CN109957210A - 一种纳米级电子芯片封装材料 - Google Patents
一种纳米级电子芯片封装材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109957210A CN109957210A CN201910119179.5A CN201910119179A CN109957210A CN 109957210 A CN109957210 A CN 109957210A CN 201910119179 A CN201910119179 A CN 201910119179A CN 109957210 A CN109957210 A CN 109957210A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- epoxy resin
- 1min
- chip encapsulation
- encapsulation material
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
- C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
- C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种纳米级电子芯片封装材料,本发明制备的封装材料性能优异,吸水率低、耐热性好、可靠性高、弯曲强度高,热血性能、力学性能、电学性能等达到了一个均衡的水平,满足大规模集成电路的封装材料要求;本发明包括环氧树脂7%‑30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%‑15%、促进剂0.5%‑1%、熔融硅微粉60%‑90%、脱模剂0.1%‑1%、阻燃剂1%‑5%、碳黑0.1%‑1%、3‑丙基三甲氧基硅烷0.5%‑1%、应力吸收剂0.1%‑5%;通过将各组分按比例依次放入高速混合机中混合、塑炼机中混炼,使各组分之间能够充分分散并彼此发生作用,制备方法简单易控,有效降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及封装材料技术领域,具体涉及一种纳米级电子芯片封装材料。
背景技术
封装是芯片制造的重要步骤之一。封装是把集成电路装配为芯片最终产品的过程,也就是把集成电路裸片放在一块起到承载作用的极板上,把管脚引出来,然后固定包装成一个整体。封装不但直接影响着电路本身的电性能、机械性能、光性能和热性能,还在很大程度上决定着电子整机的小型化、多功能化、可靠性和成本。电子封装有如下四大功能:(1)提供芯片的信号输入和输出通路;(2)提供散热通路,散逸半导体芯片产生的热量;(3)接通半导体芯片的电流通路;(4)提供芯片的机械支撑和环境保护,由于封装的重要性,所以人们对封装材料提出了更高的要求,但是现有的常用的环氧塑封料在耐热性、耐潮性、可靠性上远远不能满足要求。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,本发明提供了一种纳米级电子芯片封装材料,具有性能优异的特点。
本发明解决上述问题的技术方案为:一种纳米级电子芯片封装材料,按重量百分比计,包括环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%-15%、促进剂 0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、 3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
制备方法如下:
步骤(1)按重量百分比计,称取环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂 3.5%-15%、促进剂0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
步骤(2)将熔融硅微粉与3-丙基三甲氧基硅烷放入高速混合机中,高速混合时间为1min,混合完成后静置1min,然后连续在高速混合机中混合三次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物A;
步骤(3)向混合物A中加入环氧树脂、苯酚线性酚醛树脂、促进剂、脱模剂、阻燃剂、碳黑、应力吸收剂,在高速混合机中连续混合四次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物B;
步骤(4)将混合物B放入塑炼机中,双辊开炼温度为95℃-105℃,开炼时间为3min-5min,辊速比为1:1.2;
步骤(5)将步骤(4)中经过塑炼机双辊开炼的混合物B进行常温冷却,然后粉碎过筛,筛孔孔径为150μm,得到碎渣;
步骤(6)将碎渣放入平板硫化剂模压,140℃预固化30min,175℃固化4h。
进一步的,环氧树脂为邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的混合物,邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的质量比为10:1。
进一步的,促进剂为2-甲基咪唑、2-苯基咪唑,2-乙基-4甲基咪唑中一种或几种
进一步的,熔融硅微粉平均直径为0.5μm-50μm。
进一步的,脱模剂为棕榈蜡、硬脂酸、地蜡、石蜡中的一种。
进一步的,阻燃剂为氢氧化钙、氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸钡、硼酸钙、碳酸镁的一种。
进一步的,应力吸收剂为末端为羟基或氨基的苯二甲酸二丁酯。
本发明具有有益效果:本发明制备的封装材料性能优异,吸水率低、耐热性好、可靠性高、弯曲强度高,热血性能、力学性能、电学性能等达到了一个均衡的水平,满足大规模集成电路的封装材料要求;通过将各组分按比例依次放入高速混合机中混合、塑炼机中混炼,使各组分之间能够充分分散并彼此发生作用,制备方法简单易控,有效降低了生产成本。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。
实施例1
一种纳米级电子芯片封装材料,按重量百分比计,包括环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%-15%、促进剂0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂 0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
制备方法如下:
步骤(1)按重量百分比计,称取环氧树脂20%、苯酚线性酚醛树脂7%、2- 甲基咪唑0.5%、熔融硅微粉68%、棕榈蜡0.5%、氢氧化铝1%、碳黑0.5%、3- 丙基三甲氧基硅烷0.5%、应力吸收剂2%;环氧树脂为邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的混合物,邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的质量比为10:1。
步骤(2)将熔融硅微粉与3-丙基三甲氧基硅烷放入高速混合机中,高速混合时间为1min,混合完成后静置1min,然后连续在高速混合机中混合三次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物A;
步骤(3)向混合物A中加入环氧树脂、苯酚线性酚醛树脂、2-甲基咪唑、棕榈蜡、氢氧化铝、碳黑、应力吸收剂,在高速混合机中连续混合四次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物B;
步骤(4)将混合物B放入塑炼机中,双辊开炼温度为100℃,开炼时间为 3min,辊速比为1:1.2;
步骤(5)将步骤(4)中经过塑炼机双辊开炼的混合物B进行常温冷却,然后粉碎过筛,筛孔孔径为150μm,得到碎渣;
步骤(6)将碎渣放入平板硫化剂模压,140℃预固化30min,175℃固化4h。
进一步的,熔融硅微粉平均直径为10μm。
进一步的,应力吸收剂为末端为羟基或氨基的苯二甲酸二丁酯。
实施例2
一种纳米级电子芯片封装材料,按重量百分比计,包括环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%-15%、促进剂0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂 0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
制备方法如下:
步骤(1)按重量百分比计,称取环氧树脂25%、苯酚线性酚醛树脂10%、 2-甲基咪唑0.5%、熔融硅微粉60%、棕榈蜡0.5%、氢氧化铝1%、碳黑0.5%、 3-丙基三甲氧基硅烷0.5%、应力吸收剂2%;环氧树脂为邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的混合物,邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的质量比为10:1。
步骤(2)将熔融硅微粉与3-丙基三甲氧基硅烷放入高速混合机中,高速混合时间为1min,混合完成后静置1min,然后连续在高速混合机中混合三次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物A;
步骤(3)向混合物A中加入环氧树脂、苯酚线性酚醛树脂、2-甲基咪唑、棕榈蜡、氢氧化铝、碳黑、应力吸收剂,在高速混合机中连续混合四次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物B;
步骤(4)将混合物B放入塑炼机中,双辊开炼温度为105℃,开炼时间为 4min,辊速比为1:1.2;
步骤(5)将步骤(4)中经过塑炼机双辊开炼的混合物B进行常温冷却,然后粉碎过筛,筛孔孔径为150μm,得到碎渣;
步骤(6)将碎渣放入平板硫化剂模压,140℃预固化30min,175℃固化4h。
进一步的,熔融硅微粉平均直径为10μm。
进一步的,应力吸收剂为末端为羟基或氨基的苯二甲酸二丁酯。
实施例3
与实施例1基本相同,其不同之处在于:
一种纳米级电子芯片封装材料,按重量百分比计,包括环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%-15%、促进剂0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂 0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
制备方法如下:
步骤(1)按重量百分比计,称取环氧树脂30%、苯酚线性酚醛树脂5%、2- 甲基咪唑0.5%、熔融硅微粉60%、棕榈蜡0.5%、氢氧化镁2%、碳黑0.2%、3- 丙基三甲氧基硅烷0.8%、应力吸收剂2%;环氧树脂为邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的混合物,邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的质量比为10:1。
步骤(2)将熔融硅微粉与3-丙基三甲氧基硅烷放入高速混合机中,高速混合时间为1min,混合完成后静置1min,然后连续在高速混合机中混合三次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物A;
步骤(3)向混合物A中加入环氧树脂、苯酚线性酚醛树脂、2-甲基咪唑、棕榈蜡、氢氧化铝、碳黑、应力吸收剂,在高速混合机中连续混合四次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物B;
步骤(4)将混合物B放入塑炼机中,双辊开炼温度为105℃,开炼时间为 3min,辊速比为1:1.2;
步骤(5)将步骤(4)中经过塑炼机双辊开炼的混合物B进行常温冷却,然后粉碎过筛,筛孔孔径为150μm,得到碎渣;
步骤(6)将碎渣放入平板硫化剂模压,140℃预固化30min,175℃固化4h。
进一步的,熔融硅微粉平均直径为10μm。
进一步的,应力吸收剂为末端为羟基或氨基的苯二甲酸二丁酯。
本发明将实施例1-实施例3制备的封装材料进行性能测试,测试结果为冲击强度大于3.773KJ/m-2,弯曲强度大于124.2MPa,体积电阻率小于2X1015/Ω·m,热变形温度大于280℃,凝胶化时间小于17s,吸水率大于0.5%,收缩率大于0.29%,弯曲弹性模量大于10813.33Mpa,性能优良,可以满足大规模集成电路封装的材料要求。
不脱离本发明的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解,本发明不限于特定的实施方式,本发明的范围由所附权利要求限定。
Claims (7)
1.一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,按重量百分比计,包括环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%-15%、促进剂0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
制备方法如下:
步骤(1)按重量百分比计,称取环氧树脂7%-30%、苯酚线性酚醛树脂3.5%-15%、促进剂0.5%-1%、熔融硅微粉60%-90%、脱模剂0.1%-1%、阻燃剂1%-5%、碳黑0.1%-1%、3-丙基三甲氧基硅烷0.5%-1%、应力吸收剂0.1%-5%;
步骤(2)将熔融硅微粉与3-丙基三甲氧基硅烷放入高速混合机中,高速混合时间为1min,混合完成后静置1min,然后连续在高速混合机中混合三次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物A;
步骤(3)向混合物A中加入环氧树脂、苯酚线性酚醛树脂、促进剂、脱模剂、阻燃剂、碳黑、应力吸收剂,在高速混合机中连续混合四次,高速混合时间均为1min,静置时间均为1min,得到混合物B;
步骤(4)将混合物B放入塑炼机中,双辊开炼温度为95℃-105℃,开炼时间为3min-5min,辊速比为1:1.2;
步骤(5)将步骤(4)中经过塑炼机双辊开炼的混合物B进行常温冷却,然后粉碎过筛,筛孔孔径为150μm,得到碎渣;
步骤(6)将碎渣放入平板硫化剂模压,140℃预固化30min,175℃固化4h。
2.如权利要求1所述的一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,所述环氧树脂为邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的混合物,邻甲酚醛环氧树脂与溴化环氧树脂的质量比为10:1。
3.如权利要求1所述的一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,所述促进剂为2-甲基咪唑、2-苯基咪唑,2-乙基-4甲基咪唑中一种或几种。
4.如权利要求1所述的一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,所述熔融硅微粉平均直径为0.5μm-50μm。。
5.如权利要求1所述的一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,所述脱模剂为棕榈蜡、硬脂酸、地蜡、石蜡中的一种。
6.如权利要求1所述的一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,所述阻燃剂为氢氧化钙、氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸钡、硼酸钙、碳酸镁的一种。
7.如权利要求1所述的一种纳米级电子芯片封装材料,其特征在于,所述应力吸收剂为末端为羟基或氨基的苯二甲酸二丁酯。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910119179.5A CN109957210A (zh) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | 一种纳米级电子芯片封装材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910119179.5A CN109957210A (zh) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | 一种纳米级电子芯片封装材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109957210A true CN109957210A (zh) | 2019-07-02 |
Family
ID=67023580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910119179.5A Pending CN109957210A (zh) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | 一种纳米级电子芯片封装材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109957210A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110349933A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-18 | 上海先方半导体有限公司 | 一种晶圆键合堆叠芯片的封装结构及制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1546566A (zh) * | 2003-12-12 | 2004-11-17 | 无锡市化工研究设计院 | 一种用于片式钽电容器的模塑料 |
CN106832768A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-13 | 江苏中鹏新材料股份有限公司 | 一种具有低应力的绿色环保型环氧模塑料 |
CN108129802A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-08 | 科化新材料泰州有限公司 | 一种半导体封装用的环氧树脂组合物制备方法 |
-
2019
- 2019-02-18 CN CN201910119179.5A patent/CN109957210A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1546566A (zh) * | 2003-12-12 | 2004-11-17 | 无锡市化工研究设计院 | 一种用于片式钽电容器的模塑料 |
CN106832768A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-13 | 江苏中鹏新材料股份有限公司 | 一种具有低应力的绿色环保型环氧模塑料 |
CN108129802A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-08 | 科化新材料泰州有限公司 | 一种半导体封装用的环氧树脂组合物制备方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110349933A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-18 | 上海先方半导体有限公司 | 一种晶圆键合堆叠芯片的封装结构及制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI527854B (zh) | 環氧樹脂組成物及半導體裝置 | |
US5391924A (en) | Plastic package type semiconductor device | |
WO2012121377A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH11302506A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2011153173A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 | |
JP2016040383A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 | |
JP2006216899A (ja) | コンプレッション成形用成形材料及び樹脂封止型半導体装置 | |
CN109957210A (zh) | 一种纳米级电子芯片封装材料 | |
CN103665775A (zh) | 一种硅微粉高填充的环氧模塑料及其制备方法 | |
WO2007032221A1 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法、封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
WO2012029762A1 (ja) | 樹脂成形体及びその製造方法、樹脂組成物及びその製造方法ならびに、電子部品装置 | |
JP2001002895A (ja) | 半導体用封止材の製造法及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP5716426B2 (ja) | 樹脂成形体及びその製造方法、ならびに、電子部品装置 | |
CN106189974A (zh) | 一种led用粘结性好导电胶的制备工艺 | |
JP5547680B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5275697B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物およびその製造方法 | |
CN111117158A (zh) | 一种低成本低应力环氧组合物及其制备方法 | |
JPH0834858A (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
KR100202499B1 (ko) | 수지-캡슐화 반도체 장치 | |
JPH10182947A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JPH0588904B2 (zh) | ||
JP2004115747A (ja) | ヒートシンク形成用樹脂組成物および電子部品封止装置 | |
JPH03140322A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP2001085576A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
JPH1050899A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190702 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |