CN109959289A - 一种抗重力超薄微热管制备方法 - Google Patents

一种抗重力超薄微热管制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109959289A
CN109959289A CN201910200216.5A CN201910200216A CN109959289A CN 109959289 A CN109959289 A CN 109959289A CN 201910200216 A CN201910200216 A CN 201910200216A CN 109959289 A CN109959289 A CN 109959289A
Authority
CN
China
Prior art keywords
monocrystalline silicon
silicon piece
antigravity
ultra
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910200216.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109959289B (zh
Inventor
汤勇
贾明泽
丁鑫锐
李宗涛
陈恭
钟桂生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Zhuhai Institute of Modern Industrial Innovation of South China University of Technology
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Zhuhai Institute of Modern Industrial Innovation of South China University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT, Zhuhai Institute of Modern Industrial Innovation of South China University of Technology filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN201910200216.5A priority Critical patent/CN109959289B/zh
Publication of CN109959289A publication Critical patent/CN109959289A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109959289B publication Critical patent/CN109959289B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0283—Means for filling or sealing heat pipes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/04—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with tubes having a capillary structure
    • F28D15/046—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with tubes having a capillary structure characterised by the material or the construction of the capillary structure
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D2015/0225—Microheat pipes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明公开一种抗重力超薄微热管及其制备方法，制备方法为通过在单晶硅片上进行连续两次激光加工，加工出可进行单向运输液体的阵列排布的梭形结构作为毛细吸液芯，然后在带有该梭形结构的两片单晶硅片间放置一片单晶硅支架，采用共晶键合技术将单晶硅片与单晶硅支架之间进行密封，再采用飞秒激光钻孔在一侧单晶硅片上钻真空灌液孔，通过真空灌注机对微热管抽真空并灌注工质液体，然后对真空灌液孔进行激光焊接密封，得到所述的抗重力超薄微热管。本抗重力超薄微热管，采用在内壁上直接加工出可进行单向运输液体的梭形阵列吸液芯结构，具有更大的蒸汽回流通道；梭形阵列结构带来了极大的毛细回流压力，传热性能好，具有抗重力特性。

Description

一种抗重力超薄微热管制备方法
技术领域
本发明涉及微热管制备技术领域，特别涉及一种抗重力超薄微热管制备方法。
背景技术
随着微电子技术及大规模集成电路技术的飞速发展，通过高功率电子芯片的热流密度大幅增加，大规模高度集成化的电路也导致电子元器件的散热空间非常狭小。研究资料表明，电子元器件的失效率随着其温度的上升而呈指数增加，当温度超过电子元器件的额定工作温度时，其可靠性将会显著下降。超过55％的电子设备失效是由于散热不及时导致温度过高而引起的。
热管作为一种高效的相变传热元件，其具有高热导率、高稳定性和使用寿命长等优点，能够快速将热量传走，防止局部热点的产生，因此成为微电子领域使用最为广泛散热元器件之一。但是随着电子产品不断朝着小型化、高度集成化方向发展，传统的圆柱形热管或压扁管已经不能满足在狭小空间内高效散热的要求，难以应用于紧凑轻薄型电子设备上，同时由于吸液芯结构带来的毛细压力不足，热管在抗重力场合无法应用。此外，传统的热管一般都可以双向传热，这样对于电子元器件来说，当外界温度过高时，传统的微热管会将外界热量传到电子元器件上，导致电子元器件因温度过高而损坏。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种抗重力超薄微热管制备方法，该方法可高精度、批量生产抗重力超薄微热管，本方法制备出的抗重力超薄微热管结构紧凑、厚度超薄、抗重力、具有单方向传热特性，适用于在狭小空间内高效散热。
本发明的技术方案为：一种抗重力超薄微热管制备方法，包括下列步骤：
(1)将单晶硅片和单晶硅支架清洗并烘干；选用的单晶硅片为适合激光加工和具有较高热导率的单晶硅片；
(2)将单晶硅片的单面先后连续进行两次激光加工，加工出阵列排布的梭形结构，再清洗并烘干；
(3)通过步骤(2)加工出两片单晶硅片，将两片单晶硅片带有梭形阵列的一面相对、并在两片单晶硅片之间放入单晶硅支架，通过共晶键合技术将两片单晶硅片和单晶硅支架密封，单晶硅片和单晶硅支架之间形成内腔；
(4)在微热管的其中一片单晶硅片上进行激光钻孔，加工出抽真空灌液孔，通过真空灌液孔对内腔抽真空并向内腔灌注工质液体，再对真空灌液孔进行激光焊接密封，即得到抗重力超薄微热管。
步骤(1)中，所述清洗为采用去离子水超声振动清洗至少20分钟，烘干为单晶硅片在80～95℃的温度中烘干10～15分钟。
步骤(1)中，所述单晶硅片为矩形，单晶硅片预先经过两面抛光处理，单晶硅片的长为100～200mm，宽为30～50mm，厚度为0.2～0.25mm。
步骤(1)中，所述单晶硅支架为矩形框架结构，单晶硅支架的长、宽、厚度分别与单晶硅片的长、宽、厚度相同，单晶硅支架的边框宽为8～12mm。
步骤(2)中，在两次激光加工过程中，第一次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，第二次加工出阵列排布的梭形结构；或者，第一次加工出阵列排布的梭形结构，第二次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽。
步骤(2)中，所述激光加工采用飞秒激光加工，激光的波长为400nm～800nm，激光的能量为80～100mW，激光的切割速度不超过30μm/s。
步骤(3)中，所述共晶键合技术为硅-硅直接共晶键合技术。
步骤(4)中，所述激光钻孔采用飞秒激光钻孔技术，抽真空为将微热管腔内的压力抽至10～20pa，工质液体采用冷媒。其中，冷媒包括去离子水、乙醇、丙酮、四氟乙烷、三氟氯丙烯。
步骤(3)中，多对单晶硅片和单晶硅支架同时通过共晶键合技术密封。可通过一次键合工艺获得多根抗重力超薄微热管，提高生产效率。
步骤(4)中，对内腔抽真空并向内腔灌注工质液体时，采用真空灌注机。
本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：
本抗重力超薄微热管制备方法，采用在内壁上直接加工出可进行单向运输液体的梭形阵列吸液芯结构，区别于传统的沟槽及烧粉吸液芯结构，具有更大的蒸汽回流通道；同时梭形阵列吸液芯结构带来了极大的毛细回流压力，传热性能好，具有抗重力特性。
本抗重力超薄微热管制备方法，采用激光加工技术，槽道宽度极窄、切割表面光洁、切割过程无热影响层、加工材料表面不产生内应力、加工精度高。本发明方法制备的抗重力超薄微热管，由于采用全硅基材料，同时采用紧密共晶键合技术，区别于基质与吸液芯采用不同材料的微热管，具有极小的热阻，具有结构紧凑、厚度超薄和单方向传热的优点，是适用于散热空间狭小的散热装置。
本抗重力超薄微热管制备方法工艺简单，加工精度高，通过一次共晶键合工艺可同时键合多片单晶硅片，实现单根或多根大批量生产，适合产品的应用与推广。
附图说明
图1为本抗重力超薄微热管的结构示意图。
图2为单晶硅片在激光加工后的俯视图。
图3为单晶硅片在激光加工后的结构示意图。
图4为单晶硅片单个梭形结构的示意图。
图5为本抗重力超薄微热管的横截面示意图。
其中，图中所示，1为单晶硅片、2为单晶硅支架、3为梭形结构、4为凹槽、5为内腔。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例一种抗重力超薄微热管制备方法，如图1所示，包括下列步骤：
(1)选择适合进行激光加工、具有较高热导率的单晶硅片作为原材料，将单晶硅片和单晶硅支架用去离子水超声振动清洗20分钟，超声波频率为25kHz，再将单晶硅片在95℃的烘干炉中烘干15分钟。
(2)如图2～4所示，将单晶硅片的单面连续进行两次飞秒激光加工，加工出阵列排布的梭形结构；其中，第一次加工出阵列排布的梭形结构作为毛细吸液芯，第二次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，具体为，第一步在长为240mm，宽为60mm的基板上，水平放置两片长为100mm、宽为40mm、截面厚度为0.2mm的单晶硅片，两片单晶硅片的间距为10mm，在硅片上采用激光加工出梭形结构的尖槽，激光的波长为800nm，激光的能量控制在100mW，激光切割速度为30μm/s，加工出的尖槽在长边方向的间距为150μm，在宽边方向的间距为65μm，激光发生器与硅片之间的角度为30°，得到梭形阵列；第二步在距离第一步激光加工过的梭形阵列两侧分别间隔15μm处采用飞秒激光进行两侧凹槽的切割，激光的波长为500nm，激光的能量控制在80mW，激光切割速度为15μm/s。经过两次激光加工得到带有梭形表面结构的吸液芯。采用去离子水超声振动清洗单晶硅片20分钟，超声波频率为25kHz，再将单晶硅片在95℃的烘干炉中烘干15分钟。
(3)如图5所示，通过步骤(2)加工出两片单晶硅片，将两片单晶硅片带有梭形阵列的一面相对、并在两片单晶硅片之间放入单晶硅支架，并用夹具进行定位、夹紧，夹紧压力约为1.45Pa，然后在1100℃真空环境中加热4小时，通过硅-硅直接共晶键合技术将两片单晶硅片和单晶硅支架密封，得到微热管，微热管为单晶硅片、单晶硅支架和单晶硅片的三层密封结构，两片单晶硅片和单晶硅支架共同形成内腔5。
(4)在微热管的其中一片单晶硅片上，距离矩形单晶硅片上侧边和右侧边距离都为20mm处，采用无热影响区的飞秒激光钻孔，加工出抽真空灌液孔，钻孔直径为1mm，孔深为0.2mm，激光功率为50W，通过真空灌注机对微热管抽真空并向微热管灌注工质液体，抽真空为将微热管腔内的压力抽至15Pa，然后灌注工质去离子水0.08ml，再对真空灌液孔进行激光焊接密封，焊接速度为10m/min，激光焊接设备的输出功率为20kW，即得到抗重力超薄微热管，制备的抗重力超薄微热管的长为100mm、宽为40mm、截面厚度为0.6mm、管壳的壁厚为0.2mm。
实施例2
本实施例一种抗重力超薄微热管制备方法，包括下列步骤：
(1)选择适合进行激光加工、具有较高热导率的单晶硅片作为原材料，将单晶硅片和单晶硅支架用去离子水超声振动清洗30分钟，超声波频率为25kHz，再将单晶硅片在80℃的烘干炉中烘干10分钟。
(2)将单晶硅片的单面连续进行两次飞秒激光加工，加工出阵列排布的梭形结构；其中，第一次加工出阵列排布的梭形结构作为毛细吸液芯，第二次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，具体为，第一步在长为480mm，宽为60mm的基板上，水平放置两片长为200mm、宽为40mm、截面厚度为0.2mm的单晶硅片，两片单晶硅片的间距为10mm，在硅片上采用激光加工出梭形结构的尖槽，激光的波长为600nm，激光的能量控制在90mW，激光切割速度为20μm/s，加工出的尖槽在长边方向的间距为200μm，在宽边方向的间距为70μm，激光发生器与硅片之间的角度为40°，得到梭形阵列；第二步在距离第一步激光加工过的梭形阵列两侧分别间隔20μm处采用飞秒激光进行两侧凹槽的切割，激光的波长为450nm，激光的能量控制在75mW，激光切割速度为12μm/s。经过两次激光加工得到带有梭形表面结构的吸液芯。采用去离子水超声振动清洗单晶硅片30分钟，超声波频率为25kHz，再将单晶硅片在80℃的烘干炉中烘干10分钟。
(3)通过步骤(2)加工出两片单晶硅片，将两片单晶硅片带有梭形阵列的一面相对、并在两片单晶硅片之间放入单晶硅支架，并用夹具进行定位、夹紧，夹紧压力约为2Pa，然后在500℃真空环境中加热2小时，通过硅-硅直接共晶键合技术将两片单晶硅片和单晶硅支架密封，得到微热管，微热管为单晶硅片、单晶硅支架和单晶硅片的三层密封结构，两片单晶硅片和单晶硅支架共同形成内腔。
(4)在微热管的其中一片单晶硅片上，距离矩形单晶硅片上侧边和右侧边距离都为20mm处，采用无热影响区的飞秒激光钻孔，加工出抽真空灌液孔，钻孔直径为2mm，孔深为0.2mm，激光功率为55W，通过真空灌注机对微热管抽真空并向微热管灌注工质液体，抽真空为将微热管腔内的压力抽至15Pa，然后灌注工质去离子水0.1ml，再对真空灌液孔进行激光焊接密封，焊接速度为5m/min，激光焊接设备的输出功率为15kW，即得到抗重力超薄微热管，制备的抗重力超薄微热管的长为200mm、宽为40mm、截面厚度为0.6mm、管壳的壁厚为0.2mm。
实施例3
本实施例一种抗重力超薄微热管制备方法，包括下列步骤：
(1)选择适合进行激光加工、具有较高热导率的单晶硅片作为原材料，将单晶硅片和单晶硅支架用去离子水超声振动清洗20分钟，超声波频率为25kHz，再将单晶硅片在95℃的烘干炉中烘干15分钟。
(2)将单晶硅片的单面连续进行两次飞秒激光加工，加工出阵列排布的梭形结构；其中，第一次加工出阵列排布的梭形结构作为毛细吸液芯，第二次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，具体为，第一步在长为600mm，宽为120mm的基板上，水平放置长为100mm、宽为40mm、截面厚度为0.2mm的单晶硅片10片，每片单晶硅片的间距为20mm，在硅片上采用激光加工出梭形结构的尖槽，激光的波长为500nm，激光的能量控制在80mW，激光切割速度为15μm/s，加工出的尖槽在长边方向的间距为300μm，在宽边方向的间距为80μm，激光发生器与硅片之间的角度为45°，得到的梭形阵列；第二步在距离第一步激光加工过的梭形阵列两侧分别间隔25μm处采用飞秒激光进行两侧凹槽的切割，激光的波长为400nm，激光的能量控制在70mW，激光切割速度为10μm/s。经过两次激光加工得到的单个梭形凹坑的轴测示意图，从而得到带有梭形表面结构的吸液芯。采用去离子水超声振动清洗单晶硅片20分钟，超声波频率为25kHz，再将单晶硅片在95℃的烘干炉中烘干15分钟。
(3)通过步骤(2)加工出10片单晶硅片，将单晶硅片带有梭形阵列的一面相对、并在两片单晶硅片之间放入单晶硅支架，组成五对，并用夹具进行定位、夹紧，夹紧压力约为1.45Pa，然后在1100℃真空环境中加热4小时，通过硅-硅直接共晶键合技术将两片单晶硅片和单晶硅支架密封，得到微热管，微热管为单晶硅片、单晶硅支架和单晶硅片的三层密封结构，两片单晶硅片和单晶硅支架共同形成内腔。
(4)在微热管的其中一片单晶硅片上，距离矩形单晶硅片上侧边和右侧边距离都为20mm处，采用无热影响区的飞秒激光钻孔，加工出抽真空灌液孔，钻孔直径为1mm，孔深为0.2mm，激光功率为50W，通过真空灌注机对微热管抽真空并向微热管灌注工质液体，抽真空为将微热管腔内的压力抽至15Pa，然后灌注工质去离子水0.08ml，再对真空灌液孔进行激光焊接密封，焊接速度为10m/min，激光焊接设备的输出功率为20kW，即得到五对抗重力超薄微热管，制备的抗重力超薄微热管的长为100mm、宽为40mm、截面厚度为0.6mm、管壳的壁厚为0.2mm。
如上所述，便可较好地实现本发明，上述实施例仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；即凡依本发明内容所作的均等变化与修饰，都为本发明权利要求所要求保护的范围所涵盖。

Claims (10)

1.一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
(1)将单晶硅片和单晶硅支架清洗并烘干；
(2)将单晶硅片的单面先后连续进行两次激光加工，加工出阵列排布的梭形结构，再清洗并烘干；
(3)通过步骤(2)加工出两片单晶硅片，将两片单晶硅片带有梭形阵列的一面相对、并在两片单晶硅片之间放入单晶硅支架，通过共晶键合技术将两片单晶硅片和单晶硅支架密封，单晶硅片和单晶硅支架之间形成内腔；
(4)在微热管的其中一片单晶硅片上进行激光钻孔，加工出抽真空灌液孔，通过真空灌液孔对内腔抽真空并向内腔灌注工质液体，再对真空灌液孔进行激光焊接密封，即得到抗重力超薄微热管。
2.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述清洗为采用去离子水超声振动清洗至少20分钟，烘干为单晶硅片在80～95℃的温度中烘干10～15分钟。
3.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述单晶硅片为矩形，单晶硅片预先经过两面抛光处理，单晶硅片的长为100～200mm，宽为30～50mm，厚度为0.2～0.25mm。
4.根据权利要求3所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述单晶硅支架为矩形框架结构，单晶硅支架的长、宽、厚度分别与单晶硅片的长、宽、厚度相同，单晶硅支架的边框宽为8～12mm。
5.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(2)中，在两次激光加工过程中，第一次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，第二次加工出阵列排布的梭形结构；或者，第一次加工出阵列排布的梭形结构，第二次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽。
6.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光加工采用飞秒激光加工，激光的波长为400nm～800nm，激光的能量为80～100mW，激光的切割速度不超过30μm/s。
7.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述共晶键合技术为硅-硅直接共晶键合技术。
8.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述激光钻孔采用飞秒激光钻孔技术，抽真空为将微热管腔内的压力抽至10～20Pa，工质液体采用冷媒。
9.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(3)中，多对单晶硅片和单晶硅支架同时通过共晶键合技术密封。
10.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(4)中，对内腔抽真空并向内腔灌注工质液体时，采用真空灌注机。
CN201910200216.5A 2019-03-15 2019-03-15 一种抗重力超薄微热管制备方法 Active CN109959289B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910200216.5A CN109959289B (zh) 2019-03-15 2019-03-15 一种抗重力超薄微热管制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910200216.5A CN109959289B (zh) 2019-03-15 2019-03-15 一种抗重力超薄微热管制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109959289A true CN109959289A (zh) 2019-07-02
CN109959289B CN109959289B (zh) 2020-06-19

Family

ID=67024385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910200216.5A Active CN109959289B (zh) 2019-03-15 2019-03-15 一种抗重力超薄微热管制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109959289B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110793367A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 北京航空航天大学 一种单方向导热热管
CN114390869A (zh) * 2022-01-17 2022-04-22 广州大学 一种y形导流台吸液芯单向传热热管及其加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102175088A (zh) * 2011-03-16 2011-09-07 大连理工大学 硅基不等宽微槽道平板热管及制备方法
US20120103569A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-03 Gerald Ho Kim Silicon-Based Cooling Package for Laser Gain Medium
CN102820405A (zh) * 2012-07-17 2012-12-12 大连理工大学 一种led器件的硅基板与铜微热管集成制造方法
CN105841535A (zh) * 2016-05-14 2016-08-10 广东工业大学 分段式复合结构平板传热管及其制备方法
CN206037798U (zh) * 2016-05-14 2017-03-22 广东工业大学 新型平板均热管
CN207265042U (zh) * 2017-10-26 2018-04-20 尹航 一种铜柱式水冷散热板
CN207300016U (zh) * 2017-01-12 2018-05-01 广东工业大学 一种多层复合吸液芯平板微热管

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120103569A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-03 Gerald Ho Kim Silicon-Based Cooling Package for Laser Gain Medium
CN102175088A (zh) * 2011-03-16 2011-09-07 大连理工大学 硅基不等宽微槽道平板热管及制备方法
CN102820405A (zh) * 2012-07-17 2012-12-12 大连理工大学 一种led器件的硅基板与铜微热管集成制造方法
CN105841535A (zh) * 2016-05-14 2016-08-10 广东工业大学 分段式复合结构平板传热管及其制备方法
CN206037798U (zh) * 2016-05-14 2017-03-22 广东工业大学 新型平板均热管
CN207300016U (zh) * 2017-01-12 2018-05-01 广东工业大学 一种多层复合吸液芯平板微热管
CN207265042U (zh) * 2017-10-26 2018-04-20 尹航 一种铜柱式水冷散热板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110793367A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 北京航空航天大学 一种单方向导热热管
CN114390869A (zh) * 2022-01-17 2022-04-22 广州大学 一种y形导流台吸液芯单向传热热管及其加工方法
CN114390869B (zh) * 2022-01-17 2023-09-08 广州大学 一种y形导流台吸液芯单向传热热管及其加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109959289B (zh) 2020-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102628655B (zh) 一种脉动热管扩热板及其制作方法
CN104567502B (zh) 一种具有非连续毛细结构微热管的激光制备方法
CN109959289A (zh) 一种抗重力超薄微热管制备方法
US5179043A (en) Vapor deposited micro heat pipes
CN106705713B (zh) 一种具有多流路互联结构的微通道换热器及其制造方法
CN104764350B (zh) 一种泡沫铜为吸液芯的均热板制造方法
CN105428266B (zh) 具有介质桥的芯片倒装共晶键合方法及获得的产物
CN105865243A (zh) 新型平板均热管及其制备方法
CN110220402A (zh) 一种具有微针肋-纳米线结构的微通道换热器及其制造方法
CN106409792A (zh) 一种水冷板散热器及其制备工艺
CN100490135C (zh) 集成脉动芯片热管制备方法
CN110763059A (zh) 一种超薄均温板及其制造方法
CN109411431A (zh) 一种换热结构及其制备方法
CN108915192B (zh) 一种储能自调温隔板及其制造方法
JP5112374B2 (ja) 電子機器用放熱装置及びその製造方法
Sun et al. Effect of stagger angle on capillary performance of microgroove structures with reentrant cavities
TWI614079B (zh) 接合機加熱冷卻裝置及其製作方法
CN112103252A (zh) 一种基于金属微流道的制冷型ltcc微***及其制备方法
JP3552553B2 (ja) 平面状ヒートパイプ及びその製造方法
CN112857112B (zh) 一种纤维毛细管泡沫铜复合吸液芯平板微热管及制备方法
CN209926948U (zh) 一种抗重力超薄微热管
CN115523780B (zh) 一种蒸汽槽道环路热管
CN114894016A (zh) 一种金属线阵列吸液芯单向热管及其制造方法
CN113008057A (zh) 双面微通道平板脉动热管制备方法及其应用于高功率芯片散热装置
CN112996338A (zh) 超薄型均温板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant