CN109979974A - 一种amoled透明显示像素结构 - Google Patents

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Abstract

一种AMOLED透明显示像素结构，属于显示技术领域。所述透明显示像素结构，包括多个像素，每个像素包括三个不同颜色的子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其特征在于，所述像素结构中相邻子像素中的透明区域位于子像素的不同位置(顶部位置、中间位置或底部位置)。本发明提供的一种AMOLED透明显示像素结构，通过将透明区域设置于子像素中的不同位置处，在保证透光率的同时有效解决了显示横纹问题。

Description

一种AMOLED透明显示像素结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种AMOLED透明显示像素结构。
背景技术
透明显示是指可形成透明显示状态以使观察者看到屏幕后方的影像的显示器，是一种全新的显示技术，可应用于手机、笔记本电脑、展示橱窗、广告牌等显示装置中。主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)具有自发光、高发光效率、低操作电压、面板厚度薄、可制作成柔性面板以及制造工艺简单等优点，常被用来制作透明显示器。AMOLED自主发光的原理为：背板上制作的铟锡氧化物半导体(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，将有机半导体材料和发光材料蒸镀到基板上，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，并经电子和空穴传输层迁移至发光层，在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，经过辐射驰豫而发出可见光。
如图1所示，为常见的AMOLED透明显示像素结构(b)，其中，(a)为其中一个像素的结构，包括红、绿、蓝(RGB)三个子像素，每个子像素包括驱动薄膜晶体管1(TFT)和发光区2，其透光率一般为10％。为了提高透光率，通常在发光区增加透明区域3，透明区域3中无发光材料，只有基板与透明电极，可将像素结构的透光率提升至50％以上。然而，该透明显示像素结构中，单个子像素透明区域均位于子像素顶部位置，形成一条横向透明带(区域3)，与不透明横带(区域2)进行对比，会出现上下亮暗不一的问题，进而导致显示横纹的风险；而在低灰阶下人眼更为敏感，更易发现横纹。
发明内容
本发明的目的在于针对背景技术存在的缺陷，提出了一种AMOLED透明显示像素结构，有效解决了背景技术中显示横纹的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种AMOLED透明显示像素结构，包括多个像素，每个像素包括三个不同颜色的子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其特征在于，所述像素结构中相邻子像素中的透明区域位于子像素的不同位置(顶部位置、中间位置或底部位置)。
进一步地，所述像素结构中，每个像素中的透明区域形成“V”形、倒“V”形或阶梯形等。
进一步地，所述每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素；三个子像素依次交替周期性排列得到像素结构。
进一步地，所述透明区域的宽度可以与发光区的宽度相同，也可以与发光区的宽度不同。
进一步地，所述透明区域的面积为子像素面积的10％～30％。
进一步地，所述透明区域可以为矩形、圆形等。
进一步地，每个子像素包括驱动薄膜晶体管(TFT)、发光区和透明区域；所述驱动薄膜晶体管包括依次设置的多晶硅层、金属栅极层、金属源漏极层、绝缘层等；所述发光区包括依次设置的半透明阳极、红色/绿色/蓝色发光材料层、金属阴极；所述透明区域包括半透明阳极、平坦层和金属阴极，没有发光材料层。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供的一种AMOLED透明显示像素结构，通过将透明区域设置于子像素中的不同位置处，在保证透光率的同时有效解决了显示横纹问题。
附图说明
图1为背景技术的透明显示像素结构(b)以及其中的一个像素(a)的结构示意图；其中，1为驱动薄膜晶体管，2为发光区，3为透明区域；
图2为透明显示像素结构中，发光区和透明区域的剖面图；其中，4为半透明阳极，5为平坦层，6为金属阴极，7为红色/绿色/蓝色发光材料层；
图3为透明显示像素结构中，发光区中的发光材料层的结构示意图；
图4为本发明透明显示像素结构中，透明区域的设置方式示意图；
图5为实施例1提供的一种AMOLED透明显示像素结构的示意图；
图6为实施例2提供的一种AMOLED透明显示像素结构的示意图；
图7为实施例3提供的一种AMOLED透明显示像素结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
如图2所示，为透明显示像素结构中，发光区和透明区域的剖面图；其中，发光区包括依次设置的半透明阳极、红色/绿色/蓝色发光材料层、金属阴极，而透明区域包括半透明阳极、平坦层和金属阴极，没有发光材料层。
如图3所示，为透明显示像素结构中，发光区中的发光材料层的结构示意图；包括依次设置的空穴注入层HIL(Hole Injection Layer)、空穴传输层HTL(Hole TransportLayer)、电子阻挡层EBL(Electron Blocking Layer)、发光层EML(Emission Layer)、电子传输层ETL(Electron Transport Layer)、电子注入层EIL(Electron Injection Layer)等多层膜结构。所述发光材料层通过蒸镀、转印或喷墨等方法形成。
如图4所示，为本发明透明显示像素结构中，透明区域的设置方式示意图；所述透明区域的宽度可以与发光区的宽度相同(左图)，也可以与发光区的宽度不同，镶嵌于发光区中(右图)，所述透明区域的面积为子像素面积的10％～30％。
实施例1
如图5所示，为实施例1提供的一种AMOLED透明显示像素结构的示意图，(a)为其中一个像素的结构。实施例1提供的AMOLED透明显示像素结构包括4个像素，每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其中，相邻子像素中的透明区域分别位于子像素的顶部位置和中间位置。
其中的驱动薄膜晶体管(TFT)位于子像素的底部区域(如图5a)，包括多晶硅层、金属栅极层、金属源漏极层、绝缘层等，采用常规方法形成。其中的透明区域位于子像素的顶部位置和中间位置，包括半透明阳极、平坦层和金属阴极，平坦层材料为常用的光阻剂，透明度需大于90％，半透明阳极通常选用ITO、或者ITO/Ag/ITO材料(氧化铟锡/银/氧化铟锡)，透过率大于50％；透明区域的面积为子像素总面积的10％～30％，具体视产品的透过率规格确定；透明区域不仅仅局限于长方形，还可以镶嵌于发光区中，如图4所示。其中的发光区2包括半透明阳极、红色/绿色/蓝色发光材料层、金属阴极，通过将沉积平坦层后的阳极进行曝光显影后露出半透明阳极，再在阳极上形成有机发光材料得到，半透明阳极通常选用ITO、ITO/Ag/ITO材料(氧化铟锡/银/氧化铟锡)，有机发光材料层通过蒸镀、转印或喷墨等方法进行填充，为多层膜结构，包括依次设置的空穴注入层HIL(Hole InjectionLayer)、空穴传输层HTL(Hole Transport Layer)、电子阻挡层EBL(Electron BlockingLayer)、发光层EML(Emission Layer)、电子传输层ETL(Electron Transport Layer)、电子注入层EIL(Electron Injection Layer)等多层膜结构，如图3所示，发光材料层直接接触阳极层与阴极层，阴极层通常为ITO，透过率大于90％，有利于光的透过，其厚度根据实际应用选择，通常为0.1～0.2μm。
实施例2
如图6所示，为实施例2提供的一种AMOLED透明显示像素结构的示意图，(a)为其中一个像素的结构。实施例2提供的AMOLED透明显示像素结构包括4个像素，每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其中，相邻子像素中的透明区域分别位于子像素的顶部位置和底部位置。
实施例3
如图7所示，为实施例3提供的一种AMOLED透明显示像素结构的示意图，(a)为其中一个像素的结构。实施例3提供的AMOLED透明显示像素结构包括4个像素，每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其中，每个像素中的透明区域呈阶梯状分布，即透明区域依次分别位于顶部位置、中间位置和底部位置。
以上仅是对本发明的实施例进行描述，而不是穷举或限制本发明的范围，本领域技术人员根据说明书公开的内容容易想到的调整及变型，均在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种AMOLED透明显示像素结构，包括多个像素，每个像素包括三个不同颜色的子像素，每个子像素的发光区设置透明区域，其特征在于，所述像素结构中相邻子像素中的透明区域位于子像素的不同位置。
2.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述像素结构中，每个像素中的透明区域形成“V”形、倒“V”形或阶梯形。
3.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述每个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素三个子像素。
4.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述透明区域的面积为子像素面积的10％～30％。
5.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述透明区域为矩形或圆形。
6.根据权利要求1所述的AMOLED透明显示像素结构，其特征在于，所述发光区包括依次设置的半透明阳极、红色/绿色/蓝色发光材料层、金属阴极；所述透明区域包括半透明阳极、平坦层和金属阴极。
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