CN110024654A - 霍山石斛林下种植方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种霍山石斛林下种植方法，其方法步骤如下：S1：种植林地的选择：林地中的在霍山石斛生长期的平均温度15‑25℃，日均光照3000‑5000Lux，年降水量1000‑1500mm，空气相对湿度80‑85％；S2：种植支架的设计；S3：灌溉装置的设计；S4：霍山石斛苗的准备：霍山石斛苗的准备：采用组培或分株的形式进行育苗；S5：霍山石斛苗的移栽。本发明在不改变原生态环境的情况下，提高了霍山石斛的品质，同时提高了霍山石斛的自然防虫效果。

Description

霍山石斛林下种植方法
技术领域
本发明涉及霍山石斛种植技术领域，尤其涉及霍山石斛林下种植方法。
背景技术
目前，霍山石斛种植的方法有大棚种植和林下种植两种。大棚种植通过搭建大棚设施、种植花床及架设遮阳网，为霍山石斛生长发育营造适宜的温湿度及光照度等条件。大棚种植保水保肥能力强，管理简单，但大棚种植前期设施搭建投资大，占地面积大，土地利用率不高，同时，大棚种植病虫害传播速度快，通风透气条件差易造成烂根减产；林下种植技术要集中于附树、附石等仿野生栽培，以及林下简易床栽等方面。林下简易床栽病害较多，管护难度大；附石栽培往往生长不良，发展空间有限；传统附树栽培对林木种类、林木枝干伸展角度等要求很高，难以推广；近年研发的直立性树干附树栽培，需要耗费大量人工把种苗固定在树干上，而且基质的附着稳定性也较差，种苗生长不易。因此，现有霍山石斛林下栽培技术局限性较大，推广应用难，导致霍山石斛林下种植的面积小、产品少，发展不力。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了霍山石斛林下种植方法，在不改变原生态环境的情况下，提高了霍山石斛的品质，同时提高了霍山石斛的自然防虫效果。
本发明提出的霍山石斛林下种植方法，方法步骤如下：
S1：种植林地的选择：林地中的在霍山石斛生长期的平均温度15-25℃，日均光照3000-5000Lux，年降水量1000-1500mm，空气相对湿度80-85％。
S2：种植支架的设计：在树木的背阴面设置有种植支架，所述种植支架为两个支撑杆，且两个所述支撑杆的一端固定在一起，支撑杆的另一端分开，且支撑杆的中部设有连接两个支撑杆的放置板，支撑杆分开的一端固定在地面上，支撑杆固定在一起的一端呈倾斜固定在树干上，且放置板呈水平设置，所述放置板用于固定霍山石斛种植容器；
S3：灌溉装置的设计：在树干上固定有喷淋头，所述喷淋头的喷淋面积可完全覆盖位于所述树干一侧的霍山石斛，且所述喷淋头距所述霍山石斛的顶部的距离为20-50cm；
S4：霍山石斛苗的准备：采用组培或分株的形式进行育苗；
S5：霍山石斛苗的移栽：将霍山石斛苗的根部先用由腐殖土、火山岩、草木灰、氮磷钾复合肥和液体微生物菌剂制成的固体肥料进行包裹，然后再用青苔包裹，并将其种植在霍山石斛种植容器中。
优选地，所述S2中支撑杆与树干之间的角度为20-50°。
优选地，所述S2中种植支架为两个支撑杆，所述两个支撑杆的一端固定在地面上，且所述支撑杆呈平行设置，所述支撑杆之间设有遮阴网，且所述遮阴网位于向阳方向，所述地面的岩石上挖设有用于种植霍山石斛的种植坑。
优选地，所述霍山石斛种植容器的上端设有凸边，且所述放置板上设有与所述种植容器相配的通孔，种植容器放置在通孔内时，其凸边刚好卡接在放置板上，方便种植容器的排水。
优选地，所述霍山石斛位于种植支架上端的部分通过条状遮阴网固定在树干上。
优选地，位于所述种植支架下端的地上种植有喜阴的中药材，且位于所述种植支架下端的树干上固定有害虫诱杀装置。
优选地，所述腐殖土、火山岩、草木灰和氮磷钾复合肥按如下重量份配比：腐殖土10-15份、火山岩5-10份、草木灰1-5份、氮磷钾复合肥0.1-0.2份、液体微生物菌剂0.1-0.5份。
优选地，所述液体微生物菌剂包括固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌和去离子水，且所述固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌的接种量均为2×108cfu/g水。
与现有技术相比，本发明的有益技术效果是：
(1)本发明让霍山石斛的种植回归野生原本环境，解决了传统大棚霍山石斛种植所带来的缺陷问题；
(2)本发明种植的霍山石斛不需要施农药，降低生产成本，同时绿色环保，且基本不受虫害的影响；
(3)本发明的霍山石斛种植方法，在原有的土地上搭建种植支架进行种植，并将霍山石斛依附在树干上进行生长，既不破坏原有的生态环境，又能够保证霍山石斛的品质；
(4)本发明还可以在种植支架的底部种植喜阴的中药材，位于树干上的喷淋装置还可以对地面的中药材进行灌溉，极大的提高了种植者的经济收益。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
本发明提出的霍山石斛林下种植方法，方法步骤如下：
S1：种植林地的选择：林地中的在霍山石斛生长期的平均温度15-25℃，日均光照3000-5000Lux，年降水量1000-1500mm，空气相对湿度80-85％。
S2：种植支架的设计：在树木的背阴面设置有种植支架，所述种植支架为两个支撑杆，且两个所述支撑杆的一端固定在一起，支撑杆的另一端分开，且支撑杆的中部设有连接两个支撑杆的放置板，支撑杆分开的一端固定在地面上，支撑杆固定在一起的一端呈倾斜固定在树干上，且放置板呈水平设置，所述放置板用于固定霍山石斛种植容器；
S3：灌溉装置的设计：在树干上固定有喷淋头，所述喷淋头的喷淋面积可完全覆盖位于所述树干一侧的霍山石斛，且所述喷淋头距所述霍山石斛的顶部的距离为20-50cm；
S4：霍山石斛苗的准备：采用组培或分株的形式进行育苗；
S5：霍山石斛苗的移栽：将霍山石斛苗的根部先用由腐殖土、火山岩、草木灰、氮磷钾复合肥和液体微生物菌剂制成的固体肥料进行包裹，然后再用青苔包裹，并将其种植在霍山石斛种植容器中。
霍山石斛种植容器的上端设有凸边，且所述放置板上设有与所述种植容器相配的通孔，种植容器放置在通孔内时，其凸边刚好卡接在放置板上，方便种植容器的排水。
霍山石斛位于种植支架上端的部分通过条状遮阴网固定在树干上。
位于所述种植支架下端的地上种植有喜阴的中药材，且位于所述种植支架下端的树干上固定有害虫诱杀装置。
实施例1
支撑杆与树干之间的角度为20°。
腐殖土、火山岩、草木灰和氮磷钾复合肥按如下重量份配比：腐殖土10份、火山岩5份、草木灰1份、氮磷钾复合肥0.1份、液体微生物菌剂0.1份。
液体微生物菌剂包括固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌和去离子水，且所述固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌的接种量均为2×108cfu/g水。
实施例2
支撑杆与树干之间的角度为50°。
腐殖土、火山岩、草木灰和氮磷钾复合肥按如下重量份配比：腐殖土15份、火山岩10份、草木灰5份、氮磷钾复合肥0.2份、液体微生物菌剂0.5份。
液体微生物菌剂包括固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌和去离子水，且所述固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌的接种量均为2×108cfu/g水。
实施例3
支撑杆与树干之间的角度为30°。
腐殖土、火山岩、草木灰和氮磷钾复合肥按如下重量份配比：腐殖土12份、火山岩8份、草木灰2份、氮磷钾复合肥0.15份、液体微生物菌剂0.3份。
液体微生物菌剂包括固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌和去离子水，且所述固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌的接种量均为2×108cfu/g水。
关于本发明中的霍山石斛苗的准备，也可以采用采用霍山石斛种子进行育苗，当育苗长大后的霍山石斛达到茎干在5-6cm后在进行移植，还可以采用离体组织培养进行繁殖育苗，首先将霍山石斛的叶片、嫩茎、根经常规消毒后，切成0.5-1cm作外植体，采用MS和B5作为基本培养基，并分别附加植物激素如NAA(0.05-1.5mg/L)、IAA(0.2-1.0mg/L)、6-BA(1.0-5.0mg/L)等不同激素组合的多种培养基,培养基pH5.6-6.0，培养温度25-28℃，每天光照时间9-10个小时，光照强度1800-1900lx条件下进行组织培养。19天后，茎叶处出现小芽点；约1个月后，小芽伸长，尖端分杈；2个月后，小芽长成高约2.0-2.7cm，具4～8个叶片的试管苗，即可进行移栽。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种霍山石斛林下种植方法，其特征在于，方法步骤如下：
S1：种植林地的选择：林地中的在霍山石斛生长期的平均温度15-25℃，日均光照3000-5000Lux，年降水量1000-1500mm，空气相对湿度80-85％。
S2：种植支架的设计：在树木的背阴面设置有种植支架，所述种植支架为两个支撑杆，且两个所述支撑杆的一端固定在一起，支撑杆的另一端分开，且支撑杆的中部设有连接两个支撑杆的放置板，支撑杆分开的一端固定在地面上，支撑杆固定在一起的一端呈倾斜固定在树干上，且放置板呈水平设置，所述放置板用于固定霍山石斛种植容器；
S3：灌溉装置的设计：在树干上固定有喷淋头，所述喷淋头的喷淋面积可完全覆盖位于所述树干一侧的霍山石斛，且所述喷淋头距所述霍山石斛的顶部的距离为20-50cm；
S4：霍山石斛苗的准备：采用组培的方式进行育苗；
S5：霍山石斛苗的移栽：将霍山石斛苗的根部先用由腐殖土、火山岩、草木灰、氮磷钾复合肥和液体微生物菌剂制成的固体肥料进行包裹，然后再用青苔包裹，并将其种植在霍山石斛种植容器中。
2.根据权利要求1所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，所述S2中支撑杆与树干之间的角度为20-50°。
3.根据权利要求1所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，所述S2中种植支架为两个支撑杆，所述两个支撑杆的一端固定在地面上，且所述支撑杆呈平行设置，所述支撑杆之间设有遮阴网，且所述遮阴网位于向阳方向，所述地面的岩石上挖设有用于种植霍山石斛的种植坑。
4.根据权利要求1所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，所述霍山石斛种植容器的上端设有凸边，且所述放置板上设有与所述种植容器相配的通孔。
5.根据权利要求1所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，所述霍山石斛位于种植支架上端的部分通过条状遮阴网固定在树干上。
6.根据权利要求1所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，位于所述种植支架下端的地上种植有喜阴的中药材，且位于所述种植支架下端的树干上固定有害虫诱杀装置。
7.根据权利要求1所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，所述腐殖土、火山岩、草木灰和氮磷钾复合肥按如下重量份配比：腐殖土10-15份、火山岩5-10份、草木灰1-5份、氮磷钾复合肥0.1-0.2份、液体微生物菌剂0.1-0.5份。
8.根据权利要求7所述的霍山石斛林下种植方法，其特征在于，所述液体微生物菌剂包括固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌和去离子水，且所述固氮菌、胶质芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌的接种量均为2×108cfu/g水。
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