CN109993243A - 一种基于透明薄膜rfid芯片的商品防伪追溯*** - Google Patents

一种基于透明薄膜rfid芯片的商品防伪追溯*** Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于透明薄膜RFID芯片的商品防伪追溯***。RFID芯片包括透明薄膜基底和位于透明薄膜基底上的芯片版图，芯片版图包括整流电路、调制电路、数字逻辑电路、天线和调谐电路，芯片版图的电路中的全透明薄膜晶体管均采用ZnO‑TFT器件，将RFID芯片制成标签后跨接商品封口两端，便于打开商品包装的同时破坏标签，RFID芯片提前写入的识别码可由专用阅读器或有NFC功能的手机读出，并通过网络数据库进行商品的封装、贮藏、出库、销售等信息的记录和查询。本发明应用稳定的透明RFID芯片，技术壁垒高、仿造困难；透明薄膜基底易毁不可修复且不影响商品外观，专用阅读器采用加密协议和算法，是一套完整、难复制、不可重复利用的防伪***，可应用于各类商品的防伪。

Description

一种基于透明薄膜RFID芯片的商品防伪追溯***
技术领域
本发明涉及防伪和RFID芯片设计技术，尤其是涉及一种基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***。
背景技术
RFID芯片近年来在门禁、支付、物流、身份识别、防伪等领域应用广泛。目前市场上的RFID芯片多是硅芯片，透明薄膜芯片属于较新的领域，国际上研究的机构或公司极少。
目前商品防伪主要分为破坏性防伪、光彩光变防伪和RFID芯片防伪等几种类型。破坏性防伪指开启封口的动作能同时破坏商品包装或包装附属物的技术，可有效防止包装被重复利用，也不需要额外增加消费者的学习成本，但不利于商品的保存且安全系数低。光彩光变防伪指在包装上印刷光变文字或图样，可以在不同角度、不同光照条件下呈现不同色彩，技术难度较低，易伪造，消费者需额外学习防伪的方法和特征。RFID芯片防伪是在包装封口附属RFID芯片，用读卡器或手机识别芯片信息以防伪，RFID芯片多采用纸质芯片，容易破坏，可同时作为破坏性防伪的一部分。但现有的RFID标签由于采用硅基芯片，虽然天线易被破坏，但芯片难以被销毁，因此存在被读取和二次利用的隐患。实际应用中一般采用多种防伪结合的方式增加可靠性。
发明内容
为了解决背景技术中的问题，本发明提供了一种基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，本发明应用稳定的透明RFID芯片，技术壁垒高、仿造困难；透明薄膜基底易毁不可修复且不影响商品外观，专用阅读器采用加密协议和算法，是一套完整、难复制、不可重复利用的防伪***，可应用于各类商品的防伪。
本发明采用如下技术方案：
本发明的RFID芯片包括透明薄膜基底和位于透明薄膜基底上的芯片版图，芯片版图包括整流电路、调制电路、数字逻辑电路、天线和调谐电路，整流电路通过调谐电路连接天线，整流电路经数字逻辑电路与调制电路相连；
芯片版图的电路中的全透明薄膜晶体管均采用ZnO-TFT器件，ZnO-TFT器件包括依次形成于透明薄膜基底上的ITO源区层、ITO漏区层、ZnO层、第一Al2O3层、第二Al2O3层、ITO栅区层和阻挡层，ITO源区层、ITO漏区层分别位于ZnO-TFT器件底部两侧且处于同一层；ZnO层中间部分向下嵌入于ITO源区层和ITO漏区层之间形成一长方形凹陷，ZnO层两侧分别沉积于ITO源区层、ITO漏区层上表面；第一Al2O3层沉积于ZnO层上表面且同样也有长方形凹陷，与ZnO层结构相同，第二Al2O3层中间部分覆盖于第一Al2O3层上表面且第二Al2O3层中间部分下表面向下凸起覆盖第一Al2O3层中间凹陷，第二Al2O3层两侧分别延伸到ITO源区层、ITO漏区层上表面；ITO源区层和ITO漏区层上表面中部分别从第二Al2O3层两侧穿出后分别在第一Al2O3层上形成倒L型凸起；ITO栅区层平铺于第二Al2O3层上表面中间；ITO栅区层两侧侧方均有阻挡层，阻挡层与ITO栅区层相隔离，两个阻挡层分别位于ITO源区层的倒L型凸起及第二Al2O3层的上表面、ITO漏区层的倒L型凸起及第二Al2O3层的上表面，两个阻挡层靠近ITO栅区层的内侧分别与第一Al2O3层的两侧边竖向平齐。
所述透明薄膜基底采用玻璃、PET、PI等材料。
所述ZnO-TFT器件的制备工艺如下：
S1：在清洗后的透明薄膜基底上沉积一层200nm的ITO作为源漏极层，在源漏极层上表面旋涂光刻胶，使用光刻机曝光转移图形至透明薄膜基底上，光刻胶溶解变性后在源漏极层上刻蚀形成ITO源区层和ITO漏区层的一部分；
S2：使用原子层沉积ALD设备在ITO源区层和ITO漏区层上沉积ZnO薄膜作为ZnO层；在ZnO层上表面退火并沉积Al2O3薄膜作为第一Al2O3层，使用光刻工艺刻蚀ZnO层和第一Al2O3层，使得ZnO层和第一Al2O3层两侧形成沟道；
S3：在第一Al2O3层上表面及ITO源区层和ITO漏区层的上表面沉积一层Al2O3作为第二Al2O3层，第二Al2O3层两侧分别延伸到ZnO层和第一Al2O3层两侧的沟道中，接着采用1％HF溶液在第二Al2O3层两侧靠近边缘处光刻刻蚀形成通道，使得第二Al2O3层并未将ITO源区层和ITO漏区层上表面完全覆盖；
S4：在步骤S3得到的结构上表面沉积一层100nm的ITO层，ITO层两侧延伸至第二Al2O3层两侧边缘且部分沉积至第二Al2O3层两侧通道内，然后将第二Al2O3层两侧通孔到第二Al2O3层中部之间的ITO层剥离，剥离后保留在第二Al2O3层上表面的ITO层作为ITO栅区层，剥离后保留在两侧的ITO层分别作为ITO源区层和ITO漏区层的另一部分和步骤S2制备的ITO源区层、ITO漏区层的一部分共同组成ITO源区层、ITO漏区层；
S5：在ITO源区层上表面涂覆一层光刻胶作为阻挡区，通过光刻工艺刻蚀得到位于ITO栅区层两侧的阻挡层，且阻挡层靠近ITO栅区层的内侧分别与第一Al2O3层的两侧边竖直平齐；
S6：氘掺杂：在室温下使用氘气在两个阻挡层之间的上方区域进行离子注入掺杂，阻挡层所对应的下方区域在阻挡层的阻挡作用下离子无法注入掺杂。
所述氘掺杂用于控制ZnO-TFT阈值电压的变化。
所述第一Al2O3层为保护层，第二Al2O3层作为栅氧层，ITO栅区层作为栅极，ITO源区层和ITO漏区层分别作为源极和漏极。
每个所述的RFID芯片有一个对应的识别码，此识别码在RFID芯片作为标签贴于封口处之前写入，无线通信设备在靠近RFID芯片时为RFID芯片供能，RFID芯片中电路的固有频率通过调谐电路谐振到特定频率，天线从无线通信设备获取能量，整流电路将能量整流成直流电为数字逻辑电路供电，数字逻辑电路生成RFID芯片中的识别码信号输出至调制电路，调制电路将识别码信号调制至特定频率后通过天线发射至无线通信设备，无线通信设备将调制信号解调恢复为识别码信号，无线通信设备读取并显示RFID芯片上的商品信息，同时将此次读取时间写入网络数据库。
所述网络数据库用于记录商品的封装、贮藏、出库时间和地点、销售情况和消费者的查询记录，消费者可通过阅读器从网络数据库中读取查询到所购买的商品信息。
所述特定频率为13.56MHz。
所述无线通信设备采用专用阅读器或有NFC功能的手机。
所述的无线通信设备设置有一键烧毁RFID芯片的功能，启动无线通信设备时通过加大其功率可烧毁RFID芯片，防止芯片被重复利用伪造商品。
所述芯片版图的电路中的元件均为透明元件，元件包括全透明薄膜晶体管、电容、导线，其中电容主要由上下两层ITO层以及位于两层ITO层中间的绝缘层组成。
所述芯片版图的电路中的反相器结构选用耗尽型负载反相器。
所述数字逻辑电路主要由环形振荡器、计数器、译码器、存储器、曼彻斯特编码器和D触发器组成，数字逻辑电路由环形振荡器产生全局时钟，计数器根据全局时钟的时钟频率计数，计数器将计数得到的同一个地址信号分别传输给两个译码器，两个译码器分别获得只读存储器中字线、位线上的地址信号，并从只读存储器中取出识别码数据，译码器将只读存储器的位线和字线上的数据经D触发器整形后发送至曼彻斯特编码器，曼彻斯特编码器将经过编码后的数据作为识别码信号输出至调制电路。
所述RFID标签主要由透明的氧化锌薄膜晶体管构成，ZnO-TFT器件采用底栅结构。
所述透明薄膜基底厚度为100-700μm。
所述天线印刷于RFID芯片电路***，可根据封口处形状分为方形或圆形，方形天线***边长1-4cm，圆形天线***直径2cm。。
所述RFID芯片制成标签后贴于封口处，跨接封口两侧。
本发明具有的有益效果是：
1)本发明的全透明芯片在世界范围内都是一个新的领域，目前能实现透明射频标签芯片的研究组极少，因此与传统芯片相比本发明的全透明芯片外观辨识度高且极难仿造，可有效防止伪造者通过伪造芯片来欺骗消费者。
2)本发明的RFID芯片不同于传统的商品防伪追溯***，采用透明薄膜作为基底，芯片全透明且易破坏，可覆盖于二维码等需可见的标签之外，不影响现有商品外观，且置于封口处时，消费者开封即可破坏芯片，从而达到防伪的效果。
3)本防伪追溯***辨识度高，适用范围广，安全系数高，防伪效果好，成本低廉，消费者的学习成本低，可应用于酒类、药品、茶叶等各种需防伪***的场合。
附图说明
图1是本发明的***结构框图。
图2是本发明所用ZnO-TFT器件的结构图及工艺流程；图2(a)为源漏极层和透明薄膜基底的结构图；图2(b)为ITO源区层、ITO漏区层和透明薄膜基底的结构图；图2(c)为在图2(b)结构上沉积ZnO层的结构图；图2(d)为在图2(c)结构上沉积第一Al2O3层的结构图；图2(e)为将图2(d)结构经过光刻的结构图；图2(f)为在图2(e)结构上沉积第二Al2O3层的结构图；图2(g)为将图2(e)结构经过光刻的结构图；图2(h)为在图2(g)结构上经沉积、光刻、剥离操作后的结构图；图2(i)为在图2(h)结构上经沉积、光刻、氘掺杂操作后的结构图。
图3是本发明的芯片版图。
图4是本发明的数字逻辑电路结构图。
图5是本发明的测试结果波形图。
图6是本发明应用于红酒瓶的结构示意图。
图7是本发明应用于白酒瓶的结构示意图。
图8是本发明应用于药品罐的结构示意图。
图9是本发明应用于茶叶罐或烟盒的结构示意图。
图10是本发明应用于食盐袋的结构示意图。
图11是本发明应用于首饰盒的结构示意图。
图中：1：透明薄膜基底；2：ZnO层；3：第一Al2O3层；4：第二Al2O3层；5：ITO源区层；6：ITO漏区层；7：ITO栅区层；8：阻挡层；9：源漏极层；10：标签；11：封塑；12：二维码；13软木塞；14：瓶口；15：罐口；16：封口。
具体实施方式
下面结合附图对和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明的防伪***包括采用RFID芯片制成的标签、读取标签信息的专用阅读器和记录商品流通信息的网络数据库。标签跨接封口两端，厚度100-700μm，便于打开商品包装的同时破坏标签。RFID芯片的电路印刷于透明薄膜上，RFID芯片电路中的全透明薄膜晶体管采用ZnO-TFT器件，RFID芯片包含计数器、解码和ROM存储、触发器、环形振荡器、缓冲器等部分。
如图2(i)所示，ZnO-TFT器件包括依次形成于透明薄膜基底1上的ITO源区层5、ITO漏区层6、ZnO层2、第一Al2O3层3、第二Al2O3层4、ITO栅区层7和阻挡层8，ITO源区层5、ITO漏区层6分别位于ZnO-TFT器件底部两侧且处于同一层；ZnO层2中间部分向下嵌入于ITO源区层5和ITO漏区层之间形成一长方形凹陷，ZnO层2两侧分别沉积于ITO源区层5、ITO漏区层上表面；第一Al2O3层3沉积于ZnO层2上表面且同样也有长方形凹陷，与ZnO层2结构相同，第二Al2O3层4中间部分覆盖于第一Al2O3层3上表面且第二Al2O3层4中间部分下表面向下凸起覆盖第一Al2O3层3中间凹陷，第二Al2O3层4两侧分别延伸到ITO源区层5、ITO漏区层上表面；ITO源区层5和ITO漏区层6上表面中部分别从第二Al2O3层4两侧穿出后分别在第一Al2O3层3上形成倒L型凸起；ITO栅区层7平铺于第二Al2O3层4上表面中间；ITO栅区层7两侧侧方均有阻挡层8，阻挡层8与ITO栅区层7相隔离，两个阻挡层8分别位于ITO源区层5的倒L型凸起及第二Al2O3层4的上表面、ITO漏区层6的倒L型凸起及第二Al2O3层4的上表面，两个阻挡层8靠近ITO栅区层7的内侧分别与第一Al2O3层3的两侧边竖向平齐。
具体实施方式：
ZnO-TFT器件的制备工艺如下：
S1：如图2(a)所示，在清洗后的透明薄膜基底1上沉积一层200nm的ITO作为源漏极层，在源漏极层上表面旋涂光刻胶，使用光刻机曝光转移图形至透明薄膜基底1上；如图2(b)所示，光刻胶溶解变性后在源漏极层上刻蚀形成ITO源区层5和ITO漏区层6的一部分；
S2：如图2(c)所示，使用ALD设备在ITO源区层5和ITO漏区层6上沉积ZnO薄膜作为ZnO层2；如图2(d)所示，在ZnO层2上表面退火并沉积Al2O3薄膜作为第一Al2O3层3；如图2(e)所示，使用光刻工艺刻蚀ZnO层2和第一Al2O3层3，使得ZnO层2和第一Al2O3层3两侧形成沟道；
S3：如图2(f)所示，在第一Al2O3层3上表面及ITO源区层5和ITO漏区层6的上表面沉积一层Al2O3作为第二Al2O3层4，第二Al2O3层4两侧分别延伸到ZnO层2和第一Al2O3层3两侧的沟道中；如图2(g)所示，接着采用体积分数为1％的HF溶液在第二Al2O3层4两侧靠近边缘处光刻刻蚀形成通道，使得第二Al2O3层4并未将ITO源区层5和ITO漏区层6上表面完全覆盖；
S4：如图2(h)所示，在步骤S3得到的结构上表面沉积一层100nm的ITO层，ITO层两侧延伸至第二Al2O3层4两侧边缘且部分沉积至第二Al2O3层4两侧通道内，然后将第二Al2O3层4两侧通孔到第二Al2O3层4中部之间的ITO层剥离，剥离后保留在第二Al2O3层4上表面的ITO层作为ITO栅区层7，剥离后保留在两侧的ITO层分别作为ITO源区层5和ITO漏区层6的另一部分和步骤S2制备的ITO源区层5、ITO漏区层6的一部分共同组成ITO源区层5、ITO漏区层6；
S5：在ITO源区层5上表面涂覆一层光刻胶作为阻挡区，通过光刻工艺刻蚀得到位于ITO栅区层7两侧的阻挡层8，且阻挡层8靠近ITO栅区层7的内侧分别与第一Al2O3层3的两侧边竖直平齐；
S6：氘掺杂：如图2(i)所示，在室温下使用氘气在两个阻挡层8之间的上方区域进行离子注入掺杂，阻挡层8所对应的下方区域在阻挡层8的阻挡作用下离子无法注入掺杂。
所用透明薄膜基底1可采用玻璃、PET、PI等材料。本发明的具体实施方式采用晶圆作为透明薄膜基底1
如图3所示，芯片版图包括整流电路、调制电路、数字逻辑电路、天线和调谐电路，天线分别与调谐电路、整流电路、调制电路相连，整流电路经数字逻辑电路与调制电路相连；每个所述的RFID芯片有一个对应的识别码，此识别码在RFID芯片作为标签贴于封口处之前写入，阅读器在靠近RFID芯片时为RFID芯片供能，RFID芯片中电路的固有频率通过调谐电路谐振到13.56MHz，天线从阅读器获取能量，整流电路将能量整流成直流电为数字逻辑电路供电，数字逻辑电路生成RFID芯片中的识别码信号输出至调制电路，调制电路将识别码信号调制至13.56MHz后通过天线发射至阅读器，阅读器将调制信号解调恢复为识别码信号，阅读器读取并显示RFID芯片上的商品信息，同时将此次读取时间写入网络数据库。阅读器采用加密协议和算法，协议兼容14443协议。
如图4所示，数字逻辑电路主要由环形振荡器、计数器、译码器、存储器、曼彻斯特编码器和D触发器组成，数字逻辑电路由环形振荡器产生全局时钟，计数器根据全局时钟的时钟频率计数，计数器将计数得到的同一个地址信号分别传输给两个译码器，两个译码器分别获得只读存储器中字线、位线上的地址信号，并从只读存储器中取出识别码数据，译码器将只读存储器的位线和字线上的数据经D触发器整形后发送至曼彻斯特编码器，曼彻斯特编码器将经过编码后的数据作为识别码信号输出至调制电路
如图5所示为测试电压VDD为10V时的测试结果波形，数据速率为18.4kbit/s。图中所示波形采用曼彻斯特编码，图中所示曼彻斯特码为01100101010110011001010101010110，解码得到数据1011110101111110。
如图6为采用本发明制成标签后应用于红酒的示例图，标签10粘贴于红酒瓶软木塞13和瓶口14外侧，跨接软木塞13和瓶身，在玻璃标签10和瓶口间可添加二维码12或光彩光变防伪等需可见的验证手段，标签10有芯片和天线一侧朝向酒瓶以防止被破坏，标签10外侧采用封塑11进行封装。
如图7为采用本发明制成标签后应用于白酒的示例图，标签10粘贴于白酒瓶瓶口14外侧，若白酒瓶口14封塑11透明，则可在玻璃标签10和瓶口14间添加二维码12或光彩光变防伪等需可见的验证手段，标签10有芯片和天线一侧朝向酒瓶以防止被破坏，标签外侧采用封塑11进行封装。
如图8为采用本发明制成标签后应用于药品罐的示例图，标签10粘贴于药品罐口15外侧，若药品罐口15封塑11透明，则可在玻璃标签10和罐口15间添加二维码12或光彩光变防伪等需可见的验证手段，标签10有芯片和天线一侧朝向药品罐内侧以防止被破坏，标签10外侧采用封塑11进行封装。
如图9为采用本发明制成标签后应用于茶叶罐或烟盒的示例图，标签10粘贴于茶叶罐或烟盒封口16处，标签10内侧可添加二维码或光彩光变防伪等需可见的验证手段，标签10有芯片和天线一侧朝向茶叶罐或烟盒内侧以防止被破坏，标签10外侧采用封塑等常规封装手段进行封装。
如图10为采用本发明制成标签后应用于食盐袋的示例图，标签10粘贴于食盐袋封口16处，标签10内侧可添加二维码或光彩光变防伪等需可见的验证手段，标签10有芯片和天线一侧朝向食盐袋内侧以防止被破坏。
如图11为采用本发明制成标签后应用于首饰盒的示例图，标签10粘贴于首饰盒开口处，标签10内侧可添加二维码12或光彩光变防伪等需可见的验证手段，标签10有芯片和天线一侧朝向食盐袋内侧以防止被破坏。
以上所述，仅是本发明在食品、饮料等商品防伪上的的较佳实例而已，并非对本发明做任何形式上的限定，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或修饰为等同变化的等效实例，但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上事例所做的任何的简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：RFID芯片包括透明薄膜基底(1)和位于透明薄膜基底(1)上的芯片版图，芯片版图包括整流电路、调制电路、数字逻辑电路、天线和调谐电路，整流电路通过调谐电路连接天线，整流电路经数字逻辑电路与调制电路相连；
芯片版图的电路中的全透明薄膜晶体管均采用ZnO-TFT器件，ZnO-TFT器件包括依次形成于透明薄膜基底(1)上的ITO源区层(5)、ITO漏区层(6)、ZnO层(2)、第一Al2O3层(3)、第二Al2O3层(4)、ITO栅区层(7)和阻挡层(8)，ITO源区层(5)、ITO漏区层(6)分别位于ZnO-TFT器件底部两侧且处于同一层；ZnO层(2)中间部分向下嵌入于ITO源区层(5)和ITO漏区层之间形成一长方形凹陷，ZnO层(2)两侧分别沉积于ITO源区层(5)、ITO漏区层上表面；第一Al2O3层(3)沉积于ZnO层(2)上表面且同样也有长方形凹陷，第二Al2O3层(4)中间部分覆盖于第一Al2O3层(3)上表面且第二Al2O3层(4)中间部分下表面向下凸起覆盖第一Al2O3层(3)中间凹陷，第二Al2O3层(4)两侧分别延伸到ITO源区层(5)、ITO漏区层上表面；ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)上表面中部分别从第二Al2O3层(4)两侧穿出后分别在第一Al2O3层(3)上形成倒L型凸起；ITO栅区层(7)平铺于第二Al2O3层(4)上表面中间；ITO栅区层(7)两侧侧方均有阻挡层(8)，阻挡层(8)与ITO栅区层(7)相隔离，两个阻挡层(8)分别位于ITO源区层(5)的倒L型凸起及第二Al2O3层(4)的上表面、ITO漏区层(6)的倒L型凸起及第二Al2O3层(4)的上表面，两个阻挡层(8)靠近ITO栅区层(7)的内侧分别与第一Al2O3层(3)的两侧边竖向平齐。
2.根据权利要求1所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述ZnO-TFT器件的制备工艺如下：
S1：在清洗后的透明薄膜基底(1)上沉积一层ITO作为源漏极层(9)，在源漏极层(9)上表面旋涂光刻胶，使用光刻机曝光转移图形到透明薄膜基底(1)上，光刻胶溶解变性后在源漏极层上刻蚀形成ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)的一部分；
S2：使用原子层沉积设备在ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)上沉积ZnO薄膜作为ZnO层(2)；在ZnO层(2)上表面退火并沉积Al2O3薄膜作为第一Al2O3层(3)，使用光刻工艺刻蚀ZnO层(2)和第一Al2O3层(3)，使得ZnO层(2)和第一Al2O3层(3)两侧形成沟道；
S3：在第一Al2O3层(3)上表面及ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)的上表面沉积一层Al2O3作为第二Al2O3层(4)，第二Al2O3层(4)两侧分别延伸到ZnO层(2)和第一Al2O3层(3)两侧的沟道中，接着采用HF溶液在第二Al2O3层(4)两侧靠近边缘处光刻刻蚀形成通道，使得第二Al2O3层(4)并未将ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)上表面完全覆盖；
S4：在步骤S3得到的结构上表面沉积一层ITO层，ITO层两侧延伸至第二Al2O3层(4)两侧边缘且部分沉积至第二Al2O3层(4)两侧通道内，然后将第二Al2O3层(4)两侧通孔到第二Al2O3层(4)中部之间的ITO层剥离，剥离后保留在第二Al2O3层(4)上表面的ITO层作为ITO栅区层(7)，剥离后保留在两侧的ITO层分别作为ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)的另一部分和步骤S2制备的ITO源区层(5)、ITO漏区层(6)的一部分共同组成ITO源区层(5)、ITO漏区层(6)；
S5：在ITO源区层(5)上表面涂覆一层光刻胶作为阻挡区，通过光刻工艺刻蚀得到位于ITO栅区层(7)两侧的阻挡层(8)，且阻挡层(8)靠近ITO栅区层(7)的内侧分别与第一Al2O3层(3)的两侧边竖直平齐；
S6：氘掺杂：使用氘气在两个阻挡层(8)之间的上方区域进行离子注入掺杂。
3.根据权利要求1所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述第一Al2O3层(3)为保护层，第二Al2O3层(4)作为栅氧层，ITO栅区层(7)作为栅极，ITO源区层(5)和ITO漏区层(6)分别作为源极和漏极。
4.根据权利要求1所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：每个所述的RFID芯片有一个对应的识别码，无线通信设备在靠近RFID芯片时为RFID芯片供能，RFID芯片中电路的固有频率通过调谐电路谐振到特定频率，天线从无线通信设备获取能量，整流电路将能量整流成直流电为数字逻辑电路供电，数字逻辑电路生成RFID芯片中的识别码信号输出至调制电路，调制电路将识别码信号调制至特定频率后通过天线发射至无线通信设备，无线通信设备将调制信号解调恢复为识别码信号，无线通信设备读取并显示RFID芯片上的商品信息。
5.根据权利要求4所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述特定频率为13.56MHz。
6.根据权利要求4所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述无线通信设备采用专用阅读器或有NFC功能的手机。
7.根据权利要求4所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述的无线通信设备设置有一键烧毁RFID芯片的功能防止芯片被重复利用伪造商品。
8.根据权利要求1所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述芯片版图的电路中的元件均为透明元件，元件包括全透明薄膜晶体管、电容、导线，其中电容主要由上下两层ITO层以及位于两层ITO层中间的绝缘层组成。
9.根据权利要求1所述的基于透明薄膜基底RFID芯片的商品防伪追溯***，其特征在于：所述芯片版图的电路中的反相器结构选用耗尽型负载反相器。
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