CN110010163A - 一种磁盘数据保持能力测试方法及相关装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种磁盘数据保持能力测试方法、***、装置及计算机可读存储介质，对第一预设温度范围内的第一测试样本进行不间断测试，是其P/E达到100％，再对该第一测试样本在第二预设温度范围内进行全盘校验写操作得到第一待校验磁盘，通过对常温下放至第一预设时间的第一待校验磁盘进行写校验来确定发生数据丢失的第一失效磁盘数，并以此判断第一测试样本对应的所有待测磁盘的数据保存能力是否合格。可见，在本方案中，对测试样本进行测试之前需要在不同温度进行不同的测试操作，从而使测试样本更接近真实的数据保存期范围内最大消耗状态的磁盘，从而可以对磁盘进行数据保持能力的测试，且测试结果也更加准确。

Description

一种磁盘数据保持能力测试方法及相关装置

技术领域

本发明涉及磁盘技术领域，更具体地说，涉及一种磁盘数据保持能力测 试方法、***、装置及计算机可读存储介质。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量 应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳 的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即 断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容 量。

由于NAND闪存本身介质的特性，电荷会随着时间的流逝而发生泄漏，最 终会导致数据出错或不能被正常读出。

浮栅晶体管是NAND基本单元，它的结构最上面是控制层，中间是浮栅层， 浮栅上面是多晶硅氧化层。控制电压很高的时候，会产生量子隧穿效应，电 子从衬底substrate出发，穿过隧道氧化层，进入浮栅保存起来，就完成了写操 作。反之，在控制层加很强的负电压，电子就从浮栅量子隧穿，回到衬底， 这个操作叫做擦除。不过，控制层不加电压的时候，在氧化层依然有一个电 场产生，叫做本征电场，它是由浮栅里面的电子产生的。在这个电场的作用 下，电子会从浮栅慢慢泄漏，泄漏量较大时，数据就会发生错误。从写入操 作，到电子慢慢泄漏，直到数据出错，这个期限叫做数据保存期，数据保存 期体现了磁盘的数据保持能力，即不丢失数据的能力，为了磁盘使用的可靠 性，对数据保持能力的检测十分重要。

因此，如何准确的测试磁盘数据保持能力，是本领域技术人员需要解决 的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁盘数据保持能力测试方法、***、装置及 计算机可读存储介质，以解决如何准确的测试磁盘数据保持能力的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种磁盘数据保持能力测试方法，包括：

在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设温度范围内的所述第一测 试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本的P/E值均达到100％；

在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第一测试样本进行全盘 校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二预设温度范围的最小值 大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预设数值；

对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校验磁盘进行写校验操作， 确定发生数据丢失的第一失效磁盘数；

利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘的数据保 存能力是否合格。

其中，所述第一预设范围为小于或等于25摄氏度；所述第二预设温度范 围为40摄氏度。

其中，所述第一预设时间为大于或等于50h的时间。

其中，所述利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁 盘的数据保存能力是否合格之前，还包括：

在所述待测磁盘中确定第二测试样本，对第三预设温度范围内的所述第 二测试样本进行不间断负载测试，使所述第二测试样本的P/E值均达到100％； 其中，所述第三预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围的最大值， 且差值为第二预设数值，所述第二预设数值大于所述第一预设数值；

在所述第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第二测试样本进行 全盘校验写操作，得到第二待校验磁盘；

对在第四预设温度范围内放置第二预设时间的所述第二待校验磁盘进行 写校验操作，确定发生数据丢失的第二失效磁盘数；其中，所述第四预设温 度范围的最小值大于所述第三预设温度范围的最小值；

则所述利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘是 否合格，包括：

利用所述第一失效磁盘数、所述第二失效磁盘数与所述预设磁盘失效率 确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

其中，所述第三预设温度范围为60摄氏度与74摄氏度之间，包括60摄 氏度与74摄氏度；所述第四预设温度范围为大于或等于66摄氏度。

其中，所述第二预设时间为大于或等于4天的时间。

其中，所述不间断负载测试，包括：

利用负载生成软件运行JESD219workload。

为实现上述目的，本申请还提供了一种磁盘数据保持能力测试***，包 括：

低温负载测试模块，用于在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设 温度范围内的所述第一测试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本 的P/E值均达到100％；

低温校验写模块，用于在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述 第一测试样本进行全盘校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二 预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预 设数值；

低温写校验模块，用于对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校验 磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第一失效磁盘数；

失效率测试模块，用于利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定 所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

为实现上述目的，本申请还提供了一种磁盘数据保持能力测试装置，包 括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如所述磁盘数据保持能力测试 方法的步骤。

为实现上述目的，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算 机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现 如所述磁盘数据保持能力测试方法的步骤。

通过以上方案可知，本发明提供的一种磁盘数据保持能力测试方法，包 括：在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设温度范围内的所述第一测 试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本的P/E值均达到100％；在 第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第一测试样本进行全盘校验写 操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于所 述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预设数值；对在常温下放置第一 预设时间的所述第一待校验磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第一 失效磁盘数；利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘 的数据保存能力是否合格。

由此可见，本申请提供的一种磁盘数据保持能力测试方法，对第一预设 温度范围内的第一测试样本进行不间断测试，是其P/E达到100％，再对该第 一测试样本在第二预设温度范围内进行全盘校验写操作得到第一待校验磁 盘，通过对常温下放至第一预设时间的第一待校验磁盘进行写校验来确定发 生数据丢失的第一失效磁盘数，并以此判断第一测试样本对应的所有待测磁 盘的数据保存能力是否合格。可见，在本方案中，对测试样本进行测试之前 需要在不同温度进行不同的测试操作，从而使测试样本更接近真实的数据保 存期范围内最大消耗状态的磁盘，从而可以对磁盘进行数据保持能力的测试， 且测试结果也更加准确。本申请还提供了一种磁盘数据保持能力测试***、 装置及计算机可读存储介质，同样可以实现上述技术效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例公开的一种磁盘数据保持能力测试方法流程图；

图2为本发明实施例公开的一种具体的磁盘数据保持能力测试方法流程 图；

图3为本发明实施例公开的一种磁盘数据保持能力测试***结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而 不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作 出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例公开了一种磁盘数据保持能力测试方法、***、装置及计 算机可读存储介质，以解决如何准确的测试磁盘数据保持能力的问题。

参见图1，本发明实施例提供的一种磁盘数据保持能力测试方法，具体包 括：

S101，在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设温度范围内的所述 第一测试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本的P/E值均达到 100％。

测试同一批次的磁盘的数据保持能力是否合格，需要检测其NAND

(NAND flash memory，计算机闪存设备)在对应的数据保存期范围内是否发 生数据丢失问题。为了缩短测试周期，在本方案中并不会在将磁盘自然使用 到数据保存期对应的时间后再进行测试，而是在特定的环境下对磁盘进行测 试性消耗，使其提前达到最真实的数据保存期范围内最大消耗程度，然后再 进行数据丢失率的测试。

首先，在待测试磁盘中确定第一测试样本，然后将第一测试样本置于第 一预设温度范围内。需要说明的是，第一测试样本可以为多个。对第一测试 样本进行不间断的负载测试，使其P/E值达到100％，P/E是固态硬盘的指标。 意思是数据写入量有多少。需要说明的是，数据保存能力出现问题一般都是 在磁盘使用多次后才发生，而新的磁盘基本不会出现数据保存能力问题，因 此，为了得到更准确的测试结果，在本方案中先对第一测试样本进行负载测 试，使其从“新磁盘”变为“旧磁盘”。

S102，在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第一测试样本进 行全盘校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二预设温度范围的 最小值大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预设数值。

在所有第一测试样本的P/E值均达到100％后，对所有第一测试样本进行 校验写操作。即，向第一测试样本全盘写入用于校验数据是否丢失的数据。

需要说明的是，校验写操作是先向磁盘中写入数据，然后在后续进行写 操作校验的过程中，读取写入的数据，并且判断读出来的数据是否与写入时 一致，一致则说明没有数据丢失，否则说明数据有丢失。需要说明的是，校 验写操作是指“写”操作，而写校验操作是指“校验”操作。

一般地，在校验写时，一方面需要将数据写入磁盘，另一方面还需要记 录写入磁盘的数据是什么，以便校验。在一个具体的校验写的操作实例中， 可以记录写入磁盘的数据的MD5值，然后在后期进行写校验操作时，计算读 取到的数据的MD5值，判断两个MD5值是否相同，如果相同则说明数据未 丢失，否则说明数据丢失，从而得到数据是否发生了丢失。可以理解的是， 除了MD5值，也可以选择其他加密算法的计算结果作为校验依据，在本方案中，不做具体地限定。

S103，对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校验磁盘进行写校验 操作，确定发生数据丢失的第一失效磁盘数。

具体地，在常温下放置上述第一待检验磁盘第一预设时间后，对第一待 校验磁盘进行写校验操作，即确定数据是否发生了丢失情况，并确定第一测 试样本中，发生数据丢失情况的磁盘数，作为第一失效磁盘数。

S104，利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘的 数据保存能力是否合格。

在本方案中，预先设定有磁盘失效率，如果测试样本中，失效磁盘占总 样本个数的比例在预设磁盘失效率范围内，则认为待测试磁盘的数据保存能 力合格，否则不合格。

需要说明的是，上述第一预设温度范围、第二预设温度范围、第一预设 时间均可以根据磁盘的数据保存期与NAND的数据存储能力的最佳温度确 定，能够使磁盘根据温度的不同尽快达到数据保存期内的最大消耗程度即可。

目前磁盘的数据保存期一般均为3个月，NAND的数据存储能力的最佳 温度为T<＝25℃，T为温度。在一个具体的实施方式中，所述第一预设范围为 小于或等于25摄氏度；所述第二预设温度范围为40摄氏度。

在另一个具体的实施方式中所述第一预设时间为大于或等于50h的时间。

由此可见，本申请实施例提供的一种磁盘数据保持能力测试方法，对第 一预设温度范围内的第一测试样本进行不间断测试，是其P/E达到100％，再 对该第一测试样本在第二预设温度范围内进行全盘校验写操作得到第一待校 验磁盘，通过对常温下放至第一预设时间的第一待校验磁盘进行写校验来确 定发生数据丢失的第一失效磁盘数，并以此判断第一测试样本对应的所有待 测磁盘的数据保存能力是否合格。可见，在本方案中，对测试样本进行测试 之前需要在不同温度进行不同的测试操作，从而使测试样本更接近真实的数 据保存期范围内最大消耗状态的磁盘，从而可以对磁盘进行数据保持能力的 测试，且测试结果也更加准确。

下面对本申请实施例提供的一种具体的磁盘数据保持能力测试方法进行 介绍，下文描述的一种磁盘数据保持能力测试方法与上述实施例可以相互参 照。

参见图2，本申请实施例提供的一种具体的磁盘数据保持能力测试方法， 具体包括：

S201，在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设温度范围内的所述 第一测试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本的P/E值均达到 100％。

S202，在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第一测试样本进 行全盘校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二预设温度范围的 最小值大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预设数值；

S203，对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校验磁盘进行写校验 操作，确定发生数据丢失的第一失效磁盘数。

S204，在所述待测磁盘中确定第二测试样本，对第三预设温度范围内的 所述第二测试样本进行不间断负载测试，使所述第二测试样本的P/E值均达 到100％；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围 的最大值，且差值为第二预设数值，所述第二预设数值大于所述第一预设数 值。

在本方案中，为了使测试结果更为全面、真实，在第一测试样本的基础 上，再选取一部分样本作为第二测试样本在较高温度下进行测试。

具体的，在待测磁盘中确定第二测试样本，在第三预设温度范围内对第 二测试样本进行不间断负载测试，关于不间断负载测试的具体内容与上述实 施例相同，在本方案中不再进行赘述。

在一个具体的实施方式中，所述不间断负载测试，包括：利用负载生成 软件运行JESD219workload。JESD组织是一个关于固态技术的全球性的标准 制定组织，在行业内权威性较高，所以优先选JESD219workload进行负载测 试。

需要说明的是，第三预设温范围的最小值大于第一预设温度范围的最大 值，也就是说，第二测试样本的负载测试环境温度要高于第一测试样本。而 且差值为第二预设数值，第二预设数值大于第一预设数值，也就是说，第三 预设温度范围的最小值要比上述实施例中进行校验写操作的第二预设温度范 围的最小值大。

S205，在所述第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第二测试样 本进行全盘校验写操作，得到第二待校验磁盘。

在本方案中，首先再第二预设温度范围内对P/E值达到100％的第二测试 样本进行全盘校验写操作，得到第二待校验磁盘。

S206，对在第四预设温度范围内放置第二预设时间的所述第二待校验磁 盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第二失效磁盘数；其中，所述第四 预设温度范围的最小值大于所述第三预设温度范围的最小值。

首先，将上述第二待校验磁盘在第四预设温度范围内放置第二预设时间， 对第二待校验磁盘进行写校验操作，从而确定第二测试样本送的第二失效磁 盘数。

S207，利用所述第一失效磁盘数、所述第二失效磁盘数与所述预设磁盘 失效率确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

在本方案中，利用第一失效磁盘数与第二失效磁盘数即可更全面的测试 待测磁盘的数据保存能力是否合格。

目前磁盘的数据保存期一般均为3个月，NAND的数据存储能力的最佳 温度为T<＝25℃，T为温度。对应此种磁盘，在一个具体的实施方式中，所述 第三预设温度范围为60摄氏度与74摄氏度之间，包括60摄氏度与74摄氏 度；所述第四预设温度范围为大于或等于66摄氏度。

在另一个具体的实施方式中所述第二预设时间为大于或等于4天的时间。

下面对本申请实施例提供的一种具体的磁盘数据保持能力测试方法进行 介绍，下文描述的一种具体的磁盘数据保持能力测试方法，具体包括：

第一步，待测磁盘的测试样本工为100块盘，在测试样本中确定50％的 磁盘作为第一测试样本，在测试样本中确定50％作为第二测试样本。

第二步，通过负载生成软件运行JESD219workload对第一测试样本进行 不间断测试，直到将第一测试样本的P/E值写到100％。

第三步，对完成第二步的第一测试样本在40℃下利用工具进行全盘校验 写。

第四步，对完成第三步的第一测试样本在温度10℃<＝T<＝30℃条件下， 放置大于或等于50h。

第五步，在温度60℃<＝T<＝74℃条件下，通过负载生成软件运行JESD219workload对第二测试样本进行不间断测试，直到第二测试样本的P/E 值写到100％。

第六步，在40℃下通过工具对完成第五步的第二测试样本进行全盘校验 写。

第七步，在温度T>＝66℃下，对完成第六步的第二测试样本放置大于或 等于4天。

第八步，确定完成第四步的第一测试样本中，出现数据丢失的磁盘数； 确定完成第七步的第二测试样本中，出现数据丢失的磁盘数。

第九步，确定出现数据丢失的磁盘总数是否大于或预设磁盘失效个数 1，若是，则测试样本对应的待测磁盘数据保存能力不合格，否则合格。

下面对本申请实施例提供的一种磁盘数据保持能力测试***进行介绍， 下文描述的一种磁盘数据保持能力测试***与上述任一实施例可以相互参 照。

参见图3，本申请实施例提供的一种磁盘数据保持能力测试***，具体包 括：

低温负载测试模块301，用于在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预 设温度范围内的所述第一测试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样 本的P/E值均达到100％。

低温校验写模块302，用于在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的 所述第一测试样本进行全盘校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述 第二预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第 一预设数值。

低温写校验模块303，用于对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校 验磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第一失效磁盘数。

失效率测试模块304，用于利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确 定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

在一个具体的实施方式中，所述第一预设范围为小于或等于25摄氏度； 所述第二预设温度范围为40摄氏度。

在一个具体的实施方式中，所述第一预设时间为大于或等于50h的时间。

在一个具体的实施方式中，所述***，还包括：

高温负载测试模块，用于在所述待测磁盘中确定第二测试样本，对第三 预设温度范围内的所述第二测试样本进行不间断负载测试，使所述第二测试 样本的P/E值均达到100％；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于所述 第一预设温度范围的最大值，且差值为第二预设数值，所述第二预设数值大 于所述第一预设数值；

高温校验写模块，用于在所述第二预设温度范围内对P/E值达到100％的 所述第二测试样本进行全盘校验写操作，得到第二待校验磁盘；

高温写校验模块，用于对在第四预设温度范围内放置第二预设时间的所 述第二待校验磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第二失效磁盘数； 其中，所述第四预设温度范围的最小值大于所述第三预设温度范围的最小值；

则所述失效率测试模块304具体用于：

利用所述第一失效磁盘数、所述第二失效磁盘数与所述预设磁盘失效率 确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

本实施例的磁盘数据保持能力测试***用于实现前述的磁盘数据保持能 力测试方法，因此磁盘数据保持能力测试***中的具体实施方式可见前文中 的磁盘数据保持能力测试方法的实施例部分，例如，低温负载测试模块301， 低温校验写模块302，低温写校验模块303，失效率测试模块304，分别用于 实现上述磁盘数据保持能力测试方法中步骤S101，S102，S103和S104，所 以，其具体实施方式可以参照相应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。

下面对本申请实施例提供的一种磁盘数据保持能力测试装置进行介绍， 下文描述的一种磁盘数据保持能力测试装置与上述任一实施例可以相互参 照。

本申请实施例提供的一种磁盘数据保持能力测试装置，具体包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一实施例所述磁盘数 据保持能力测试方法的步骤。

具体的，存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介 质存储有操作***和计算机可读指令，该内存储器为非易失性存储介质中的 操作***和计算机可读指令的运行提供环境。处理器为磁盘数据保持能力测 试装置提供计算和控制能力，可以实现上述任一磁盘数据保持能力测试方法 实施例所提供的步骤。

本申请还提供了另一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序， 所述计算机程序被处理器执行时可以实现上述实施例所提供的步骤。该存储 介质可以包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、 随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种 可以存储程序代码的介质。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都 是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用 本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易 见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下， 在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例， 而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种磁盘数据保持能力测试方法，其特征在于，包括：

在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设温度范围内的所述第一测试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本的P/E值均达到100％；

在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第一测试样本进行全盘校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预设数值；

对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校验磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第一失效磁盘数；

利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设范围为小于或等于25摄氏度；所述第二预设温度范围为40摄氏度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间为大于或等于50h的时间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格之前，还包括：

在所述待测磁盘中确定第二测试样本，对第三预设温度范围内的所述第二测试样本进行不间断负载测试，使所述第二测试样本的P/E值均达到100％；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围的最大值，且差值为第二预设数值，所述第二预设数值大于所述第一预设数值；

在所述第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第二测试样本进行全盘校验写操作，得到第二待校验磁盘；

对在第四预设温度范围内放置第二预设时间的所述第二待校验磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第二失效磁盘数；其中，所述第四预设温度范围的最小值大于所述第三预设温度范围的最小值；

则所述利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘是否合格，包括：

利用所述第一失效磁盘数、所述第二失效磁盘数与所述预设磁盘失效率确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三预设温度范围为60摄氏度与74摄氏度之间，包括60摄氏度与74摄氏度；所述第四预设温度范围为大于或等于66摄氏度。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间为大于或等于4天的时间。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的方法，其特征在于，所述不间断负载测试，包括：

利用负载生成软件运行JESD219workload。

8.一种磁盘数据保持能力测试***，其特征在于，包括：

低温负载测试模块，用于在待测磁盘中确定第一测试样本，对第一预设温度范围内的所述第一测试样本进行不间断负载测试，使所述第一测试样本的P/E值均达到100％；

低温校验写模块，用于在第二预设温度范围内对P/E值达到100％的所述第一测试样本进行全盘校验写操作，得到第一待校验磁盘；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于所述第一预设温度范围最大值，且差值为第一预设数值；

低温写校验模块，用于对在常温下放置第一预设时间的所述第一待校验磁盘进行写校验操作，确定发生数据丢失的第一失效磁盘数；

失效率测试模块，用于利用所述第一失效磁盘数与预设磁盘失效率确定所述待测磁盘的数据保存能力是否合格。

9.一种磁盘数据保持能力测试装置，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述磁盘数据保持能力测试方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述磁盘数据保持能力测试方法的步骤。