CN110088994A - 半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法 - Google Patents

半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种半导体激光模块具备：半导体激光元件；波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入，并对该激光进行导波；以及突起物，其设置于从所述半导体激光元件射出的激光的光路的关于所述波导型光功能元件的波导的入射端的延长线上。所述半导体激光模块进一步具备供所述波导型光功能元件固定的辅助座，所述突起物也可以固定于所述辅助座上。

Description

半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法。
背景技术
以往，在作为光通信用的光源使用的半导体激光模块中，广泛采用通过半导体光放大器(SOA)来放大由半导体激光元件(LD)振荡了的激光从而使从半导体激光模块输出的激光高输出化的结构。此时，通常也广泛采用将半导体激光元件和半导体光放大器集成于同一元件的结构(例如参见专利文献1～4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-216791号公报
专利文献2：日本特开2006-216695号公报
专利文献3：美国专利第9054480号说明书
专利文献4：国际公开2013/180291号
发明内容
发明要解决的课题
然而，近年来，光通信中对高输出化的要求不断提高，向半导体激光元件和半导体光放大器供给的电流也在增大。结果导致来自半导体激光元件和半导体光放大器的发热量也不断增加，从而对于将半导体激光元件与半导体光放大器分离开而进行温度控制的半导体激光模块结构的需求也不断提高。如果将半导体激光元件与半导体光放大器分离开并使用其他热电元件进行温度控制，则有助于将用于热电元件的温度调节的消耗电力的总和抑制得较低。
另一方面，在采用了使半导体激光元件与半导体光放大器分离的结构的情况下，需要将从半导体激光元件射出的激光与半导体光放大器以良好的精度进行空间耦合。即，也就会出现以良好的精度实施半导体激光元件与半导体光放大器的相对对位这一新的技术课题。需要说明的是，该空间耦合中的对位的课题并不局限于半导体光放大器，在具备光调制器、利用石英、硅、聚合物等制成的光波导设备等其他波导型光功能元件和半导体激光元件的半导体激光模块中也同样存在。
本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够以良好的精度实施半导体激光元件与波导型光功能元件的相对对位的半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题，达到目的，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，具备：半导体激光元件；波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入该波导的入射端，并对该激光进行导波；突起物，其设置于从所述半导体激光元件射出的激光的光路的关于所述入射端的延长线上。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，进一步具备供所述波导型光功能元件固定的辅助座，所述突起物固定于所述辅助座上。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述突起物固定于所述波导型功能元件上。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述波导型光功能元件的波导在所述入射端附近具有弯曲波导，所述波导型光功能元件整体相对于从所述半导体激光元件射出的激光的光路倾斜配置。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述波导型光功能元件是将所射入的所述激光进行放大的半导体光放大器。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述突起物呈半球状的形状。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述突起物呈柱状的形状。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述突起物由金属形成。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，所述突起物由金(Au)形成。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，在所述半导体激光元件与所述波导型光功能元件之间配置准直透镜和聚光透镜，从所述半导体激光元件射出的激光经由所述准直透镜和所述聚光透镜，与所述波导型光功能元件的波导的入射端空间耦合。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，由所述准直透镜平行光化的激光的直径比所述波导型光功能元件的厚度大，所述突起物相对于所述辅助座的高度比所述波导型光功能元件的高度高。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的特征在于，具备：半导体激光元件；波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入该波导的入射端，并对该激光进行导波；以及辅助座，其供所述波导型光功能元件和突起物一并固定，所述突起物设置于与从所述半导体激光元件射出的激光的光路的关于所述入射端的延长线平行的直线上。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的制造方法具备：半导体激光元件；和波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入，并对该激光进行导波，所述半导体激光模块的制造方法的特征在于，具有：激光元件配置工序，在该工序中，相对于所述半导体激光模块的基板固定所述半导体激光元件；准直透镜配置工序，在该工序中，相对于所述半导体激光元件固定准直透镜，该准直透镜对从所述半导体激光元件射出的激光进行平行光化；波导型光功能元件配置工序，在该工序中，将一并固定有所述波导型光功能元件和设置于从所述波导型光功能元件的波导的入射端射入的方向的延长线上的突起物的第一辅助座进行定位，以使由所述准直透镜平行光化了的激光到达所述突起物，并相对于所述基板固定该第一辅助座；以及聚光透镜配置工序，在该工序中，将用于使由所述准直透镜平行光化了的激光聚光于所述波导型光功能元件的波导的入射端的聚光透镜固定于所述准直透镜与所述波导型光功能元件之间。
另外，本发明的一技术方案的半导体激光模块的制造方法的特征在于，所述准直透镜配置工序是相对于固定有所述半导体激光元件的第二辅助座固定所述准直透镜的工序，所述激光元件配置工序是在所述准直透镜配置工序之后，相对于所述基板固定所述第二辅助座的工序，其中，所述第二辅助座固定有所述半导体激光元件和所述准直透镜。
发明效果
本发明的半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法起到能够以良好的精度实施半导体激光元件与波导型光功能元件的相对对位的效果。
附图说明
图1是示出第一实施方式的半导体激光模块的概略结构的图。
图2是示出第一实施方式的半导体激光模块的制造方法的要点的流程图。
图3是示出半导体光放大器的定位工序中的半导体激光模块的侧面概略结构的图。
图4是示出聚光透镜的配置工序中的半导体激光模块的侧面概略结构的图。
图5是示出第二实施方式的半导体激光模块的概略结构的图。
图6A是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图。
图6B是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图。
图6C是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图。
图6D是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图。
图6E是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图。
图6F是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图。
图7A是例示将各构成零件依次配置于壳体内的基板上的方法的图。
图7B是例示将各构成零件依次配置于壳体内的基板上的方法的图。
图7C是例示将各构成零件依次配置于壳体内的基板上的方法的图。
图7D是例示将各构成零件依次配置于壳体内的基板上的方法的图。
图8是说明第三实施方式的半导体激光模块的图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施方式的半导体激光模块及其制造方法。需要说明的是，本发明并不由以下说明的实施方式限定。另外，在各附图中，对相同或者相对应的构成要素适当地标注相同的附图标记。另外，应注意，附图为示意性的，各构成的尺寸等与实物不同。另外，存在附图彼此间包括相互尺寸关系、比率不同的部分的情况。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式的半导体激光模块的概略结构的图。图1所示的第一实施方式的半导体激光模块仅示出基本构成，实际的半导体激光模块如后述实施方式那样，可具备各种追加的构成。
如图1所示，第一实施方式的半导体激光模块100具备半导体激光元件11、半导体光放大器21、突起物22以及SOA辅助座20。并且，如图1所示，半导体激光模块100具备准直透镜12、聚光透镜30以及LD辅助座10。它们既可以采用在收容于半导体激光模块100的壳体中的基板101上设置的结构，也可以采用将半导体激光模块100的壳体的底板作为基板101而设置于底板上的结构。
半导体激光元件11是通过电流的注入来进行激光振荡并射出激光的元件，使用能够通过温度控制来改变振荡波长的例如分布反馈型半导体激光元件。
半导体光放大器21是具有使从半导体激光元件11射出的激光射入并对其进行导波的波导23的波导型光功能元件的代表例，作为波导型光功能元件的其他例子，可以举出光调制器等。如图1所示，半导体光放大器21其元件整体相对于从半导体激光元件11射出的激光的光路L1倾斜地配置。因此，半导体光放大器21的波导在入射端24的附近形成弯曲波导。另外，在图1所示的半导体光放大器21的例子中，在出射端25的附近也形成弯曲波导，构成为从半导体光放大器21射出的激光的光路L2相对于光路L1大致平行。作为具有波导的波导型光功能元件的进一步其他例子，也可以举出平面光波回路(PLC)等石英玻璃类光波导设备、硅波导设备、聚合物波导设备等。
突起物22是在从半导体激光元件11射出的激光的光路L1的关于半导体光放大器21的波导的入射端24的延长线L3上设置的引线球。突起物22是为了连接布线而由金(Au)等金属形成的通常的引线接合的半球状的结构体，在此并非用于布线的连接，而是如后面所述，用于半导体光放大器21的定位(粗调)。若将突起物22设为引线球，则能够在通常的布线处理时形成，因而简便，但突起物22并不局限于引线球，例如为将已形成的引线切断而成的柱状(也包括弯曲的情况)，只要是能够使激光反射、散射的结构体，都可以适当地使用。
SOA辅助座20是供半导体光放大器21和突起物22一并固定的辅助座。SOA辅助座20上的半导体光放大器21与突起物22之间的高度关系构成为突起物22的高度比半导体光放大器21的高度高。在半导体光放大器21和突起物22固定于SOA辅助座20的同一平面上的情况下，突起物22的高度比半导体光放大器21的厚度大。需要说明的是，一般而言，半导体光放大器21为板状的形状，具有大致恒定的厚度，但在厚度不恒定的情况下，以最厚部来定义厚度。
另外，如上所述，突起物22设置于从半导体激光元件11射出的激光的光路L1关于半导体光放大器21的波导的入射端24的延长线L3上，半导体光放大器21与突起物22之间的相对位置关系确定。因此，通过以突起物22为目标实施对SOA辅助座20的定位，由此结果是，能够实施半导体光放大器21的定位。需要说明的是，突起物22的固定位置并不局限于辅助座(SOA辅助座20)上。存在波导型光功能元件与各光学零件一并固定于基座上或者固定于实施了金属镀敷的热电元件上的情况。在这些情况下，突起物也固定于固定有波导设备(波导型光功能元件)的基座上。并且，在波导型光功能元件所包含的波导靠近该元件的上表面的情况下，也可以将突起物固定于波导型光功能元件上。在为光调制器、其他波导型光功能元件的情况下，波导接近该元件的上表面，该元件的面积也较大，因此能够在该元件上固定突起物。
准直透镜12是用于对从半导体激光元件11射出的激光进行平行光化的光学元件。这里，由准直透镜12平行光化了的激光的直径设计为比半导体光放大器21的厚度大。另外，在图1所示的半导体激光模块100的结构例中，准直透镜12和半导体激光元件11配置于同一LD辅助座10上。然而，准直透镜12的配置位置并不局限于此，也可以相对于半导体激光元件11独立地固定于半导体激光模块100。另外，准直透镜12并不局限于相对于半导体激光元件11独立的元件，也可以采用在半导体激光元件11的出射端面形成准直透镜12的结构。
聚光透镜30是用于将由准直透镜12平行光化了的激光聚光于半导体光放大器21的波导的入射端24的光学元件。如后面所述，聚光透镜30是在半导体激光模块的制造工序的中途配置的部件。在配置有聚光透镜30的状态下，由准直透镜12平行光化了的光路L1的激光聚光于半导体光放大器21的波导的入射端24，在半导体光放大器21的波导23进行导波，并从半导体光放大器21的出射端25向光路L2射出。
另一方面，在没有配置聚光透镜30的状态下，由于由准直透镜12平行光化了的激光的直径比半导体光放大器21的厚度大，因此沿光路L1前进的激光的一部分通过半导体光放大器21的上部而到达设置于关于半导体光放大器21的波导的入射端24的光路L1的延长线L3上的突起物22。由于突起物22是引线球等能够反射、散射激光的结构体，因此到达突起物22的激光被突起物22反射、散射，从而能够确认激光到达突起物22。
如果利用上述关系，则在没有配置聚光透镜30的状态下，只要以使由准直透镜12平行光化了的激光照射到突起物22的方式实施对SOA辅助座20的定位，就能实现如在配置有聚光透镜30的状态下，从半导体激光元件11射出的激光与半导体光放大器21的波导的入射端24空间耦合那样的粗调。之后，通过对聚光透镜30的配置进行微调，由此能够实现将从半导体激光元件11射出的激光与半导体光放大器21的波导的入射端24恰当地空间耦合的配置。能够一边观察从半导体光放大器21输出的激光的强度一边实施该微调。
接下来，使用上述说明的第一实施方式的半导体激光模块100的构成例来说明半导体激光模块的制造方法。
图2是示出第一实施方式的半导体激光模块的制造方法的要点的流程图。图3是示出半导体光放大器的定位工序中的半导体激光模块的侧面概略结构的图。图4是示出聚光透镜的配置工序中的半导体激光模块的侧面概略结构的图。
如图2所示，第一实施方式的半导体激光模块的制造方法从配置半导体激光元件11和准直透镜12的工序开始(步骤S1)。该工序在图2所示的流程图中被记载为一个工序，但也可以分为两个工序。
如前所述，在半导体激光模块100的构成例中，准直透镜12和半导体激光元件11配置于同一LD辅助座10上，但也可以将准直透镜12相对于半导体激光元件11独立地配置，另外，也可以采用在半导体激光元件11的出射端面形成准直透镜12的结构。
因此，在将准直透镜12和半导体激光元件11配置于同一LD辅助座10上的情况下，在将准直透镜12相对于固定有半导体激光元件11的LD辅助座10固定之后，将LD辅助座10相对于半导体激光模块100的基板101固定，由此实现步骤S1的工序。另外，在采用在半导体激光元件11的出射端面形成准直透镜12的结构的情况下，只要将半导体激光元件11相对于半导体激光模块100的基板101固定，就会自动地将准直透镜12相对于半导体激光模块100的基板固定，从而实现步骤S1的工序。在为将准直透镜12相对于半导体激光元件11独立地配置的结构的情况下，将半导体激光元件11相对于半导体激光模块100的基板101固定，之后，将准直透镜12相对于半导体激光模块100的基板101固定，由此实现步骤S1的工序。
接下来，如图2所示，在第一实施方式的半导体激光模块的制造方法中，实施半导体光放大器21的定位工序(步骤S2)。若同时参照图3，本工序的说明会容易理解，因此在此参照图3。
在半导体光放大器21的定位工序中，通过将预先准备好的、一并固定有半导体光放大器21和突起物22的SOA辅助座20相对于半导体激光模块100的基板101固定来实施半导体光放大器21的定位。如前所述，突起物22在SOA辅助座20上，设置于从半导体激光元件11射出的激光的光路L1的关于半导体光放大器21的波导的入射端24的延长线上。另外，由准直透镜12平行光化了的激光的直径设计为比半导体光放大器21的厚度大，突起物22的高度构成为比半导体光放大器21的高度高。
因此，如图3所示，在半导体光放大器21的定位工序中，沿光路L1前进的激光的一部分通过半导体光放大器21的上部而到达突起物22。这里，只要利用将突起物22设置于从半导体激光元件11射出的激光的光路L1的关于半导体光放大器21的波导的入射端24的延长线上，半导体光放大器21与突起物22之间的相对位置关系是确定的这一事实，就能通过将突起物22作为目标来实施对SOA辅助座20的定位，由此能够实施半导体光放大器21的定位(粗调)。
接下来，如图2所示，在第一实施方式的半导体激光模块的制造方法中，实施聚光透镜30的配置工序(步骤S3)。若同时参照图4，本工序的说明会容易理解，因此在此参照图4。
在聚光透镜30的配置工序中，聚光透镜30固定于准直透镜12与半导体光放大器21之间。聚光透镜30是用于将由准直透镜12平行光化了的激光聚光于半导体光放大器21的波导的入射端24的光学***。此时，聚光透镜30的配置工序包括对聚光透镜30的位置进行微调以使由准直透镜12平行光化了的激光聚光于半导体光放大器21的波导的入射端24的工序。如前所述，可以一边观察从半导体光放大器21输出的激光的强度一边实施该微调。半导体激光模块的制造方法由于在步骤S2中结束了对半导体光放大器21的位置的粗调，因此微调聚光透镜30的位置变得容易。
根据以上所述结构的半导体激光模块100及其制造方法，能够以良好的精度实施半导体激光元件11与半导体光放大器21的相对对位。
(第二实施方式)
接下来，例示更为实际的结构的半导体激光模块。图5是示出第二实施方式的半导体激光模块的概略结构的图。图5所示的第二实施方式的半导体激光模块200的结构与第一实施方式共同之处较多。因此，在以下说明的半导体激光模块200的结构中，标注与第一实施方式相同的附图标记，从而省略其说明。通过标注相同的附图标记而省略的部位的结构和功能可理解为与第一实施方式实质上相同。
如图5所示，半导体激光模块200具备：LD辅助座10，其具备半导体激光元件11和准直透镜12；SOA辅助座20，其具备半导体光放大器21和突起物22；以及聚光透镜30。这些半导体激光模块200的构成与第一实施方式实质上相同。
具备半导体激光元件11和准直透镜12的LD辅助座10配置于LD用热电元件41之上。LD用热电元件41例如是珀尔帖元件，能够根据向LD用热电元件41供给的电流的强度和方向对半导体激光元件11进行加热和冷却。如前所述，半导体激光元件11是能够通过温度控制来改变振荡波长的例如分布反馈型半导体激光元件，能够通过控制向LD用热电元件41供给的电流的强度和方向来控制从半导体激光元件11射出的激光的波长。
具备半导体光放大器21和突起物22的SOA辅助座20配置于SOA用热电元件42之上。SOA用热电元件42例如为珀尔帖元件，能够根据向SOA用热电元件42供给的电流的强度和方向对半导体光放大器21进行加热和冷却。由于半导体光放大器21为较大的发热源，因此主动加热的状况有限，而在本结构的半导体激光模块200中，由于独立地具备用于对半导体激光元件11的温度控制的LD用热电元件41和用于对半导体光放大器21的温度控制的SOA用热电元件42，因此能够对半导体激光元件11和半导体光放大器21分别进行最佳地温度控制。即，也能减少为半导体激光元件11和半导体光放大器21的温度控制而消耗不必要的电力的情况，并将LD用热电元件41和SOA用热电元件42的合计消耗电力抑制得较低。
如图5所示，第二实施方式的半导体激光模块200在准直透镜12与聚光透镜30之间具备第一分束器31和隔离器32。第一分束器31和隔离器32的配置顺序并不局限于图5所示的情况，但优选配置于准直透镜12与聚光透镜30之间的激光成为平行光的部位。
第一分束器31是用于将从半导体激光元件11射出的激光的一部分向波长锁定器50分路的光学元件，可以使用棱镜型、滤光器型等一般的分路用光学元件。隔离器32是用于防止因光学元件的反射等而引起在光路上逆行的激光射入半导体激光元件11的元件，是能够利用激光的偏振性而仅使逆行的激光的光路发生变化的光学元件。
波长锁定器50对由第一分束器31分路出的激光的波长进行测定，是用于监视半导体激光元件11正在射出的激光的波长的装置。波长锁定器50所监视到的激光的波长被反馈至LD用热电元件41的温度控制，而实施反馈控制，以使半导体激光元件11持续射出所需的波长的激光。
波长锁定器50具备：第二分束器51；第一受光元件52，其对由第二分束器51分路出的激光的强度进行直接监视；以及第二受光元件54，其经由标准具滤光器53对由第二分束器分路出的激光的强度进行监视。标准具滤光器53是对光的波长具有周期性的透过特性的光学元件。因此，通过测定透过了标准具滤光器53的光与未透过的光的强度比，能够确定该光的波长。波长锁定器50使用第一受光元件52所取得的激光的强度与第二受光元件54所取得的激光的强度之比，来测定由第一分束器31分路出的激光的波长。
并且，如图5所示，第二实施方式的半导体激光模块200具备：光纤60，其将从半导体光放大器21射出的激光向半导体激光模块200的外部导出；和耦合光学***61，其用于使从半导体光放大器21射出的激光向光纤60耦合。需要说明的是，图5所示的耦合光学***61描绘为由一个透镜构成，但也能够设定为分成准直透镜和聚光透镜等多个透镜的结构，所配置的位置也不局限于该图所示的位置。光纤60只要使用对从半导体激光元件11射出的激光具有恰当的传播特性的一般的单模玻璃光纤即可。
以下，参照图6A～6F和图7A～7D，关于第二实施方式的半导体激光模块200的组装方法说明两个例子。图6A～6F是例示将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法的图，图7A～7D是例示将各构成零件依次配置于壳体内的基板上的方法的图。
(第一组装方法)
在将各构成零件组装于基板上之后再将基板放入壳体中的方法中，如图6A所示，首先在LD辅助座10上配置半导体激光元件11和准直透镜12。
之后，如图6B所示，在基板201上配置LD用热电元件41和SOA用热电元件42，在LD用热电元件41上配置LD辅助座10，在SOA用热电元件42上配置第一分束器31和隔离器32。
然后，如图6C所示，将具备半导体光放大器21和突起物22的SOA辅助座20一边定位一边固定于SOA用热电元件42。此时的定位方法如前所述，是根据从半导体激光元件11射出并由准直透镜12平行光化了的激光到达突起物22来实施半导体光放大器21的定位的方法。
之后，如图6D所示，将基板201收容于壳体202中。此时，优选对配置于基板201上的各构成零件实施布线而确立电连接。
接下来，如图6E所示，配置聚光透镜30。该聚光透镜30的配置工序包括微调，用于使从半导体激光元件11射出并由准直透镜12平行光化了的激光聚光于半导体光放大器21的波导的入射端。能够通过一边监视从半导体光放大器21输出的激光的强度一边微调聚光透镜30的位置来实施该微调。
最后，如图6F所示，安装波长锁定器50，进而，安装耦合光学***61和光纤60，从而完成第二实施方式的半导体激光模块。需要说明的是，波长锁定器50的内部结构如前所述。
(第二组装方法)
在将各构成零件依次配置于壳体内的基板上的方法中，由于在壳体内实施作业，因此优选实施以下工作，但并非与第一组装方法实质上不同。因此，这里着眼于与第一组装方法不同的部分进行说明。
首先，如图7A所示，在壳体202的内部配置LD用热电元件41和SOA用热电元件42，在LD用热电元件41上配置具备半导体激光元件11和准直透镜12的LD辅助座10，在SOA用热电元件42上配置第一分束器31和隔离器32。
然后，在壳体202的内部配置在定位作业时使用的观察用镜M。需要说明的是，观察用镜M的位置并不局限于图示的位置，只要配置于适合于在定位作业时观察突起物的位置即可。另外，只要容易在定位作业时观察突起物即可，并非必须将观察用镜M配置于壳体202的内部。另外，也能够通过在壳体202的一部分设置观察用窗等其他手段来代替。
然后，如图7B所示，将具备半导体光放大器21和突起物22的SOA辅助座20一边定位一边固定于SOA用热电元件42。此时的定位方法如前所述，是根据从半导体激光元件11射出并由准直透镜12平行光化了的激光到达突起物22来实施半导体光放大器21的定位的方法。如上所述，因为将观察用镜M配置于壳体202的内部，因此能够容易地确认到达突起物22的激光的反射、散射。
之后，如图7C所示，撤除观察用镜M，配置聚光透镜30。该聚光透镜30的配置工序包括微调，用于使从半导体激光元件11射出并由准直透镜12平行光化了的激光聚光于半导体光放大器21的波导的入射端。
最后，如图7D所示，安装波长锁定器50，进而，安装耦合光学***61和光纤60，从而完成第二实施方式的半导体激光模块。
(第三实施方式)
接下来，使用图8说明突起物的位置不同的第三实施方式的半导体激光模块。在图8中，为了简单起见，基板、聚光透镜省略图示。在从半导体激光元件11射出的激光的光路L1的关于半导体光放大器21的波导的入射端24的延长线L3上没有突起物，而在SOA辅助座20A上的与延长线L3平行的线L4上形成有突起物22。预先测定出延长线L3与平行的线L4之间的距离D，利用突起物22对SOA辅助座20A定位之后，使SOA辅助座20A向附图上侧仅偏移该距离D，使延长线L3与平行的线L4对齐而将SOA辅助座20A固定于基板。由此，能够容易地实施从半导体激光元件11射出的激光的光路L1与半导体光放大器21的波导的入射端24的对准。
以上，基于实施方式说明了本发明，但本发明并不局限于上述实施方式。适当地组合上述各构成要素而构成的技术方案也包含于本发明的范畴之中。另外，本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的方式不局限于上述实施方式，而可以有各种变更。
工业实用性
如上所述，本发明优选应用于例如光通信领域。
附图标记说明
100、200 半导体激光模块
101、201 基板
202 壳体
10 LD辅助座
11 半导体激光元件
12 准直透镜
20、20A SOA辅助座
21 半导体光放大器
22 突起物
23 波导
24 入射端
25 出射端
30 聚光透镜
31 第一分束器
32 隔离器
41 LD用热电元件
42 SOA用热电元件
50 波长锁定器
51 第二分束器
52 第一受光元件
53 标准具滤光器
54 第二受光元件
60 光纤
61 耦合光学***。

Claims (14)

1.一种半导体激光模块，其特征在于，具备：
半导体激光元件；
波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入该波导的入射端，并对该激光进行导波；以及
突起物，其设置于从所述半导体激光元件射出的激光的光路的关于所述入射端的延长线上。
2.根据权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，
进一步具备供所述波导型光功能元件固定的辅助座，所述突起物固定于所述辅助座上。
3.根据权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述突起物固定于所述波导型功能元件上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述波导型光功能元件的波导在所述入射端附近具有弯曲波导，所述波导型光功能元件整体相对于从所述半导体激光元件射出的激光的光路倾斜配置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述波导型光功能元件是将所射入的所述激光进行放大的半导体光放大器。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述突起物呈半球状的形状。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述突起物呈柱状的形状。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述突起物由金属形成。
9.根据权利要求8所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述突起物由金(Au)形成。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
在所述半导体激光元件与所述波导型光功能元件之间配置准直透镜和聚光透镜，从所述半导体激光元件射出的激光经由所述准直透镜和所述聚光透镜，与所述波导型光功能元件的波导的入射端进行空间耦合。
11.根据权利要求10所述的半导体激光模块，其特征在于，
由所述准直透镜平行光化了的激光的直径比所述波导型光功能元件的厚度大，
相对于所述辅助座来说，所述突起物的高度比所述波导型光功能元件的高度高。
12.一种半导体激光模块，其特征在于，具备：
半导体激光元件；
波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入该波导的入射端，并对该激光进行导波；以及
辅助座，其供所述波导型光功能元件和突起物一并固定，
所述突起物设置于从所述半导体激光元件射出的激光的光路的与关于所述入射端的延长线平行的直线上。
13.一种半导体激光模块的制造方法，所述半导体激光模块具备：半导体激光元件；和波导型光功能元件，其具有波导，该波导使从所述半导体激光元件射出的激光射入，并对该激光进行导波，
所述半导体激光模块的制造方法的特征在于，
具有：
激光元件配置工序，在该激光元件配置工序中，相对于所述半导体激光模块的基板固定所述半导体激光元件；
准直透镜配置工序，在该准直透镜配置工序中，相对于所述半导体激光元件固定准直透镜，该准直透镜对从所述半导体激光元件射出的激光进行平行光化；
波导型光功能元件配置工序，在该波导型光功能元件配置工序中，将一并固定有所述波导型光功能元件和设置于从所述波导型光功能元件的波导的入射端射入的方向的延长线上的突起物的第一辅助座进行定位，以使由所述准直透镜平行光化了的激光到达所述突起物，并相对于所述基板固定该第一辅助座；以及
聚光透镜配置工序，在该聚光透镜配置工序中，将用于使由所述准直透镜平行光化了的激光聚光于所述波导型光功能元件的波导的入射端的聚光透镜固定于所述准直透镜与所述波导型光功能元件之间。
14.根据权利要求13所述的半导体激光模块的制造方法，其特征在于，
所述准直透镜配置工序是相对于固定有所述半导体激光元件的第二辅助座固定所述准直透镜的工序，
所述激光元件配置工序是在所述准直透镜配置工序之后，相对于所述基板固定所述第二辅助座的工序，其中，所述第二辅助座固定有所述半导体激光元件和所述准直透镜。
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