CN109946891A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括：薄膜晶体管阵列面板，包括连接到第一薄膜晶体管的第一像素电极以及与第一像素电极相邻并连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极；以及颜色转换显示面板，与薄膜晶体管阵列面板叠置，其中，颜色转换显示面板包括包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层，薄膜晶体管阵列面板包括：第一屏蔽电极，设置在第一像素电极与第二像素电极之间；以及第二屏蔽电极，被设置为与第一像素电极相邻并与第一屏蔽电极分离，并且向第一屏蔽电极和第二屏蔽电极施加不同的电压。
Description
本申请要求于2017年12月7日提交的第10-2017-0167717号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述的一样。
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及一种显示装置。更具体地，本发明的示例性实施例涉及一种具有改善的颜色再现性和亮度的显示装置。
背景技术
液晶显示器可以包括两个场产生电极、液晶层、滤色器和偏振层。从光源产生的光在穿过液晶层、滤色器和偏振层之后到达观看者。在这种情况下，存在在偏振层与滤色器等之间产生光损失的问题。除液晶显示器之外，在诸如有机发光二极管显示器的显示装置中也会产生光损失。
为了实现具有减少的光损失并具有高颜色再现性的显示装置，提出了一种包括使用半导体纳米晶体的颜色转换显示面板的显示装置。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于对发明构思的背景技术的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例涉及一种具有改善的颜色再现性和亮度的显示装置。
根据示例性实施例的显示装置包括：薄膜晶体管阵列面板，包括连接到第一薄膜晶体管的第一像素电极以及与第一像素电极相邻并连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极；以及颜色转换显示面板，与薄膜晶体管阵列面板叠置。颜色转换显示面板包括包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层。薄膜晶体管阵列面板包括：第一屏蔽电极，设置在第一像素电极与第二像素电极之间；以及第二屏蔽电极，被设置为与第一像素电极相邻并与第一屏蔽电极分离。第一屏蔽电极和第二屏蔽电极被配置为接收不同的电压。
第一屏蔽电极可以被配置为接收可以比第二屏蔽电极被配置为接收的电压大的电压。
第一屏蔽电极可以被配置为接收比向第一像素电极施加的电压高的电压，并且第二屏蔽电极可以被配置为接收与向第一像素电极施加的电压相同的电压或者比向第一像素电极施加的电压低的电压。
第一像素电极可以包括第一竖直主干部、第一水平主干部和第一微小分支部，第一像素电极可以设置在第一屏蔽电极与第二屏蔽电极之间，并且第一竖直主干部可以被设置为与第一屏蔽电极相邻。
第一水平主干部可以在第一竖直主干部的中心处与第一竖直主干部正交。
与第一像素电极叠置的液晶层可以包括具有液晶分子的不同的排列方向的两个畴。
第二像素电极包括第二竖直主干部、第二水平主干部和第二微小分支部。第二像素电极设置在第一屏蔽电极与不同的第二屏蔽电极之间，并且第二像素电极的第二竖直主干部被设置为与第一屏蔽电极相邻。第一像素电极和第二像素电极可以相对于第一屏蔽电极对称。
第一屏蔽电极、第二屏蔽电极和第一像素电极可以设置在同一层上。
设置在第一竖直主干部与第一屏蔽电极之间的液晶分子可以被排列为平行于与第一微小分支部叠置的液晶分子。
颜色转换显示面板还可以包括设置在颜色转换层与薄膜晶体管阵列面板之间以及透射层与薄膜晶体管阵列面板之间的滤光层、外涂层和偏振层中的至少一个。
根据示例性实施例的显示装置包括：薄膜晶体管阵列面板；颜色转换显示面板，与薄膜晶体管阵列面板叠置；以及液晶层，设置在薄膜晶体管阵列面板与颜色转换显示面板之间，并包括多个液晶分子。颜色转换显示面板包括包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层。薄膜晶体管阵列面板包括：第一像素电极，包括第一竖直主干部、第一水平主干部和第一微小分支部；第二像素电极，与第一像素电极相邻并包括第二竖直主干部、第二水平主干部和第二微小分支部；以及屏蔽电极，设置在第一像素电极与第二像素电极之间，并且设置在第一竖直主干部与屏蔽电极之间的液晶分子被排列为平行于与第一微小分支部叠置的液晶分子。
屏蔽电极可以包括被配置为接收不同电压的第一屏蔽电极和第二屏蔽电极。第一屏蔽电极可以设置在第一像素电极与第二像素电极之间，并且第二屏蔽电极可以被设置为与第一像素电极相邻并与第一屏蔽电极分离。
第一屏蔽电极可以被配置为接收比第二屏蔽电极被配置为接收的电压大的电压。
第一微小分支部可以与颜色转换层和透射层叠置。
颜色转换显示面板还可以包括设置在颜色转换层与透射层之间的光阻挡构件，并且光阻挡构件可以与屏蔽电极叠置。
与第一像素电极叠置的液晶层可以包括其中液晶分子的排列方向不同的两个畴。
第一像素电极和第二像素电极可以相对于第一屏蔽电极对称。
第一屏蔽电极、第二屏蔽电极和第一像素电极设置在同一层上。
第一屏蔽电极可以被配置为接收比向第一像素电极施加的电压高的电压。第二屏蔽电极可以被配置为接收与向第一像素电极施加的电压相同的电压或者比向第一像素电极施加的电压低的电压。
多个第一屏蔽电极可以彼此连接，并且多个第二屏蔽电极可以彼此连接。
发明构思的附加特征将在下面的描述中进行阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过发明构思的实践而获知。
将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并且意图提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，且与描述一起用于解释发明构思。
图1是根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图。
图2是根据示例性实施例的多个像素的俯视平面图。
图3是沿图2的线III-III'截取的剖视图。
图4是示意性地解释根据图2的示例性实施例的液晶分子的移动的视图。
图5是示意性地解释根据对比示例的液晶分子的移动的视图。
图6是根据图2的示例性实施例中的变型的显示装置的像素的俯视平面图。
图7是根据对比示例1、对比示例2、对比示例3、示例性实施例1和示例性实施例2的像素的亮度模拟图像。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底的理解。如这里所使用的“实施例”和“实施方式”是可互换的词，并且是采用这里公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，为了避免使各种示例性实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种示例性实施例可以不同，但是不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实施示例性实施例的具体形状、构造和特性。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或统一地称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置而不脱离发明构思。
在附图中使用剖面线和/或阴影一般是为了提供相邻元件之间的清晰的边界。如此，除非说明，否则剖面线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的特殊材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实施时，可以以不同于所描述的顺序来执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，第一方向、第二方向和第三方向不局限于直角坐标系的三个轴(诸如，x轴、y轴和z轴)的方向，并且可以以更宽泛的意义进行解释。例如，第一方向、第二方向和第三方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
为了描述性目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”以及其它类似的术语被用作近似的术语而不是用作程度的术语，如此，它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差引起的附图的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应该一定被解释为局限于特定示出的区域的形状，而是将包括由例如制造导致的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域在本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图进行限制。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意义一致的意义，并且不以理想化或过度形式化的含义进行解释，除非这里明确地如此定义。
现在，将参照图1、图2、图3、图4和图5来描述根据示例性实施例的显示装置。图1是根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图。图2是根据示例性实施例的多个像素的俯视平面图。图3是沿图2的线III-III'截取的剖视图。图4是示意性地解释根据图2的示例性实施例的液晶分子的移动的视图。图5是示意性地解释根据对比示例的液晶分子的移动的视图。
首先，参照图1，根据本发明的示例性实施例的显示装置可以包括位于第一基底110上的第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b。第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b可以沿第一方向(栅极线延伸方向)交替地设置，并且可以具有沿第二方向(数据线延伸方向)延伸的形状。
包括在显示装置中的多个第一屏蔽电极192a可以彼此连接，并通过第一垫(pad，或可以称为“焊盘”)部193a接收预定的第一电压。多个第二屏蔽电极192b可以通过第二垫(pad，或可以称为“焊盘”)部193b接收预定的第二电压。第一电压和第二电压可以不同，作为示例，第一电压可以大于第二电压。
接下来，将参照图2和图3来详细地描述显示装置的结构。
根据示例性实施例的显示装置包括：照明单元(light unit)500；薄膜晶体管阵列面板100；颜色转换显示面板300，与薄膜晶体管阵列面板100分离并与薄膜晶体管阵列面板100叠置；以及液晶层3，设置在薄膜晶体管阵列面板100与颜色转换显示面板300之间。
照明单元500沿第三方向设置在薄膜晶体管阵列面板100的后表面处。照明单元500可以包括产生光的光源以及接收光并将接收的光朝向薄膜晶体管阵列面板100引导的光导(未示出)。
照明单元500可以包括发射蓝光的任何光源，并且作为示例可以包括发光二极管(LED)。代替包括蓝光源的照明单元500，照明单元500可以包括白光源或紫外线光源。然而，在下文中将描述使用包括蓝光源的照明单元500的显示装置。
光源可以是设置在光导的至少一个侧表面上的边缘式或直接设置在光导下方的直下式，但不限于此。
薄膜晶体管阵列面板100包括设置在第一基底110与照明单元500之间的第一偏振层12。第一偏振层12使从照明单元500入射到第一基底110的光偏振。
第一偏振层12可以是沉积偏振层、涂覆偏振层和印刷偏振层中的至少一种，但不限于此。作为示例，它可以是线栅偏振器，但不限于此。
薄膜晶体管阵列面板100可以包括：栅极线121，在第一基底110与液晶层3之间沿第一方向延伸，并包括栅电极124；栅极绝缘层140，设置在栅极线121与液晶层3之间；半导体层154，设置在栅极绝缘层140与液晶层3之间；数据线171，设置在半导体层154与液晶层3之间并在第二方向上延伸；源电极173，连接到数据线171；漏电极175，与源电极173分离；以及钝化层180，设置在数据线171与液晶层3之间。
半导体层154在未被源电极173和漏电极175覆盖的部分中形成沟道。栅电极124、半导体层154、源电极173和漏电极175形成一个薄膜晶体管Tr。
像素电极191设置在钝化层180上。像素电极191可以通过包括在钝化层180中的接触孔185物理连接到且电连接到漏电极175。
根据示例性实施例的像素电极191包括：水平主干部191a；竖直主干部191b，连接到水平主干部191a以与水平主干部191a交叉；以及多个微小分支部191c，沿对角线方向从水平主干部191a和竖直主干部191b延伸。根据示例性实施例的水平主干部191a可以连接到竖直主干部191b以在竖直主干部191b的中心处与竖直主干部191b交叉。微小分支部191c与水平主干部191a形成大约45度或135度的角。彼此沿不同的对角线方向延伸的微小分支部191c可以彼此交叉。
一个像素电极191可以包括参照水平主干部191a和竖直主干部191b进行划分的第一区域Da和第二区域Db。液晶分子31的排列方向可以在第一区域Da和第二区域Db中不同。具体地，微小分支部191c的侧边使电场变形以形成决定液晶分子31的倾斜方向的水平分量。电场的水平分量可以基本平行于微小分支部191c的侧边。液晶分子31可以沿与微小分支部191c的长度方向平行的方向倾斜。由于一个像素电极191包括在两个彼此不同的方向上倾斜的微小分支部191c，所以液晶分子31倾斜的方向可以是两个方向。具有液晶分子31的不同取向方向的两个畴可以形成在液晶层3中。
第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b可以与像素电极191设置在同一层上。第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b被设置为与像素电极191分离，并被延伸为与数据线171基本平行。第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b与数据线171叠置。第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b可以沿第一方向交替地设置。
第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b可以与像素电极191包括相同的材料。第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b可以在形成像素电极191的工艺中同时形成，但不限于此。
第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b可以接收彼此不同的电压。根据示例性实施例，第一屏蔽电极192a可以接收比施加到像素电极191的电压高的第一电压，第二屏蔽电极192b可以接收与施加到像素电极191的电压相同的电平或比施加到像素电极191的电压低的第二电压。
像素电极191的竖直主干部191b可以被设置为与第一屏蔽电极192a相邻，第一屏蔽电极192a接收比施加到像素电极191的电压高的电压。相对于第一屏蔽电极192a设置在第一屏蔽电极192a的右侧处的一个像素可以包括设置为与第一屏蔽电极192a相邻的竖直主干部191b，设置在第一屏蔽电极192a的左侧处的一个像素也可以包括设置为与第一屏蔽电极192a相邻的竖直主干部191b。相对于第一屏蔽电极192a设置在左侧和右侧处的像素电极191的形状可以是对称的。
设置在两个相邻的第二屏蔽电极192b之间的两个像素电极191可以包括其中液晶分子31在彼此不同的方向上排列的四个畴。相对于第一屏蔽电极192a设置在各侧处的两个像素电极191可以包括其中液晶分子31在彼此不同的方向上排列的四个畴Da、Db、Dc和Dd。
具体地，相对于第一屏蔽电极192a设置在右侧处的像素电极191可以包括在右/上方向上延伸的微小分支部191c和在右/下方向上延伸的微小分支部191c。此外，相对于第一屏蔽电极192a设置在左侧处的像素电极191可以包括在左/上方向上延伸的微小分支部191c和在左/下方向上延伸的微小分支部191c。与两个相邻的像素电极191叠置的液晶层3可以包括根据液晶分子31的排列方向进行划分的四个畴Da、Db、Dc和Dd。
在下文中，将描述上述包括像素电极191以及第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b的显示装置的液晶分子31的移动。
参照图4，当比施加到像素电极191的电压高的第一电压施加到第一屏蔽电极192a时，强烈地形成正面方向的边缘场。因此，设置在第一屏蔽电极192a与竖直主干部191b之间的液晶分子31可以在与由微小分支部191c排列的液晶分子31平行的方向上排列。可以通过在第一屏蔽电极192a和像素电极191的边界上的液晶分子31的相同排列来改善显示装置的亮度。
此外，当比施加到像素电极191的电压低的第二电压施加到第二屏蔽电极192b时，在像素电极191与第二屏蔽电极192b之间的边界上产生的反向的边缘场可以是弱的。由于设置在第二屏蔽电极192b与像素电极191之间的液晶分子31被排列为与由微小分支部191c排列的液晶分子31平行，所以可以改善显示装置的亮度。
如图5中所示，当向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加相同的电压(作为一个示例，共电压)时，设置在竖直主干部191b与第一屏蔽电极192a之间的液晶分子31的排列方向和与微小分支部191c叠置的液晶分子31的排列方向折叠，从而会产生暗部。显示装置的亮度会由于暗部而降低。
根据本发明的示例性实施例，由于除了设置微小分支部191c的区域之外，液晶分子31被有效地排列到第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b相邻的区域(在该处液晶分子31的排列控制不容易)，所以可以提供具有改善的亮度的显示装置。
返回参照图2和图3，第一取向层11可以设置在像素电极191与液晶层3之间以及第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b与液晶层3之间。
颜色转换显示面板300包括与薄膜晶体管阵列面板100叠置的基底310。光阻挡构件320设置在基底310与薄膜晶体管阵列面板100之间并与第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b叠置。具体地，光阻挡构件320设置在基底310与稍后描述的颜色转换层330R和330G(即，红色转换层330R和绿色转换层330G)之间以及基底310与稍后描述的透射层330B之间。
光阻挡构件320可以沿第一方向设置在红色转换层330R与绿色转换层330G之间、绿色转换层330G与透射层330B之间以及透射层330B与红色转换层330R之间。此外，光阻挡构件320可以设置在沿第二方向彼此相邻的红色转换层330R与红色转换层330R之间、沿第二方向彼此相邻的绿色转换层330G与绿色转换层330G之间以及沿第二方向彼此相邻的透射层330B与透射层330B之间。光阻挡构件320可以在平面图中或在从上方观看时具有栅格形状或直线形状。
光阻挡构件320可以防止从相邻像素发射的不同颜色的混合，并且限定设置有红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B的区域。光阻挡构件320可以使用任何材料以阻挡(反射或吸收)光。
蓝光截止滤光器325可以设置在基底310与薄膜晶体管阵列面板100之间以及光阻挡构件320与薄膜晶体管阵列面板100之间。蓝光截止滤光器325可以设置在红色转换层330R与基底310之间以及绿色转换层330G与基底310之间。蓝光截止滤光器325可以不与设置有透射层330B的发射蓝光的区域叠置。
蓝光截止滤光器325可以包括与红色转换层330R叠置的第一区域和与绿色转换层330G叠置的第二区域，这些区域可以彼此连接。然而，不限于此，第一区域和第二区域可以被形成为彼此分离。当第一区域和第二区域彼此分离时，分离的蓝光截止滤光器325可以包括彼此不同的材料。
蓝光截止滤光器325可以阻挡从照明单元500供应的蓝光。从照明单元500入射到红色转换层330R和绿色转换层330G的蓝光可以通过半导体纳米晶体331R和331G(即，第一半导体纳米晶体331R和第二半导体纳米晶体331G)转换为红光或绿光，并且一些蓝光会在没有转换的情况下原样发射。在没有转换的情况下发射的蓝光与红光或绿光混合，因此会使颜色再现性劣化。蓝光截止滤光器325可以阻挡(吸收或反射)从照明单元500供应的、在红色转换层330R和绿色转换层330G中没有吸收的蓝光通过基底310而发射。
蓝光截止滤光器325可以包括能够获得上述效果的任何材料，作为一个示例，蓝光截止滤光器325可以包括黄色滤色器。蓝光截止滤光器325可以具有单层或多层的堆叠结构。
在示例性实施例中，示出了与基底310接触的蓝光截止滤光器325，但本发明不限于此，并且可以在基底310与蓝光截止滤光器325之间设置单独的缓冲层。
多个颜色转换层330R和330G以及透射层330B可以设置在基底310与薄膜晶体管阵列面板100之间，并且可以与微小分支部191c叠置。多个颜色转换层330R和330G以及透射层330B可以沿第一方向交替地布置。
多个颜色转换层330R和330G可以将入射光转换为具有与入射光的波长不同的波长的光，并且可以发射转换的光。多个颜色转换层330R和330G可以包括红色转换层330R和绿色转换层330G。入射光不在透射层330B中转换，并且入射光可以原样发射。作为示例，蓝光可以入射在透射层330B上，并且可以原样发射。
红色转换层330R可以包括将入射的蓝光转换为红光的第一半导体纳米晶体331R。第一半导体纳米晶体331R可以包括磷光体和量子点中的至少一种。
绿色转换层330G可以包括将入射的蓝光转换为绿光的第二半导体纳米晶体331G。第二半导体纳米晶体331G可以包括磷光体和量子点中的至少一种。
包括在第一半导体纳米晶体331R和第二半导体纳米晶体331G中的量子点可以独立地选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合。
II-VI族化合物可以是：二元化合物，选自于CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物；三元化合物，选自于CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物；以及四元化合物，选自于HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物。III-V族化合物可以是：二元化合物，选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物；三元化合物，选自于GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物；以及四元化合物，选自于GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、GaAlNP、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物。IV-VI族化合物可以是：二元化合物，选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物；三元化合物，选自于SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物；以及四元化合物，选自于SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物。IV族元素可以选自于Si、Ge和它们的混合物。IV族化合物可以是选自于SiC、SiGe和它们的混合物的二元化合物。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀浓度存在于颗粒中，或者它们可以分别被划分为具有部分地不同浓度的状态以存在于同一颗粒中。此外，其中一些量子点包围其它一些量子点的核/壳结构可以是可能的。核与壳之间的界面可以具有其中壳的元素的浓度随着靠近其中心而减小的浓度梯度。
量子点可以具有等于或小于大约45nm(优选等于或小于大约40nm，更优选等于或小于大约30nm)的发光波长谱的半峰全宽(FWHM)，并且在该范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善光的视角。
当第一半导体纳米晶体331R包括红色磷光体时，红色磷光体可以包括从包括(Ca,Sr,Ba)S、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8、CaAlSiN3、CaMoO4和Eu2Si5N8的组中选择的至少一种，但本公开不限于此。
当第二半导体纳米晶体331G包括绿色磷光体时，绿色磷光体可以包括从包括钇铝石榴石(YAG)、(Ca,Sr,Ba)2SiO4、SrGa2S4、BAM、α-SiAlON、β-SiAlON、Ca3Sc2Si3O12、Tb3Al5O12、BaSiO4、CaAlSiON和(Sr(1-x)Bax)Si2O2N2的组中选择的至少一种，但本公开不限于此。x可以是0与1之间的任何数字。
透射层330B可以使入射光原样通过。透射层330B可以包括使蓝光通过的树脂。设置在发射蓝光的区域处的透射层330B不包括单独的半导体纳米晶体，并使入射的蓝光原样通过。
虽然未示出，但是透射层330B还可以包括染料和色素中的至少一种。包括染料或色素的透射层330B可以减少外部光反射，并且可以提供具有改善的颜色纯度的蓝光。
红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B中的至少一个还可以包括散射体332。包括在红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B中的相应的散射体332的浓度可以不同。
散射体332可以增加在颜色转换层330R和330G中转换的光的量或穿过颜色转换层330R和330G以及透射层330B的光的量，并且可以均匀地提供正面亮度和侧面亮度。
散射体332可以包括能够使入射光均匀地散射的任何材料。作为示例，散射体332可以包括TiO2、ZrO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3和ITO之中的至少一种。
作为一个示例，红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B可以包括光敏树脂，并且可以通过光刻工艺形成。此外，它们可以通过印刷工艺或喷墨工艺形成，并且在这些工艺的情况下，红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B可以包括不是光敏树脂的材料。在示例性实施例中，虽然描述了颜色转换层330R和330G以及透射层330B通过光刻工艺、印刷工艺或喷墨工艺形成，但本发明不限于此。
滤光层340设置在颜色转换层330R和330G与外涂层350之间以及透射层330B与外涂层350之间。
滤光层340可以是使预定波长的光透射并且反射或吸收除了预定波长的光之外的光的滤光器。滤光层340可以具有其中具有高折射率的层和具有低折射率的层交替地堆叠的结构，并且可以利用这些层之间的强化和/或相消干涉来透射和/或反射如上所述的预定波长的光。
滤光层340可以包括TiO2、SiNx、SiOy、TiN、AlN、Al2O3、SnO2、WO3和ZrO2中的至少一种，并且作为一个示例，它可以具有其中SiNx和SiOy交替堆叠的结构。x和y可以根据形成层的工艺条件作为确定SiNx和SiOy中化学组成比的因素来被调节。
在一些示例性实施例中，可以省略滤光层340，并且可以利用低折射层等替换滤光层340。
外涂层350设置在滤光层340与薄膜晶体管阵列面板100之间。外涂层350可以与基底310的前表面叠置。
外涂层350可以使红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B中的一个的表面平坦化。外涂层350包括有机材料，但不限于此，并且可以包括具有平坦化功能的任何材料。
第二偏振层22可以设置在外涂层350与液晶层3之间。第二偏振层22可以通过沉积偏振层、涂覆偏振层和印刷偏振层中的任何方法形成。作为一个示例，可以使用线栅偏振器。当第二偏振层22是线栅偏振层时，第二偏振层22可以包括具有几纳米宽的多个棒。
绝缘层360、共电极370和第二取向层21设置在第二偏振层22与液晶层3之间。
当第二偏振层22不是金属材料时，可以省略作为使第二偏振层22与金属材料的共电极370绝缘的层的绝缘层360。接收共电压的共电极370可以与上述的像素电极191形成电场。在示例性实施例中描述了其中共电极370设置在与像素电极191的显示面板不同的显示面板中的构造，但不限于此，并且它们可以包括在同一显示面板中。
液晶层3设置在薄膜晶体管阵列面板100与颜色转换显示面板300之间，并且包括多个液晶分子31。能够根据液晶分子31的移动程度等来控制从照明单元500接收的光的透射率。根据示例性实施例的液晶层3还可以包括反应性液晶原或反应性液晶原的聚合物。
接下来，将参照图6来描述根据本发明的变型示例性实施例的显示装置。图6是根据图2的示例性实施例中的变型的显示装置的像素的俯视平面图。省略了对参照图2、图3和图4描述的相同构成元件的描述。
参照图6，像素电极191包括水平主干部191a、竖直主干部191b以及沿对角线方向从水平主干部191a和竖直主干部191b延伸的微小分支部191c。根据示例性实施例，水平主干部191a可以连接到竖直主干部191b的端部以与竖直主干部191b交叉。一个像素电极191可以包括从水平主干部191a和竖直主干部191b延伸且沿一个对角线方向伸长的多个微小分支部191c。
像素电极191的竖直主干部191b可以被设置为与第一屏蔽电极192a相邻，第一屏蔽电极192a接收比施加到像素电极191的电压高的电压。相对于第一屏蔽电极192a设置在第一屏蔽电极192a的右侧处的一个像素可以包括被设置为与第一屏蔽电极192a相邻的竖直主干部191b，设置在第一屏蔽电极192a的左侧处的一个像素也可以包括被设置为与第一屏蔽电极192a相邻的竖直主干部191b。相对于第一屏蔽电极192a设置在左侧和右侧处的像素电极191的形状可以是对称的。
与设置在两个相邻的第二屏蔽电极192b之间的两个像素电极191叠置的液晶层3可以包括其中液晶分子31在彼此不同的方向上排列的两个畴。具体地，相对于第一屏蔽电极192a设置在右侧处的像素电极191可以包括在右/上方向上延伸的微小分支部191c，相对于第一屏蔽电极192a设置在左侧处的像素电极191可以包括在左/上方向上延伸的微小分支部191c。与两个相邻的像素电极191叠置的液晶层3可以包括根据液晶分子31的排列方向进行划分的两个畴。
本说明书描述了其中向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加不同的电压的示例性实施例。然而，不限于此，可以向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加相同的电压。在其中向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加相同的电压(作为一个示例，共电压)的示例性实施例中，可以使用控制在其中不向像素电极191和共电极370施加电压的初始状态的液晶分子31的排列的方法。
根据示例性实施例，在其中未向像素电极191和共电极370施加电压的状态下，设置在第一屏蔽电极192a与相邻的竖直主干部191b之间的液晶分子31可以平行于与微小分支部191c叠置的液晶分子31的排列。
具体地，根据本发明的液晶层3可以包括液晶化合物和反应性液晶原。显示装置可以通过在将液晶材料滴在薄膜晶体管阵列面板100或颜色转换显示面板300上之后使薄膜晶体管阵列面板100和颜色转换显示面板300结合的方法来制造。
在结合之后在向像素电极191和共电极370施加电压的状态下，执行照射诸如紫外线(UV)的光的电场曝光工艺。因此，当包括在所滴的液晶材料中的反应性液晶原移动到薄膜晶体管阵列面板100或颜色转换显示面板300的侧边时，可以形成包括取向聚合物的突起。突起可以针对液晶分子31在与像素电极191的微小分支部191c的长度方向平行的方向上具有预倾斜。
在电场曝光工艺中，可以向第一屏蔽电极192a施加比施加到像素电极191的电压高的第一电压，可以向第二屏蔽电极192b施加与施加到像素电极191的电压相同的电平或比施加到像素电极191的电压低的第二电压。因此，如图4中所示，可以提供其中在第一屏蔽电极192a与竖直主干部191b之间的液晶分子31的排列方向、在第二屏蔽电极192b与像素电极191之间的液晶分子31的排列方向以及与微小分支部191c叠置的液晶分子31的排列方向是平行的初始状态。
用于在电场曝光工艺中向第一屏蔽电极192a施加第一电压并且向第二屏蔽电极192b施加第二电压以及在驱动显示装置期间向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加相同的电压的任何构造当然是可能的。作为一个示例，第一基底110包括向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加相同的电压的垫(pad，或可以称为“焊盘”)部，并且其中在制造工艺期间用于向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加另一电压的垫(pad，或可以称为“焊盘”)部延伸到第一基底110的外部并在制造显示装置之后被移除的构造是可能的。
根据上述示例性实施例，即使在显示装置的驱动期间向第一屏蔽电极192a和第二屏蔽电极192b施加相同的电压，也可以防止由于液晶分子31的初始状态产生暗部而导致的亮度降低。
接下来，将参照图7来描述根据对比示例和示例性实施例的一个像素的亮度程度。图7是根据对比示例1、对比示例2、对比示例3、示例性实施例1和示例性实施例2的像素的亮度模拟图像。
参照图7，对比示例1是其中不存在屏蔽电极并且与一个像素电极叠置的液晶层包括具有液晶分子的不同排列方向的四个畴的显示装置。对比示例2是其中像素电极的框架具有边界形状并且其它条件与对比示例1的条件相同的显示装置。对比示例3是其中与一个像素电极叠置的液晶层包括两个畴的显示装置。示例性实施例1是根据示例性实施例的其中与一个像素电极叠置的液晶层包括两个畴并且包括第一屏蔽电极和第二屏蔽电极的显示装置。示例性实施例2是其中与一个像素电极叠置的液晶层包括一个畴并且包括第一屏蔽电极和第二屏蔽电极的显示装置。
作为检查这些的亮度的结果，对比示例1表现出大约97％的亮度，对比示例2表现出大约100％的亮度，对比示例3表现出101.4％的亮度。此外，示例性实施例1表现出大约106.5％的亮度，示例性实施例2表现出大约106.7％的亮度。因此，与对比示例相比，根据示例性实施例的显示装置具有提高了大约6％或更多的亮度。
根据示例性实施例，可以提供具有改善的颜色再现性和亮度的显示装置。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但通过该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是限于所附的权利要求的更宽范围以及对于本领域普通技术人员而言将明显的各种明显的修改和等同布置。
Claims (20)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
薄膜晶体管阵列面板，包括连接到第一薄膜晶体管的第一像素电极以及与所述第一像素电极相邻并连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极；以及
颜色转换显示面板，与所述薄膜晶体管阵列面板叠置，
其中，所述颜色转换显示面板包括包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层，
其中，所述薄膜晶体管阵列面板包括：第一屏蔽电极，设置在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间；以及第二屏蔽电极，被设置为与所述第一像素电极相邻并与所述第一屏蔽电极分离，并且
其中，所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极被配置为接收不同的电压。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽电极被配置为接收比所述第二屏蔽电极被配置为接收的电压大的电压。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽电极被配置为接收比向所述第一像素电极施加的电压高的电压，并且所述第二屏蔽电极被配置为接收与向所述第一像素电极施加的所述电压相同的电压或者比向所述第一像素电极施加的所述电压低的电压。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一像素电极包括第一竖直主干部、第一水平主干部和第一微小分支部，并且
所述第一像素电极设置在所述第一屏蔽电极与所述第二屏蔽电极之间，并且所述第一竖直主干部被设置为与所述第一屏蔽电极相邻。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一水平主干部在所述第一竖直主干部的中心处与所述第一竖直主干部正交。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，与所述第一像素电极叠置的液晶层包括具有液晶分子的不同排列方向的液晶分子的两个畴。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中：
所述第二像素电极包括第二竖直主干部、第二水平主干部和第二微小分支部，
所述第二像素电极设置在所述第一屏蔽电极与不同的第二屏蔽电极之间，并且所述第二像素电极的所述第二竖直主干部被设置为与所述第一屏蔽电极相邻，并且
所述第一像素电极和所述第二像素电极相对于所述第一屏蔽电极对称。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽电极、所述第二屏蔽电极和所述第一像素电极设置在同一层上。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，设置在所述第一竖直主干部与所述第一屏蔽电极之间的液晶分子被排列为平行于与所述第一微小分支部叠置的液晶分子。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述颜色转换显示面板还包括设置在所述颜色转换层与所述薄膜晶体管阵列面板之间以及在所述透射层与所述薄膜晶体管阵列面板之间的滤光层、外涂层和偏振层中的至少一个。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
薄膜晶体管阵列面板；
颜色转换显示面板，与所述薄膜晶体管阵列面板叠置；以及
液晶层，设置在所述薄膜晶体管阵列面板与所述颜色转换显示面板之间，并包括多个液晶分子，
其中，所述颜色转换显示面板包括包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层，
其中，所述薄膜晶体管阵列面板包括：第一像素电极，包括第一竖直主干部、第一水平主干部和第一微小分支部；第二像素电极，与所述第一像素电极相邻并包括第二竖直主干部、第二水平主干部和第二微小分支部；以及屏蔽电极，设置在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间，并且
设置在所述第一竖直主干部与所述屏蔽电极之间的液晶分子被排列为平行于与所述第一微小分支部叠置的液晶分子。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中：
所述屏蔽电极包括被配置为接收不同电压的第一屏蔽电极和第二屏蔽电极，并且
所述第一屏蔽电极设置在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间，并且所述第二屏蔽电极被设置为与所述第一像素电极相邻并与所述第一屏蔽电极分离。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽电极被配置为接收比所述第二屏蔽电极被配置为接收的电压大的电压。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一微小分支部与所述颜色转换层和所述透射层叠置。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中
所述颜色转换显示面板还包括设置在所述颜色转换层与所述透射层之间的光阻挡构件，并且
所述光阻挡构件与所述屏蔽电极叠置。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，与所述第一像素电极叠置的所述液晶层包括其中所述液晶分子的排列方向不同的两个畴。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极相对于所述第一屏蔽电极对称。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中：
所述第一屏蔽电极、所述第二屏蔽电极和所述第一像素电极设置在同一层上。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一屏蔽电极被配置为接收比向所述第一像素电极施加的电压高的电压，并且所述第二屏蔽电极被配置为接收与向所述第一像素电极施加的所述电压相同的电压或者比向所述第一像素电极施加的所述电压低的电压。
20.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括彼此连接的多个所述第一屏蔽电极和彼此连接的多个所述第二屏蔽电极。
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