CN110050511A - 使用半导体发光二极管的显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置，更具体地，涉及使用半导体发光二极管的显示装置。根据本发明的显示装置包括：基板，该基板形成有布线电极；多个半导体发光二极管，所述多个半导体发光二极管电连接至所述布线电极；绝缘层，该绝缘层被构造成填充所述半导体发光二极管之间的空间；偏振过滤器层，该偏振过滤器层被构造成与所述绝缘层重叠以过滤沿特定方向入射的光；以及波长转换层，该波长转换层被构造成与所述偏振过滤器层重叠以转换光的波长。

Description

使用半导体发光二极管的显示装置

技术领域

本公开涉及显示装置及其制造方法，更具体地，涉及使用半导体发光二极管的显示装置。

背景技术

近年来，在显示技术领域中已经开发出具有诸如低轮廓、柔性等优异特性的显示装置。相反，目前商业化的主显示器由液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)为代表。然而，存在诸如响应时间不那么快、在LCD的情况下难以实现柔性的问题，并且存在诸如寿命短、不太好的产量以及AMOLED的情况下低柔性的缺点。

另一方面，发光二极管(LED)是众所周知的用于将电流转换为光的发光器件，并且已经在包括信息通信装置的电子装置中用作用于显示图像的光源，这是因为使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年就与GaP：N基绿色LED一起在市场上出现了。因此，半导体发光二极管可用于实现柔性显示器，从而提出解决问题的方案。

使用波长转换层激发从半导体发光二极管发射的光并使用颜色过滤器对具有红色或绿色波长的光进行过滤的结构可适用于使用半导体发光二极管的柔性显示器。在这种结构中，存在的问题是波长转换层劣化，并且由于作为点光源的微发光器件的特性，亮度和均匀性降低。特别是，由于这些缺点，难以应用于数字标牌显示器、柔性显示器等。因此，在本公开中，提出了一种能够解决这种问题的新机制。

发明内容

发明目的

本公开的目的是提供一种即使使用作为点光源的微发光器件也能够以面光源的形式输出光的显示装置。

本公开的另一个目的是提供一种能够在提高图像质量的同时提高耐用性的显示装置。

技术方案

根据本公开的显示装置使用荧光过滤器和偏振过滤器来增加显示装置的亮度和耐久性。

对于具体示例，显示装置可包括：基板，该基板形成有布线电极；多个半导体发光二极管，所述多个半导体发光二极管电连接至所述布线电极；绝缘层，该绝缘层被构造成填充在所述半导体发光二极管之间；偏振过滤器层，该偏振过滤器层被构造成与所述绝缘层重叠以过滤沿特定方向入射的光；以及波长转换层，该波长转换层被构造成与所述偏振过滤器层重叠以转换光的波长。

根据一个实施方式，所述偏振过滤器层可包括沿着一个方向顺序设置以便分别与所述多个半导体发光二极管重叠的多个偏振器。可在所述多个偏振器之间沿着所述一个方向设置有黑色矩阵。所述波长转换层可分别与所述多个半导体发光二极管重叠，并且可包括形成在所述黑色矩阵之间的多个荧光体部分。

根据一个实施方式，所述偏振过滤器层的至少一部分可形成为朝向所述波长转换层凹入。所述偏振过滤器层可包括多个偏振器，并且在所述多个偏振器中的每个偏振器中，从所述半导体发光二极管发射的光入射到其上的入射表面可形成为凹入的。可所述入射表面上形成有由于纹理化而形成的细槽。

根据一个实施方式，所述偏振过滤器层可沿着所述波长转换层的厚度方向设置在所述绝缘层和所述波长转换层之间。可在所述偏振过滤器层和所述绝缘层之间形成有粘合剂层，并且所述粘合剂层的至少一部分可形成为朝向所述偏振过滤器层凸出。

根据一个实施方式，所述绝缘层可由设置在所述半导体发光二极管之间的分隔壁分隔。所述分隔壁可形成在与黑色矩阵相对应的位置，用于将所述波长转换层分成多个荧光体部分。所述黑色矩阵的横截面积可大于所述分隔壁的横截面积。所述黑色矩阵的至少一部分可从所述偏振过滤器层朝向所述半导体发光二极管突出。

技术效果

在根据本公开的显示装置中，黑色矩阵、波长转换层和偏振过滤器层可以组合而提供作为点光源的微型半导体发光二极管，但是光可以按类似于面光源的形式被输出。通过这样，增加了显示器的亮度和均匀性，从而提高了图像质量和效率。

此外，在本公开中，由于偏振过滤器层具有凹透镜的结构，所以光可以均匀地分散在整个表面上。

此外，在本公开中，所述波长转换层可以以其上施加黑色矩阵的荧光过滤器的形式实施，从而减轻和防止黄色荧光体的劣化。由此，可以提高显示器的耐久性。

此外，在本公开中，光可以在像素方向上被阻挡穿过所述黑色矩阵和所述偏振过滤器层，从而提供防止颜色混合的功能。

附图说明

包括附图是为了提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：

图1是示出使用根据本公开实施方式的半导体发光二极管的显示装置的概念图。

图2是图1中的部分“A”的局部放大视图，并且图3a和图3b是沿图2中的线B-B和C-C截取的横剖视图。

图4是示出图3中的倒装芯片型半导体发光二极管的概念图。

图5a至图5c是示出用于实现与倒装芯片型半导体发光二极管相关的颜色的各种形式的概念图。

图6是示出使用根据本公开的半导体发光二极管的显示装置的制造方法的剖视图。

图7是示出使用根据本公开另一实施方式的半导体发光二极管的显示装置的立体图。

图8是沿图7中的线D-D截取的剖视图。

图9是示出图8中的垂直型半导体发光二极管的概念图。

图10是图1中的部分“A”的放大视图，用于解释本发明的应用了具有新结构的半导体发光二极管的另一个实施方式。

图11a是沿图10中的线E-E截取的剖视图。

图11b是沿图11中的线F-F截取的剖视图。

图12是示出图11a中的倒装芯片型半导体发光二极管的概念图。

图13是用于解释本公开的另一个实施方式的局部立体图。

图14是沿图13中的线G-G截取的剖视图。

图15是沿图13中的线H-H截取的剖视图。

图16和图17是用于解释本公开的其它实施方式的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述在此公开的实施方式，并且相同或相似的元件用相同的附图标记表示，而不管附图中的附图标记，并且将省略它们的多余描述。用于以下描述中公开的组成元件的后缀“模块”和“单元”仅旨在用于说明书的简单描述，并且后缀本身不给出任何特殊含义或功能。此外，在描述本文公开的实施方式时，当对本发明所属的公知技术的具体描述被判断为会模糊本公开的主旨时，将省略详细描述。而且，应该注意，附图仅用于说明以容易地解释本发明的概念，因此，它们不应被解释为通过附图限制本文公开的技术概念。

此外，应当理解，当诸如层、区域或基板的元素被称为位于另一元素“上”时，它可以直接位于另一元素上，或者也可以在它们之间***中间元素。

这里公开的显示装置可以包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、触控电脑、平板电脑、超极本、数字电视、台式电脑等。然而，本领域技术人员将容易理解，本文公开的构造可适用于任何显示装置，即使它是稍后将开发的新产品类型。

图1是示出使用根据本公开实施方式的半导体发光二极管的显示装置的概念图。

根据附图，可以使用柔性显示器显示在显示装置100的控制器中处理的信息。

柔性显示器可包括柔性、可弯曲、可扭转、可折叠和可卷曲的显示器。例如，柔性显示器可以是在薄且柔性的基板上制造的显示器，其可以像纸张一样翘曲、弯曲、折叠或卷起，同时保持现有技术中的平板显示器的显示特性。

柔性显示器的显示区域变为柔性显示器不翘曲的构造的平面(例如，具有无限曲率半径的构造，在下文中，称为“第一构造”)。其显示区域变为弯曲表面，其构造为柔性显示器在第一构造中被外力翘曲(例如，具有有限曲率半径的构造，在下文中，称为“第二构造”)。如图所示，在第二构造中显示的信息可以是在弯曲表面上显示的视觉信息。可以以这样的方式实现视觉信息：独立地控制以矩阵构造布置的每个单位像素(子像素)的发光。单位像素表示用于代表一种颜色的基本单位。

柔性显示器的子像素可以由半导体发光二极管实现。根据本公开，发光二极管(LED)被示出为一种半导体发光二极管。由此，即使在第二构造中，发光二极管也可以形成为小尺寸以执行子像素的作用。

在下文中，将参照附图更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。

图2是图1中的部分“A”的局部放大视图，并且图3a和图3b是沿图2中的线B-B和C-C截取的剖视图，图4是示出图3a中的倒装芯片型半导体发光二极管的概念图，并且图5a至图5c是示出用于实现与倒装芯片型半导体发光二极管相关的颜色的各种形式的概念图。

根据图2、图3a和图3b，示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光二极管的显示装置100作为使用半导体发光二极管的显示装置100。然而，下面描述的示例也可以应用于有源矩阵(AM)型半导体发光二极管。

显示装置100可以包括基板110、第一电极120、导电粘合剂层130、第二电极140和多个半导体发光二极管150。

基板110可以是柔性基板。基板110可包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果它是柔性材料，则可以使用任何例如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。此外，基板110可以是透明和非透明材料中的一种。

基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，且因此第一电极120可以放置在基板110上。

根据附图，绝缘层160可以设置在放置有第一电极120的基板110上，并且辅助电极170可以放置在绝缘层160上。在这种情况下，绝缘层160沉积在基板110上的构造层可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可以用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘且柔性的材料结合到基板110中，以形成单个布线基板。

作为用于将第一电极120电连接到半导体发光二极管150的电极的辅助电极170放置在绝缘层160上，并且设置为对应于第一电极120的位置。例如，辅助电极170具有点状，并且可以借助于穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。电极孔171可以通过在通孔中填充导电材料来形成。

参照附图，导电粘合剂层130可以形成在绝缘层160的一个表面上，但是本公开可以不必限于此。例如，也可以具有这样的结构，在这样的结构中，导电粘合剂层130设置在基板110上而没有绝缘层160。导电粘合剂层130可以在其中导电粘合剂层130设置在基板110上的结构中起到绝缘层的作用。

导电粘合剂层130可以是具有粘合性和导电性的层，并且为此，导电材料和粘合剂材料可以混合在导电粘合剂层130上。此外，导电粘合剂层130可以具有柔性，从而允许显示装置中的柔性功能。

对于这样的示例，导电粘合剂层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、包含导电颗粒的溶液等。导电粘合剂层130可以允许在z方向上穿过其厚度的电互连，但是可以被构造成在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合剂层130可以被称为z轴导电层(然而，下文中称为“导电粘合剂层”)。

各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基底构件混合的形式的膜，因此当对其施加热和压力时，借助于各向异性导电介质，仅其特定部分可具有导电性。在下文中，对各向异性导电膜施加热和压力，但是也可以使用其它方法使各向异性导电膜部分地具有导电性。该方法可以包括仅施加热和压力中的任一种、UV固化等。

此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在该实例中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基底构件混合的形式的膜，因此当对其施加热和压力时，借助于导电球，仅其特定部分可具有导电性。各向异性导电膜可以处于这样的状态，在这样的状态中，具有导电材料的芯包含由带有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒，并且在这种情况下，它可以借助于芯具有导电性，同时在其上被施加热和压力的部分上断开绝缘层。这里，可以使芯变形以实现具有物体在膜的厚度方向上接触的两个表面的层。对于更具体的实例，热和压力作为整体施加到各向异性导电膜，并且z轴方向上的电连接部分地由与通过使用各向异性导电膜粘附的配合物体的高度差形成。

作为另一个实例，各向异性导电膜可以处于包含多个颗粒的状态，其中导电材料涂覆在绝缘芯上。在这种情况下，可以将施加热和压力的部分转换(压制和粘附)到导电材料上，以在膜的厚度方向上具有导电性。再例如，它可以形成为在膜的厚度方向上具有导电性，其中导电材料在z方向上穿过绝缘基底构件。在这种情况下，导电材料可以具有尖端部分。

根据附图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，其构造有导电球***绝缘基底构件的一个表面中的形式。更具体地，绝缘基底构件由粘合剂材料形成，并且导电球集中地设置在绝缘基底构件的底部，并且当对其施加热和压力时，基底构件与导电球一起被修改，从而在其垂直方向上具有导电性。

然而，本公开可以不必限于此，并且可以允许各向异性导电膜全都具有导电球随机地与绝缘基底构件混合的形式或构造有多个层的形式，在多个层中，导电球设置在任何一个层(双-ACF)上等。

作为与膏和导电球联接的形式的各向异性导电膏可以是其中导电球与绝缘和粘合剂基底材料混合的膏。此外，含有导电颗粒的溶液可以是含有导电颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。

再次参照附图，第二电极140位于绝缘层160处以与辅助电极170分离。换句话说，导电粘合剂层130设置在定位有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。

当导电粘合剂层130以辅助电极170和第二电极140被定位的状态形成且然后半导体发光二极管150以倒装芯片形式通过施加热和压力连接到其上时，半导体发光二极管150电连接到第一电极120和第二电极140。

参照图4，半导体发光二极管可以是倒装芯片型半导体发光二极管。

例如，半导体发光二极管可以包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153以及在n型半导体层153上沿水平方向布置成与p型电极156分离的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可以通过导电粘合层130电连接到焊接部分179，并且n型电极152可以电连接到第二电极140。

再次参照图2、图3a和图3b，辅助电极170可以在一个方向上以细长的方式形成，以电连接到多个半导体发光二极管150。例如，半导体发光二极管的围绕辅助电极的左右p型电极可以电连接到一个辅助电极。

更具体地，半导体发光二极管150被压入导电粘合剂层130中，并且由此，仅半导体发光二极管150的位于p型电极156和辅助电极170之间的部分以及半导体发光二极管150的位于n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，并且由于没有半导体发光二极管的下推，所以剩余部分不具有导电性。如上所述，导电粘合剂层130可以形成电连接，并且允许半导体发光二极管150和辅助电极170之间以及半导体发光二极管150和第二电极140之间的相互联接。

此外，多个半导体发光二极管150构成发光阵列，并且荧光体层180形成在发光阵列上。

发光器件阵列可以包括具有不同自亮度值的多个半导体发光二极管。每个半导体发光二极管150构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可以存在多个第一电极120，并且半导体发光二极管布置成多行，例如，每行半导体发光二极管可以电连接到多个第一电极中的任一个第一电极。

此外，半导体发光二极管可以以倒装芯片形式连接，因此半导体发光二极管在透明电介质基板上生长。此外，半导体发光二极管可以是例如氮化物半导体发光二极管。半导体发光二极管150具有优异的亮度特性，因此即使具有小尺寸，也可以构造各个子像素。

根据附图，可以在半导体发光二极管150之间形成分隔壁190。在这种情况下，分隔壁190可以执行将各个子像素彼此分开的作用，并且形成为具有导电粘合剂层130的整体。例如，当半导体发光二极管150***各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基底构件可以形成分隔壁。

此外，当各向异性导电膜的基底构件是黑色时，分隔壁190可以具有反射特性，同时增加对比度而不需要额外的黑色绝缘体。

作为另一示例，反射分隔壁可以与分隔壁190分开设置。在这种情况下，根据显示装置的目的，分隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的分隔壁时，它可以具有增强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增加对比度。

荧光体层180可以位于半导体发光二极管150的外表面。例如，半导体发光二极管150是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光二极管，并且荧光体层180起到将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光体层180可以是构成各个像素的红色荧光体层181或绿色荧光体层182。

换句话说，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体181可以在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光二极管151上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体182可以在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光二极管151上。此外，仅蓝色半导体发光二极管151可以单独用在实现蓝色子像素的位置。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，可以沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话说，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可以沿第二电极140顺序设置，从而实现子像素。

然而，本公开可以不必限于此，并且半导体发光二极管150可以与量子点(QD)而不是荧光体组合以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。

此外，黑色矩阵191可以设置在每个荧光体层之间以增强对比度。换句话说，黑色矩阵191可以增强亮度的对比度。

然而，本公开可以不必限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可以适用于此。

参照图5a，每个半导体发光二极管150可以用发射包括蓝色的各种光的高功率发光器件实现，其中，主要使用氮化镓(GaN)，并且铟(In)和/或铝(Al)也被加入其中。

在这种情况下，半导体发光二极管150可以分别是红色、绿色和蓝色半导体发光二极管，以实现每个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光二极管(R、G、B)交替设置，并且红色、绿色和蓝色子像素借助于红色、绿色和蓝色半导体发光二极管实现一个像素，从而实现全彩色显示。

参照图5b，半导体发光二极管可以具有白色光发光器件(W)，其针对每个元件提供有黄色荧光体层。在这种情况下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可以设置在白色光发光器件(W)上以实现子像素。此外，在白色光发光器件(W)上用红色、绿色和蓝色重复的颜色过滤器可用于实现子像素。

参照图5c，还可以具有其中红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可以设置在紫外光发光器件(UV)上的结构。以这种方式，半导体发光二极管可以在整个区域上使用，直到紫外光(UV)以及可见光，并且可以扩展到半导体发光二极管的形式，其中紫外光(UV)可以用作激发源。

再次考虑本示例，将半导体发光二极管150放置在导电粘合剂层130上以构造显示装置中的子像素。半导体发光二极管150可以具有优异的亮度特性，因此即使具有小尺寸，也可以构造各个子像素。各个半导体发光二极管150的尺寸在其一侧的长度上可以小于80μm，并且形成有矩形或方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。

此外，即使当具有10μm边长的方形半导体发光二极管150用于子像素时，它也将表现出足够的亮度以实现显示装置。因此，例如，在子像素的一侧尺寸为600μm并且其剩余的一侧为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光二极管之间的相对距离变得足够大。因此，在这种情况下，可以实现具有HD图像质量的柔性显示装置。

使用前述半导体发光二极管的显示装置将通过新型制造方法制造。在下文中，将参照图6描述制造方法。

图6是示出使用根据本公开的半导体发光二极管的显示装置的制造方法的剖视图。

参照附图，首先，将导电粘合剂层130形成在定位有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。绝缘层160沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板)，并且第一电极120、辅助电极170和第二电极140设置在布线基板上。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以沿彼此垂直的方向设置。此外，第一基板110和绝缘层160可分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。

导电粘合剂层130可以由例如各向异性导电膜实现，并且为此，可以在定位有绝缘层160的基板上涂覆各向异性导电膜。

接下来，将定位有对应于辅助电极170和第二电极140的位置并且构成各个像素的多个半导体发光二极管150的第二基板112，使得半导体发光二极管150面对辅助电极170和第二电极140。

在这种情况下，作为用于生长半导体发光二极管150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。

半导体发光二极管可以具有能够在以晶片为单位形成时实现显示装置的间隙和尺寸，因此有效地用于显示装置。

接下来，将布线基板热压缩到第二基板112。例如，可以通过应用ACF压头将布线基板和第二基板112彼此热压缩。使用热压缩将布线基板和第二基板112彼此接合。由于通过热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特性，半导体发光二极管150与辅助电极170和第二电极140之间仅一部分可具有导电性，从而允许电极和半导体发光二极管150相互电连接。此时，半导体发光二极管150可以***各向异性导电膜中，从而在半导体发光二极管150之间形成分隔壁。

接下来，移除第二基板112。例如，可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法去除第二基板112。

最后，移除第二基板112以将半导体发光二极管150暴露到外部。可以在联接到半导体发光二极管150的布线基板上涂覆氧化硅(SiOx)等，以形成透明绝缘层(未示出)。

此外，还可以包括在半导体发光二极管150的一个表面上形成荧光体层的工艺。例如，半导体发光二极管150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光二极管，并且用于将蓝色(B)光转换成子像素的颜色的红色或绿色荧光体可以在蓝色半导体发光二极管的一个表面上形成层。

可以以各种形式修改使用前述半导体发光二极管的显示装置的制造方法或结构。对于这样的示例，前述显示装置可适用于垂直半导体发光二极管。在下文中，将参照图5和图6描述垂直结构。

此外，根据以下修改示例或实施方式，相同或相似的附图标记被指定为与前述示例相同或相似的构造，并且其描述将由先前的描述代替。

图7是示出使用根据本公开另一实施方式的半导体发光二极管的显示装置的立体图。图8是沿图7中C-C线截取的剖视图，并且图9是示出图8中的垂直型半导体发光二极管的概念图。

根据附图，显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型的垂直半导体发光二极管的显示装置。

显示装置可包括基板210、第一电极220、导电粘合剂层230、第二电极240和多个半导体发光二极管250。

作为布置有第一电极220的布线基板的基板210可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果它是绝缘和柔性材料，则可以使用任何一种。

第一电极220可以位于基板210上，并且形成有沿一个方向伸长的条形电极。可以形成第一电极220以执行数据电极的作用。

导电粘合剂层230形成在定位有第一电极220的基板210上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示装置，导电粘合剂层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。然而，本实施方式示出了导电粘合剂层230由各向异性导电膜实现的情况。

当各向异性导电膜处于第一电极220位于基板210上并且然后施加热和压力以将半导体发光二极管250连接到其上的状态时，半导体发光二极管250电连接到第一电极220。此时，半导体发光二极管250可以优选地设置在第一电极220上。

产生电连接是因为当如上所述施加热和压力时各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性。因此，各向异性导电膜被分隔成具有导电性的部分231和在其厚度方向上不具有导电性的部分232。

此外，各向异性导电膜包含粘合剂组分，因此导电粘合剂层230实现半导体发光二极管250和第一电极220之间的机械联接以及电联接。

以这种方式，半导体发光二极管250放置在导电粘合剂层230上，从而在显示装置中构造单独的子像素。半导体发光二极管250可以具有优异的亮度特性，因此即使具有小尺寸，也可以构造各个子像素。各个半导体发光二极管250的尺寸在其一侧上的长度可以小于80μm，并且形成有矩形或方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。

半导体发光二极管250可以是垂直结构。

设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且电连接到垂直半导体发光二极管250的多个第二电极240可以位于垂直半导体发光二极管之间。

参照图9，垂直半导体发光二极管可以包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于其底部的p型电极256可以借助于导电粘合剂层230电连接到第一电极220，并且位于其顶部的n型电极252可以电连接到稍后将描述的第二电极240。电极可以在垂直半导体发光二极管250中沿向上/向下方向设置，从而提供能够减小芯片尺寸的巨大优点。

再次参照图8，可以在半导体发光二极管250的一个表面上形成荧光体层280。例如，半导体发光二极管250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光二极管251，并且可以在其上设置用于将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的荧光体层280。在这种情况下，荧光体层280可以是构成各个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。

换句话说，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体281可以在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光二极管251上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体282可以在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光二极管251上。此外，仅蓝色半导体发光二极管251可以单独用在实现蓝色子像素的位置。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。

然而，本公开可以不必限于此，并且如上所述，用于实现蓝色、红色和绿色的另一种结构也可以应用于其中应用倒装芯片型发光器件的显示装置。

再次考虑本实施方式，第二电极240位于半导体发光二极管250之间，并且电连接到半导体发光二极管250。例如，半导体发光二极管250可以布置在多个行中，并且第二电极240可以位于半导体发光二极管250的行之间。

由于构成各个像素的半导体发光二极管250之间的距离足够大，所以第二电极240可以位于半导体发光二极管250之间。

第二电极240可以形成有沿一个方向伸长的条形电极，并且设置在与第一电极垂直的方向上。

此外，第二电极240可以借助于从第二电极240突出的连接电极电连接到半导体发光二极管250。更具体地，连接电极可以是半导体发光二极管250的n型电极。例如，n型电极形成有用于欧姆接触的欧姆电极，并且第二电极通过印刷或沉积覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240可以电连接到半导体发光二极管250的n型电极。

根据附图，第二电极240可以位于导电粘合剂层230上。根据情况，可以在形成有半导体发光二极管250的基板210上形成包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层(未示出)。当形成透明绝缘层然后在其上放置第二电极240时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可以形成为与导电粘合剂层230或透明绝缘层分离。

如果使用诸如氧化铟锡(ITO)的透明电极将第二电极240定位在半导体发光二极管250上，则ITO材料具有与n型半导体的不良粘附性的问题。因此，第二电极240可以放置在半导体发光二极管250之间，从而获得不需要透明电极的优点。因此，n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可以用作水平电极，而不受透明材料的选择的限制，从而提高光提取效率。

根据附图，可以在半导体发光二极管250之间形成分隔壁290。换句话说，分隔壁290可以设置在垂直半导体发光二极管250之间以隔离构成各个像素的半导体发光二极管250。在这种情况下，分隔壁290可以执行将各个子像素彼此分开的作用，并且与导电粘合剂层230形成为一体。例如，当半导体发光二极管250***各向异性导电膜时，各向异性导电膜的基底构件可以形成隔壁。

此外，当各向异性导电膜的基底构件是黑色时，分隔壁290可以具有反射特性，同时增加对比度而无需额外的黑色绝缘体。

作为另一示例，反射分隔壁可以与分隔壁290分开设置。在这种情况下，根据显示装置的目的，分隔壁290可以包括黑色或白色绝缘体。

如果第二电极240精确地位于半导体发光二极管250之间的导电粘合剂层230上，则分隔壁290可以位于半导体发光二极管250和第二电极240之间。相应地，使用半导体发光二极管250，即使是小尺寸也可以构造各个子像素，并且半导体发光二极管250之间的距离可以相对足够大以将第二电极240放置在半导体发光二极管250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示装置的效果。

此外，根据附图，黑色矩阵291可以设置在每个荧光体层之间以增强对比度。换句话说，黑色矩阵291可以增强亮度的对比度。

如上所述，半导体发光二极管250位于导电粘合剂层230上，从而构成显示装置上的各个像素。半导体发光二极管250可以具有优异的亮度特性，因此即使具有小尺寸，也可以构造各个子像素。结果，可以实现全色显示，其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素借助于半导体发光二极管实现一个像素。

在使用本发明的上述半导体发光二极管的显示装置中，当应用倒装芯片型时，第一电极和第二电极设置在同一平面上，从而导致难以实现的精细节距的问题。在下文中，将描述应用了能够解决这种问题的根据本公开另一实施方式的倒装芯片型发光器件的显示装置。

图10是图1中部分“A”的放大视图，用于解释本发明的另一个实施方式，其应用了具有新结构的半导体发光二极管，图11a是沿着图10中的线E-E截取的剖视图，图11b是沿图11中的线FF截取的剖视图，并且图12是示出图11a中的倒装芯片型半导体发光二极管的概念图。

参照图10、图11a和图11b，示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光二极管的显示装置1000作为使用半导体发光二极管的显示装置1000。然而，下面描述的示例也可以应用于有源矩阵(AM)型半导体发光二极管。

显示装置1000可以包括基板1010、第一电极1020、导电粘合剂层1030、第二电极1040和多个半导体发光二极管1050。这里，第一电极1020和第二电极1040可以分别包括多个电极线。

作为布置有第一电极1020的布线基板的基板1010可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果它是绝缘和柔性材料，则可以使用任何一种。

第一电极1020可以位于基板1010上，并且形成有沿一个方向伸长的条形电极。可以形成第一电极1020以执行数据电极的作用。

导电粘合剂层1030形成在定位有第一电极1020的基板1010上。与应用前述倒装芯片型发光器件的显示装置类似，导电粘合剂层1030可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。然而，在本实施方式中，导电粘合剂层1030可以用粘合剂层代替。例如，当第一电极1020不位于基板1010上而是与半导体发光二极管的导电电极一体形成时，粘合剂层可以不需要具有导电性。

设置在与第一电极1020的长度方向交叉的方向上并且电连接到半导体发光二极管1050的多个第二电极1040可以位于半导体发光二极管之间。

根据附图，第二电极1040可以位于导电粘合剂层1030上。换句话说，导电粘合剂层1030设置在布线基板和第二电极1040之间。第二电极1040可以是通过与半导体发光二极管1050接触而电连接的。

多个半导体发光二极管1050联接到导电粘合剂层1030，并且通过前述结构电连接到第一电极1020和第二电极1040。

根据情况，可以在形成有半导体发光二极管1050的基板1010上形成包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层(未示出)。当形成透明绝缘层然后在其上放置第二电极1040时，第二电极1040可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极1040可以形成为与导电粘合剂层1030或透明绝缘层分离。

如图所示，多个半导体发光二极管1050可以在与设置在第一电极1020中的多个电极线平行的方向上形成多个列。然而，本公开不必限于此。例如，多个半导体发光二极管1050可以沿着第二电极1040形成多个列。

此外，显示装置1000还可以包括形成在多个半导体发光二极管1050的一个表面上的荧光体层1080。例如，半导体发光二极管1050是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光二极管，并且荧光体层1080执行将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光体层1080可以是构成各个像素的红色荧光体层1081或绿色荧光体层1082。换句话说，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体1081可以在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光二极管1051a上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体1082可以在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光二极管1051b上。此外，只有蓝色半导体发光二极管1051c可以单独用在实现蓝色子像素的位置。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，可以沿着第一电极1020的每条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极1020上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话说，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可以沿第二电极1040顺序设置，从而实现子像素。然而，本公开可以不必限于此，并且半导体发光二极管1050可以与量子点(QD)而不是荧光体组合以实现发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。

另一方面，为了提高荧光体层1080的对比度，显示装置还可以包括设置在每个荧光体之间的黑色矩阵1091。黑色矩阵1091可以以这样的方式形成：在荧光体点之间形成间隙，并且黑色材料填充该间隙。由此，黑色矩阵1091可以在吸收外部光反射的同时改善明暗之间的对比度。黑色矩阵1091沿着第一电极1020在层叠荧光体层1080的方向上位于各个荧光体层之间。在这种情况下，可以在与蓝色半导体发光二极管1051对应的位置处不形成荧光体层，而是可以通过在它们之间***不具有蓝色光发光器件1051c的空间而在其两侧分别形成黑色矩阵1091。

同时，参照根据本示例的半导体发光二极管1050，在本实施方式中，电极可以在半导体发光二极管1050中在向上/向下方向上设置，从而具有能够减小芯片尺寸的巨大优点。然而，电极可以设置在顶部和底部，但是半导体发光二极管可以是倒装芯片型半导体发光二极管。

参照图12，半导体发光二极管1050包括第一导电电极1156、形成有第一导电电极1156的第一导电半导体层1155、形成在第一导电半导体层1155上的有源层1154、形成在有源层1154上的第二导电半导体层1153以及形成在第二导电半导体层1153上的第二导电电极1152。

更具体地，第一导电电极1156和第一导电半导体层1155可以分别是p型电极和p型半导体层，并且第二导电电极1152和第二导电半导体层1153可以分别是n型电极和n型半导体层。然而，本公开不限于此，并且第一导电类型可以是n型，而第二导电类型可以是p型。

更具体地，第一导电电极1156形成在第一导电半导体层1155的一个表面上，并且有源层1154形成在第一导电半导体层1155的另一个表面和第二导电半导体层1153的一个表面上，并且第二导电电极1152形成在第二导电半导体层1153的一个表面上。

在这种情况下，第二导电电极设置在第二导电半导体层1153的一个表面上，并且未掺杂的半导体层1153a形成在第二导电半导体层1153的另一个表面上。

连同图10至图11b一起参照图12，第二导电半导体层的一个表面可以是最接近布线基板的表面，并且第二导电半导体层的另一个表面可以是离布线基板最远的表面。

此外，第一导电电极1156和第二导电电极1152可以在沿着半导体发光二极管的宽度方向间隔开的位置处在宽度方向和垂直方向(或厚度方向)上彼此具有高度差。

第二导电电极1152使用高度差形成在第二导电半导体层1153上，但是邻近位于半导体发光二极管的上侧的第二电极1040设置。例如，第二导电电极1152的至少一部分可以从第二导电半导体层1153的侧表面(或未掺杂的半导体层1153a的侧表面)突出。如上所述，由于第二导电电极1152从侧表面突出，所以第二导电电极1152可以暴露于半导体发光二极管的上侧。由此，第二导电电极1152设置在与设置在导电粘合剂层1030的上侧的第二电极1040重叠的位置处。

更具体地，半导体发光二极管包括从第二导电电极1152延伸并从多个半导体发光二极管的侧表面突出的突出部分1152a。在这种情况下，以突出部分1152a为基准，第一导电电极1156和第二导电电极1152设置在沿突出部分1152a的突出方向间隔开的位置处，并且可以表示为它们被形成为在垂直于突出方向的方向上彼此具有高度差。

突出部分1152a从第二导电半导体层1153的一个表面横向延伸，并且延伸到第二导电半导体层1153的上表面，更具体地，延伸到未掺杂的半导体层1153a。突出部分1152a从未掺杂的半导体层1153a的侧表面沿宽度方向突出。因此，突出部分1152a可以相对于第二导电半导体层而言电连接到第一导电电极的相对侧上的第二电极1040。

包括突出部分1152a的结构可以是能够使用上述水平半导体发光二极管和垂直半导体发光二极管的结构。另一方面，可以通过在未掺杂的半导体层1153a上距离第一导电电极1156最远的上表面上进行粗加工来形成细槽。

根据本公开的上述显示装置，由于半导体发光二极管的尺寸小，难以增加显示装置的亮度。这是因为，由于从半导体发光二极管发光的上表面的面积小，所以增加亮度存在限制。另外，由于微型半导体发光二极管是点光源，因此存在现有技术中均匀性降低的缺点。

本公开提出了一种用于解决上述缺点的新机制。在下文中，将描述应用新机制的显示装置。

在下文中，将参照附图详细描述本公开的显示装置的结构。图13是用于解释本发明的另一个实施方式的局部立体图，图14是沿图13中的线G-G截取的剖视图，并且图15是沿图13中的线H-H截取的剖视图。

参照图13、图14和图15，示出了一种情况，其中用于增加亮度的机构被添加到参照图10至图12作为使用半导体发光二极管的显示装置描述的倒装芯片型半导体发光二极管。然而，下面描述的示例也适用于使用上面参照图1至图9描述的另一种类型的半导体发光二极管的显示装置。此外，在下面将要描述的本示例中，相同或相似的附图标记被指定为与上面参照图10至图12描述的示例的组件相同或相似的组件，并且其描述将由前面的描述代替。

根据图示，半导体发光二极管2050包括第一导电电极2156、形成有第一导电电极2156的第一导电半导体层2155、形成在第一导电半导体层2155上的有源层2154、形成在有源层2154上的第二导电半导体层2153和形成在第二导电半导体层2153上的第二导电电极2152，并且其描述将由参照图12的描述代替。

如上参照图12所述，突出部分2152a从第二导电半导体层2153的一个表面横向延伸，并且延伸到第二导电半导体层2153的上表面，更具体地，延伸到未掺杂的半导体层2153a。因此，突出部分2152a可以相对于第二导电半导体层2153而言电连接到第一导电电极2156的相对侧上的第二电极2040。此外，在这种情况下，可以提供钝化层2158以包围半导体发光二极管的外表面。

显示装置2000可以包括基板2010、第一电极2020、第二电极2040、导电粘合剂层2030和多个半导体发光二极管2050。

基板2010可以是设置有第一电极2020的布线基板，因此第一电极2020可以是位于基板2010上的布线电极。在这种情况下，根据情况，基板2010可以由绝缘但非柔性的材料形成。此外，基板2010可以是透明和非透明材料中的一种。

参照这些附图，导电粘合剂层2030电连接基板2010和半导体发光二极管2050，同时将半导体发光二极管2050附接到基板2010(布线基板)。在这种情况下，导电粘合剂层2030可以是各向异性导电膜。

然而，本公开不限于此，并且导电粘合剂层2030可以由熔点低于布线基板的布线电极的材料制成的低熔点部分代替。对于这样的示例，低熔点部分可以用焊料电镀在第一电极2020上，并且与半导体发光二极管2050的第一导电电极2156组合。焊料可以例如是Sb、Pd、Ag、Au和Bi中的至少一种。在这种情况下，焊料可以沉积在布线基板的第一电极2020上，并且可以使用热能进行焊接。

根据图示，绝缘层2060可以沉积在导电粘合剂层2030上。在焊料材料连接第一电极2020和第一导电电极2156的结构中，绝缘层2060可以沉积布线基板的上侧。

在这种情况下，形成绝缘层2060以填充在半导体发光二极管之间。更具体地，绝缘层2060可以由诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘材料形成。

绝缘层2060可以由与导电粘合剂层2030的绝缘基底构件相同的材料形成。在这种情况下，绝缘层2060和导电粘合剂层2030可以通过粘合而一体化，因此，绝缘层2060可以与基板2010集成在一起，同时填充在半导体发光二极管之间以形成单个基板。

根据图示，可以在绝缘层2060的一个表面上沿一个方向形成电连接多个半导体发光二极管的第二电极。

第二电极2040可以位于绝缘层2060上，并且可以是布线电极。第二电极2040朝向相邻的半导体发光二极管延伸，以将多个半导体发光二极管彼此连接，从而用作上布线。

在这种情况下，绝缘层2060设置在布线基板和第二电极2040之间。第二电极2040可以通过接触电连接到半导体发光二极管2050，并且可以作为扫描电极操作以用于传输扫描信号。然而，本公开不限于此，第一电极2020可以是扫描电极，而第二电极2040可以是数据电极。

根据附图，可以在半导体发光二极管2050之间形成分隔壁2090。在这种情况下，分隔壁2090可以执行将各个子像素彼此分开的作用，并且形成为具有绝缘层2060的集成主体。此外，绝缘层可以由设置在半导体发光二极管之间的分隔壁分隔开。例如，它可以是半导体发光二极管2050和分隔壁***绝缘层2060的树脂中的结构。

分隔壁2090可以是反射分隔壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，分隔壁2090可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的分隔壁时，它可以具有增强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增加对比度。

在这种情况下，分隔壁2090可以沿着第一电极2020的每条线形成。因此，第一电极2020上的一条线可以是控制一种颜色的电极。在这种情况下，分隔壁2090可以分别设置在沿着第二电极2040隔离的半导体发光二极管的两侧。此外，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可以沿第二电极2040顺序地设置，从而实现子像素。

为了实现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，显示装置2000还包括形成在多个半导体发光二极管2050的一个表面上的波长转换层2080。波长转换层2080被构造成转换光的波长。

例如，半导体发光二极管2050是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光二极管，并且波长转换层2080执行将蓝色(B)光转换为另一种颜色的波长的功能。然而，本公开不限于此，半导体发光二极管2050可以是发射绿色(G)光的绿色半导体发光二极管。对于这样的示例，波长转换层2080可以是具有黄色荧光体的荧光过滤器。当荧光体填充到绝缘层的位置时，因印刷残余物或厚度偏差而降低了批量生产率。相反，根据本示例中所示的荧光过滤器，可以在显示器的制造期间增加批量生产率。

在这种情况下，使用黄色荧光体激发从半导体发光二极管2050输出的光以转换波长。

更具体地，波长转换层2080可以包括分别与多个半导体发光二极管重叠的多个荧光体部分2081、2082、2083。多个荧光体部分2081、2082、2083可以沿着第一电极形成为条形，作为分别对应于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的荧光体部分，并且沿着第二电极顺序地布置。此时，黑色矩阵20BM可以设置在荧光体部分2081、2082、2083之间。黑色矩阵20BM可以与荧光体部分类似地沿着第一电极2020形成为条形，并且沿第二电极设置在荧光体部分的两侧。黑色矩阵20BM执行将波长转换层分隔为多个荧光体部分的作用。

同时，前述分隔壁2090可以形成在与黑色矩阵20BM对应的位置处。此时，黑色矩阵20BM的横截面积大于分隔壁2090的横截面积，从而限制分隔壁2090在显示器中暴露于外部。

在本示例中，荧光体部分2081、2082、2083中的每一个可以填充有黄色荧光体。然而，本公开不限于此，并且波长转换层2080可以具有其中顺序地布置红色荧光体部分、绿色荧光体部分和蓝色荧光体部分的结构。

参照这些附图，用于过滤沿特定方向入射的光的偏振过滤器层20PF可以与绝缘层2060重叠。可以在偏振过滤器层20PF和绝缘层2060之间形成粘合剂层2061。粘合剂层2061可以是具有优异光学性能的透光粘合剂层，例如光学粘合剂膜(OCA)或光学粘合剂树脂(OCR)。根据这种结构，由于偏振过滤器层20PF和粘合剂层2061之间的折射率差异，光可以更广泛地扩散。

此时，黑色矩阵20BM可以至少部分地从偏振过滤器层20PF朝向半导体发光二极管突出。由于黑色矩阵20BM突出并***到粘合剂层中，因此黑色矩阵可以用作粘附在粘合剂层上的锚，从而改善粘合力。

此外，偏振过滤器层20PF可以与波长转换层2080重叠。更具体地，偏振过滤器层20PF可以沿着波长转换层2080的厚度方向设置在绝缘层2060和波长转换层2080之间。

偏振过滤器层20PF可以包括沿着一个方向顺序设置的多个偏振器20PF1、20PF2、20PF3，以便与多个半导体发光二极管重叠。

例如，多个偏振器20PF1、20PF2、20PF3可以沿着第一电极2020形成为条形，作为分别对应于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素的偏振器，并且沿着第二电极2040顺序地布置。在这种情况下，可以在偏振器20PF1、20PF2、20PF3的入射表面上形成由于纹理化或粗糙化而引起的细槽。

此时，黑色矩阵20BM设置在偏振器20PF1、20PF2、20PF3之间，以用作偏振器20PF1、20PF2、20PF3之间的分隔壁。

换句话说，黑色矩阵20BM沿着一个方向设置在多个偏振器20PF1、20PF2、20PF3之间，从而允许波长转换层2080和偏振过滤器层20PF在黑色矩阵20BM之间形成彼此重叠的多个层。黑色矩阵20BM可以在偏振过滤器层20PF和波长转换层2080之间形成公共分隔壁，因此偏振器20PF1、20PF2、20PF3可以分别具有与荧光体部分2081、2082、2083相同的宽度。

上述结构可以通过在诸如玻璃的基板上图案化黑色矩阵然后首先涂覆荧光体然后涂覆偏振材料来制造。此外，根据这种结构，由于荧光过滤器和偏振过滤器一体地设置并布置在黑色矩阵内，因此可以减轻串扰以改善图像质量。

同时，根据图示，颜色转换层2080与颜色过滤器20CF重叠以实现红色、绿色和蓝色。更具体地，颜色过滤器20CF和波长转换层2080可以通过粘合来组合。在这种情况下，使颜色过滤器20CF选择性地透射光以实现红色、绿色和蓝色。颜色过滤器20CF可以设置有用于对红色波长、绿色波长和蓝色波长进行过滤的多个过滤部分，并且可以具有其中重复地布置多个过滤部分20CF1、20CF2、20CF3的结构。此时，用于过滤红色、绿色和蓝色的红色过滤部分20CF1、绿色过滤部分20CF2和蓝色过滤部分20CF3可以分别布置在沿着第二电极连续的荧光体部分的上侧。在这种情况下，波长转换层2080与颜色过滤器20CF组合以实现红色、绿色和蓝色的单位像素。

根据上述结构，由于荧光过滤器和偏振过滤器一体地形成以使光偏振然后激发光，并将其过滤成红色、绿色和蓝色，因此显示器可以发射更接近表面光源的光。由此，可以提高显示器的图像质量。

同时，可以将上述使用半导体发光二极管的显示装置修改为各种形式。在下文中，将描述这些修改示例。

图16和图17是用于解释本公开的其它实施方式的剖视图。

根据图16的附图，作为使用半导体发光二极管的显示装置，示出了应用参照图13至图15描述的倒装芯片型半导体发光二极管的情况。然而，下面描述的示例也适用于使用上面参照图1至图9描述的另一种类型的半导体发光二极管的显示装置。此外，在下面将要描述的本示例中，相同或相似的附图标记被指定为与上面参照图13至图15描述的示例的组件相同或相似的组件，并且其描述将由前面的描述代替。

根据图示，半导体发光二极管3050包括第一导电电极3156、形成有第一导电电极3156的第一导电半导体层、形成在第一导电半导体层上的有源层、有源层上的第二导电半导体以及在第二导电半导体层上形成的第二导电电极，并且其描述将由参照图12的描述代替。

显示装置3000包括基板3010、第一电极3020、第二电极3040、导电粘合剂层3030、绝缘层3060、分隔壁3090、波长转换层3080、颜色过滤器30CF和多个半导体发光二极管3050。这些结构和功能与上面参照图13至图15描述的显示装置的结构和功能相同，且因此，其描述将由前面的描述代替。

参照本图，用于过滤沿特定方向入射的光的偏振过滤器层30PF可以与绝缘层3060重叠。

此外，偏振过滤器层30PF可以与波长转换层3080重叠。更具体地，偏振过滤器层30PF可以沿着波长转换层3080的厚度方向设置在绝缘层3060和波长转换层3080之间。

偏振过滤器层30PF可以包括沿着一个方向顺序设置的多个偏振器30PF1、30PF2、30PF3，以便与多个半导体发光二极管重叠。

例如，多个偏振器30PF1、30PF2、30PF3可以沿着第一电极3020形成为条形，作为分别对应于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素的偏振器，并沿第二电极2040顺序排列(参见图11)。

此时，黑色矩阵30BM设置在偏振器30PF1、30PF2、30PF3之间，以用作偏振器30PF1、30PF2、30PF3之间的分隔壁。

换句话说，黑色矩阵30BM沿着一个方向设置在多个偏振器30PF1、30PF2、30PF3之间，从而允许波长转换层3080和偏振过滤器层30PF在黑色矩阵30BM之间形成彼此重叠的多个层。由此，黑色矩阵30BM在偏振过滤器层30PF和波长转换层3080之间形成公共分隔壁，因此偏振器30PF1、30PF2、30PF3可以具有与荧光体部分3081、3082、3083相同的宽度。根据这种结构，荧光过滤器和偏振过滤器可以一体地设置。

在这种情况下，偏振过滤器层30PF的至少一部分可以朝向波长转换层3080凹入。换句话说，偏振过滤器层30PF可以具有凹透镜结构。更具体地，在多个偏振器30PF1、30PF2、30PF3中的每一个中，从半导体发光二极管发射的光入射的入射表面可以形成为凹入的。由于入射表面具有凹入形状，入射光横向扩散，因此可以产生更接近表面光源的光。在这种情况下，可以在入射表面上形成由于纹理化或粗糙化引起的细槽。

粘合剂层3061可以形成在偏振过滤器层30PF和绝缘层3060之间。粘合剂层3061可以是具有优异光学性能的透光粘合剂层，例如光学粘合膜(OCA)或光学粘合树脂(OCR)。在这种情况下，粘合剂层3061可以形成为朝向偏振过滤器层30PF至少部分地凸出。凸出形状可以形成为与每个偏振器30PF1、30PF2、30PF3的凹入形状对应的形状。由于粘合剂层3061以凸出形状增加其厚度，因此可以改善粘合力。

此外，黑色矩阵3090的至少一部分可以从偏振过滤器层30PF朝向半导体发光二极管突出。由于黑色矩阵3090突出并***到粘合剂层3061中，因此黑色矩阵3090可以用作粘附在粘合剂层3061上的锚，从而改善粘合力。

根据本示例，点光源可以更均匀地分散到前表面，从而进一步改善显示器的图像质量。

另一方面，图17示出了去除分隔壁并且将反射颗粒添加到绝缘层的情况。

根据图17的图示，作为使用半导体发光二极管的显示装置，示出了从图16修改分隔壁和绝缘层的结构的情况。因此，在下面将要描述的本示例中，相同或相似的附图标记表示与上面参照图16描述的示例的组件相同或相似的组件，并且其描述将由之前的描述代替。

显示装置3000包括基板4010、第一电极4020、第二电极4040、导电粘合剂层4030、粘合剂层、偏振过滤器层40PF、波长转换层4080、颜色过滤器40CF以及多个半导体发光二极管4050。其结构和功能与上面参照图13至图16描述的显示装置的结构和功能相同，因此，其描述将由前面的描述代替。

根据图示，绝缘层4060可以沉积在导电粘合剂层4030上。在焊料连接第一电极4020和第一导电电极4156的结构中，绝缘层4060可以沉积在布线基板的上侧。

在这种情况下，形成绝缘层4060以填充在半导体发光二极管之间。更具体地，绝缘层2060可以由诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘材料形成。

绝缘层4060可以由与导电粘合剂层4030的绝缘基底构件相同的材料形成。在这种情况下，绝缘层4060和导电粘合剂层2030可以通过粘合而一体化，因此，绝缘层4060可以与基板4010集成在一起，同时填充在半导体发光二极管之间以形成单个基板。

根据附图，在半导体发光二极管4050之间仅填充绝缘层而没有分隔壁。

在这种情况下，绝缘层4060可以包括反射颗粒4061。绝缘层4060的树脂可以沉积在导电粘合剂层4030上以填充在多个半导体发光二极管之间，并且反射颗粒4061可以与树脂混合。在这种情况下，反射颗粒4061可包括氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化锆和二氧化硅中的至少一种。另一方面，反射颗粒4061可以是白色颜料。

另一方面，反射颗粒4061可以执行重新反射由偏振过滤器层40PF或波长转换层4080反射并指向显示装置内部的光的作用。同时，绝缘层4060可以形成在半导体晶片上，这是因为它沉积在导电粘合剂层4030上以填充在半导体发光二极管之间。

根据图示，用于电连接多个半导体发光二极管的第二电极2040(参照图11)可以沿着一个方向形成在绝缘层4060的一个表面上。

第二电极2040可以位于绝缘层4060上，并且可以是布线电极。第二电极2040朝向相邻的半导体发光二极管延伸，以将多个半导体发光二极管彼此连接，从而用作上布线。

在这种情况下，绝缘层4060设置在布线基板4010和第二电极2040之间。第二电极2040可以通过接触电连接到半导体发光二极管4050，并且可以作为扫描电极操作以用于传输扫描信号。然而，本公开不限于此，第一电极4020可以是扫描电极，而第二电极2040可以是数据电极。

粘合剂层4061、偏振过滤器层40PF、波长转换层4080和颜色过滤器40CF顺序地沉积在绝缘层4060上，从而实现上述显示装置的结构。根据上述结构，可以增加批量生产率以降低显示装置的制造成本。

根据上述实施方式的构造和方法能不以有限的方式应用于使用半导体发光二极管的前述显示装置，并且可以选择性地组合和构造每个实施方式的全部或部分以使得可以进行各种修改。

Claims (15)

1.一种显示装置，该显示装置包括：

基板，该基板形成有布线电极；

多个半导体发光二极管，所述多个半导体发光二极管电连接至所述布线电极；

绝缘层，该绝缘层被构造成填充在所述半导体发光二极管之间；

偏振过滤器层，该偏振过滤器层被构造成与所述绝缘层重叠以过滤沿特定方向入射的光；以及

波长转换层，该波长转换层被构造成与所述偏振过滤器层重叠以转换光的波长。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述偏振过滤器层包括沿着一个方向顺序设置以便分别与所述多个半导体发光二极管重叠的多个偏振器。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述多个偏振器之间沿着所述一个方向设置有黑色矩阵。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述波长转换层分别与所述多个半导体发光二极管重叠，并且包括形成在所述黑色矩阵之间的多个荧光体部分。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换层和所述偏振过滤器层形成在所述黑色矩阵之间彼此重叠的多个层。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述偏振过滤器层的至少一部分形成为朝向所述波长转换层凹入。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述偏振过滤器层包括多个偏振器，并且

在所述多个偏振器中的每个偏振器中，从所述半导体发光二极管发射的光入射到其上的入射表面形成为凹入的。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述入射表面上形成有由于纹理化而形成的细槽。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述偏振过滤器层沿着所述波长转换层的厚度方向设置在所述绝缘层和所述波长转换层之间。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在所述偏振过滤器层和所述绝缘层之间形成有粘合剂层，并且所述粘合剂层的至少一部分形成为朝向所述偏振过滤器层凸出。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层由设置在所述半导体发光二极管之间的分隔壁分隔。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述分隔壁形成在与黑色矩阵相对应的位置，用于将所述波长转换层分成多个荧光体部分。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述黑色矩阵的横截面积大于所述分隔壁的横截面积。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述黑色矩阵的至少一部分从所述偏振过滤器层朝向所述半导体发光二极管突出。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换层包括黄色荧光体，并且

所述波长转换层与颜色过滤器重叠。