CN110010745A - 发光装置以及发光装置的制造方法 - Google Patents

发光装置以及发光装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110010745A
CN110010745A CN201811570316.9A CN201811570316A CN110010745A CN 110010745 A CN110010745 A CN 110010745A CN 201811570316 A CN201811570316 A CN 201811570316A CN 110010745 A CN110010745 A CN 110010745A
Authority
CN
China
Prior art keywords
component
light
emitting device
light emitting
wavelength convert
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811570316.9A
Other languages
English (en)
Inventor
桥本启
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018123620A external-priority patent/JP6658808B2/ja
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of CN110010745A publication Critical patent/CN110010745A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供在发光时发光区域与非发光区域的对比度大并且在非发光时发光装置的上表面整体成为波长转换部件的色彩的发光装置以及发光装置的制造方法。发光装置(100)具备：具有发光面和侧面的发光元件(1)；设置于发光元件(1)的侧面的反射部件(2)；设置在发光元件(1)的发光面上以及反射部件(2)上的波长转换部件(3)；以及对波长转换部件(3)的外侧面的从上端至下端进行被覆的被覆部件(5)，被覆部件(5)含有反射物质以及着色物质，波长转换部件(3)的体色与被覆部件(5)的体色为同系色。

Description

发光装置以及发光装置的制造方法
技术领域
本公开涉及发光装置以及发光装置的制造方法。
背景技术
例如专利文献1记载有在发光元件上粘合荧光体板，并由光反射性的白色部件被覆其周围的发光装置。这样的发光装置的上表面由荧光体板所含有的荧光体的颜色(例如黄色)、和白色部件的颜色(白色)这两个颜色构成。
专利文献1：日本特开2013-12545号公报
以往的发光装置例如作为智能手机的相机的闪光灯等照明装置的光源而使用的情况下，在非发光时，导致透镜映入荧光体的颜色和白色部件的颜色。因此，例如，根据智能手机、其外壳的外观设计的不同，以往的发光装置有时在非发光时发光装置的上表面整体未成为波长转换部件的色彩，外观不优选。
发明内容
本发明的实施方式的课题在于提供在发光时发光区域与非发光区域的对比度大，并且在非发光时发光装置的上表面整体成为波长转换部件的色彩的发光装置以及发光装置的制造方法。
本公开的实施方式的发光装置具备：发光元件，其具有发光面和侧面；反射部件，其设置于上述发光元件的侧面；波长转换部件，其设置在上述发光元件的发光面上以及上述反射部件上；以及被覆部件，其对上述波长转换部件的外侧面的从上端至下端进行被覆，上述被覆部件含有反射物质以及着色物质，上述波长转换部件的体色与上述被覆部件的体色为同系色。
本公开的实施方式的发光装置的制造方法包括：在具有第一面和与上述第一面的相反一侧的第二面的波长转换部件的上述第一面以使发光面与上述第一面对面的方式载置发光元件的工序；由反射部件来被覆上述发光元件的工序；将上述发光元件的周围的上述波长转换部件的一部分除去，并使上述波长转换部件的外侧面露出的工序；以及通过含有反射物质以及着色物质且体色为与上述波长转换部件的体色同系色的被覆部件来被覆上述波长转换部件的外侧面的工序。
根据本发明的实施方式的发光装置，能够使发光时发光区域与非发光区域的对比度变大，并且能够使非发光时发光装置的上表面整体成为波长转换部件的色彩。
根据本发明的实施方式的发光装置的制造方法，能够获得发光时的发光区域与非发光区域的对比度变大并且非发光时发光装置的上表面整体成为波长转换部件的色彩的发光装置。
附图说明
图1A是示意性地示出实施方式的发光装置的结构的立体图。
图1B是图1A的IB-IB线的剖视图。
图1C是示意性地示出实施方式的发光装置的结构的俯视图。
图1D是示意性地示出实施方式的发光装置的结构的仰视图。
图2是示意性地示出蒙塞尔色彩体系的色相的等色相面(5Y)的图。
图3是实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
图4A是表示在实施方式的发光装置的制造方法中在片材上形成波长转换部件的工序的剖视图。
图4B是表示在实施方式的发光装置的制造方法中载置发光元件的工序的剖视图。
图4C是表示在实施方式的发光装置的制造方法中由反射部件被覆发光元件等的工序的剖视图。
图5A是表示在实施方式的发光装置的制造方法中使波长转换部件的外侧面露出的工序的剖视图。
图5B是表示在实施方式的发光装置的制造方法中使波长转换部件的外侧面露出的工序的俯视图。
图6A是表示在实施方式的发光装置的制造方法中，通过被覆部件来被覆波长转换部件的外侧面的工序的剖视图。
图6B是表示在实施方式的发光装置的制造方法中，使电极从反射部件露出的工序的剖视图。
图7A是表示在实施方式的发光装置的制造方法中转印于其他片材的工序的剖视图。
图7B是表示在实施方式的发光装置的制造方法中对发光装置的上表面进行整理的工序的剖视图。
图7C是表示在实施方式的发光装置的制造方法中按每个装置进行切断的工序的剖视图。
图8A是示意性地示出其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
图8B是示意性地示出其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
图9A是表示在实施方式的发光装置的其他制造方法中使波长转换部件的外侧面露出的工序的剖视图。
图9B是表示在实施方式的发光装置的其他制造方法中由被覆部件被覆波长转换部件的外侧面的工序的剖视图。
图10A是表示在实施方式的发光装置的其他制造方法中使电极从反射部件露出的工序的剖视图。
图10B是表示在实施方式的发光装置的其他制造方法中转印于其他片材的工序的剖视图。
图10C是表示在实施方式的发光装置的其他制造方法中按每个装置进行切断的工序的剖视图。
图11是示意性地示出其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
图12是图11的其他实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
图13A是表示在图11的其他实施方式的发光装置的制造方法中准备被覆部件的工序的剖视图。
图13B是表示在图11的其他实施方式的发光装置的制造方法中在被覆部件设置贯通孔的工序的剖视图。
图13C是表示在图11的其他实施方式的发光装置的制造方法中填充波长转换部件的工序的剖视图。
图14A是表示在图11的其他实施方式的发光装置的制造方法中载置发光元件的工序的剖视图。
图14B是表示在图11的其他实施方式的发光装置的制造方法中由反射部件来被覆发光元件等的工序的剖视图。
图14C是表示在图11的其他实施方式的发光装置的制造方法中使电极从反射部件露出的工序的剖视图。
图15是示意性地示出其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
图16是图15的其他实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
图17A是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中配置透光材料层叠片材的工序的剖视图。
图17B是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中由被覆部件被覆的工序的剖视图。
图17C是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中使透光层露出的工序的剖视图。
图17D是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中载置发光元件的工序的剖视图。
图18A是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中由反射部件被覆的工序的剖视图。
图18B是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中使电极露出的工序的剖视图。
图18C是表示在图15的其他实施方式的发光装置的制造方法中进行切断的工序的剖视图。
图19A是示意性地示出其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
图19B是示意性地示出其他实施方式的发光装置的结构的剖视图。
附图标记说明
1...发光元件；1a...发光元件的发光面；2...反射部件；2c...反射部件的外侧面；3...波长转换部件；3a...波长转换部件的第一面；3b...波长转换部件的第二面；3c...波长转换部件的外侧面；5...被覆部件；6...导光部件；7...透光层；11、12...电极；16...被覆部件的贯通孔；17、18...板状部件；20、21...片材；25...透光材料层叠片材；30...凹部；31...切断槽；41...反射层；42...金属层；43...电介质层；100、100A、100B、100C、100D、100E、100F...发光装置；a...特定的色彩；A...色彩的范围。
具体实施方式
<实施方式>
以下，参照附图对实施方式进行说明。但是，以下所示的方式例示出用于将本实施方式的技术思想具体化的发光装置以及发光装置的制造方法，不限定于以下内容。另外，实施方式所记载的结构部件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等只要没有特定的记载，则不旨在将本发明的范围限定于此，只不过是单纯的例示。此外，各附图所表示的部件的大小、位置关系等有时为了使说明明确而进行夸张。
[发光装置]
首先，对实施方式的发光装置进行说明。
如图1A～图1D所示，发光装置100具备发光元件1、反射部件2、波长转换部件3以及被覆部件5。另外，发光装置100在发光元件1的侧面设置有导光部件6。
发光装置100的上表面由发光区域和非发光区域构成。此外，发光区域是在发光装置100的上表面中发光时进行发光的区域(例如，波长转换部件3)，非发光区域是发光区域以外的区域(例如，被覆部件5)。
(发光元件)
发光元件1能够使用LED元件等半导体发光元件。发光元件1只要是在由各种半导体构成的元件构造设置有正负一对电极11、12的元件即可。特别优选发光元件1为能够高效地激发荧光体的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN，0≤x，0≤y，x+y≤1)。此外，发光元件1也可以是硫化锌系半导体、硒化锌系半导体、碳化硅系半导体。
(反射部件)
反射部件2是用于使来自发光元件1的光反射并经由波长转换部件3而将光取出的部件。反射部件2是用于使发光元件1发出并向横向或者下方行进的光向发光装置100的发光区域亦即波长转换部件3侧反射的部件。
反射部件2设置于发光元件1的侧面以及波长转换部件3的下方。具体而言，反射部件2被覆发光元件1的下表面(电极11、12侧)。并且，对于反射部件2而言，对发光元件1的侧面中的由导光部件6被覆的区域以经由导光部件6包围的方式进行被覆，对未由导光部件6被覆的区域直接覆盖发光元件侧面。
此外，反射部件2经由在发光元件1的侧面形成的导光部件6设置，但也可以不设置导光部件6，而直接设置于发光元件1的侧面。
反射部件2例如是含有反射物质的树脂层。反射部件2也可以构成为在母材或者成为粘合剂的树脂除了反射物质之外还含有填充剂。
粘合剂是用于使上述的反射物质、填充剂作为反射部件2而与发光元件1的侧面以及下表面(电极11、12侧)粘结的树脂。作为成为粘合剂的树脂，例如可举出：聚碳酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、有机硅树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂、聚氨酯树脂等。或者，作为成为粘合剂的树脂，例如可举出这些变性树脂、或含有一种以上这些树脂的混合树脂。其中，有机硅树脂或者其变性树脂耐热性、耐光性优异，固化后的体积收缩小，从而优选。
反射物质是使发光元件1发射的光反射的物质。作为反射物质，例如，可举出：二氧化硅、氧化钛、氧化硅、氧化铝、钛酸钾、氧化锌、氮化硼等。另外，也可以使用硅胶粉末等树脂的粉末。
填充剂是为了提高作为树脂层的反射部件2的强度，或者为了提高反射部件2的导热率等理由而添加的制剂。作为填充剂，例如可举出玻璃纤维、晶须、氧化铝、氧化硅、氮化硼、氧化锌、氮化铝等。
(导光部件)
导光部件6是使得从发光元件1容易取出光，并将来自发光元件1的光向波长转换部件3导光的部件。导光部件6能够提高光束以及光的提取效率。
导光部件6由使波长转换部件3与发光元件1接合的粘合部件攀爬在发光元件1的侧面而形成(制造时以上下颠倒的状态制造)。
作为导光部件6，例如能够使用透光性的树脂材料。另外，导光部件6可举出上述的反射部件2的母材或者成为粘合剂的树脂等透光性粘合材料。另外，也可以含有二氧化硅、氧化钛、氧化硅、氧化铝、钛酸钾、氧化锌、氮化硼等扩散剂。由此，能够更均衡地使光向波长转换部件3入射，能够抑制发光装置100的颜色不均。
如图1B所示，导光部件6以在剖面视部件宽度从发光元件1的下表面(电极11、12侧)朝向波长转换部件3变宽的方式以三角形状形成。通过成为这样的方式，从而光束以及光的提取效率进一步提高。但是，导光部件6的形状未特别规定。例如，导光部件6的形状也可以在反射部件2侧为凸形状，在发光元件1侧为凹形状。
导光部件6也可以被覆发光元件1的侧面的一部分，从提高光束以及光的提取效率的观点出发，更优选被覆发光元件1的侧面的大致全部。
另外，导光部件6也可以配置于波长转换部件3与发光元件1之间。
(波长转换部件)
波长转换部件3是含有对发光元件1所发出的波长的光的一部分进行吸收，并转换为不同波长的光而发光的波长转换物质的部件。波长转换部件3所使用的波长转换物质例如是荧光体。以下，对波长转换物质为荧光体的情况进行说明。
波长转换部件3设置在发光元件1的发光面上以及反射部件2上。
波长转换部件3的下表面、即与发光元件1的发光面对面的面形成为比发光元件1的上表面亦即发光面大。
波长转换部件3的母材或者粘合剂优选由透光性的树脂形成。作为这里的树脂，例如可举出：上述的反射部件2的母材或者成为粘合剂的树脂。其中，有机硅树脂或者其变性树脂耐热性、耐光性优异，固化后的体积收缩少，从而优选。另外，波长转换部件3的母材或者粘合剂也可以除了树脂之外还由玻璃形成。
作为波长转换部件3所含有的荧光体，例如，可举出以铈激活的钇铝石榴石、以铈激活的镥铝石榴石、以铈激活的铽铝石榴石、以铕和铬中的任一个或者两个激活的含氮的硅铝酸钙、以铕激活的赛隆、以铕激活的硅酸盐、以锰激活的氟硅酸钾等。
这里，如后述那样，只要波长转换部件3的体色与被覆部件5的体色为同系色，则荧光体本身的体色也可以是任意颜色。体色是指发光装置100的非发光时的部件本身的色彩。
例如，在荧光体本身的体色使用了白色系的荧光体的情况下，波长转换部件3的体色成为白色系。因此，如后述那样，若使波长转换部件3的体色和被覆部件5的体色成为同系色，则非发光时发光装置100的上表面整体成为白色系的色彩。
在将发光装置100例如用作相机的闪光灯等照明装置的白色光的光源的情况下，优选使用发光色为蓝色系的发光元件、和发光色为黄色系且体色为黄色系的荧光体。另外，优选使用发光色为蓝色系的发光元件、和发光色为橙色系且体色为橙色系的荧光体。
作为体色为黄色系且发光色为黄色的荧光体，例如可举出：钇铝石榴石系荧光体(YAG系荧光体)、镥铝石榴石系荧光体(LAG系荧光体)、铽铝石榴石系荧光体(TAG系荧光体)等。另外，作为体色为黄色系且发光色为红色系的荧光体，可举出KSF。这些荧光体的体色在后述的蒙塞尔色彩体系(20色相)的蒙塞尔色环中为10Y或者5Y。
作为体色为橙色系且发光色为红色系的荧光体，例如可举出SCASN、CASN等。这些荧光体的体色在后述的蒙塞尔色彩体系(20色相)的蒙塞尔色环中为10YR或者5YR。
另外，将发光色为黄色系荧光体且发光色为红色系荧光体混合，能够使发光色成为橙色系的荧光体。
另外，作为荧光体本身的体色为黄色系的荧光体以及橙色系的荧光体的颜色，例如可举出：后述的蒙塞尔色彩体系(20色相)的蒙塞尔色环中5YR、10YR、5Y、10Y的色相。
在作为荧光体本身的颜色为黄色系的荧光体的情况下，例如为10Y、5Y。在作为荧光体本身的颜色为橙色系的荧光体的情况下，例如为10YR、5YR。将荧光体本身的体色为黄色系的荧光体，且在蒙塞尔色彩体系(20色相)的蒙塞尔色环中为5Y的情况作为例子，以下进行说明。
在蒙塞尔色彩体系中，明度例如为7以上且9以下。
另外，在蒙塞尔色彩体系中，彩度例如为4以上且14以下。
另外，如后述那样，在被覆部件5包含波长转换物质的情况下，波长转换部件3优选包含与被覆部件5所含的波长转换物质的组成相同的波长转换物质。根据这样的结构，非发光时的发光装置100的上表面整体的色彩容易成为与波长转换部件3的色彩相同。
波长转换部件3也可以含有扩散剂。扩散剂是为了使发光元件1以及荧光体的发出光高效地扩散而添加。作为扩散剂，例如可举出与上述的反射部件2的反射物质相同的物质。
波长转换部件3的上下方向的厚度能够根据荧光体的含量、发光元件1发出的光与波长转换后的光的混色后的色调等来决定，但例如能够为50μm以上且300μm以下。
(被覆部件)
被覆部件5是被覆波长转换部件3的外侧面以及反射部件2的外侧面的部件。这里，被覆部件5被覆波长转换部件3的外侧面的从上端直至下端，并且被覆反射部件2的外侧面的从上端直至下端。被覆部件5形成发光装置100的侧面的一部分。
被覆部件5例如为树脂层。作为用作被覆部件5的母材或者粘合剂的树脂，例如可举出：成为上述的反射部件2的母材或者粘合剂的树脂。其中，环氧树脂或者其变性树脂粘合性、气体阻隔性优异，从而优选。另外，有机硅树脂或者其变性树脂耐热性、耐光性优异，固化后的体积收缩少，从而优选。
被覆部件5包括反射物质以及着色物质。
作为反射物质，例如可举出能够用于反射部件2的反射物质。
反射物质相对于被覆部件5的含量优选相对于被覆部件5的全质量为30质量％以上且70质量％以下。若反射物质相对于被覆部件5的含量为30质量％以上，则能够使发光时的发光区域与非发光区域的对比度进一步变大。另一方面，若反射物质相对于被覆部件5的含量为70质量％以下，则经济性提高。
着色物质包括波长转换物质、颜料以及染料的任一个。作为波长转换物质，可举出与波长转换部件3所含有的波长转换物质相同的物质。
作为颜料，未特别限定，例如有使用了无机系材料、有机系材料的颜料，可举出使用了以下的材料的颜料。
作为无机系材料，例如可举出：红色氧化物(Fe2O3)、铅丹(Pb3O4)、钛镍锑系氧化物、钛镍钡系氧化物、钛铬锑系氧化物、钛铬铌系氧化物等。
作为有机系材料，例如可举出：蒽醌系、偶氮系、喹吖啶酮系、二萘嵌苯系、吡咯并吡咯二酮系、单偶氮系、双偶氮系、吡唑啉酮系、苯并咪唑酮系、喹喔啉系、偶氮甲碱系、异吲哚啉酮系、异吲哚啉系等。
作为染料，未特别限定，但例如可举出：蒽醌系染料、次甲基系染料、偶氮甲碱系染料、噁嗪系染料、偶氮系染料、苯乙烯系染料、香豆素系染料、卟啉系染料、二苯并呋喃酮系染料、吡咯并吡咯二酮系染料、罗丹明系染料、呫吨系染料、吡咯亚甲基系染料等。
此外，颜料以及染料基本上不将来自发光元件1的光转换为不同波长为佳。
波长转换部件3的体色与被覆部件5的体色为同系色。这里，同系色是指：在蒙塞尔色彩体系(20色相)中，色相：色相环(20值域)的3值域以内，明度：3值域以内，彩度：3值域以内。
即，在蒙塞尔色彩体系(20色相)的色相环中，以规定的色相为基准，所述规定的色相与配置在其两侧相邻的色相为同系色；同样地，在蒙塞尔色彩体系(20色相)的等色相面中，明度是以规定值的明度为基准，所述规定值的明度与其±1的数值的明度(即两侧相邻的明度)为同系色；在蒙塞尔色彩体系(20色相)的等色相面中，彩度是以规定值的彩度为基准，所述规定值的彩度与其±1的数值的彩度(即两侧相邻的彩度)为同系色。
具体而言，如图2所示，例如，在Y(黄色)系的色相的等色相面(5Y)中，将特定的色彩设为色彩a的情况下，范围A为同系色。
体色的测定能够使用例如分光测色计CM系列(柯尼卡美能达公司制造)、色彩色差计CR系列(柯尼卡美能达公司制造)等测定器来进行。在这样的测定器中，使用具备氙气灯的光源和硅光电二极管的受光元件，并能够由平面衍射光栅进行分光，能够进行蒙塞尔色彩体系下的输出的测定器即可。
波长转换部件3的体色和被覆部件5的体色为同系色，从而能够使非发光时发光装置100的上表面整体成为波长转换部件3的色彩。
此外，非发光时发光装置100的上表面整体成为波长转换部件3的色彩除了发光装置100的上表面整体的色彩成为与波长转换部件3的色彩相同的情况以外，还包括成为相同程度的情况。相同程度是指在例如前述的蒙塞尔色彩体系(20色相)的色相环、等色相面中，色相、明度、彩度都能够均包含到两侧相邻为止。
被覆部件5的宽度方向的厚度优选为20μm以上且200μm以下。若被覆部件5的宽度方向的厚度为20μm以上，则非发光时的发光装置100的上表面整体的色彩容易成为与波长转换部件3的色彩相同。另一方面，若被覆部件5的宽度方向的厚度为200μm以下，则能够实现发光装置100的小型化。
<发光装置的动作>
接下来，对发光装置100的动作进行说明。
若驱动发光装置100，则经由电极11、12而从外部电源向发光元件1供给电力，发光元件1发光。发光元件1发出的光的一部分由反射部件2反射，在波长转换部件3通过而向外部被取出。此时，被覆部件5包含反射物质，从而发光装置100的上表面的发光区域与非发光区域的对比度(亮度之差)变大。
[发光装置的制造方法]
接下来，参照图3～图7C对实施方式的发光装置100的制造方法的一个例子进行说明。此外，图4A～图7C示意性地示出同时制造多个发光装置100时的一个发光装置100。
如图3所示，实施方式的发光装置100的制造方法包括：在片材上形成波长转换部件的工序S101、载置发光元件的工序S102、由反射部件进行被覆的工序S103、使波长转换部件的外侧面露出的工序S104、由被覆部件进行被覆的工序S105、使电极露出的工序S106、转印于其他片材的工序S107、对发光装置的上表面进行整理的工序S108、以及进行切断的工序S109，并依次进行。
此外，针对各部件的材质、配置等，为如上述的发光装置100的说明中叙述的那样，这里适当地省略说明。
(在片材上形成波长转换部件的工序)
如图4A所示，在片材上形成波长转换部件的工序S101是在树脂等片材20上形成波长转换部件3的工序。
波长转换部件3向片材20上的形成能够通过例如印刷法、压缩成形法、磷电沉积法、或者层叠板状的波长转换部件的方法等来进行。
(载置发光元件的工序)
如图4B所示，载置发光元件的工序S102是使发光面1a与波长转换部件3的第一面3a对面而载置发光元件1的工序，该波长转换部件3具有第一面3a和与第一面3a相反一侧的第二面3b。
在该工序S102中，发光元件1使发光元件1的设置有电极11、12侧的相反面、即发光面1a经由粘合部件而与波长转换部件3的第一面3a接合。此时，在配光等观点中，优选以波长转换部件3的第一面3a的中心与发光元件1的发光面1a中心一致的方式接合。
这里，通过调整粘合部件的量，从而能够使粘合部件攀爬于发光元件1的侧面，在发光元件1的侧面形成粘合部件。由此，发光装置100成为在发光元件1的侧面设置有作为粘合部件的导光部件6的方式。
另外，作为粘合部件的导光部件6也可以在发光元件1的发光面1a与波长转换部件3的第一面3a之间以上下方向的规定的厚度配置。由此，能够使发光元件1与波长转换部件3更稳固地粘合。此外，虽未图示，但这里在发光元件1的发光面1a与波长转换部件3的第一面3a之间，为了发光元件1与波长转换部件3的接合而以极薄的状态夹有粘合部件。
(由反射部件进行被覆的工序)
如图4C所示，由反射部件进行被覆的工序S103是由反射部件2来被覆载置在波长转换部件3上的发光元件1的工序。
在该工序S103中，由反射部件2被覆包含电极11、12在内的发光元件1的全部。在该工序S103中，从波长转换部件3的面直至电极11、12的上表面设置有反射部件2。
基于反射部件2的发光元件1的被覆例如能够使用排出装置(分配器)来进行，该排出装置能够在固定的片材20的上侧相对于片材20而沿上下方向或水平方向等移动(可动)。基于反射部件2的发光元件1的被覆能够通过使用排出装置而将构成反射部件2的树脂等填充在波长转换部件3上来进行。
另外，也能够通过压缩成形法、传递模塑法等来被覆。
(使波长转换部件的外侧面露出的工序)
如图5A、图5B所示，使波长转换部件的外侧面露出的工序S104是将发光元件1的周围的波长转换部件3的一部分除去，并使波长转换部件3的外侧面3c露出的工序。波长转换部件3的一部分的除去从波长转换部件3的成为第一面3a侧的反射部件2侧进行。
在该工序S104中，贯通反射部件2、波长转换部件3，并形成凹部30直至片材20的厚度内。在该工序S104中，在对发光元件1进行了单片化时，在形成有被覆部件5的位置形成凹部30。通过该凹部30的形成，使波长转换部件3的外侧面3c露出。
凹部30的形成例如能够通过使用规定宽度的刀片从反射部件2的上表面朝向片材20以垂直方向或者具有倾斜地将部件除去来进行。详细而言，凹部30的形成能够通过贯通反射部件2，进一步贯通波长转换部件3而将片材20的一部分除去来进行。
此外，凹部30的形成也可以通过激光进行，也可以通过蚀刻进行。
另外，凹部30只要在发光元件1的周围，可以形成于任何位置。也可以是，在发光元件1的侧面配置有导光部件6的情况下，以将导光部件6的一部分除去的方式形成凹部30。如图5A、图5B所示，为了提高发光效率，优选形成于比导光部件6靠外侧。
(由被覆部件进行被覆的工序)
如图6A所示，由被覆部件进行被覆的工序S105是使波长转换部件3的外侧面3c含有反射物质以及着色物质，并由体色与波长转换部件3的体色同系色的被覆部件5被覆的工序。
在该工序S105中，经由在凹部30内填充被覆部件5而由被覆部件5对波长转换部件3的外侧面3c以及反射部件2的外侧面2c进行被覆的程序来形成被覆部件5。通过该工序S105，在凹部30内形成有被覆部件5。
被覆部件5的填充能够通过例如印刷法、压缩成形法、电沉积法等来进行。另外，被覆部件5的填充能够使用上述的树脂排出装置来进行。
这里，以使波长转换部件3的体色与被覆部件5的体色成为同系色的方式选择材料。
(使电极露出的工序)
如图6B所示，使电极露出的工序S106是将电极11、12侧的反射部件2的一部分、以及被覆部件5的一部分除去以使发光元件1的电极11、12露出的工序。
在该工序S106中，例如，从电极11、12侧将反射部件2以及被覆部件5的表面除去直至电极11、12露出为止。作为除去反射部件2以及被覆部件5的方法，例如有磨削、研磨、喷砂等。
(转印于其他片材的工序)
如图7A所示，转印于其他片材的工序S107是将使电极11、12露出的构造体转印于树脂等其他片材21的工序。
在该工序S107中，以使从反射部件2露出的电极11、12粘合于片材21的方式在片材21上载置构造体。
此外，在转印于其他片材21前或者后，将用于波长转换部件3的形成的片材20除去。
(对发光装置的上表面进行整理的工序)
如图7B所示，对发光装置的上表面进行整理的工序S108是通过除去片材20而将在波长转换部件3的第二面3b侧露出的被覆部件5的一部分除去，并对发光装置的上表面进行整理的工序。
在该工序S108中，例如通过将发光装置的上表面的一部分除去，从而沿着波长转换部件3的第二面3b而使发光装置的上表面变平滑。
(进行切断的工序)
如图7C所示，进行切断的工序S109是通过包括被覆部件5的切断线进行切断的工序。即，进行切断的工序S109是对一次形成多个的发光装置100的集合体进行单片化的工序。
在该工序S109中，预先决定用于使发光装置100的集合体单片化的切断线。该切断线预先规定为使切断槽31位于被覆部件5的中心侧而能够在切断槽31的左右配置被覆部件5。即，以如下方式预先规定切断线，即在集合体进行单片化时，被覆部件5被向切断槽31的左右分开并切断，最终在发光装置100的外周作为被覆部件5而形成。此外，图4A～图7C中仅图示出一个发光装置100，但实际上沿行列方向排列多个形成，并以使其一个单片化的方式进行切断。
集合体的单片化例如通过沿着切断槽31的宽度方向的中央附近进行切断直至片材21来进行。此外，切断槽31优选以达到片材21的一部分的方式进行切断。
集合体的单片化能够通过沿着切断槽31用刀片进行切断的切割方法等以往公知的方法来实施。
而且，通过该集合体的单片化，获得多个发光装置100。
此外，在片材20、21上配置并形成多个发光元件1的情况下，切断槽31也可以形成于所有的发光元件间，也可以以多个发光元件1为单位形成。
例如，通过以发光元件1为单位形成凹部30，以两个发光元件为单位形成切断槽31，以两个发光元件1为单位由切断槽31进行切断，从而获得图19A所示那样的发光装置100E。
另外，例如，通过以两个发光元件1为单位形成凹部30以及切断槽31，并由切断槽31进行切断，从而获得图19B所示那样的发光装置100F。
以上，通过用于实施发明的方式针对本实施方式的发光装置以及发光装置的制造方法具体地进行了说明。但是，本发明的主旨不限定于这些记载，应该基于权利要求书的记载而广泛地解释。另外，基于这些记载而进行了各种变更、改变等的方式也包含于本发明的主旨。
以下，对其他实施方式进行说明。
如图8A所示的发光装置100A那样，被覆部件5也可以仅被覆波长转换部件3。
根据该结构，发光装置能够实现轻型化。另外，发光装置减少材料费。
发光装置100A在由被覆部件进行被覆的工序S105中，能够通过进行蚀刻，或使用掩模等来制造。
另外，也可以不设置导光部件6。另外，导光部件6也可以如图8B所示的发光装置100B那样，不仅设置于发光元件1的侧面，还设置于发光元件1与波长转换部件3之间。在这种情况下，从使发光元件1与波长转换部件3更稳固地粘合的观点出发，而且从提高光束以及光的提取效率的观点出发，优选导光部件6的上下方向的厚度为0.5μm以上且20μm以下，更优选为0.5μm以上且10μm以下。另外，发光元件1除了一个情况的之外，也可以还设置多个。另外，发光装置也可以具备安装发光装置100的安装基板。
另外，波长转换部件3不仅可做成单层构造，也能做成多层构造。波长转换部件3若与被覆部件5的体色成为同系色，则也可以重叠多个含有不同波长转换物质的波长转换部件。另外，波长转换部件3也可以包含不含有波长转换物质的透光层。另外，也可以在波长转换部件3之上层叠不含有波长转换部件3的透光层、含有扩散剂的层、表面具有凹凸的层、凸透镜等透光部件。此外，图8B在波长转换部件3之上层叠透光层7。通过层叠透光层7，从而能够保护波长转换物质免受外部环境影响。
在波长转换部件3为层叠体且包括不含有波长转换物质的透光层的情况下，如图8B那样，优选将透光层7配置在波长转换部件3的第二面3b上。此外，在这种情况下，透光层7也可以作为波长转换部件3的一部分，但作为不含有波长转换物质的层，做成为与含有波长转换物质的波长转换部件3不同的层。通过将透光层7配置在波长转换部件3的第二面3b上，从而在将片材20除去，成为发光装置100B时，透光层7成为保护层而能够保护波长转换物质免受外部环境影响。
透光层7为透明部件，作为透光层7，可举出能够用于波长转换部件3的树脂等透光性的树脂、玻璃等。
此外，通过在形成波长转换部件的工序中预先在波长转换部件3的第二面3b侧设置不含有波长转换物质的透光层7，从而能够在对发光装置的上表面进行整理的工序S108中容易地整理发光装置的上表面。详细而言，通过在对发光装置的上表面进行整理时，不除去波长转换部件3而将不含有波长转换物质的透光层7的一部分除去，从而能够抑制发光色的变化以及波长转换部件3的体色变化。
上述的发光装置的制造方法在使波长转换部件的外侧面露出的工序S104中，从波长转换部件3的第一面3a侧进行波长转换部件3的一部分的除去。然而，如图9A所示，也可以从波长转换部件3的第二面3b侧进行波长转换部件3的一部分的除去。在这种情况下，能够通过使片材20为上方，从片材20的上表面朝向反射部件2以垂直方向或者具有倾斜地将部件除去而形成凹部30。凹部30的形成能够通过贯通片材20，进一步贯通波长转换部件3，而将反射部件2的一部分除去来进行。此时，反射部件2使发光元件1的电极11、12为下方，被除去直至比电极11、12的下表面靠下方的位置即可。此外，反射部件2的上下方向的厚度假定除去反射部件2的位置，适当地进行调整即可。
接下来，如图9B所示，发光装置的制造方法通过体色为与波长转换部件3的体色同系色的被覆部件5来被覆波长转换部件3的外侧面3c以及反射部件2的外侧面2c。接下来，如图10A所示，发光装置的制造方法将电极11、12侧的反射部件2的一部分以及被覆部件5的一部分除去以使发光元件1的电极11、12露出。接下来，如图10B所示，发光装置的制造方法将使电极11、12露出的构造体转印于树脂等其他片材21。转印后，将片材20、被覆部件5的一部分以及波长转换部件3的一部分除去。接下来，如图10C所示，发光装置的制造方法通过包括被覆部件5的切断线进行切断。
此外，对发光装置的上表面进行整理的工序S108也可以不进行，也可以为了使发光装置的上表面更平滑而进行。
针对其他的事项，与上述的发光装置的制造方法相同。
另外，也可以是，如图11所示的发光装置100C那样，被覆部件5被覆波长转换部件3的侧面，反射部件2设置至被覆部件5的下方。
以下，参照图12～图14C对图11所示的发光装置100C的制造方法的一个例子进行说明。此外，图13A～图14C示意性地示出同时制造多个发光装置100C时的一个发光装置100C。
如图12所示，发光装置100C的制造方法包括：准备板状部件的工序S20、载置发光元件的工序S205、由反射部件进行被覆的工序S206、使电极露出的工序S207、以及进行切断的工序S208，并依次进行。
此外，针对各部件的材质、配置等，如上述的发光装置100、100C的说明所叙述的那样，因此这里适当地省略说明。
<准备板状部件的工序〉
准备板状部件的工序S20是准备具有被覆部件5、和配置于被覆部件5的贯通孔16内的波长转换部件3的板状部件17的工序。
准备板状部件的工序包括准备被覆部件的工序S201、在被覆部件设置贯通孔的工序S202、以及填充波长转换部件的工序S21，并依次进行。
(准备被覆部件的工序)
如图13A所示，准备被覆部件的工序S201是准备片状的被覆部件5的工序。
(在被覆部件设置贯通孔的工序)
如图13B所示，在被覆部件设置贯通孔的工序S202是在片状的被覆部件5的规定部位设置贯通孔16的工序。
在该工序S202中，在发光装置100C的形成有波长转换部件3的部位形成贯通孔16。贯通孔16的形成例如能够通过使用冲孔模具而从被覆部件5的上表面朝向被覆部件5的下表面以垂直方向或者具有倾斜地对部件进行穿孔来进行。
贯通孔16的直径适当地选择即可。贯通孔16的直径例如能够成为200μm以上且1200μm以下。在贯通孔16的直径比发光元件1的直径大的情况下，能够提高光的提取效率。在贯通孔16的直径比发光元件1的直径小的情况下，能够缩小发光区域，并提高亮度。
另外，贯通孔16的形状例如可举出在俯视时，为矩形、六边形、圆形等。另外，贯通孔16的形状在配光等观点中，优选成为与发光元件1在数学上的相似形状。
[填充波长转换部件的工序]
如图13C所示，填充波长转换部件的工序S21是在贯通孔16内填充波长转换部件3的工序。
填充波长转换部件的工序S21包括准备波长转换部件的工序S203、和使波长转换物质偏置的工序S204，并依次进行。
(准备波长转换部件的工序)
准备波长转换部件的工序S203是准备包含波长转换物质以及树脂的波长转换部件3的工序。
在该工序S203中，将波长转换物质和树脂混合，制成波长转换部件3。
(使波长转换物质偏置的工序)
如图13C所示，使波长转换物质偏置的工序S204是在将波长转换部件3配置于贯通孔16内后，使波长转换物质40向波长转换部件3的第一面3a(载置有发光元件1的面)侧或者波长转换部件3的第二面3b(与载置有发光元件1的面相反一侧的面)侧偏置的工序。这里，针对使波长转换物质40向波长转换部件3的第一面3a侧偏置的情况进行图示。此外，在以后的附图中，省略波长转换物质40的图示。
在该工序S204中，在将波长转换部件3配置于贯通孔16内后，通过自然沉淀或者强制沉淀，使树脂中的波长转换物质40向波长转换部件3的第一面3a侧或者波长转换部件3的第二面3b侧偏置。其后，通过加热等使树脂固化。由此，获得波长转换物质40偏置的波长转换部件3。此外，在贯通孔16内配置波长转换部件3的情况下，在贯通孔16的一方的开口侧配置有片材等。
另外，优选波长转换物质40向波长转换部件3的第一面3a侧偏置。由此，在波长转换部件3的第二面3b侧基本上不包含波长转换物质40，能够保护波长转换部件3免受外部环境影响。
(载置发光元件的工序)
如图14A所示，载置发光元件的工序S205是使发光面1a与被覆部件5所围起的波长转换部件3的第一面3a对面而载置发光元件1的工序。
该工序S205与发光装置100的制造方法中说明的载置发光元件的工序S102大致相同，因此这里省略说明。
(由反射部件进行被覆的工序)
如图14B所示，由反射部件进行被覆的工序S206是由反射部件2来被覆载置在波长转换部件3上的发光元件1的工序。
在该工序S206中，由反射部件2来被覆含有电极11、12的发光元件1的全部。在该工序S206中，从波长转换部件3的面以及被覆部件5的面直至电极11、12的上表面设置有反射部件2。
基于反射部件2的发光元件1的被覆例如能够使用排出装置(分配器)来进行，该排出装置在固定的板状部件17(具有被覆部件5和波长转换部件3的部件(参照图13C))的上侧，相对于板状部件17沿上下方向或水平方向等能够移动(可动)。基于反射部件2的发光元件1的被覆能够通过使用排出装置而将构成反射部件2的树脂等填充在板状部件17上来进行。
另外，也能够通过压缩成形法、传递模塑法等来进行被覆。
(使电极露出的工序)
如图14C所示，使电极露出的工序S207是将电极11、12侧的反射部件2的一部分除去以使发光元件1的电极11、12露出的工序。
在该工序S207中，例如，从电极11、12侧将反射部件2的表面除去直至电极11、12露出为止。作为除去反射部件2的方法，例如有磨削、研磨、喷砂等。
(进行切断的工序)
进行切断的工序S208是利用切断线对多个沿行列方向排列的发光装置100C的集合体进行切断的工序。即，进行切断的工序S208是对一次形成多个的发光装置100C的集合体进行单片化的工序。
在该工序S208中，预先决定用于对发光装置100C的集合体进行单片化的切断线。该切断线预先决定为使发光装置100C的大小均等。此外，图13A～图14C中仅图示出发光装置100C，但实际上沿行列方向排列多个而形成，并以使其一个单片化的方式进行切断。
集合体的单片化能够通过在切断线的部位由刀片进行切断的切割方法、在切断线的部位划线后切割集合体的断裂方法等以往公知的方法来进行。
而且，通过该集合体的单片化，获得多个发光装置100C。
另外，如图15所示的发光装置100D那样，也可以在波长转换部件3上层叠透光层7。这里，在波长转换部件3的第二面3b上层叠透光层7。针对透光层7，为如上述的发光装置100B的方式等所叙述的那样，因此这里省略说明。
以下，参照图16～图18C对图15所示的发光装置100D的制造方法的一个例子进行说明。此外，图17A～图18C示意性地示出同时制造多个发光装置100D时的两个发光装置100D。
如图16所示，发光装置100D的制造方法包括：配置透光材料层叠片材的工序S301、由被覆部件进行被覆的工序S302、使透光层露出的工序S303、载置发光元件的工序S304、由反射部件进行被覆的工序S305、使电极露出的工序S306、以及进行切断的工序S307，并依次进行。
此外，针对各部件的材质、配置等，为如上述的发光装置100、100C、100D的说明所叙述的那样，因此这里适当地省略说明。
(配置透光材料层叠片材的工序)
如图17A所示，配置透光材料层叠片材的工序S301是在树脂等的片材20上隔开恒定的间隔而配置层叠有波长转换部件3和透光层7而成的透光材料层叠片材(块)25的工序。
此外，在该工序S301前，例如准备在波长转换部件3的第二面3b上层叠了透光层7的片材。另外，也可以如上述那样，使波长转换物质40向波长转换部件3的第一面3a侧偏置。
(由被覆部件进行被覆的工序)
如图17B所示，由被覆部件进行被覆的工序S302是由被覆部件5被覆载置在片材20上的透光材料层叠片材25的工序。
在该工序S302中，由被覆部件5被覆透光材料层叠片材25的全部。在该工序S302中，从片材20的面直至透光层7的上表面设置有被覆部件5。
基于被覆部件5的透光材料层叠片材25的被覆例如能够使用排出装置(分配器)来进行，该排出装置在固定的片材20的上侧，相对于片材20沿上下方向或水平方向等能够移动(可动)。基于被覆部件5的透光材料层叠片材25的被覆能够通过使用排出装置将构成被覆部件5的树脂等填充于片材20上来进行。
另外，也能够通过压缩成形法、传递模塑法等来进行被覆。
(使透光层露出的工序)
如图17C所示，使透光层露出的工序S303是将透光层7侧的被覆部件5的一部分除去以使透光层7露出的工序。
在该工序S303中，例如从透光层7侧将被覆部件5的表面除去直至透光层7露出。作为除去被覆部件5的方法，例如有磨削、研磨、喷砂等。另外，在该工序S303中，也可以将透光层7的一部分除去。
此外，在使透光层7露出后，将片材20除去。但是，也可以在使透光层7露出前，将片材20除去。
(载置发光元件的工序)
如图17D所示，载置发光元件的工序S304是使发光面1a与波长转换部件3的第一面3a对面而载置发光元件1的工序。
该工序S304与发光装置100C的制造方法所说明的载置发光元件的工序S205大致相同，因此这里省略说明。
(由反射部件进行被覆的工序)
如图18A所示，由反射部件进行被覆的工序S305是由反射部件2被覆载置在波长转换部件3上的发光元件1的工序。
该工序S305除了取代板状部件17(参照具有被覆部件5和波长转换部件3的部件(图13C))，而在具有被覆部件5和透光材料层叠片材25的板状部件18上设置反射部件2以外，其他与发光装置100C的制造方法所说明的由反射部件进行被覆的工序S206大致相同，因此这里省略说明。
(使电极露出的工序)
如图18B所示，使电极露出的工序S306是将电极11、12侧的反射部件2的一部分除去以使发光元件1的电极11、12露出的工序。
该工序S306与发光装置100C的制造方法所说明的使电极露出的工序S207大致相同，因此这里省略说明。
(进行切断的工序)
如图18C所示，进行切断的工序S307是利用切断线对多个沿行列方向排列的发光装置100D的集合体进行切断的工序。即，进行切断的工序S307是对一次形成有多个的发光装置100D的集合体进行单片化的工序。
该工序S307与在发光装置100C的制造方法中说明过的进行切断的工序S208大致相同，因此这里省略说明。此外，图17A～图18C中仅图示出两个发光装置100D，但实际上沿行列方向排列多个而形成，以使其一个单片化的方式进行切断。
而且，通过该集合体的单片化，获得多个发光装置100D。
另外，发光装置的制造方法也可以在不对上述各工序带来负面影响的范围内，在上述各工序之间或前后包含其他工序。例如，也可以包括将制造中途混入的异物除去的异物除去工序等。
工业上的可利用性
本发明的实施方式的发光装置能够用在相机的闪光灯、一般照明等各种照明装置中。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件，其具有发光面和侧面；
反射部件，其设置于所述发光元件的侧面；
波长转换部件，其设置在所述发光元件的发光面上以及所述反射部件上；以及
被覆部件，其对所述波长转换部件的外侧面的从上端至下端进行被覆，
所述被覆部件含有反射物质以及着色物质，
所述波长转换部件的体色和所述被覆部件的体色为同系色。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述被覆部件对所述反射部件的外侧面进行被覆。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述反射物质相对于所述被覆部件的含量为30质量％以上且70质量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述发光元件的侧面经由导光部件而设置有所述反射部件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述着色物质包括波长转换物质、颜料以及染料的任一个。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换部件包括：与所述被覆部件所含的所述波长转换物质的组成相同的波长转换物质。
7.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
在具有第一面和与所述第一面的相反一侧的第二面的波长转换部件的所述第一面以使发光面与所述第一面对面的方式载置发光元件的工序；
由反射部件来被覆所述发光元件的工序；
将所述发光元件的周围的所述波长转换部件的一部分除去，并使所述波长转换部件的外侧面露出的工序；以及
通过含有反射物质以及着色物质且体色为与所述波长转换部件的体色同系色的被覆部件来被覆所述波长转换部件的外侧面的工序。
8.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将所述波长转换部件的一部分除去的工序从所述波长转换部件的第一面侧进行。
9.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将所述波长转换部件的一部分除去的工序从所述波长转换部件的第二面侧进行。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，载置所述发光元件的工序包括：以被覆所述发光元件的发光面以及至少一部分的侧面的方式设置导光部件的工序。
CN201811570316.9A 2017-12-25 2018-12-21 发光装置以及发光装置的制造方法 Pending CN110010745A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-248301 2017-12-25
JP2017248301 2017-12-25
JP2018-123620 2018-06-28
JP2018123620A JP6658808B2 (ja) 2017-12-25 2018-06-28 発光装置および発光装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110010745A true CN110010745A (zh) 2019-07-12

Family

ID=66949012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811570316.9A Pending CN110010745A (zh) 2017-12-25 2018-12-21 发光装置以及发光装置的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110010745A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI708405B (zh) * 2019-09-16 2020-10-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086846A (ja) * 2000-07-21 2003-03-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
CN102959742A (zh) * 2010-05-27 2013-03-06 欧司朗光电半导体有限公司 电子装置和用于制造电子装置的方法
US20130140580A1 (en) * 2010-07-26 2013-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic Component
US20160276557A1 (en) * 2015-03-20 2016-09-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
CN106058006A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN106410012A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN107039410A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
CN107425107A (zh) * 2016-04-06 2017-12-01 日亚化学工业株式会社 发光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086846A (ja) * 2000-07-21 2003-03-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
CN102959742A (zh) * 2010-05-27 2013-03-06 欧司朗光电半导体有限公司 电子装置和用于制造电子装置的方法
US20130140580A1 (en) * 2010-07-26 2013-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic Component
US20160276557A1 (en) * 2015-03-20 2016-09-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
CN106058006A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN106410012A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN107039410A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
CN107425107A (zh) * 2016-04-06 2017-12-01 日亚化学工业株式会社 发光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI708405B (zh) * 2019-09-16 2020-10-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件
US10998475B2 (en) 2019-09-16 2021-05-04 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6288009B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP3091911U (ja) ハイブリッドｌｅｄ
JP6760321B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
US7828453B2 (en) Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material
CN103688378B (zh) 光学元件、光电子器件和它们的制造方法
CN105990505A (zh) 半导体发光元件及其制作方法
JP6668996B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6665851B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
US20050006659A1 (en) Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion
CN107039573A (zh) 发光元件及其制造方法
US11764338B2 (en) Light emitting device
US20110002127A1 (en) Optical element and manufacturing method therefor
CN108011014A (zh) 发光装置及其制造方法
CN110094697A (zh) 照明装置
US20220173279A1 (en) Method of manufacturing a light emitting device
CN110010745A (zh) 发光装置以及发光装置的制造方法
CN102856467A (zh) 具有滤光元件的发光二极管封装结构
CN109751563A (zh) 荧光体模块
CN109751564A (zh) 荧光体模块
JP7057491B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP7421145B2 (ja) 発光装置
JP7161132B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination