CN110085500B - 一种提高离子注入剂量控制精度的方法和*** - Google Patents

一种提高离子注入剂量控制精度的方法和*** Download PDF

Info

Publication number
CN110085500B
CN110085500B CN201910404828.6A CN201910404828A CN110085500B CN 110085500 B CN110085500 B CN 110085500B CN 201910404828 A CN201910404828 A CN 201910404828A CN 110085500 B CN110085500 B CN 110085500B
Authority
CN
China
Prior art keywords
beam spot
target
center
current
radial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910404828.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110085500A (zh
Inventor
唐绍根
黄磊
邓建国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 24 Research Institute
Original Assignee
CETC 24 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 24 Research Institute filed Critical CETC 24 Research Institute
Priority to CN201910404828.6A priority Critical patent/CN110085500B/zh
Publication of CN110085500A publication Critical patent/CN110085500A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110085500B publication Critical patent/CN110085500B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701Ion implantation
    • H01J2237/31705Impurity or contaminant control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***,其中,所述方法包括:获取束流束斑的径向分布;根据所述束斑的径向分布,计算束斑质心到靶盘中心的距离,即束斑的质心值R;根据公式
Figure DDA0002059983350000011
计算靶盘径向扫描速度V;驱动所述靶盘以所述径向扫描速度V做径向扫描,同时驱动靶盘旋转做圆环扫描。本发明实施例利用束斑质心到靶盘中心的距离代替束斑中心到靶盘中心的距离计算靶盘径向扫描速度V,克服了束斑分布的变化带来的注入剂量不稳定的问题,实现注入剂量的高精度控制。

Description

一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***
技术领域
本发明属于半导体制造领域,特别是一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***。
背景技术
在半导体制造工程中,杂质掺杂多采用离子注入加快速退火相结合的方式。“离子注入”是对晶片进行选择性掺杂的重要方式,既能实现剂量控制,同时也能较好地控制杂质的均匀性和穿透深度,因此离子注入机是实现离子注入的关键设备。
随着半导体集成电路的发展,器件的特征尺寸已经进入深亚微米和纳米量级,特征尺寸的减小和硅片尺寸的增大,对注入剂量的准确性和均匀性提出了更高的要求,它直接影响芯片生产的成品率和产品性能,因此注入剂量的精度和均匀性是衡量离子注入机性能的关键指标之一。
目前全机械扫描采用的是束斑中心算法,通过调试出一个好的离子束品质来保证剂量的控制精度,但设备的状态会变化,束斑分布也是变化的,并且不能每次重复同样的束斑分布。因此,通过束斑中心算法来计算扫描速度,会导致离子注入机圆靶盘机械扫描***注入剂量精度不稳定问题。
发明内容
本发明实施例提供一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***,用以至少解决现有技术通过束斑中心算法来计算扫描速度,会导致离子注入机圆靶盘机械扫描***注入剂量精度不稳定问题。
一方面,本发明实施例提供一种提高离子注入剂量控制精度的方法,包括:
获取束流束斑的径向分布M(y);
根据所述束斑的径向分布M(y),计算束斑质心到靶盘中心的距离,即束斑的质心值R;
根据公式计算靶盘径向扫描速度V,其中,K=1/(2πqn),q表示单位电荷量,q=1.6×10-19库仑,n表示电荷量,I表示总电流,R表示束斑的质心值,
Figure BDA0002059983330000021
表示预设离子注入剂量;
驱动所述靶盘以所述径向扫描速度V做径向扫描,同时驱动靶盘旋转做圆环扫描。
进一步,所述获取束流束斑的径向分布M(y),具体包括:
获取所述靶盘的靶电流和束斑通过靶盘上束斑采集孔的孔电流;
根据所述靶电流和孔电流获取束流束斑的径向分布M(y)。
另一方面,本发明实施例提供一种提高离子注入剂量控制精度的***,其特征在于,包括:
束斑采集单元,用于获取束流束斑的径向分布M(y);
质心计算单元,用于根据所述束斑的径向分布M(y),计算束斑质心到靶盘中心的距离,即束斑的质心值R;
扫描速度计算单元,用于根据公式计算靶盘径向扫描速度V,其中,K=1/2πqn,q表示单位电荷量,q=1.6×10-19库仑,n表示电荷量,I表示总电流,R表示束斑的质心值,
Figure BDA0002059983330000031
表示预设离子注入剂量;
径向扫描控制器,用于控制径向扫描机构驱动所述靶盘以所述径向扫描速度V做径向扫描;
旋转电机,用于驱动所述靶盘旋转做圆环扫描。
进一步,所述***还包括:
靶电流采集单元,用于获取所述靶盘的靶电流;
孔电流采集单元,用于获取所述束斑通过靶盘上束斑采集孔的孔电流;
所述束斑采集单元根据所述靶电流和孔电流获取束斑的径向分布M(y)。
进一步,所述靶盘上设置有多个硅片,多个硅片在靶盘上呈圆环布置,所述圆环与靶盘旋转中心共圆心。
进一步,所述束斑采集单元是法拉第杯。
本发明实施例利用束斑质心到靶盘中心的距离代替束斑中心到靶盘中心的距离计算靶盘径向扫描速度V,克服了束斑分布的变化带来的注入剂量不稳定的问题,实现注入剂量的高精度控制,提高片内、片间、批间均匀性,解决了现有技术通过束斑中心算法来计算扫描速度,会导致离子注入机圆靶盘机械扫描***注入剂量精度不稳定问题。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本发明一种提高离子注入剂量控制精度的方法的流程图;
图2为本发明一种提高离子注入剂量控制精度的***较佳实施例的原理结构示意图;
图3为本发明中圆靶盘旋转扫描的结构示意图。
图中:1、靶盘;2、硅片;3、束流;4、法拉第杯;5、束斑采集孔;6、旋转电机;7、支座;8、气缸。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明第一实施例提供一种提高离子注入剂量控制精度的方法,如图1和3所示,包括以下具体步骤:
S101,获取束流3束斑的径向分布M(y)。
S102,根据所述束斑的径向分布M(y),计算束斑质心到靶盘1中心的距离,即束斑的质心值R。
S103,根据公式
Figure BDA0002059983330000041
计算靶盘1径向扫描速度V,其中,K=1/2πqn,q表示单位电荷量,q=1.6×10-19库仑,n表示电荷量,I表示总电流,R表示束斑的质心值,
Figure BDA0002059983330000042
表示预设离子注入剂量。
S104,驱动所述靶盘1以所述径向扫描速度V做径向扫描,同时驱动靶盘1旋转做圆环扫描。
步骤S101具体包括:获取所述靶盘1的靶电流和束斑通过靶盘1上束斑采集孔5的孔电流;根据所述靶电流和孔电流获取束斑的径向分布M(y)。
本发明实施例中,径向分布M(y)中y只是一个字母,不仅可以表示坐标轴的x方向,也可以表示y方向。图3中,径向分布M(y)中y表示y方向。
本发明实施例通过对束斑径向分布的采集,计算束斑质心距离即束斑的质心值,对束斑的分布情况采用质心值进行量化,采用束斑质心距离替代原束斑中心距离计算靶盘1径向扫描速度,克服了束斑分布的变化带来的注入剂量不稳定的问题,通过径向扫描控制器控制径向扫描机构完成对靶盘1的径向扫描,实现所需区域的高精度剂量控制,本发明解决束流3束斑的各种分布对注入剂量的影响,实现了注入剂量的高精度控制,同时本发明能提高离子注入剂量的均匀性。
本发明实施例利用束斑质心到靶盘1中心的距离代替束斑中心到靶盘1中心的距离计算靶盘1径向扫描速度V,实现注入剂量的高精度控制,提高片内、片间、批间均匀性,解决了现有技术通过束斑中心算法来计算扫描速度,会导致离子注入机圆靶盘1机械扫描***注入剂量精度不稳定问题。
如图2和3所示,本发明第二实施例提供一种提高离子注入剂量控制精度的***,包括:
束斑采集单元,用于获取束流3束斑的径向分布M(y);
质心计算单元,用于根据所述束斑的径向分布M(y),计算束斑质心到靶盘1中心的距离,即束斑的质心值R;
扫描速度计算单元,用于根据公式
Figure BDA0002059983330000061
计算靶盘1径向扫描速度V,其中,K=1/2πqn,q表示单位电荷量,q=1.6×10-19库仑,n表示电荷量,I表示总电流,R表示束斑的质心值,
Figure BDA0002059983330000062
表示预设离子注入剂量;
径向扫描控制器,用于控制径向扫描机构驱动所述靶盘1以所述径向扫描速度V做径向扫描;
旋转电机6,用于驱动所述靶盘1旋转做圆环扫描。
图3中,旋转电机6与支座7固为一体,旋转电机6驱动圆靶盘1做圆环扫描。径向扫描机构可以是气缸8,也可以是普通电机,其驱动圆靶盘1做径向扫描的方式可以采用多种现有技术。当径向扫描机构是气缸8时,气缸8的输出轴驱动旋转电机6、支座7和圆靶盘1做径向扫描,径向扫描中心是圆靶盘1的旋转中心。
本发明实施例中,径向分布M(y)中y只是一个字母,不仅可以表示坐标轴的x方向,也可以表示y方向。图3中,径向分布M(y)中y表示y方向。
可选的,所述***还包括:
靶电流采集单元,用于获取所述靶盘1的靶电流;
孔电流采集单元,用于获取所述束斑通过靶盘1上束斑采集孔5的孔电流;
所述束斑采集单元根据所述靶电流和孔电流获取束斑的径向分布M(y)。
径向分布M(y)=孔电流If/(孔电流If+靶电流Id)。
可选的,所述靶盘1上设置有多个硅片2,多个硅片2在靶盘1上呈圆环布置,所述圆环与靶盘1旋转中心共圆心。
可选的,所述束斑采集单元是法拉第杯4。
束斑采集孔5和其后的法拉第杯4完成孔束流3的收集。法拉第杯4是一种金属制设计成杯状,用来测量带电粒子入射强度的一种真空侦测器。测得的电流可以用来判定入射电子或离子的数量。束斑采集孔5的数量为至少一个。
本发明实施例在圆靶盘1增加束斑收集孔,可以消除不同机台间的误差。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机,计算机,服务器,空调器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。

Claims (6)

1.一种提高离子注入剂量控制精度的方法,其特征在于,包括:
获取束流束斑的径向分布M(y);
根据所述束斑的径向分布M(y),计算束斑质心到靶盘中心的距离,即束斑的质心值R;
根据公式
Figure FDA0002913298650000011
计算靶盘径向扫描速度V,其中,K=1/(2πqn),q表示单位电荷量,q=1.6×10-19库仑,n表示电荷量,I表示总电流,等于靶盘的靶电流和束斑通过靶盘上束斑采集孔的孔电流之和,R表示束斑的质心值,φ表示预设离子注入剂量;
驱动所述靶盘以所述径向扫描速度V做径向扫描,同时驱动靶盘旋转做圆环扫描。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取束流束斑的径向分布M(y),具体包括:
获取所述靶盘的靶电流和束斑通过靶盘上束斑采集孔的孔电流;
根据所述靶电流和孔电流获取束流束斑的径向分布M(y)。
3.一种提高离子注入剂量控制精度的***,其特征在于,包括:
束斑采集单元,用于获取束流束斑的径向分布M(y);
质心计算单元,用于根据所述束斑的径向分布M(y),计算束斑质心到靶盘中心的距离,即束斑的质心值R;
扫描速度计算单元,用于根据公式
Figure FDA0002913298650000012
计算靶盘径向扫描速度V,其中,K=1/(2πqn),q表示单位电荷量,q=1.6×10-19库仑,n表示电荷量,I表示总电流,等于靶盘的靶电流和束斑通过靶盘上束斑采集孔的孔电流之和,R表示束斑的质心值,φ表示预设离子注入剂量;
径向扫描控制器,用于控制径向扫描机构驱动所述靶盘以所述径向扫描速度V做径向扫描;
旋转电机,用于驱动所述靶盘旋转做圆环扫描。
4.如权利要求3所述的***,其特征在于,所述***还包括:
靶电流采集单元,用于获取所述靶盘的靶电流;
孔电流采集单元,用于获取所述束斑通过靶盘上束斑采集孔的孔电流;
所述束斑采集单元根据所述靶电流和孔电流获取束斑的径向分布M(y)。
5.如权利要求3所述的***,其特征在于,所述靶盘上设置有多个硅片,多个硅片在靶盘上呈圆环布置,所述圆环与靶盘旋转中心共圆心。
6.如权利要求3所述的***,其特征在于,所述束斑采集单元是法拉第杯。
CN201910404828.6A 2019-05-15 2019-05-15 一种提高离子注入剂量控制精度的方法和*** Active CN110085500B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910404828.6A CN110085500B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910404828.6A CN110085500B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110085500A CN110085500A (zh) 2019-08-02
CN110085500B true CN110085500B (zh) 2021-03-30

Family

ID=67420445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910404828.6A Active CN110085500B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110085500B (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4724324A (en) * 1986-11-24 1988-02-09 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for ion beam centroid location
SG138445A1 (en) * 2003-02-14 2008-01-28 Asml Netherlands Bv Device and method for wafer alignment with reduced tilt sensitivity
US7057192B2 (en) * 2004-02-06 2006-06-06 Kaim Robert E Radial scan arm and collimator for serial processing of semiconductor wafers with ribbon beams
WO2005098909A2 (en) * 2004-04-05 2005-10-20 Axcelis Technologies, Inc. Drive system for scanning a workpiece through an ion beam
US6989545B1 (en) * 2004-07-07 2006-01-24 Axcelis Technologies, Inc. Device and method for measurement of beam angle and divergence
CN102751154A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 上海凯世通半导体有限公司 离子注入实时检测和控制装置
JP5701201B2 (ja) * 2011-12-19 2015-04-15 株式会社Sen イオン注入方法及びイオン注入装置
CN203434124U (zh) * 2013-08-20 2014-02-12 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于离子注入机的离子束测量导向装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110085500A (zh) 2019-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6600163B2 (en) In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter
TW200539326A (en) Faraday dose and uniformity monitor for plasma based ion implantation
CN100342490C (zh) 偏转变形校正***和方法以及半导体器件的制造方法
US7619229B2 (en) Technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask
JP2017510023A (ja) 可変エネルギー制御を伴うイオン注入システムおよび方法
CN101501812B (zh) 扫描束离子注入器的产量提高
CN103608890B (zh) 台装置以及台装置的控制方法
US6414313B1 (en) Multiple numerical aperture electron beam projection lithography system
TWI797135B (zh) 具有在偏移和減速模態中的射束角度控制之離子佈植系統
CN110085500B (zh) 一种提高离子注入剂量控制精度的方法和***
TWI310586B (en) Nonuniform ion implantation apparatus and method using a wide beam
US6984832B2 (en) Beam angle control in a batch ion implantation system
JP6236434B2 (ja) 複数注入のために基板を位置合わせするための装置および方法
JP5542135B2 (ja) イオン注入におけるビーム角測定のための方法および装置
US20080169435A1 (en) Ion beam monitoring arrangement
JP2023539816A (ja) アレイを設計するための走査電子顕微鏡画像アンカーリング
CN117121152A (zh) 具有低串扰的多带电粒子射束装置
US20210040604A1 (en) Ion implanter and ion implantation method
US20240079207A1 (en) Multi-beam charged particle system and method of controlling the working distance in a multi-beam charged particle system
O'Connor et al. Performance characteristics of the Genus Inc. 1510 high energy ion implantation system
US11145488B2 (en) Ion implanter and ion implantation method
US20120302049A1 (en) Method for implanting wafer
JPH04209523A (ja) 半導体装置の製造方法
CN114242573A (zh) 离子注入机台的注入均匀性的调整方法
CN114334633A (zh) 一种晶圆的离子注入方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant