CN109950415A - 一种顶发射发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种顶发射发光器件及其制备方法。该顶发射发光器件包括：基底；设置在基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构；设于各发光区域的发光单元，各发光单元共享一顶电极，顶电极从各发光区域内向外延伸并覆盖像素界定结构的顶面；设于各发光区域中的光取出单元，光取出单元设于发光单元的出光侧；以及辅助电极，辅助电极设置在像素界定结构顶面的上方，且辅助电极与顶电极导电地连接。本发明通过在顶电极上设置辅助电极，解决了顶电极导电性不足的问题，且辅助电极的制备方法简单，不会对顶电极造成损伤；通过在发光单元的出光侧设置光取出单元，可以提高发光器件的出光率。

Description

一种顶发射发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种顶发射发光器件及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)的自发光显示技术由于其快速响应、高对比度的优点，正得到越来越多的关注，然而材料利用率低、物理气相沉积设备昂贵能耗高等因素，使得OLED面板的价格居高不下，人们把目光普遍投向了半峰宽窄、色域更广、溶液法制程的量子点发光二极管(QLED)，由于采用按需喷墨的打印技术来制作器件各层，材料利用率极大提升，设备成本明显下降，因此被认为是OLED的有力竞争者。但是无论OLED还是QLED，都面临出光效率低的问题。一般认为，发光器件产生的光只有约20％的能量最终被人眼捕获，大量的光都在器件内部被耗散，器件的效率和寿命都受到很大的影响。

为了提高器件的出光、增加寿命，可以改变器件的出光方式以增加开口率，即用顶发射来取代底发射，由于顶发射器件的光路不受TFT布线的影响，可以极大提高像素开口率，即增大像素面积，器件驱动的电流密度可以降低，因而可以有效提高器件的寿命。但是，目前顶电极的导电性不够，尤其在制作大面积显示器件时，器件往往因为压降厉害而发光不均。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种顶发射器件及其制备方法，在保证顶电极导电性同时，获得良好的出光均匀性，抑制相邻子像素的光互相窜扰。

根据本发明的一个方面，提供一种顶发射发光器件，包括：基底；设置在所述基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构；设于各所述发光区域的发光单元，各所述发光单元共享一顶电极，所述顶电极从各所述发光区域内向外延伸并覆盖所述像素界定结构的顶面；所述顶发射发光器件还包括

设于各所述发光区域中的光取出单元，所述光取出单元设于所述发光单元的出光侧；以及

辅助电极，所述辅助电极设置在所述像素界定结构顶面的上方，且所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。

进一步地，所述像素界定结构为网状结构。

进一步地，所述光取出单元上表面的表面张力为25～40dyne/cm，所述顶电极的表面张力大于所述光取出单元上表面的表面张力。

进一步地，所述光取出单元包括散射粒子以及将所述散射粒子限制在所述发光区域内的连续相树脂。

进一步地，所述光取出单元包括至少一包含所述散射粒子的层，所述光取出单元可选择地包括不设置散射粒子的层。

进一步地，所述光取出单元的等效折光指数为1.5～2.5。

进一步地，所述光取出单元的顶面为平面或者中部凸起的弧面，以所述基底为基准，所述光取出单元的顶面边缘的高度不超过所述辅助电极底面的高度，所述光取出单元的顶面最高点的高度不超过所述辅助电极的最高点。

进一步地，所述发光单元对应的所述顶电极与所述光取出单元之间设置有保护层；优选地，所述保护层的厚度为40～400nm。

根据本发明的另一个方面，提供一种顶发射发光器件的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供带有底电极的基底，所述基底上设有用于界定多个发光区域的像素界定结构；

S2，于各所述发光区域内以及所述像素界定结构的表面设置顶电极；

S3，于各所述发光区域中制作光取出单元；

S4，在所述像素界定结构顶面的上方设置辅助电极，所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。

进一步地，所述步骤S4中，所述辅助电极由导电墨水干燥或固化形成。

进一步地，所述光取出单元之间有间隔单元，所述间隔单元的上表面的表面能大于相邻的所述光取出单元的上表面的表面能，在所述间隔单元和/或所述光取出单元的上表面上设置导电墨水，所述导电墨水富集到所述像素界定结构顶面对应的上方表面，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

进一步地，所述导电墨水的表面张力为25～40dyne/cm，所述光取出单元的上表面的表面张力为25～40dyne/cm。

进一步地，所述导电墨水包括导电组分、溶剂以及修饰稳定剂；优选地，所述导电组分选自以下一种或多种：金属纳米线、金属纳米颗粒、石墨烯、碳纳米管；优选地，所述导电组分在所述导电墨水中的质量分数为1～55％。

进一步地，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于各所述发光区域内设置保护层，所述保护层覆盖位于所述发光区域内的所述顶电极的表面；所述步骤S3中，于所述发光区域内的所述保护层上设置所述光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述顶电极表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

进一步地，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于所述顶电极表面设置保护层，所述保护层的材料包括有机材料，所述有机材料可溶于所述导电墨水；所述步骤S3中，在所述发光区域内的所述保护层上设置光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述保护层表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水将所述保护层的所述有机材料溶解，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

进一步地，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于所述顶电极表面设置保护层，所述保护层的材料包括导电材料；所述步骤S3中，在所述发光区域内的所述保护层上设置光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述保护层表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水干燥或固化后与所述保护层共同形成所述辅助电极。

进一步地，所述导电材料选自金属、金属氧化物或金属氮化物中的一种或多种。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：本发明通过在顶电极上设置辅助电极，解决了顶电极导电性不足的问题，且辅助电极的制备方法简单，不会对顶电极造成损伤；本发明通过在发光单元的出光侧设置光取出单元，可以提高发光器件的出光率，此外，设置在发光区域之间的辅助电极可以起到隔离各光取出单元的作用，从而能够有效避免相邻的光取出单元之间发生的混光。

附图说明

图1为本发明的顶发射发光器件的一个实施例剖面示意图；

图2为本发明的顶发射发光器件的另一个实施例的剖面示意图；

图3为本发明的顶发射发光器件的一个实施例的俯视图；

图4显示了本发明的顶发射发光器件在制备时基板以及设置在基板上的像素界定结构；

图5显示了本发明的顶发射发光器件的发光层制备的一个实施例；

图6显示了本发明的顶发射发光器件的顶电极制备的一个实施例；

图7显示了本发明的顶发射发光器件的光取出单元制备的一个实施例；

图8显示了本发明的顶发射发光器件的保护层制备的一个实施例；

图9显示了本发明的顶发射发光器件的光取出单元制备的一个实施例；

图10显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图11显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图12显示了本发明的顶发射发光器件的保护层制备的一个实施例；

图13显示了本发明的顶发射发光器件的光取出单元制备的一个实施例；

图14显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图15显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图16显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图17显示了本发明的顶发射发光器件的光取出单元制备的一个实施例；

图18显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图19显示了本发明的顶发射发光器件的辅助电极制备的一个实施例；

图中：1、基底；2、像素界定结构；20、发光区域；3、发光单元；31、发光层；32、顶电极；4、光取出单元；41、散射粒子；42、树脂；421、第一层树脂；422、第二层树脂；5、辅助电极；50、导电墨水；6、保护层；60、有机材料。

具体实施方式

下面，结合具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

在本发明的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本发明的具体保护范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

如图1、2、3所示，本发明提供一种顶发射发光器件，包括基底1、像素界定结构2、多个发光单元3、多个光取出单元4以及辅助电极5。

像素界定结构2设置在基底1上方，用于界定多个发光区域20，使各发光区域20相互隔离，如图4所示。像素界定结构2为现有技术，本发明不限制其具体结构。像素界定结构2可以采用印刷或刻蚀的方式形成在基底1上，像素界定结构2的材料可以是无机材料、高分子材料中的一种或多种的组合。本领域的技术人员结合现有技术能够想到的各种像素界定结构均在本发明的保护范围之内。

发光单元3包括依次设置的底电极、发光层31以及顶电极32，其中底电极设于基底1上，发光层31设置在发光区域20内，各个发光单元3共享一个顶电极32，也即各发光单元3的顶电极32连接形成一整体，顶电极32从各发光区域20内向外延伸并覆盖像素界定结构2的顶面。顶电极32具有一定的透光率，以允许发光层31发出的光线至少部分地通过顶电极32。

各光取出单元4分别设置在各发光区域20中，且光取出单元4设于发光单元3的出光侧，用于收集会聚发光单元3发出的光，以提高出光率。

辅助电极5设置在像素界定结构2顶面的上方，并且辅助电极5与顶电极32导电地连接。值得一提的是，本发明所说的“像素界定结构2顶面”是指像素界定结构2远离基底1一侧的上端面，像素界定结构2的顶面处于各发光区域20之间。本发明所说的“像素界定结构2顶面的上方”可以是指将像素界定结构2的顶面覆盖的那部分顶电极32的表面，也即处于发光区域20之外的部分顶电极32的表面；也可以是在覆盖像素界定结构2顶面的顶电极32上增加了其它层，“像素界定结构2顶面的上方”指将像素界定结构2的顶面对应的顶电极覆盖的其它层的表面。

本发明的顶发射发光器件在像素界定结构2顶面的上方增加了辅助电极5，可以解决顶电极32导电性不足的问题；在每一发光单元3的出光方向上设置一光取出单元4，可以提高器件的出光性能；此外，光取出单元4设置在像素界定结构2界定的发光区域20内，辅助电极5设置在各发光区域20之间，因此辅助电极5还具有隔离各个光取出单元4的作用，从而能够有效避免相邻的光取出单元4之间发生的混光。

在一些实施例中，像素界定结构2的高度为1～2μm。顶电极32与发光单元3中除去底电极之外其他各层的厚度之和为150～350nm。光取出单元4的厚度不小于0.3μm。本发明所说的“厚度”均指垂直于基底1的方向上的长度。

发光层31可以是但不限于有机发光层、量子点发光层。

顶电极32的材料可以是金属(如Au、Ag、Al)，也可以是金属氧化物(如ITO、IZO、Zn(Al)O)，还可以是金属层与金属氧化物层的层叠结构(如ITO/Al/ITO)，顶电极32可以采用蒸镀或溅射的工艺形成。以上关于顶电极32的材料以及制备工艺的举例并非穷尽的列举，本领域的技术人员结合现有技术容易想到的顶电极32的材料以及制备工艺均在本发明的保护范围之内。优选地，顶电极32的透光率不低于30％。

底电极优选采用反射型底电极，从而发光层31射向底电极的光经过底电极的反射后射向顶电极32。反射型底电极为现有技术，本发明并不限制反射型底电极的具体结构。

在一些实施例中，各发光单元3的底电极连接形成一整体，从而各个发光单元3共享底电极，像素界定结构2设置在底电极上，从而在底电极上形成多个相互隔离的发光区域20。

值得一提的是，多个发光单元3的发光层31可适于发射至少两种不同颜色的光。

发光单元3的底电极与发光层31之间可选择地设置至少一功能层(图中未示出)，也即底电极与发光层31之间可以不设置功能层，也可以设置至少一功能层。顶电极32与发光层31之间可选择地设置至少一功能层(图中未示出)，也即顶电极32与发光层31之间可以不设置功能层，也可以设置至少一功能层。本领域的技术人员可以理解的是，上述功能层可以是但不限于电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层。

光取出单元4包括散射粒子41以及将散射粒子41限制在发光区域20内的连续相树脂42，如图2所示。

光取出单元4包括至少一包含散射粒子41的层，光取出单元4可选择地包括不设置散射粒子41的层。也即：

在一些实施例中，光取出单元4为一层，散射粒子41分散在连续相树脂42中，其中的散射粒子41可以是一种也可以是多种，散射粒子41可以是同一尺寸也可以是不同的尺寸。

在另一些实施例中，光取出单元4为多层，可以每一层均是分散有散射粒子41的连续相树脂42，每一层内可以设置不同的种类或者不同尺寸的散射粒子41，例如光取出单元4包括两层，第一层为树脂中分散有粒径150nm的TiO₂，第二层为树脂中分散有粒径30nm的ZrO₂。光取出单元4的多层中，也可以在其中若干层不设置散射粒子41，例如光取出单元4包括三层，第一层(靠近顶电极的一层)为树脂中分散有粒径50nm的TiO₂，第二层为树脂中分散有粒径300nm的ZnO，第三层(远离顶电极的一层)为树脂；再如，光取出单元4包括三层，第一层(靠近顶电极的一层)为树脂，第二层为树脂中分散有粒径200nm的ZnO，第三层(远离顶电极的一层)为树脂中分散有粒径20nm的ZnO。光取出单元4的多层中，处于内侧的某一层也可以是完全由散射粒子41堆积形成。

在光取出单元4的一个实施方式中，散射粒子41分散在连续相树脂42中，树脂42固化或干燥后，散射粒子41被保持在固定的位置，如图2所示的最左侧一光取出单元4。

在光取出单元4的另一个实施方式中，散射粒子41堆积形成一层，树脂42形成的层铺设在散射粒子41层的上方，从而散射粒子41被限制在发光单元3与树脂42之间，如图2所示的中间一光取出单元4。散射粒子41的下方也可以设置一层树脂。

在光取出单元4的另一个实施例中，包括依次设置的第一层树脂421和第二层树脂422，第一层树脂421位于靠近发光单元3的一侧，散射粒子41分散在第一层树脂421中，第二层树脂422的作用在于保证散射粒子全部“埋入”树脂中，如图2所示的最右侧一光取出单元4，将散射粒子全部“埋入”树脂的目的在于：保证光取出单元4的上表面具有张力较小的表面，以使得形成辅助电极5的材料不容易附着在光取出单元4的上表面。

光取出单元4的树脂42可以是但不限于丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯丙烯酸树脂。树脂42可以选择可光固化的树脂、可热固化的树脂或者可光热双重固化的树脂。

在一些实施例中，散射粒子41的粒径为20～400nm，散射粒子41可以是但不限于无机颗粒、聚合物微球中的一种或多种。

在一些实施例中，散射粒子41在光取出单元4中的体积分数为5％～90％。

在一些实施例中，光取出单元4的等效折光指数为1.5～2.5。本发明所说的等效折光指数＝散射粒子41的折光指数×散射粒子在光取出单元4中的体积分数+树脂42的折光指数×树脂42在光取出单元4中的体积分数。

光取出单元4的上表面为平面或者中部稍微凸起的弧面。在一些实施例中，以基底1为基准，光取出单元4上表面边缘的高度不超过辅助电极5底面的高度，光取出单元4上表面最高点的高度不超过辅助电极5的最高点，以使得辅助电极5能够更好地阻止不同光取出单元4之间发生混光。值得一提的是，辅助电极5的底面也即辅助电极5与顶电极32接触的一侧。

为了避免光取出单元4的制作影响发光单元3，发光单元3与光取出单元4之间还可以设置保护层6，如图1所示，发光单元3对应的顶电极32与光取出单元4之间设有保护层6。保护层6可以由有机材料采用蒸镀法制作，有机材料可以是但不限于：N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、8-羟基喹啉铝(Alq₃)，为空穴传输、电子传输等功能材料。保护层6也可以由金属、金属氧化物、金属氮化物或氮氧化合物等材料采用气相沉积或溅射法制作。

用于制作保护层6的材料可以是导电材料也可以是不导电或导电性差的材料。

在一些实施例中，用于制作保护层6的材料为导电材料，例如Ag、ITO，考虑到简化制作工艺，可以将用于形成保护层6的材料整体地设置在顶电极32上，处于发光区域20之内的导电材料形成保护层6，处于发光区域20之外的导电材料不会被光取出单元4覆盖，在后续制作辅助电极5时，导电墨水直接设置在这部分导电材料上，从而这部分导电材料与导电墨水共同形成辅助电极5。

在一些实施例中，用于制作保护层6的材料为不导电或者导电性差的材料，例如大部分有机材料或氮化硅等无机材料，可以先将处于发光区域20之外的顶电极32采用掩模板遮挡，仅在处于发光区域20内的顶电极32上设置材料以形成保护层6，保护层6形成后，将掩模板去除，以便后续在处于发光区域20之外的顶电极32上设置辅助电极5。

在另一些实施例中，用于制作保护层6的材料为不导电或者导电性差的材料、且该材料可被形成辅助电极5的导电墨水溶解，例如部分有机材料，考虑到简化制作工艺，可以将用于形成保护层6的材料整体地设置在顶电极32上，处于发光区域20之内的材料形成保护层6，处于发光区域20之外的材料不会被光取出单元4覆盖，在后续制作辅助电极5时，导电墨水将处于发光区域20之外的材料溶解，也即导电墨水可以扩散到顶电极32的表面，从而由导电墨水形成的辅助电极5与顶电极32导电地连接。

保护层6的材料以及制备工艺并不限于以上列举出的。

在一些实施例中，光取出单元4与保护层6的总厚度为0.65～1.85μm，其中光取出单元4的厚度不小于300nm，保护层6的厚度为40～400nm。

在一些实施例中，像素界定结构2整体构成网状结构。优选地，辅助电极5沿着像素界定结构2顶面的轮廓延伸为一交联的整体，如图3所示。

光取出单元4上表面的表面张力为25～40dyne/cm。制作辅助电极5的材料的表面张力与光取出单元4接近，顶电极32的表面张力大于光取出单元4上表面的表面张力以及制作辅助电极5的材料的表面张力，因此辅助电极5的材料在顶电极32表面的铺展性好，而在光取出单元4表面的铺展性差，这样在制作辅助电极5时，有利于辅助电极5的材料富集在顶电极32上，而不会铺展在光取出单元4的表面上。值得一提的是，辅助电极5制作之前，光取出单元4已经制作完成。

为实现辅助电极5与顶电极32的导电连接，在一些实施例中，用于形成辅助电极5的导电墨水50直接设置在制作完光取出单元4的器件的表面，如图10所示，顶电极32具有较高的表面能，因此导电墨水50聚集在覆盖像素界定结构2顶面的顶电极32表面，而基本不会铺展到光取出单元4上，如图11所示，导电墨水50固化或干燥后即形成辅助电极5。

在另一些实施例中，设置辅助电极5之前，顶电极32上整体地覆盖了用于形成保护层6的导电材料61，如图17所示，此时，将用于形成辅助电极5的导电墨水50直接设置在制作完光取出单元4的器件的表面，如图18所示，导电材料61具有较高的表面能，使得导电墨水50聚集在导电材料61表面，而不是铺展到光取出单元4上，如图19所示，导电墨水50固化或干燥后与处于下方的导电材料61共同形成辅助电极5。

在另一些实施例中，在顶电极32上设置导电墨水之前，顶电极32上整体地覆盖了用于形成保护层6的有机材料60，如图13所示，此时用于形成辅助电极5的导电墨水50能够溶解上述有机材料60，将导电墨水50设置在制作完光取出单元4的器件的表面上，如图14所示，导电墨水50首先将有机材料60溶解，然后导电墨水50中的导电组分沉积到覆盖像素界定结构2顶面的顶电极32的表面上，从而实现了导电墨水50与顶电极32的导电接触，如图15所示，同时暴露出的顶电极32具有较高的表面能，因此导电墨水50聚集在覆盖像素界定结构2顶面的顶电极32表面，而基本不会铺展到光取出单元4上，如图16所示，导电墨水50干燥或固化形成辅助电极5。

在制作保护层6时，考虑到加工方便，可以在整个顶电极32表面上设置用于保护顶电极32的导电材料61或者有机材料60，然后在各发光区域20内设置光取出单元4，使得器件的表面基本平坦，处于顶电极32与光取出单元4之间的有机材料即形成保护层6。在制作辅助电极5时，导电墨水50设置在未被光取出单元4覆盖的导电材料61或者有机材料60上，导电墨水50富集到导电材料61上与导电材料61共同形成辅助电极5，或者导电墨水50将有机材料60溶解后富集到覆盖像素界定结构2顶面的顶电极32表面形成辅助电极5。

本发明还提供一种顶发射发光器件的制备方法，依次包括以下步骤：

S1，提供设置有底电极的基底1，基底1上设有用于界定多个发光区域20的像素界定结构2，如图4所示；

S2，于发光区域20内以及像素界定结构2的表面上设置顶电极32，如图6所示；

S3，于各发光区域20内制作光取出单元4，光取出单元4用于收集发光层31发射的光，如图7或图9或图13所示；

S4，在像素界定结构2顶面的上方设置辅助电极，辅助电极与顶电极32导电地连接。

步骤S1中，像素限定结构2的制备方法为现有技术，本发明并不限定像素界定结构2的具体制备方法。底电极可以采用物理气相沉积的方式形成在基底1上。底电极在制作像素限定结构2之前设置在基底上1。底电极的制备方法为现有技术，本发明并不限定底电极的制备方法。

步骤S2中，顶电极32为整面制作，顶电极32可以采用蒸镀或溅射的工艺形成。顶电极32的制备方法均为现有技术，本发明并不限制顶电极32的具体制备方法。

在一些实施例中，步骤S1和步骤S2之间还包括以下步骤：于各发光区域20的底电极上制作功能层，功能层包括至少一发光层31，如图5所示；发光层31的制备方法为现有技术，本发明并不限制发光层31的具体制备方法。在一些实施例中，功能层还可以包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等。各功能层的制备方法均为现有技术，本发明并不限制功能层的具体制备方法。

在一些实施例中，步骤S3包括以下步骤：

S31，提供分散有散射粒子的混合树脂；

S32，将混合树脂填充入发光区域20；

S33，混合树脂固化后形成光取出单元4，参考图2所示的最左侧一光取出单元4。

在步骤S32中，将混合树脂填充入发光区域20的方法可以是但不限于打印、带掩模板超声喷涂。

在另一些实施例中，步骤S3包括以下步骤：

S31A，提供散射粒子或者分散有散射粒子的混合树脂；

S32A，将散射粒子或者分散有散射粒子的混合树脂填充入发光区域20；

S33A，在散射粒子或者分散有散射粒子的混合树脂的表面设置一层树脂，树脂固化后形成光取出单元4的表面，参考图2所示的中间以及最右侧的两种光取出单元4。

在一些实施例中，步骤S4中，辅助电极5由导电墨水50干燥或固化形成，导电墨水50可以采用超声喷涂、狭缝涂布、喷墨打印等湿法制程设置在已经制作有光取出单元4的器件表面上。导电墨水50施加后，优选静置晾干后再使用热板进行加热干燥或固化，现有技术中的其它可以使墨水干燥或固化的方法也在本申请的保护范围之内。

在一些实施例中，导电墨水50的表面张力为25～40dyne/cm，光取出单元4上表面的表面张力为25～40dyne/cm。顶电极32的材料一般选择金属或者金属氧化物，其表面张力远大于导电墨水50的表面张力，因此导电墨水50较易在顶电极32表面铺展开；对于光取出单元4的上表面而言，限制其表面张力范围在25～40dyne/cm，使其与导电墨水50的表面张力相接近，这样导电墨水50在光取出单元4的上表面的铺展性就很差，从而确保导电墨水50自主富集到像素界定结构2顶面的上方。

在一些实施例中，导电墨水包括导电组分、溶剂以及修饰稳定剂。优选地，导电组分可以是但不限于以下一种或多种：金属纳米线(如截面直径为10～150nm，长度3～100μm的纳米银线)、金属纳米颗粒(如粒径为3～10nm的纳米银颗粒)、石墨烯、碳纳米管。优选地，导电组分在导电墨水50中的质量分数为1～55％。

导电组分的表面可以修饰有配体，以使得导电组分可以更好地分散在溶剂中。当导电组分的表面修饰有烷基羧酸类配体时，此时羧基连接到导电组分表面，烷基起分散粒子的作用，溶剂可以选择烷烃等油性溶剂。当导电组分的表面修饰醇胺类配体时，胺基连接到导电组分表面，羟基起分散作用，溶剂可以选择醇类。

修饰稳定剂的作用主要是使导电墨水稳定。在一些实施例中，修饰稳定剂可以是用于调节导电墨水粘度的导电高分子，如聚噻吩(PVK)、聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺。在另一些实施例中，修饰稳定剂作为分散剂，协助导电组分在溶剂中分散，如高分子类分散剂，通过链缠绕等手段，避免导电组分之间聚集沉降。

步骤S3的光取出单元4制作完成后，器件的顶面基本平坦化(光取出单元4的顶面可能有稍微凸起)，此时器件的表面只存在两种不同的界面，一是光取出单元4与环境之间的界面，另一是光取出单元4之间的间隔单元的上表面与环境之间的界面(在一些实施例中，该界面即为顶电极32的上表面；在一些实施例中，该界面为能够溶解于导电墨水50的有机材料60；在另一些实施例中，该界面为导电材料61)，而由于导电墨水50与光取出单元4的亲润性差，因此导电墨水50容易富集在间隔单元的上表面上，从而使形成的辅助电极5处于像素界定结构2顶面的上方的位置。需要说明的是，上述间隔单元是指相邻光取出单元4之间的部分。

在一些实施例中，导电墨水50只设置在顶电极32上，而不设置在光取出单元4上，如图11所示，此时，由于光取出单元4的表面能小，可以阻止导电墨水50扩散到光取出单元4的上表面上。

在另一些实施例中，为了简化导电墨水50设置的工艺，导电墨水50整面设置在顶电极32以及光取出单元4上，如图10所示，此时，由于导电墨水50与光取出单元4上表面的亲润性差，与间隔单元上表面的亲润性好，导电墨水50会自主地富集到间隔单元的上表面，形成如图11所示的状态，从而导电墨水50干燥或固化后，在顶电极32的上方形成环状的辅助电极5。环状的辅助电极5不需要非常规整，保证辅助电极5形成一交联的整体即可。

在一些实施例中，步骤S2与步骤S3之间还包括以下步骤：于各发光区域20内设置保护层6，如图8所示，保护层6覆盖位于发光区域20内的顶电极32的表面。在步骤S3中，光取出单元4设置在保护层6上，如图9所示，由于光取出单元4是设置在发光区域20内，因此光取出单元4不会覆盖位于像素界定结构2顶面的顶电极32。步骤S4中，在裸露的顶电极32表面上设置导电墨水50，如图11所示，或者在裸露的顶电极32以及光取出单元4上表面上整体地设置导电墨水50，如图10所示，导电墨水50的表面张力为25～40dyne/cm，光取出单元4上表面的表面张力为25～40dyne/cm，由于顶电极32的表面张力大于导电墨水50和光取出单元4上表面的表面张力，导电墨水50会自主地富集到像素界定结构顶面对应的顶电极32表面，形成如图11所示的状态，从而导电墨水50干燥或固化后，在顶电极32表面形成辅助电极5。

在另一些实施例中，步骤S2与步骤S3之间还包括以下步骤：于顶电极32表面整体地设置用于保护顶电极32的有机材料60，如图12所示。在步骤S3中，在发光区域20内的有机材料60上设置光取出单元4，如图13所示，由于光取出单元4是设置在发光区域20内，因此光取出单元4不会覆盖位于像素界定结构2顶面的顶电极32。在步骤S4中，在裸露的有机材料60表面上设置导电墨水50，或者在裸露的有机材料60以及光取出单元4上表面上整体地设置导电墨水50，如图14所示，导电墨水50适于溶解位于将其下方的有机材料60，以使得导电墨水50中的导电组分与顶电极32电接触，如图15所示，导电墨水50的表面张力为25～40dyne/cm，光取出单元4上表面的表面张力为25～40dyne/cm，由于顶电极32的表面张力大于导电墨水50和光取出单元4上表面的表面张力，导电墨水50被整体地设置后，导电墨水50将其下方的有机材料60溶解，同时自主地富集到像素界定结构顶面对应的顶电极32的表面，形成如图16所示的状态，从而导电墨水干燥或固化后，在顶电极32表面形成辅助电极5。

在又一些实施例中，步骤S2与步骤S3之间还包括以下步骤：于顶电极32表面整体地设置用于保护顶电极32的导电材料61，在步骤S3中，在发光区域20内的导电材料61上设置光取出单元4，如图17所示，由于光取出单元4是设置在发光区域20内，因此光取出单元4不会覆盖位于像素界定结构2顶面的顶电极32。在步骤S4中，在裸露的导电材料61表面上设置导电墨水50，或者在裸露的导电材料61以及光取出单元4上表面上整体地设置导电墨水50，如图18所示，导电墨水50的表面张力为25～40dyne/cm，光取出单元4顶面的表面张力为25～40dyne/cm，由于顶电极32的表面张力大于导电墨水50和光取出单元4上表面的表面张力，导电墨水50被整体地设置后自主地富集到导电材料61的表面，形成如图19所示的状态，导电墨水50干燥或固化后与其下方的导电材料61共同形成位于顶电极32表面的辅助电极5。

下面将结合具体实施例来进一步说明本申请的有益效果。

【实施例1】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO纳米晶作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

在每一发光区域内的顶电极上制作光取出单元。制作光取出单元的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比1:9的甲苯和苯甲酸乙酯，散射粒子为粒径为100nm的TiO₂，混合物的固含量为10wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为1.25μm的光取出单元，光取出单元中TiO₂粒子与树脂的体积比为2:8，其中散射粒子TiO₂的折光指数为2.5，树脂的折光指数为1.5，光取出单元的等效折光指数为1.7。

光取出单元制作完成后，器件的上表面形成基本平坦的表面，在该表面上整面打印固含量为5wt％的导电墨水，晾干后热板100℃烧结，得到高度为500nm的辅助电极。

导电墨水中的导电组分为纳米银线，纳米银线的直径为20nm、长度为2μm。导电墨水中的溶剂包括三丙二醇单甲醚、丙二醇甲醚、庚醇，三者的质量比为三丙二醇单甲醚：丙二醇甲醚：庚醇＝5:2:3。导电墨水中的稳定剂为聚乙烯吡咯烷酮。导电墨水的表面张力为29.8dyne/cm。

【实施例2】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO纳米晶作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

在每一发光区域内的顶电极上制作光取出单元的第一层。制作光取出单元第一层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比6:4的二甲苯和苯甲酸乙酯，散射粒子为粒径为400nm的TiO₂，混合物的固含量为5wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为800nm的光取出单元，光取出单元中TiO₂粒子与树脂的体积比为4:6，其中散射粒子TiO₂的折光指数为2.5，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第一层的等效折光指数为1.9。

在光取出单元的第一层上制作光取出单元的第二层。制作光取出单元的第二层的混合物包括溶剂以及聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)，溶剂为质量比2:8的甲苯和苯甲酸乙酯，混合物的固含量为2wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为450nm、等效折光指数为1.5的光取出单元第二层。

光取出单元制作完成后，器件的上表面形成基本平坦的表面，在该表面上整面打印固含量为20wt％的导电墨水，晾干后热板100℃烧结，得到高度为1.5μm的辅助电极。

导电墨水中的导电组分为纳米银颗粒，纳米银颗粒的粒径为30nm。导电墨水中的溶剂包括环己醇、庚醇，二者的质量比为环己醇：庚醇＝5:5。导电墨水中的稳定剂为聚乙烯醇。导电墨水的表面张力为30.2dyne/cm。

【实施例3】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

在顶电极上整面蒸镀厚度为200nm的8-羟基喹啉铝，制得保护层。

在每一发光区域内的保护层上制作光取出单元的第一层。制作光取出单元第一层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比5:5的十二烷和癸烷，散射粒子为粒径为50nm的TiO₂，混合物的固含量为2.5wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为300nm的光取出单元，光取出单元中TiO₂粒子与树脂的体积比为8:2，其中散射粒子TiO₂的折光指数为2.5，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第一层的等效折光指数为2.3。

在光取出单元的第一层上制作光取出单元的第二层。制作光取出单元第二层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比为6:4的十二烷与癸烷，散射粒子为粒径为300nm的ZnO，混合物的固含量为3wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为400nm的光取出单元，光取出单元中ZnO与树脂的体积比为6:4，其中散射粒子ZnO的折光指数为2，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第二层的等效折光指数为1.8。

在光取出单元的第二层上制作光取出单元的第三层。制作光取出单元的第三层的混合物包括溶剂以及聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)，溶剂为质量比6:4的十二烷和癸醇，混合物的固含量为1.5wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为350nm、等效折光指数为1.5的光取出单元第三层。

光取出单元制作完成后，器件的上表面形成基本平坦的表面，在该表面上整面打印固含量为55wt％的导电墨水，晾干后热板100℃烧结，得到高度为1.2μm的辅助电极。

导电墨水中的导电组分为纳米银颗粒，纳米银颗粒的粒径为12nm。导电墨水中的溶剂包括氯苯、1,3-二甲氧基苯，二者的质量比为氯苯：1,3-二甲氧基苯＝2:8。导电墨水中的稳定剂为聚9-乙烯咔唑(PVK)。导电墨水的表面张力为34dyne/cm。

【实施例4】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO纳米晶作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

在顶电极上整面射频(RF)溅射厚度为40nm的ITO，制得保护层。

在每一发光区域内的保护层上制作光取出单元的第一层。制作光取出单元第一层的混合物包括溶剂以及聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)，溶剂为质量比6:4的十二烷和癸醇，混合物的固含量为1.8wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为50nm、等效折光指数为1.5的光取出单元第一层。

在光取出单元的第一层上制作光取出单元的第二层。制作光取出单元第二层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比为6:4的十二烷与癸烷，散射粒子为粒径为200nm的ZnO，混合物的固含量为2.5wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为400nm的光取出单元，光取出单元中ZnO与树脂的体积比为5:5，其中散射粒子ZnO的折光指数为2，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第二层的等效折光指数为1.75。

在光取出单元的第二层上制作光取出单元的第三层。制作光取出单元第三层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比为8:2的十二烷与癸烷，散射粒子为粒径为20nm的ZnO，混合物的固含量为4wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为760nm的光取出单元，光取出单元中ZnO与树脂的体积比为1:9，其中散射粒子ZnO的折光指数为2，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第三层的等效折光指数为1.55。

光取出单元制作完成后，器件的上表面形成基本平坦的表面，在该表面上整面打印固含量为55wt％的导电墨水，晾干后热板80℃烧结，得到高度为1.2μm的辅助电极。

导电墨水中的导电组分为纳米银线，纳米银线的直径径为10nm、长度为3μm。导电墨水中的溶剂包括异丙醇、丁醇，二者的质量比为异丙醇：丁醇＝5:5。导电墨水中的稳定剂为聚乙烯醇。导电墨水的表面张力为29dyne/cm。

【实施例5】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO纳米晶作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

在顶电极上设置掩模板，掩模板将处于各发光区域之间的顶电极遮盖，在处于发光区域内的顶电极上射频(RF)溅射厚度为100nm的Si₃N₄，制得保护层。

在每一发光区域内的保护层上制作光取出单元的第一层。制作光取出单元第一层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比2:8的二甲苯的苯甲酸乙酯，散射粒子为粒径为150nm的TiO₂，混合物的固含量为3wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为400nm的光取出单元，光取出单元中TiO₂粒子与树脂的体积比为9:1，其中散射粒子TiO₂的折光指数为2.5，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第一层的等效折光指数为2.4。

在光取出单元的第一层上制作光取出单元的第二层。制作光取出单元第二层的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比2:8的甲苯与苯甲酸乙酯，散射粒子为粒径为30nm的ZrO₂，混合物的固含量为2.5wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为750nm的光取出单元，光取出单元中ZrO₂粒子与树脂的体积比为0.5:9.5，其中散射粒子ZrO₂的折光指数为2.16，树脂的折光指数为1.5，光取出单元第一层的等效折光指数为1.53。

光取出单元制作完成后，器件的上表面形成基本平坦的表面，在该表面上整面打印固含量为35wt％的导电墨水，晾干后热板80℃烧结，得到高度为800nm的辅助电极。

导电墨水中的导电组分为纳米银线，纳米银线的直径为10nm、长度为3μm。导电墨水中的溶剂包括异丙醇、丁醇，二者的质量比为异丙醇：丁醇＝4:6。导电墨水中的稳定剂为聚乙烯吡咯烷酮。导电墨水的表面张力为29dyne/cm。

【对比例1】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO纳米晶作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

【对比例2】

提供带反射电极的基板，在基板上制作像素界定结构，形成多个发光区域，然后在各发光区域内依次设置厚度为40nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层、厚度为30nm的TFB作为空穴注入层、厚度为30nm的量子点膜作为发光层、厚度为50nm的ZnO纳米晶作为电子传输层以及厚度为100nm的ITO作为顶电极。

在每一发光区域内的顶电极上制作光取出单元。制作光取出单元的混合物包括溶剂、聚氨酯丙烯酸树脂(UV固化树脂，表面张力约为32.6dyne/cm)以及散射粒子，溶剂为质量比1:9的甲苯和苯甲酸乙酯，散射粒子为粒径为100nm的TiO₂，混合物的固含量为10wt％。混合物经过UV固化后，制得厚度为1.25μm的光取出单元，光取出单元中TiO₂粒子与树脂的体积比为2:8，其中散射粒子TiO₂的折光指数为2.5，树脂的折光指数为1.5，光取出单元的等效折光指数为1.7。

值得一提的是，以上各实施例中，导电墨水的固含量是指导电组分在导电墨水中的质量占比。

利用PR670(Photo Research Inc)4v恒压下测试100ppi像素基板(1.2英寸)不同位置的亮度(均分为6个区域，靠近电极至远离电极编号分别为1-6)，测试结果如表1所示。

表1

编号

1

2

3

4

5

6

实施例1

7124cd/m<sup>2</sup>

7215cd/m<sup>2</sup>

7094cd/m<sup>2</sup>

7195cd/m<sup>2</sup>

7205cd/m<sup>2</sup>

7167cd/m<sup>2</sup>

对比例1

2902cd/m<sup>2</sup>

2879cd/m<sup>2</sup>

2765cd/m<sup>2</sup>

2801cd/m<sup>2</sup>

2594cd/m<sup>2</sup>

2603cd/m<sup>2</sup>

对比例2

6120cd/m<sup>2</sup>

6209cd/m<sup>2</sup>

6106cd/m<sup>2</sup>

6053cd/m<sup>2</sup>

5867cd/m<sup>2</sup>

5901cd/m<sup>2</sup>

从上述测试数据可以看出，在相同电压下，实施例1的显示面板亮度较高，且随着与电极距离的增加，亮度下降不太明显；而对比例2依靠光取出结构虽然也获得了相对好的亮度，但是亮度下降趋势明显，可见100nm的ITO顶电极导电能力不足，压降明显；而对比例1由于没有光取出结构，亮度是最低的，且下降趋势非常明显。

上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。

Claims (17)

1.一种顶发射发光器件，包括：基底；设置在所述基底上方用于界定多个发光区域的像素界定结构；设于各所述发光区域的发光单元，各所述发光单元共享一顶电极，所述顶电极从各所述发光区域内向外延伸并覆盖所述像素界定结构的顶面；其特征在于，所述顶发射发光器件还包括：

设于各所述发光区域中的光取出单元，所述光取出单元设于所述发光单元的出光侧；以及

辅助电极，所述辅助电极设置在所述像素界定结构顶面的上方，且所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。

2.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述像素界定结构为网状结构。

3.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元上表面的表面张力为25～40dyne/cm，所述顶电极的表面张力大于所述光取出单元上表面的表面张力。

4.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元包括散射粒子以及将所述散射粒子限制在所述发光区域内的连续相树脂。

5.根据权利要求4所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元包括至少一包含所述散射粒子的层，所述光取出单元可选择地包括不设置散射粒子的层。

6.根据权利要求4所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元的等效折光指数为1.5～2.5。

7.根据权利要求4所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述光取出单元的上表面为平面或者中部凸起的弧面，所述光取出单元的上表面边缘的高度不超过所述辅助电极底面的高度，所述光取出单元的上表面最高点的高度不超过所述辅助电极的最高点。

8.根据权利要求1-7任一所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述发光单元对应的所述顶电极与所述光取出单元之间设置有保护层；优选地，所述保护层的厚度为40～400nm。

9.一种顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供带有底电极的基底，所述基底上设有用于界定多个发光区域的像素界定结构；

S2，于各所述发光区域内以及所述像素界定结构的表面设置顶电极；

S3，于各所述发光区域中制作光取出单元；

S4，在所述像素界定结构顶面的上方设置辅助电极，所述辅助电极与所述顶电极导电地连接。

10.根据权利要求9所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述辅助电极由导电墨水干燥或固化形成。

11.根据权利要求10所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述光取出单元之间有间隔单元，所述间隔单元的上表面的表面能大于相邻的所述光取出单元的上表面的表面能，在所述间隔单元和/或所述光取出单元的上表面上设置导电墨水，所述导电墨水富集到所述像素界定结构顶面对应的上方表面，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

12.根据权利要求11所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电墨水的表面张力为25～40dyne/cm，所述光取出单元的上表面的表面张力为25～40dyne/cm。

13.根据权利要求10所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电墨水包括导电组分、溶剂以及修饰稳定剂；优选地，所述导电组分选自以下一种或多种：金属纳米线、金属纳米颗粒、石墨烯、碳纳米管；优选地，所述导电组分在所述导电墨水中的质量分数为1～55％。

14.根据权利要求10所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于各所述发光区域内设置保护层，所述保护层覆盖位于所述发光区域内的所述顶电极的表面；所述步骤S3中，于所述发光区域内的所述保护层上设置所述光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述顶电极表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

15.根据权利要求10所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于所述顶电极表面设置保护层，所述保护层的材料包括有机材料，所述有机材料可溶于所述导电墨水；所述步骤S3中，在所述发光区域内的所述保护层上设置光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述保护层表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水将所述保护层的所述有机材料溶解，所述导电墨水干燥或固化后形成所述辅助电极。

16.根据权利要求10所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2与所述步骤S3之间还包括一步骤：于所述顶电极表面设置保护层，所述保护层的材料包括导电材料；所述步骤S3中，在所述发光区域内的所述保护层上设置光取出单元；所述步骤S4中，在裸露的所述保护层表面上设置所述导电墨水，所述导电墨水干燥或固化后与所述保护层共同形成所述辅助电极。

17.根据权利要求16所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电材料选自金属、金属氧化物或金属氮化物中的一种或多种。