CN109999881B - 一种掺n正交相第ⅲ主族硫属化物及制备方法 - Google Patents
一种掺n正交相第ⅲ主族硫属化物及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109999881B CN109999881B CN201910329901.8A CN201910329901A CN109999881B CN 109999881 B CN109999881 B CN 109999881B CN 201910329901 A CN201910329901 A CN 201910329901A CN 109999881 B CN109999881 B CN 109999881B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- source
- doped
- silver foil
- foil substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical group CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/24—Nitrogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/08—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在含氮气氛下合成尺寸均匀的N掺杂第Ⅲ主族硫属化物薄片，在反应温度下保持10‑20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气与氨气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，有望应用于光催化领域。
Description
技术领域
本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法。
背景技术
能源是人类赖以生存和发展的物质基础，也是国家经济发展的重要战略资源。在1971年到2016年间，世界一次能源供应总量增长了几乎2.5倍，化石燃料仍然主导了一次能源的供应。这些化石能源的大量开发利用，在推动世界经济迅猛发展的同时，由于其储存量的有限性而造成日益严重的能源短缺。与此同时，这些化石燃料的燃烧排放出大量的废气和废渣的有害物质，导致环境污染，人类正面临着日益严重的能源短缺和环境破坏问题。因此，节约能源资源、保护环境、开发利用可再生能源已成为人类实现可持续发展的必然选择。而氢能被认为是未来的最具发展潜力的理想清洁燃料，水中实现太阳能氢生产更具有吸引力和现实意义。
实现上述应用前景研究的前提是能够制备大规模，高质量的光催化材料参与太阳能制氢。其中，二维第Ⅲ主族硫属化物作为近年来兴起的二维光催化材料而备受关注。掺N正交相二维第Ⅲ主族硫属化物能提高原子吸附能力，在光催化领域具有潜在的应用。目前N掺杂正交相二维第Ⅲ主族硫属化物的制备尚未有经济有效的方法获得。因此如何实现N掺杂正交相二维第Ⅲ主族硫属化物的大规模，有效化的制备是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的制备方法，采用化学气相沉积法制备得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片，其为氩气气氛下生成N掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种。
为了达到上述的目的，本发明采取以下技术方案：
一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的制备方法包括以下步骤:
(1)将前驱物以及银箔基底按照气流方向依次分别放置在三温区的高温管式炉中；其中，三温区依次放置S源和Se源中的一种、In源和Ga源中的一种、银箔基底；
(2)将反应腔的真空度抽至6KPa左右，通入氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；
(3)通入氩气和氨气，同时加热三温区的高温管式炉，反应生成的N掺杂InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种，沉积于银箔基底上。
(4)自然冷却至室温后同时关闭通入氩气和氨气，即在银箔基底上得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物。
进一步地，步骤(1）所述的银箔基底预先进行处理，其包括，将银箔基底放入NaOH溶液中清洗，后在去离子水溶液中进行超声清洗，再将清洗完毕的基底进行高温预退火处理。
进一步地，步骤(3）通入氩气和氨气的流速50-60sccm的氩气和10-30sccm的氨气；
进一步地，步骤(1）所述的S源是S粉；所述的Se源是Se粉；所述的In源是粉体In2O3；所述的Ga源是三乙基镓。
进一步地，步骤(3）所述的S源的加热温度为170-200℃；所述的Se源的加热温度为240-270℃；所述的In源的加热温度为610-640℃；所述的Ga源的加热温度为80-110℃；所述银箔基底的加热温度为660-690℃。
本发明中，其中所述的一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的制备方法主要包括：将S/Se粉，粉体In2O3和银箔基底根据气流方向依次分别放置在三温区管式炉中。
本发明中，其中所述的一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的制备方法主要包括：将液体三乙基镓，S/Se粉和银箔基底根据气流方向依次分别放置在三温区管式炉中。
进一步地，步骤(4)中反应为10-20min。
本发明的有益效果在于：提供了一种制备掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的方法，制备工艺简单，易于规模化，所得到的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物有望在未来应用于光催化领域。
附图说明
图1为掺N的InS材料的制备流程图；
图2为实施例1所得掺N的InS材料的XRD图；
图3为未掺N的InS材料的XRD图；
图4为实施例1所得掺N的InS材料的SEM图；
图5为掺N的InS和未掺杂InS材料的光吸收系数比较图；
图6为实施例2-4所得材料的XRD图。
具体实施方式
为了使本发明所述的内容更加便于理解，下面结合具体实施方式对本发明所述的技术方案做进一步的说明，但是本发明不仅限于此。
实施例1
一种采用低压化学气相沉积法制备二维掺N的InS材料的方法，具体步骤如下:
(1)将银箔放置在氢氧化钠（0.5mol/L）溶液中清洗，随后置于去离子水中超声清洗5分钟。将清洗后的银箔在900℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为3小时；
(2)将1g硫粉，4g的氧化铟以及10片银箔基底按照气流方向分别放置于三温区管式炉中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6KPa，以60sccm的流速通入氩气清洗反应腔；
(4)通入流速为60sccm的氩气和30sccm的氨气，在20min内同时加热三温区管式炉的温度至200℃，640℃以及690℃，在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氨气，获得掺N的InS材料。
图2和图3的XRD图可以看出，掺杂的InS和未掺杂的InS材料在峰形上近似，但是在衍射峰的强度上略微不同。图4为掺N的InS与未掺杂InS材料的光吸收系数比较图，在可见光区域二者都存在明显的吸收峰，而在紫外区域中，它形成对应于价带和导带之间的直接带间跃迁的连续体平台。这意味着二者在整个可见太阳光谱中都表现出出色的光捕获能力。但是总体而言，前者在可见光区域的吸收峰比后者略高，在紫外区域的吸收能力也比后者略强，掺N的InS材料在光吸收性能上着实得到了提升。
实施例2
一种采用低压化学气相沉积法制备二维掺N的InSe材料的方法，具体步骤如下:
(1)将银箔放置在氢氧化钠（0.5mol/L）溶液中清洗，随后置于去离子水中超声清洗5分钟。将清洗后的银箔在900℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为3小时；
(2)将1g的硒粉，2g的氧化铟以及10片银箔基底按照气流方向分别放置于三温区管式炉中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6KPa，以50sccm的流速通入氩气清洗反应腔；
(4) 通入流速为50sccm的氩气和20sccm的氨气，在20min内同时加热三温区管式炉的温度至240℃，610℃以及660℃，在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氨气，获得掺N的InSe材料。
实施例3
一种采用低压化学气相沉积法制备二维掺N的GaSe材料的方法，具体步骤如下:
(1)将银箔放置在氢氧化钠（0.5mol/L）溶液中清洗，随后置于去离子水中超声清洗5分钟。将清洗后的银箔在900℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为3小时；
(2)将2g三乙基镓，1g硒粉以及10片银箔基底按照气流方向分别放置于三温区管式炉中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6KPa，以60sccm的流速通入氩气清洗反应腔；
(4)通入流速为60sccm的氩气和20sccm的氨气，在20min内同时加热三温区管式炉的温度至110℃，260℃以及660℃，在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氨气，获得掺N的GaSe材料。
实施例4
一种采用低压化学气相沉积法制备二维掺N的GaS材料的方法，具体步骤如下:
(1)将银箔放置在氢氧化钠（0.5mol/L）溶液中清洗，随后置于去离子水中超声清洗5分钟。将清洗后的银箔在900℃的高温退火炉中经行预退火处理，退火时间为3小时；
(2)将5g三乙基镓，1g硫粉以及10片银箔基底按照气流方向分别放置于三温区管式炉中，其中银箔基底的间距为1cm。
(3)将管式炉的真空度抽至6KPa，以50sccm的流速通入氩气清洗反应腔；
(4)通入流速为50sccm的氩气和10sccm的氨气，在20min内同时加热三温区管式炉的温度至80℃，200℃以及690℃，在气流的作用下保持15min后停止加热；
(5)自然冷却至室温，同时关闭氩气和氨气，获得掺N的GaS材料。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (6)
1.一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积法制备得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物，其为氩气气氛下生成N掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种；所述方法包括以下步骤：
(1) 将前驱物以及银箔基底按照气流方向分别放置在三温区的高温管式炉中；其中，三温区分别放置S源和Se源中的一种、In源和Ga源中的一种、银箔基底；
(2) 将反应腔的真空度抽至6KPa，通入氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；
(3) 通入氩气和氨气，同时加热三温区的高温管式炉，反应生成N掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种，沉积于银箔基底上；
(4) 自然冷却至室温后同时关闭氩气和氨气，即在银箔基底上得到掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1) 所述的银箔基底预先进行处理，其包括，将银箔基底放入NaOH溶液中清洗，后在去离子水溶液中进行超声清洗，再将清洗完毕的基底进行高温预退火处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)通入氩气和氨气的流速分别为50-60sccm和10-30sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的S源是S粉；所述的Se源是Se粉；所述的In源是粉体In2O3；所述的Ga源是三乙基镓。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3) 所述S源的加热温度为170-200℃；所述Se源的加热温度为240-270℃；所述In源的加热温度为610-640℃；所述Ga源的加热温度为80-110℃，所述银箔基底的加热温度为660-690℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)的反应时间为10-20min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910329901.8A CN109999881B (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 一种掺n正交相第ⅲ主族硫属化物及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910329901.8A CN109999881B (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 一种掺n正交相第ⅲ主族硫属化物及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109999881A CN109999881A (zh) | 2019-07-12 |
| CN109999881B true CN109999881B (zh) | 2021-05-18 |
Family
ID=67173760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910329901.8A Expired - Fee Related CN109999881B (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 一种掺n正交相第ⅲ主族硫属化物及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109999881B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104726936A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-06-24 | 扬州大学 | 化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法 |
| CN105420815A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-03-23 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法 |
| CN105887045A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 炬力奈米科技有限公司 | 二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备 |
-
2019
- 2019-04-23 CN CN201910329901.8A patent/CN109999881B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105887045A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 炬力奈米科技有限公司 | 二维层状硫族化合物的合成方法及工艺设备 |
| CN104726936A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-06-24 | 扬州大学 | 化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法 |
| CN105420815A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-03-23 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Transport properties of nitrogen doped p-gallium selenide single crystals";19960101;《J. Appl. Phys.》;19960101;第79卷(第1期);第204页，II实验 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109999881A (zh) | 2019-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108796532B (zh) | 氧化镍—氧化亚铜同质结光电阴极及其制备方法和在光催化中的应用 | |
| CN110344029B (zh) | 一种表面羟基化氧化铁薄膜光阳极材料的制备方法 | |
| CN107282070B (zh) | 一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列及其制备方法和应用 | |
| CN110746631A (zh) | 一种太阳能光热转换复合薄膜及其制备方法 | |
| CN103361631B (zh) | 一种用于光催化的氧化锌掺杂氧化钛薄膜的制备方法 | |
| CN104795456B (zh) | 电沉积法制备三带隙铁掺杂铜镓硫太阳能电池材料的方法 | |
| CN102642874B (zh) | 一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法 | |
| CN104167469B (zh) | 一种SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池的一次性制备方法 | |
| CN103288122A (zh) | 一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法 | |
| CN103700725A (zh) | 一种用于太阳能电池的基于纳米粒子铜铟硫硒薄膜的制备方法 | |
| CN115181995A (zh) | 一种硒化锑薄膜光阴极及其制备方法 | |
| CN109502545B (zh) | 硒化锗基太阳光分解水产氢电子器件、电极***及其制备方法 | |
| CN109999881B (zh) | 一种掺n正交相第ⅲ主族硫属化物及制备方法 | |
| CN109999850A (zh) | 一种正交相第ⅲ主族硫属化物光催化材料及制备方法 | |
| CN109545659B (zh) | 一种锡锑硫薄膜的化学浴制备方法 | |
| CN112626489A (zh) | 一种三元气体混合浴的钙钛矿薄膜的制备方法 | |
| CN104022189A (zh) | 一种制备ZnO/ZnS复合光电薄膜的方法 | |
| CN109999848B (zh) | 一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料 | |
| CN108588713A (zh) | 一种二维磷化钼薄膜的制备方法 | |
| CN102881776B (zh) | 一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
| CN111326603A (zh) | 一种以氧化锌做电子传输层的无机钙钛矿电池制备方法 | |
| CN112234110B (zh) | 一种三明治状pn结及其精准构筑方法 | |
| CN109837516B (zh) | 一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法 | |
| CN113718288A (zh) | 一种新型CuCoOx负载的Mo-BiVO4复合光阳极的制备方法和应用 | |
| CN103877969B (zh) | 一种In2O3·InVO4异质结构复合物及其制备和应用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210518 |