CN110017900A - 高低温红外成像***检测装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种高低温红外成像***检测装置，高低温红外成像***检测装置包括平台支撑组件、目标黑体组件、背景黑体组件、靶标组件、高低温光学组件、第一消热差机构和第二消热差机构，目标黑体组件、背景黑体组件和靶标组件均可拆卸地设置在平台支撑组件上，目标黑体组件所产生的目标红外辐射和背景黑体组件所产生的背景红外辐射均通过靶标组件进入高低温光学组件以形成带有背景的红外目标，第一消热差机构用于保证靶标组件和次镜单元之间的距离不变，第二消热差机构用于保证次镜单元和主镜单元之间的距离不变。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中红外成像***检测装置无法实现深空背景、复杂背景、宽温范围下的目标仿真测试的技术问题。

Description

高低温红外成像***检测装置

技术领域

本发明涉及光学测试技术领域，尤其涉及一种高低温红外成像***检测装置。

背景技术

红外成像导引头由于其抗干扰能力强、制导精度高，在现代导弹武器***中应用越来越广。在红外成像导引头进行实验室内仿真测试过程中，红外成像***检测装置是其中应用到的最重要的仿真测试设备。红外成像***检测装置可以模拟红外成像导引头实战过程中实际观察到的目标红外信息，形成一个特定的红外目标，以在红外成像导引头前期设计和中期测试过程中，对红外成像导引头的作战效果进行精确的预期评估，发现不足以进行循环改进设计，减少研制反复，缩短研制周期。

此外，现代的红外成像导引头朝着多元化、专用化等方向发展，打击目标及其背景也逐渐由目前的常温背景向深空背景、复杂背景、宽温范围方向发展。传统的红外光学检测***已不能满足需求，越来越需要宽温度范围的红外成像***检测装置来进行仿真测试。

发明内容

本发明提供了一种高低温红外成像***检测装置，能够解决现有技术中红外成像***检测装置无法实现深空背景、复杂背景、宽温范围下的目标仿真测试的技术问题。

本发明提供了一种高低温红外成像***检测装置，高低温红外成像***检测装置包括：平台支撑组件；目标黑体组件，目标黑体组件可拆卸地设置在平台支撑组件上，目标黑体组件用于产生目标红外辐射；背景黑体组件，背景黑体组件可拆卸地设置在平台支撑组件上，背景黑体组件用于产生背景红外辐射；靶标组件，靶标组件可拆卸地设置在平台支撑组件上，靶标组件设置在目标黑体组件和背景黑体组件之间；高低温光学组件，高低温光学组件包括主镜单元和次镜单元，靶标组件位于高低温光学组件的焦平面处，目标黑体组件所产生的目标红外辐射和背景黑体组件所产生的背景红外辐射均通过靶标组件进入高低温光学组件，高低温光学组件用于形成带有背景的红外目标以用于红外成像***的仿真测试；第一消热差机构和第二消热差机构，第一消热差机构设置在靶标组件和次镜单元之间，第二消热差机构设置在次镜单元和主镜单元之间；其中，在宽温范围内，当温度发生变化时，第一消热差机构用于保证靶标组件和次镜单元之间的距离不变，第二消热差机构用于保证次镜单元和主镜单元之间的距离不变，宽温范围为-60℃至70℃。

进一步地，第一消热差机构包括第一铟钢棒，第二消热差机构包括第二铟钢棒，第一铟钢棒的一端与靶标组件连接，第一铟钢棒的另一端与次镜单元连接，第二铟钢棒的一端与次镜单元连接，第二铟钢棒的另一端与主镜单元连接。

进一步地，靶标组件包括靶标轮和靶标，靶标轮具有靶标容纳部，靶标设置在靶标容纳部内，靶标位于高低温光学组件的焦平面处。

进一步地，靶标为多个，靶标轮具有多个靶标容纳部，多个靶标一一对应设置在多个靶标容纳部内，靶标包括圆孔靶、四杆靶或矩形靶。

进一步地，靶标具有相对设置的第一侧和第二侧，目标黑体组件设置在靶标的第一侧，目标黑体组件包括目标黑体辐射源和第一控制器，第一控制器用于控制目标黑体辐射源所产生的目标红外辐射的量，目标黑体辐射源的中间辐射孔与靶标的中轴相重合。

进一步地，背景黑体组件设置在靶标的第二侧，背景黑体组件包括背景黑体辐射源和第二控制器，第二控制器用于控制背景黑体辐射源所产生的背景红外辐射的量。

进一步地，高低温红外成像***检测装置还包括靶标底座、次镜底座和主镜底座，靶标组件设置在靶标底座上，次镜单元设置在次镜底座上，主镜单元设置在主镜底座上；第一消热差机构还包括第一锁紧部和第二锁紧部，第一锁紧部设置在靶标底座上，第二锁紧部设置在次镜底座上，第一铟钢棒的一端通过第一锁紧部与靶标组件连接，第一铟钢棒的另一端通过第二锁紧部与次镜单元连接；第二消热差机构还包括第三锁紧部和第四锁紧部，第三锁紧部设置在平台支撑组件上，第四锁紧部设置在主镜底座上，第二铟钢棒的一端通过第三锁紧部与次镜单元连接，第二铟钢棒的另一端通过第四锁紧部与主镜单元连接。

进一步地，主镜单元包括主镜基底和第一金膜，第一金膜设置在主镜基底表面，次镜单元包括次镜基底和第二金膜，第二金膜设置在次镜基底表面，主镜基底和次镜基底的材质均为微晶材料。

进一步地，目标黑体组件还包括第一高发射率黑漆层，第一高发射率黑漆层设置在目标黑体辐射源表面；和/或背景黑体组件还包括第二高发射率黑漆层，第二高发射率黑漆层设置在背景黑体辐射源表面。

进一步地，目标黑体辐射源的辐射面半径范围为10mm至100mm，背景黑体辐射源的辐射面半径范围为30mm至200mm。

应用本发明的技术方案，通过在靶标组件和次镜单元之间设置第一消热差机构，在次镜单元和主镜单元之间设置第二消热差机构，在宽温范围内，当温度发生变化时，第一消热差机构能够保证靶标组件和次镜单元之间的距离不变，第二消热差机构能够保证次镜单元和主镜单元之间的距离不变，从而能够扩大高低温红外成像***检测装置的温度适应范围，提高光学***的成像质量。再者，由于本发明的靶标组件、目标黑体组件和背景黑体组件均可拆卸地设置在平台支撑组件上，在实际应用时，可根据测试参数和需要进行各模块组合，从而能够极大地减小***的空间体积，减少***复杂程度，提高光路对准的精度以及检测装置的可扩展性。

附图说明

所包括的附图用来提供对本发明实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本发明的实施例，并与文字描述一起来阐释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了根据本发明的具体实施例提供的高低温红外成像***检测装置的结构示意图；

图2示出了图1中的高低温红外成像***检测装置的俯视图；

图3示出了根据本发明的具体实施例提供的高低温红外成像***检测装置的工作结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、平台支撑组件；11、基座；12、靶标底座支撑座；13、主镜底座支撑座；20、目标黑体组件；30、背景黑体组件；40、靶标组件；50、高低温光学组件；51、主镜单元；52、次镜单元；60、第一消热差机构；70、第二消热差机构；80、靶标底座；90、次镜底座；100、主镜底座。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

如图1所示，根据本发明的具体实施例提供了一种高低温红外成像***检测装置，该红外成像***监测装置包括平台支撑组件10、目标黑体组件20、背景黑体组件30、靶标组件40、高低温光学组件50、第一消热差机构60和第二消热差机构70，其中，目标黑体组件20可拆卸地设置在平台支撑组件10上，目标黑体组件20用于产生目标红外辐射，背景黑体组件30可拆卸地设置在平台支撑组件10上，背景黑体组件30用于产生背景红外辐射，靶标组件40可拆卸地设置在平台支撑组件10上，靶标组件40设置在目标黑体组件20和背景黑体组件30之间，高低温光学组件50包括主镜单元51和次镜单元52，靶标组件40位于高低温光学组件50的焦平面处，目标黑体组件20所产生的目标红外辐射和背景黑体组件30所产生的背景红外辐射均通过靶标组件40进入高低温光学组件50，高低温光学组件50用于形成带有背景的红外目标以用于红外成像***的仿真测试，第一消热差机构60设置在靶标组件40和次镜单元52之间，第二消热差机构70设置在次镜单元52和主镜单元51之间；其中，在宽温范围内，当温度发生变化时，第一消热差机构60用于保证靶标组件40和次镜单元52之间的距离不变，第二消热差机构70用于保证次镜单元52和主镜单元51之间的距离不变，宽温范围为-60℃至70℃。

应用此种配置方式，通过在靶标组件40和次镜单元52之间设置第一消热差机构60，在次镜单元52和主镜单元51之间设置第二消热差机构70，在宽温范围内，当温度发生变化时，第一消热差机构60能够保证靶标组件40和次镜单元52之间的距离不变，第二消热差机构70能够保证次镜单元52和主镜单元51之间的距离不变，从而能够扩大高低温红外成像***检测装置的温度适应范围，提高光学***的成像质量。再者，由于本发明的靶标组件40、目标黑体组件20和背景黑体组件30均可拆卸地设置在平台支撑组件10上，在实际应用时，可根据测试参数和需要进行各模块组合，从而能够极大地减小***的空间体积，减少***复杂程度，提高光路对准的精度以及检测装置的可扩展性。

作为本发明的一个具体实施例，当需要模拟背景温度为环境温度的特征目标时，可将背景黑体组件30从平台支撑组件10上移除。当需要模拟目标为环境温度、背景为背景黑体温度的特征目标时，可将目标黑体组件20从平台支撑组件10上移除。此外，也可更换靶标组件40，以测试更多的目标参数。本发明的此种方式可根据测试参数和需要进行各模块组合，极大地减小了***的空间体积，提高了检测装置的可扩展性。

进一步地，在本发明中，如图1和图2所示，第一消热差机构60包括第一铟钢棒，第二消热差机构70包括第二铟钢棒，第一铟钢棒的一端与靶标组件40连接，第一铟钢棒的另一端与次镜单元52连接，第二铟钢棒的一端与次镜单元52连接，第二铟钢棒的另一端与主镜单元51连接。

应用此种配置方式，由于第一铟钢棒和第二铟钢棒的线膨胀系数极小，在宽温范围内，当温度变化时，第一铟钢棒和第二铟钢棒基本不发生变化，从而能够保持靶标组件40和次镜单元52之间的距离以及次镜单元52和主镜单元51之间的距离不变，由此能够保证光学***的成像质量不会随着温度变化发生明显改变。

进一步地，在本发明中，靶标组件40包括靶标轮和靶标，靶标轮具有靶标容纳部，靶标设置在靶标容纳部内，靶标位于高低温光学组件50的焦平面处。作为本发明的一个具体实施例，在靶标轮上设置有通孔，通孔形成了靶标容纳部。进一步地，为了能够模拟不同特征图案的目标，可将靶标组件配置为包括多个靶标，在靶标轮上设置有多个靶标通孔，多个靶标一一对应地设置在多个靶标通孔内，靶标种类包括圆孔靶、四杆靶或矩形靶。其中，靶标选用铟钢材料制成，以使其能够适用于大范围的工作温度。

进一步地，在本发明中，靶标具有相对设置的第一侧和第二侧，目标黑体组件20设置在靶标的第一侧，为了生成目标红外辐射，可将目标黑体组件20配置为包括目标黑体辐射源和第一控制器，第一控制器用于控制目标黑体辐射源所产生的目标红外辐射的量，目标黑体辐射源的中间辐射孔与靶标的中轴相重合。

作为本发明的一个具体实施例，如图1至图3所示，目标黑体辐射源位于靶标的正后方，目标黑体辐射源的辐射孔和靶标中轴相重合，其中，目标黑体辐射源的辐射面半径范围为10mm至100mm。进一步地，在本发明中，为了提高目标黑体辐射源的发射率，进而提高模拟精度，可将目标黑体组件20配置为还包括第一高发射率黑漆层，第一高发射率黑漆层设置在目标黑体辐射源表面。

进一步地，在本发明中，背景黑体组件30设置在靶标的第二侧，为了生成背景红外辐射，背景黑体组件30包括背景黑体辐射源和第二控制器，第二控制器用于控制背景黑体辐射源所产生的背景红外辐射的量。作为本发明的一个具体实施例，如图1至图3所示，背景黑体辐射源位于靶标的对面，背景黑体辐射源的中心高和靶标的中心高相重合，背景黑体辐射源的辐射面半径范围为30mm至200mm。进一步地，在本发明中，为了提高背景黑体辐射源的发射率，进而提高模拟精度，可将背景黑体组件30配置为还包括第二高发射率黑漆层，第二高发射率黑漆层设置在背景黑体辐射源表面。

此外，在本发明中，选用面源黑体作为目标黑体辐射源和背景黑体辐射源，由于面源黑体的辐射方向性较差，在装调光路时对光路准确度要求较低，黑体通过黑体辐射理论，在其升温至一定温度(环境温度至120℃以内的某一温度)时，其可以辐射出一定的红外辐射，以用于红外辐射定标使用。

进一步地，在本发明中，高低温红外成像***检测装置还包括靶标底座80、次镜底座90和主镜底座100，靶标组件40设置在靶标底座80上，次镜单元52设置在次镜底座90上，主镜单元51设置在主镜底座100上，第一消热差机构60还包括第一锁紧部和第二锁紧部，第一锁紧部设置在靶标底座80上，第二锁紧部设置在次镜底座90上，第一铟钢棒的一端通过第一锁紧部与靶标组件40连接，第一铟钢棒的另一端通过第二锁紧部与次镜单元52连接；第二消热差机构70还包括第三锁紧部和第四锁紧部，第三锁紧部设置在平台支撑组件10上，第四锁紧部设置在主镜底座100上，第二铟钢棒的一端通过第三锁紧部与次镜单元52连接，第二铟钢棒的另一端通过第四锁紧部与主镜单元51连接。

此外，在本发明中，平台支撑组件10包括基座11、靶标底座支撑座12和主镜底座支撑座13，靶标底座支撑座12和主镜底座支撑座13均固定设置在基座11上，其中，靶标底座80设置在靶标底座支撑座12上，主镜底座100设置在主镜底座支撑座13上，第三锁紧部固定设置在平台支撑组件10上，第二锁紧部固定设置在第三锁紧部上，次镜底座90固定设置在第三锁紧部上，第一铟钢棒和第二铟钢棒呈夹角设置。

进一步地，在本发明中，高低温光学组件50采用反射式光学结构，主镜单元51包括主镜基底和第一金膜，第一金膜设置在主镜基底表面，次镜单元52包括次镜基底和第二金膜，第二金膜设置在次镜基底表面，主镜基底和次镜基底的材质均为微晶材料。

应用此种配置方式，通过将主镜基底和次镜基底的材质均配置为线膨胀系数较小的微晶材料，从而能够避免温度发生大变化时主镜基底和次镜基底发生变化。通过在主镜基底表面上设置第一金膜以及在次镜基底表面上设置第二金膜，能够提高主镜单元和次镜单元的反射率，从而提高模拟精度。其中，主镜单元51和次镜单元52的口径范围均为10mm至500mm，主镜单元51设置在主镜底座100上，次镜单元52设置在次镜底座90上，在主镜底座100和次镜底座90的下部设置有第二铟钢棒，由于第二铟钢棒的线膨胀系数极小，从而能够保证主镜单元51和次镜单元52之间的距离不随温度发生变化。

为了对本发明有进一步地了解，下面结合图1至图3对本发明的高低温红外成像***检测装置的工作过程进行详细说明。

如图1至图3所示，本发明采用高低温平行光管作为高低温红外成像***检测装置，该高低温平行光管包括平台支撑组件10、目标黑体组件20、背景黑体组件30、靶标组件40、高低温光学组件50、第一消热差机构60和第二消热差机构70，靶标组件40的靶标轮上均匀分布着六个靶标孔，每个靶标孔内安装有一个高反射率的靶标。通过本发明的高低温平行光管可以模拟一个带有背景的红外目标。

具体地，高低温平行光管工作在高低温箱内，第一控制器控制目标黑体组件20以产生一定量的目标红外辐射，目标黑体辐射源位于靶标的正后方，目标黑体辐射源的中间辐射孔与靶标的中轴相重合，目标黑体辐射源发出的目标红外辐射穿过靶标孔进入高低温光学组件50。背景黑体辐射源的中心高和靶标的中心高重合，背景黑体辐射源发出的红外辐射通过靶标的反射面后进入高低温光学组件50。靶标组件40放置于高低温光学组件50的焦平面处，高低温光学组件50将靶标处的目标红外辐射和背景红外辐射收集后并准直，在出瞳处形成无穷远的、均匀的、无渐晕的、清晰的带有背景的红外标准图像，红外成像器接收到带有背景的红外目标后产生对应的响应，根据特定的数学模型，即可完成对红外成像器的测试。

在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述高低温红外成像***检测装置包括：

平台支撑组件(10)；

目标黑体组件(20)，所述目标黑体组件(20)可拆卸地设置在平台支撑组件(10)上，所述目标黑体组件(20)用于产生目标红外辐射；

背景黑体组件(30)，所述背景黑体组件(30)可拆卸地设置在所述平台支撑组件(10)上，所述背景黑体组件(30)用于产生背景红外辐射；

靶标组件(40)，所述靶标组件(40)可拆卸地设置在所述平台支撑组件(10)上，所述靶标组件(40)设置在所述目标黑体组件(20)和所述背景黑体组件(30)之间；

高低温光学组件(50)，所述高低温光学组件(50)包括主镜单元(51)和次镜单元(52)，所述靶标组件(40)位于所述高低温光学组件(50)的焦平面处，所述目标黑体组件(20)所产生的目标红外辐射和所述背景黑体组件(30)所产生的背景红外辐射均通过所述靶标组件(40)进入所述高低温光学组件(50)，所述高低温光学组件(50)用于形成带有背景的红外目标以用于红外成像***的仿真测试；

第一消热差机构(60)和第二消热差机构(70)，所述第一消热差机构(60)设置在所述靶标组件(40)和所述次镜单元(52)之间，所述第二消热差机构(70)设置在所述次镜单元(52)和所述主镜单元(51)之间；其中，在宽温范围内，当温度发生变化时，所述第一消热差机构(60)用于保证所述靶标组件(40)和所述次镜单元(52)之间的距离不变，所述第二消热差机构(70)用于保证所述次镜单元(52)和所述主镜单元(51)之间的距离不变，所述宽温范围为-60℃至70℃。

2.根据权利要求1所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述第一消热差机构(60)包括第一铟钢棒，所述第二消热差机构(70)包括第二铟钢棒，所述第一铟钢棒的一端与所述靶标组件(40)连接，所述第一铟钢棒的另一端与所述次镜单元(52)连接，所述第二铟钢棒的一端与所述次镜单元(52)连接，所述第二铟钢棒的另一端与所述主镜单元(51)连接。

3.根据权利要求1或2所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述靶标组件(40)包括靶标轮和靶标，所述靶标轮具有靶标容纳部，所述靶标设置在所述靶标容纳部内，所述靶标位于所述高低温光学组件(50)的焦平面处。

4.根据权利要求3所述的红外成像***检测装置，其特征在于，所述靶标为多个，所述靶标轮具有多个靶标容纳部，多个所述靶标一一对应设置在多个所述靶标容纳部内，所述靶标包括圆孔靶、四杆靶或矩形靶。

5.根据权利要求3所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述靶标具有相对设置的第一侧和第二侧，所述目标黑体组件(20)设置在所述靶标的第一侧，所述目标黑体组件(20)包括目标黑体辐射源和第一控制器，所述第一控制器用于控制所述目标黑体辐射源所产生的目标红外辐射的量，所述目标黑体辐射源的中间辐射孔与所述靶标的中轴相重合。

6.根据权利要求5所述的红外成像***检测装置，其特征在于，所述背景黑体组件(30)设置在所述靶标的第二侧，所述背景黑体组件(30)包括背景黑体辐射源和第二控制器，所述第二控制器用于控制所述背景黑体辐射源所产生的背景红外辐射的量。

7.根据权利要求2所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述高低温红外成像***检测装置还包括靶标底座(80)、次镜底座(90)和主镜底座(100)，所述靶标组件(40)设置在所述靶标底座(80)上，所述次镜单元(52)设置在所述次镜底座(90)上，所述主镜单元(51)设置在主镜底座(100)上；所述第一消热差机构(60)还包括第一锁紧部和第二锁紧部，所述第一锁紧部设置在所述靶标底座(80)上，所述第二锁紧部设置在所述次镜底座(90)上，所述第一铟钢棒的一端通过所述第一锁紧部与所述靶标组件(40)连接，所述第一铟钢棒的另一端通过所述第二锁紧部与所述次镜单元(52)连接；所述第二消热差机构(70)还包括第三锁紧部和第四锁紧部，所述第三锁紧部设置在所述平台支撑组件(10)上，所述第四锁紧部设置在所述主镜底座(100)上，所述第二铟钢棒的一端通过所述第三锁紧部与所述次镜单元(52)连接，所述第二铟钢棒的另一端通过所述第四锁紧部与所述主镜单元(51)连接。

8.根据权利要求6所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述主镜单元(51)包括主镜基底和第一金膜，所述第一金膜设置在所述主镜基底表面，所述次镜单元(52)包括次镜基底和第二金膜，所述第二金膜设置在所述次镜基底表面，所述主镜基底和所述次镜基底的材质均为微晶材料。

9.根据权利要求8所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述目标黑体组件(20)还包括第一高发射率黑漆层，所述第一高发射率黑漆层设置在所述目标黑体辐射源表面；和/或所述背景黑体组件(30)还包括第二高发射率黑漆层，所述第二高发射率黑漆层设置在所述背景黑体辐射源表面。

10.根据权利要求9所述的高低温红外成像***检测装置，其特征在于，所述目标黑体辐射源的辐射面半径范围为10mm至100mm，所述背景黑体辐射源的辐射面半径范围为30mm至200mm。