酯、硅材料中任意一种以上形成。

19.根据权利要求1至13中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在进行针对所述基板的机械研磨期间，同时供给用于化学研磨的研磨液，并且进行化学机械研磨工艺。

20.一种基板处理装置，作为进行基板的研磨工艺的基板处理装置，其特征在于，包括：

基板放置部，其用于放置基板；

研磨单元，其包括研磨垫，并且对所述基板的上面进行研磨，研磨垫以接触于所述基板的状态进行移动；

速度控制部，其按照相对于所述基板的所述研磨垫的位置，对所述研磨单元的移动速度进行不同控制。

21.根据权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，

所述速度控制部按照相对于所述基板的所述研磨垫的位置，对所述研磨单元的移动速度进行控制，以便由所述研磨垫进行的每单位时间研磨量在规定的研磨量范围内。

22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述研磨垫的温度为第一温度范围的第一位置，与在所述研磨垫的温度为高于所述第一温度范围的第二温度范围的第二位置相比，所述速度控制部将所述研磨单元的移动速度控制得很低。

23.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，

所述速度控制部对进入研磨速度和移动研磨速度进行不同控制，进入研磨速度为所述研磨垫从所述基板的外侧区域向所述基板的内侧区域进入的速度，移动研磨速度为所述研磨垫以接触于所述基板的内侧区域的状态在所述基板的内侧区域进行移动的速度。

24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，

所述速度控制部将所述进入研磨速度控制为与所述移动研磨速度相比相对缓慢。

25.根据权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

止动件，其设置为以包裹所述基板的周围周边的形式凸出。

26.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，

所述止动件形成为具有比所述基板薄或者与所述基板相同的厚度。

27.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，

所述研磨单元以接触于所述止动件的上面的状态对所述基板的上面进行研磨。

28.根据权利要求20至27中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

温度调节部，其在所述研磨垫接触于所述基板之前将所述研磨垫的温度调节至规定的温度范围。

29.根据权利要求28所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节部将所述研磨垫的温度调节为高于常温的温度。

30.根据权利要求28所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调节部配置于所述基板的外侧区域，并且包括预热部，预热部将所述研磨垫预热至所述规定的温度范围。

31.根据权利要求30所述的基板处理装置，其特征在于，

所述研磨垫接触于所述预热部，通过由摩擦产生的发热而被预热。

32.根据权利要求31所述的基板处理装置，其特征在于，

由所述研磨垫和所述预热部的接触产生的发热量和由所述研磨垫和所述基板的接触产生的发热量处于相同的范围。

33.根据权利要求28所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

温度检测部，其对所述研磨垫的温度进行检测，

若所述温度检测部检测的所述研磨垫的温度在所述规定的温度范围内，则使得所述研磨垫接触于所述基板。

34.根据权利要求20至27中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板放置部包括：

移送带，其设置为能够沿着规定的路径移动，并且在外表面安置有所述基板；

基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，并且在隔着所述移送带的状态下对所述基板的底面进行支撑。

35.根据权利要求20至27中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在进行针对所述基板的机械研磨期间，同时供给用于化学研磨的研磨液，并且进行化学机械研磨工艺。