CN109996431B - 高性能屏蔽玻璃及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高性能屏蔽玻璃及其制备方法,该高性能屏蔽玻璃包括:玻璃本体,其为多层复合结构;导磁层,设置于玻璃本体内,并位于多层复合结构中的其中一层或多层结构上;纳米级电磁屏蔽层,设置于玻璃本体内,并位于多层复合结构中的其中一层或多层结构上,纳米级电磁屏蔽层为纳米级的无序不规则银网格;导电层,设置于玻璃本体内,并位于多层复合结构中的其中一层或多层结构上;以及柔性金属网,一端与导磁层、纳米级电磁屏蔽层及导电层连接,柔性金属网的另一端用于与玻璃本体的外部连接。本发明的高性能屏蔽玻璃对电磁场的屏蔽防护能力强,屏蔽频段广泛;同时,纳米级电磁屏蔽层还采用了无序不规则网格图形,强光下不会产生摩尔纹。

Description

高性能屏蔽玻璃及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种屏蔽玻璃,特别是涉及一种高性能屏蔽玻璃及其制备方法。
背景技术
电磁波是电磁能量传播的主要方式,高频电路工作时,会向外辐射电磁波,对邻近的其它设备产生干扰。另一方面,空间的各种电磁波也会感应到电路中,对电路造成干扰。电磁屏蔽是由金属屏蔽体将电磁波局限于某一区域的一种方法,电磁屏蔽在电子,通信等领域的应用需求广泛。
高强电磁屏蔽玻璃的制造通常需要根据需求的电磁波频段的屏蔽效能来进行设计,但是现有技术的电磁屏蔽玻璃防护较强的频段为0.3-18GHz,屏蔽效能为≥40dB。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
1、现有技术的电磁屏蔽玻璃对0.01-300MHz频段、18-40GHz频段的防护效能不足;
2、现有技术的电磁屏蔽玻璃通常为微纳网格为蚀刻制成,线宽为0.5-15μm,线宽范围较大,网格为规则图形,强光下易产生摩尔纹,影响观察者的视觉感受,对观察者产生眩晕,视觉模糊等严重的负面感受;
3、同时,微纳网格的基材为柔性材料,并且该柔性材料裸露使用,抗环境性能较差,弯曲后的视觉变形严重;
4、另外,现有技术的电磁屏蔽玻璃的通常由一层电磁屏蔽层作为电磁防护,电磁屏蔽层的金属材料较为单一,对磁场的防护性能较差。
发明内容
为解决上述现有技术中存在的技术问题,本发明实施例提供了一种高性能屏蔽玻璃及其制备方法。具体的技术方案如下:
第一方面,提供一种高性能屏蔽玻璃,其中高性能屏蔽玻璃包括:
玻璃本体,其为多层复合结构;
导磁层,设置于玻璃本体内,并位于多层复合结构中的其中一层或多层结构上;
纳米级电磁屏蔽层,设置于玻璃本体内,并位于多层复合结构中的其中一层或多层结构上,纳米级电磁屏蔽层为纳米级的无序不规则银网格;
导电层,设置于玻璃本体内,并位于多层复合结构中的其中一层或多层结构上;以及
柔性金属网,一端与导磁层、纳米级电磁屏蔽层及导电层连接,柔性金属网的另一端用于与玻璃本体的外部连接。
其中,导磁层、纳米级电磁屏蔽层及导电层位于多层复合结构中的不同层结构上,形成屏蔽体,屏蔽体用于玻璃本体的电磁屏蔽。
在第一方面的第一种可能实现的方式中,多层复合结构还包括:内层玻璃,设置于多层复合结构的内侧,导磁层设置于内层玻璃的外表面;中间有机层,设置于内层玻璃上,纳米级电磁屏蔽层设置于中间有机层的中间;以及外层玻璃,设置于中间有机层上,导电层设置于外层玻璃的内表面。
结合第一方面的第一种可能实现的方式,在第一方面的第二种可能实现的方式中,内层玻璃为铝硅酸盐玻璃;中间有机层为多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层,多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层是层叠设置的,纳米级电磁屏蔽层设置于多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层之间;以及外层玻璃为铝硅酸盐玻璃。
结合第一方面的第二种可能实现的方式,在第一方面的第三种可能实现的方式中,多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层的数量为两层,纳米级电磁屏蔽层设置于两层透明聚氨酯类高分子层或两层聚乙烯醇类高分子层中间。
在第一方面的第四种可能实现的方式中,导磁层为由多层透明导磁材料组成的磁性复合膜层,磁性复合膜层的表面电阻小于20Ω/sq。
在第一方面的第五种可能实现的方式中,纳米级电磁屏蔽层的表面电阻小于0.8Ω/sq,银网格的厚度为1-5μm、线宽为300-500nm。
在第一方面的第六种可能实现的方式中,导电层为低电阻率氧化铟锡(IndiumTin Oxides,ITO)膜层,低电阻率氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层的表面电阻小于3Ω/sq。
在第一方面的第七种可能实现的方式中,玻璃本体的透光率大于92%,屏蔽体的透光率大于80%。
第二方面,提供一种高性能屏蔽玻璃的制备方法,其中高性能屏蔽玻璃的制备方法包括以下步骤:
提供一玻璃本体,其为多层复合结构;
通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)与金属镍方法,于多层复合结构中的其中一层或多层结构的表面镀膜多层透明导磁材料,形成导磁层;
通过3D打印(3DP)技术,于多层复合结构中的其中一层或多层结构的表面打印出纳米级的无序不规则银网格,形成纳米级电磁屏蔽层;
通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)方法,于多层复合结构中的其中一层或多层结构的表面镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层,形成导电层;以及
通过柔性金属网的一端连接导磁层、纳米级电磁屏蔽层及导电层,柔性金属网的另一端与玻璃本体的外部连接;
其中,导磁层、纳米级电磁屏蔽层及导电层形成于多层复合结构中的不同层结构上,形成屏蔽体。
在第二方面的第一种可能实现方式中,导磁层形成于多层复合结构中的最内层结构的外表面;纳米级电磁屏蔽层形成于多层复合结构中的中间层结构的表面;以及导电层形成于多层复合结构中的最外层结构的内表面。
本发明与现有技术相比具有的优点有:
1、本发明的高性能屏蔽玻璃中的导电层为低电阻率氧化铟锡(Indium TinOxides,ITO)膜层,对高频电磁波防护能力强;纳米级电磁屏蔽层为超低电阻率网状银膜层,对中低频电磁波防护能力强;导磁层为磁性复合膜层,对低频防护能力强,导磁层、纳米级电磁屏蔽层及导电层位于多层复合结构中的不同层结构上,形成屏蔽体,对电磁场的屏蔽防护能力强,屏蔽频段广泛。
2、本发明的多层复合结构中的外层玻璃与内层玻璃采用铝硅酸盐玻璃,耐环境性能好;导电层、导磁层、纳米级电磁屏蔽层使用有机中间层进行了夹层复合,无裸露使用的风险。
3、本发明的玻璃本体的透光率大于92%,屏蔽体的透光率大于80%,复合形成的高性能屏蔽玻璃透光率大于75%,具有较好的光学性能。
4、本发明的纳米级电磁屏蔽层采用了无序不规则网格图形,强光下不会产生摩尔纹。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例的高性能屏蔽玻璃的结构示意图。
图2是本发明二实施例的高性能屏蔽玻璃的制备方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明的一实施例中,请参考图1,其示出了本发明一实施例的高性能屏蔽玻璃1的结构示意图。高性能屏蔽玻璃1包括玻璃本体2、导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4、导电层5和柔性金属网6,其中:
玻璃本体2为多层复合结构24,多层复合结构24主要是用于为导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5提供刚性支撑,并使导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5位于不同层结构上,以使导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4、导电层5形成屏蔽体7,提高玻璃本体2对电磁场的屏蔽防护能力及屏蔽频段。
在一优选实施例中,请再次参考图1,多层复合结构24包括内层玻璃21、中间有机层22和外层玻璃23,内层玻璃21设置于多层复合结构24的内侧,中间有机层22设置于内层玻璃21上,外层玻璃23设置于中间有机层22上,内层玻璃21、中间有机层22和外层玻璃23形成三层复合结构,通过中间有机层22对导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5进行夹层复合,使导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5复合于该三层复合结构的不同层结构上,无裸露使用的风险,然多层复合结构24的结构并不局限于此,本领域技术人员也可以根据本实施例的教导选择其他合适的结构的多层复合结构24。
在另一优选实施例中,由于铝硅酸盐玻璃具有较好的化学稳定性、电绝缘性、机械强度,较低的热膨胀系数的优点,因此,内层玻璃21与外层玻璃23均采用铝硅酸盐玻璃,具有较好的耐环境性能,但并不以此为限。中间有机层22为多层透明聚氨酯类高分子层221或多层聚乙烯醇类高分子层,多层透明聚氨酯类高分子层221或多层聚乙烯醇类高分子层是层叠设置的,但并不以此为限。
在另一优选实施例中,请再次参考图1,多层透明聚氨酯类高分子层221的数量为两层,使纳米级电磁屏蔽层4夹层复合于两层透明聚氨酯类高分子层221中间,但并不以此为限,本领域技术人员也可以根据实际情况选择其他合适的数量的透明聚氨酯类高分子层221,例如可以为四层,将导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5夹层复合于四层透明聚氨酯类高分子层221之间。
导磁层3设置于玻璃本体2内,并位于多层复合结构24中的其中一层或多层结构上,当导磁层3的数量为一层时,该导磁层3设置于多层复合结构24中的其中一层结构上;当导磁层3的数量为多层时,多层导磁层3对应设置于多层复合结构24中的其中多层结构上。请再次参考图1,本实施例公开的导磁层3的数量是一层,该导磁层3是设置于内层玻璃21的外表面,但并不以此为限,本领域技术人员也可以根据本实施例的教导选择将其设置于其他合适的位置,例如还可以设置于外层玻璃23的内表面。
在一优选实施例中,导磁层3为由多层透明导磁材料组成的磁性复合膜层,磁性复合膜层的表面电阻小于20Ω/sq,该磁性复合膜层对低频段(10K-30MHz)电磁波的防护,屏蔽效能大于50dB,防护能力强。
纳米级电磁屏蔽层4设置于玻璃本体2内,并位于多层复合结构24中的其中一层或多层结构上,当纳米级电磁屏蔽层4的数量为一层时,该纳米级电磁屏蔽层4设置于多层复合结构24中的其中一层结构上;当纳米级电磁屏蔽层4的数量为多层时,多层纳米级电磁屏蔽层4对应设置于多层复合结构24中的其中多层结构上。请再次参考图1,本实施例公开的纳米级电磁屏蔽层4的数量是一层,该纳米级电磁屏蔽层4是设置于中间有机层22的中间,但并不以此为限,本领域技术人员也可以根据本实施例的教导选择将其设置于其他合适的位置。
纳米级电磁屏蔽层4为纳米级的无序不规则银网格,在强光下不会产生摩尔纹,从而不会影响观察者的视觉感受,对观察者也不会产生眩晕,视觉模糊等严重的负面感受。
在一优选实施例中,纳米级电磁屏蔽层4的表面电阻小于0.8Ω/sq,银网格的厚度为1-5μm、线宽为300-500nm,该层对中低频段(30-1000MHz)电磁波的防护,屏蔽效能大于50dB,防护能力强。
导电层5设置于玻璃本体2内,并位于多层复合结构24中的其中一层或多层结构上,当导电层5的数量为一层时,该导电层5设置于多层复合结构24中的其中一层结构上;当导电层5的数量为多层时,多层导电层5对应设置于多层复合结构24中的其中多层结构上。请再次参考图1,本实施例公开的导电层5的数量是一层,该导电层5是设置于外层玻璃23的内表面,但并不以此为限,本领域技术人员也可以根据本实施例的教导选择将其设置于其他合适的位置,例如还可以设置于内层玻璃21的外表面。
在一优选实施例中,导电层5为低电阻率氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层,低电阻率氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层的表面电阻小于3Ω/sq,该低电阻率氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层对高频段(1-40GHz)电磁波的防护,屏蔽效能大于40dB,防护能力强。
导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5位于多层复合结构24中的不同层结构上,形成屏蔽体7,由于导电层5对高频电磁波防护能力强,纳米级电磁屏蔽层4对中低频电磁波防护能力强,导磁层3对低频防护能力强,进而形成的屏蔽体7屏蔽频段广泛,对电磁场的屏蔽防护能力强,可以对玻璃本体2进行较好的电磁屏蔽,使其在复杂电磁环境可以兼顾高效电磁屏蔽性能。
柔性金属网6的一端与导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5连接,柔性金属网6的另一端用于与玻璃本体2的外部连接。请再次参考图1,本实施例公开的柔性金属网6的另一端是与地连接,实现导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5的电连接接地,但并不以此为限。
柔性金属网6主要是用于导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5的电连接接地,在本实施例中对于柔性金属网6的材质的选择可以没有特殊要求,参照本领域技术人员的常规选择即可,例如可以为铜镍铁合金金属网。
在一优选实施例中,玻璃本体2的透光率大于92%,屏蔽体7的透光率大于80%,从而复合形成的高性能屏蔽玻璃1的透光率大于75%,具有较好的光学性能,但并不以此为限。
本发明的二实施例中,请参考图2,其示出了本发明二实施例的高性能屏蔽玻璃1的制备方法8的步骤流程示意图。高性能屏蔽玻璃1的制备方法8包括以下步骤801-805。
步骤801,提供一玻璃本体2。提供一玻璃本体2,其为多层复合结构24。
在一优选实施例中,多层复合结构24还包括内层玻璃21、中间有机层22和外层玻璃23,内层玻璃21设置于多层复合结构24的内侧,中间有机层22设置于内层玻璃21上,外层玻璃23设置于中间有机层22上,内层玻璃21、中间有机层22和外层玻璃23形成三层复合结构,然多层复合结构24的结构并不局限于此,本领域技术人员也可以根据本实施例的教导选择其他合适的结构的多层复合结构24。
在另一优选实施例中,内层玻璃21与外层玻璃23均采用铝硅酸盐玻璃,具有较好的耐环境性能,但并不以此为限。中间有机层22为多层透明聚氨酯类高分子层221,多层透明聚氨酯类高分子层221是层叠设置的,但并不以此为限。
在另一优选实施例中,多层透明聚氨酯类高分子层221的数量为两层,但并不以此为限。
步骤802,形成导磁层3。通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)与金属镍方法,于多层复合结构24中的其中一层或多层结构的表面镀膜多层透明导磁材料,形成导磁层3。
在一优选实施例中,导磁层3形成于多层复合结构24中的最内层结构的外表面,但并不以此为限。
在另一优选实施例中,通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)与金属镍方法,在内层玻璃21的外表面镀膜多层透明导磁材料,形成导磁层3,但并不以此为限。
至于磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)与金属镍方法为本领域技术人员所熟知的常规技术手段,因此在此不进行赘述。
步骤803,形成纳米级电磁屏蔽层4。通过3D打印(3DP)技术,于多层复合结构24中的其中一层或多层结构的表面打印出纳米级的无序不规则银网格,形成纳米级电磁屏蔽层4。
在一优选实施例中,纳米级电磁屏蔽层4形成于多层复合结构24中的中间层结构的表面,但并不以此为限。
在另一优选实施例中,当中间层结构为二层透明聚氨酯类高分子层221时,通过3D打印(3DP)技术,在二层透明聚氨酯类高分子层221之间打印出纳米级的无序不规则银网格,成纳米级电磁屏蔽层4,但并不以此为限。
至于3D打印(3DP)技术为本领域技术人员所熟知的常规技术手段,因此在此不进行赘述。
步骤804,形成导电层5。通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)方法,于多层复合结构24中的其中一层或多层结构的表面镀膜氧化铟锡(Indium TinOxides,ITO)膜层,形成导电层5。
在一优选实施例中,导电层5形成于多层复合结构24中的最外层结构的内表面,但并不以此为限。
在另一优选实施例中,通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)方法,在外层玻璃23的内表面镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层,形成导电层5,但并不以此为限。
至于磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)方法为本领域技术人员所熟知的常规技术手段,因此在此不进行赘述。
步骤805,设置柔性金属网6。通过柔性金属网6的一端连接导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5,柔性金属网6的另一端与玻璃本体2的外部连接。
在一优选实施例中,柔性金属网6选择铜镍铁合金金属网,将铜镍铁合金金属网的一端与导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5连接,铜镍铁合金金属网的另一端与地连接,实现导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5的电连接接地,但并不以此为限。
上述步骤中的导磁层3、纳米级电磁屏蔽层4及导电层5位于多层复合结构24中的不同层结构上,形成屏蔽体7,由于导电层5对高频电磁波防护能力强,纳米级电磁屏蔽层4对中低频电磁波防护能力强,导磁层3对低频防护能力强,进而形成的屏蔽体7屏蔽频段广泛,对电磁场的屏蔽防护能力强,可以对玻璃本体2进行较好的电磁屏蔽,使其在复杂电磁环境可以兼顾高效电磁屏蔽性能。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施方式,但如前所述,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施方式的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种高性能屏蔽玻璃,其特征在于,所述高性能屏蔽玻璃包括:
玻璃本体,其为多层复合结构;
导磁层,设置于所述玻璃本体内,并位于所述多层复合结构中的其中一层或多层结构上;
纳米级电磁屏蔽层,设置于所述玻璃本体内,并位于所述多层复合结构中的其中一层或多层结构上,所述纳米级电磁屏蔽层为纳米级的无序不规则银网格;
导电层,设置于所述玻璃本体内,并位于所述多层复合结构中的其中一层或多层结构上;
柔性金属网,一端与所述导磁层、所述纳米级电磁屏蔽层及所述导电层连接,所述柔性金属网的另一端用于与地连接,实现所述导磁层、所述纳米级电磁屏蔽层及所述导电层的电连接接地;
其中,所述导磁层、所述纳米级电磁屏蔽层及所述导电层位于所述多层复合结构中的不同层结构上,形成屏蔽体,所述屏蔽体用于所述玻璃本体的电磁屏蔽;
所述多层复合结构还包括:
内层玻璃,设置于所述多层复合结构的内侧,所述导磁层设置于所述内层玻璃的外表面;
中间有机层,设置于所述内层玻璃上,所述纳米级电磁屏蔽层设置于所述中间有机层的中间;
外层玻璃,设置于所述中间有机层上,所述导电层设置于所述外层玻璃的内表面。
2.根据权利要求1所述的高性能屏蔽玻璃,其特征在于,
所述内层玻璃为铝硅酸盐玻璃;
所述中间有机层为多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层,所述多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层是层叠设置的,所述纳米级电磁屏蔽层设置于所述多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层之间;以及
所述外层玻璃为铝硅酸盐玻璃。
3.根据权利要求2所述的高性能屏蔽玻璃,其特征在于,所述多层透明聚氨酯类高分子层或多层聚乙烯醇类高分子层的数量为两层,所述纳米级电磁屏蔽层设置于酯类高分子层或两层聚乙烯醇类高分子层中间。
4.根据权利要求1所述的高性能屏蔽玻璃,其特征在于,所述导磁层为由多层透明导磁材料组成的磁性复合膜层,所述磁性复合膜层的表面电阻小于20Ω/sq。
5.根据权利要求1所述的高性能屏蔽玻璃,其特征在于,所述纳米级电磁屏蔽层的表面电阻小于0.8Ω/sq,所述银网格的厚度为1-5μm、线宽为300-500nm。
6. 根据权利要求1所述的高性能屏蔽玻璃,其特征在于,所述导电层为低电阻率氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层,所述低电阻率氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层的表面电阻小于3Ω/sq。
7.根据权利要求1所述的高性能屏蔽玻璃,其特征在于,所述玻璃本体的透光率大于92%,所述屏蔽体的透光率大于80%。
8.一种高性能屏蔽玻璃的制备方法,其特征在于,所述高性能屏蔽玻璃的制备方法包括以下步骤:
提供一玻璃本体,其为多层复合结构;
通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)与金属镍方法,于所述多层复合结构中的其中一层或多层结构的表面镀膜多层透明导磁材料,形成导磁层;
通过3D打印(3DP)技术,于所述多层复合结构中的其中一层或多层结构的表面打印出纳米级的无序不规则银网格,形成纳米级电磁屏蔽层;
通过磁控溅射镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)方法,于所述多层复合结构中的其中一层或多层结构的表面镀膜氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)膜层,形成导电层;以及
通过柔性金属网的一端连接所述导磁层、所述纳米级电磁屏蔽层及所述导电层,所述柔性金属网的另一端与地连接,实现所述导磁层、所述纳米级电磁屏蔽层及所述导电层的电连接接地;
其中,所述导磁层、所述纳米级电磁屏蔽层及所述导电层形成于所述多层复合结构中的不同层结构上,形成屏蔽体;
所述导磁层形成于所述多层复合结构中的最内层结构的外表面;
所述纳米级电磁屏蔽层形成于所述多层复合结构中的中间层结构的表面;以及
所述导电层形成于所述多层复合结构中的最外层结构的内表面。
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