CN109971436A - 一种电子元件用散热介质的制备方法 - Google Patents

一种电子元件用散热介质的制备方法 Download PDF

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范小斌
李申
顾建国
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Abstract

一种电子元件用散热介质的制备方法，所述电子元件用散热介质的制备方法为：S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。

Description

一种电子元件用散热介质的制备方法
技术领域
本发明具体涉及一种电子元件用散热介质的制备方法。
背景技术
电子器件向着小型化、紧凑化、高性能的方向发展，导致发热量增加。同时，由于使用了这些小型化部件，电子设备趋向于高密度装配，因此，单位容积的发热量逐年增大。由此可知，电子元器件的冷却技术是未来电子技术发展需要解决的一项关键技术。并且，随着高热流密度高功率仪器的发展，热流密度高、体积小、高温失效率高等问题阻碍着高功率电子元件的发展，从而热能的高效输运越来越受到人们的重视，热管理问题已成为大功率、高热流密度LED技术及产业发展的主要瓶颈。传统的主动式散热不仅体积庞大无法适应小空间的密集型高精尖设备，其额外消耗的能源也违背了高效环保节能的理念。然而被动式两相换热装置，由于其汽化潜热作用的发挥，其高效性能也在很多方面得到了广泛的应用。然而现有技术中的散热管散热器，其在结构上具有诸多待改进的地方，散热性能依然不能满足现有技术中的电子元件的散热需求。
例如中国专利CN101742892A公开的一种热管散热器，其包括一第一散热板、第二散热板及夹设与第一散热板与第二散热板之间的热管组合，所述热管组合包括由至少两个热管围绕形成一封闭区域，所述封闭区域封闭于第一散热板与第二散热板之间，所述第一散热板与第二散热板中至少一个开设有与封闭区域连通的通孔。该热管散热器与设备安装之间没有形成气流的装置，散热效果差。
CPU水冷散热器是指使用液体在泵的带动下强制循环带走散热器的热量，与风冷相比具有安静、降温稳定、对环境依赖小等优点。水冷散热器的散热性能与其中散热液(水或其他液体)流速成正比,制冷液的流速又与制冷***水泵功率相关。而且水的热容量大,这就使得水冷制冷***有着很好的热负载能力。相当于风冷***的5倍,导致的直接好处就是CPU工作温度曲线非常平缓。比如，使用风冷散热器的***在运行CPU负载较大的程序时会在短时间内出现温度热尖峰，或有可能超出CPU警戒温度，而水冷散热***则由于热容量大，热波动相对要小得多。但现有技术中的水冷散热液的吸热散热能力较弱，而且散热液容易蒸发，因此，需要一种新的散热液。
发明内容
本申请的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种电子元件用散热介质的制备方法。
本申请的目的是通过以下技术方案解决的：
一种电子元件用散热介质的制备方法，所述电子元件用散热介质的制备方法为：
S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；
S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；
S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S1中，所述充分研磨的时间为1h。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S2中，所述搅拌并加热的时间为30min。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S2中，所述加热的温度为65℃。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S2中，所述混合液在经过搅拌加热后须冷却至室温。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S3中，所述搅拌时间为30min。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S3中，所述电磁搅拌器的转速为2400r/min。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，所述纳米氧化铝粒径为30-60nm。
一种电子元件用散热介质配方，所述电子元件用散热介质配方由下列重量百分比的原料制成：纳米氧化铝2％～5％、二氧化钛2％～7％、铜粉1％～4％、氧化锌3％～5％、磷酸钾1％～5％、乙醇5％～9％、***20％～30％、乙酸乙酯2％～5％、二乙醇胺3％～7％、丙三醇5％～10％、丙醇5％～20％、异丙醇9％～16％、对亚苯基二胺1％～16％。
进一步的，一种电子元件用散热介质配方，所述电子元件用散热介质由下列重量百分比为：纳米氧化铝4％、二氧化钛6％、铜粉3％、氧化锌5％、磷酸钾2％、乙醇6％、***24％、乙酸乙酯2％、二乙醇胺3％、丙三醇5％、丙醇10％、异丙醇15％、对亚苯基二胺15％。
本申请相比现有技术有如下优点：
(1)本申请与现有技术相比，本申请可直接水冷散热***中即可使用，具有高导热的优点，从而提高散热效率。
(2)同时具有防导电的功能，具体的，一般液冷都具有漏液的风险，而本申请采用不导电液体，可以避免漏液而造成电路损坏的现象。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
一种电子元件用散热介质的制备方法，所述电子元件用散热介质的制备方法为：S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S1中，所述充分研磨的时间为1h。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S2中，所述搅拌并加热的时间为30min。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S2中，所述加热的温度为65℃。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S2中，所述混合液在经过搅拌加热后须冷却至室温。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S3中，所述搅拌时间为30min。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，S3中，所述电磁搅拌器的转速为2400r/min。
进一步的，一种电子元件用散热介质的制备方法，所述纳米氧化铝粒径为30-60nm。
一种电子元件用散热介质配方，所述电子元件用散热介质配方由下列重量百分比的原料制成：纳米氧化铝2％～5％、二氧化钛2％～7％、铜粉1％～4％、氧化锌3％～5％、磷酸钾1％～5％、乙醇5％～9％、***20％～30％、乙酸乙酯2％～5％、二乙醇胺3％～7％、丙三醇5％～10％、丙醇5％～20％、异丙醇9％～16％、对亚苯基二胺1％～16％。
进一步的，一种电子元件用散热介质配方，所述电子元件用散热介质由下列重量百分比为：纳米氧化铝4％、二氧化钛6％、铜粉3％、氧化锌5％、磷酸钾2％、乙醇6％、***24％、乙酸乙酯2％、二乙醇胺3％、丙三醇5％、丙醇10％、异丙醇15％、对亚苯基二胺15％。
本申请相比现有技术有如下优点：
(1)本申请与现有技术相比，本申请可直接水冷散热***中即可使用，具有高导热的优点，从而提高散热效率。
(2)同时具有防导电的功能，具体的，一般液冷都具有漏液的风险，而本申请采用不导电液体，可以避免漏液而造成电路损坏的现象。
实施例二
一种电子元件用散热介质配方，所述电子元件用散热介质由由下列重量百分比的原料制成：纳米氧化铝2％、二氧化钛2％、铜粉1％、氧化锌3％、磷酸钾1％、乙醇5％、***20％、乙酸乙酯2％、二乙醇胺3％、丙三醇5％、丙醇5％、异丙醇9％、对亚苯基二胺1％；所述电子元件用散热介质的制备方法为：S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。
本申请相比现有技术有如下优点：
(1)本申请与现有技术相比，本申请可直接水冷散热***中即可使用，具有高导热的优点，从而提高散热效率。
(2)同时具有防导电的功能，具体的，一般液冷都具有漏液的风险，而本申请采用不导电液体，可以避免漏液而造成电路损坏的现象。
实施例三
一种电子元件用散热介质的制备配方，所述电子元件用散热介质由由下列重量百分比的原料制成：纳米氧化铝5％、二氧化钛7％、铜粉4％、氧化锌5％、磷酸钾5％、乙醇9％、***30％、乙酸乙酯5％、二乙醇胺7％、丙三醇10％、丙醇20％、异丙醇16％、对亚苯基二胺16％；所述电子元件用散热介质的制备方法为：S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。
本申请相比现有技术有如下优点：
(1)本申请与现有技术相比，本申请可直接水冷散热***中即可使用，具有高导热的优点，从而提高散热效率。
(2)同时具有防导电的功能，具体的，一般液冷都具有漏液的风险，而本申请采用不导电液体，可以避免漏液而造成电路损坏的现象。
实施例四
一种电子元件用散热介质的制备配方，所述电子元件用散热介质由由下列重量百分比的原料制成：纳米氧化铝4％、二氧化钛6％、铜粉3％、氧化锌5％、磷酸钾2％、乙醇6％、***24％、乙酸乙酯2％、二乙醇胺3％、丙三醇5％、丙醇10％、异丙醇15％、对亚苯基二胺15％；所述电子元件用散热介质的制备方法为：S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。
本实施例的具体数值为最佳配比，在各个方面性能达到最优。
本申请相比现有技术有如下优点：
(1)本申请与现有技术相比，本申请可直接水冷散热***中即可使用，具有高导热的优点，从而提高散热效率。
(2)同时具有防导电的功能，具体的，一般液冷都具有漏液的风险，而本申请采用不导电液体，可以避免漏液而造成电路损坏的现象。
以上实施例仅为说明本申请的技术思想，不能以此限定本申请的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内；本申请未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。

Claims (10)

1.一种电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于，所述电子元件用散热介质的制备方法为：
S1：取纳米氧化铝、二氧化钛、铜粉、氧化锌、磷酸钾，放入研磨机，充分研磨得到物料；
S2：然后依次加入乙醇、***、乙酸乙酯、二乙醇胺、丙三醇、丙醇、异丙醇、对亚苯基二胺，搅拌并加热得到混合液；
S3：最后将S1步骤中的物料和混合液倒入电磁搅拌器，继续搅拌，即得成品。
2.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：S1中，所述充分研磨的时间为1h。
3.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：S2中，所述搅拌并加热的时间为30min。
4.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：S2中，所述加热的温度为65℃。
5.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：S2中，所述混合液在经过搅拌加热后须冷却至室温。
6.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：S3中，所述搅拌时间为30min。
7.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：S3中，所述电磁搅拌器的转速为2400r/min。
8.根据权利要求1所述的电子元件用散热介质的制备方法，其特征在于：所述纳米氧化铝粒径为30-60nm。
9.一种电子元件用散热介质配方，其特征在于：所述电子元件用散热介质配方由下列重量百分比的原料制成：纳米氧化铝2％～5％、二氧化钛2％～7％、铜粉1％～4％、氧化锌3％～5％、磷酸钾1％～5％、乙醇5％～9％、***20％～30％、乙酸乙酯2％～5％、二乙醇胺3％～7％、丙三醇5％～10％、丙醇5％～20％、异丙醇9％～16％、对亚苯基二胺1％～16％。
10.根据权利要81所述的电子元件用散热介质配方，其特征在于：所述电子元件用散热介质由下列重量百分比为：纳米氧化铝4％、二氧化钛6％、铜粉3％、氧化锌5％、磷酸钾2％、乙醇6％、***24％、乙酸乙酯2％、二乙醇胺3％、丙三醇5％、丙醇10％、异丙醇15％、对亚苯基二胺15％。
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