CN109920892A - 发光二极管外延片及其生长方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。本发明可以增加P型半导体层注入有源层的空穴数量。

Description

发光二极管外延片及其生长方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片及其生长方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源，LED正在被迅速广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等领域。LED的核心组件是芯片，提高芯片的发光效率是LED应用过程中不断追求的目标。

芯片包括外延片和设置在外延片上的电极。现有的LED外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。衬底用于提供外延生长的表面，缓冲层用于提供外延生长的成核中心，N型半导体层用于提供复合发光的电子，P型半导体层用于提供复合发光的空穴，有源层用于进行电子和空穴的复合发光。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

P型半导体层中提供空穴的镁掺杂的激活效率很低，导致注入有源层的空穴数量远小于注入有源层的电子数量，加上电子的移动速率远大于空穴，极大地限制了有源层中电子和空穴的复合发光，影响LED的发光效率。虽然理论上P型半导体层中镁的掺杂浓度和P型半导体层的生长温度较高时P型半导体层提供的空穴数量较多，但是实际上镁存在自补偿效应，P型半导体层中镁的掺杂浓度太高也无法如愿产生较多的空穴，同时P型半导体层的生长温度太高会对有源层造成破坏，即使空穴数量增加也无法提高LED的发光效率。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，能够解决现有技术空穴数量较少，影响LED发光效率的问题。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。

可选地，所述多个叠层结构的第一子层中镁的掺杂浓度、所述多个叠层结构的第二子层中铟的组分含量、所述多个叠层结构的第三子层中镁的掺杂浓度分别沿所述多个叠层结构的层叠方向逐层增大，所述多个叠层结构的第二子层中铟的组分含量的增大比例与所述多个叠层结构的第一子层中镁的掺杂浓度的增大比例、所述多个叠层结构的第三子层中镁的掺杂浓度的增大比例成正比。

进一步地，相邻两个所述第二子层中，后层叠的所述第二子层中铟的组分含量为先层叠的所述第二子层中铟的组分含量的1.5倍～3倍。

可选地，所述第二子层的厚度为所述叠层结构的厚度的1/20～1/5。

进一步地，所述第二子层的厚度为0.5nm～6nm。

另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；

其中，所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。

可选地，所述第二子层的生长温度低于所述第一子层的生长温度，所述第三子层的生长温度等于所述第一子层的生长温度。

进一步地，所述第二子层的生长温度比所述第一子层的生长温度低20℃～50℃。

进一步地，所述第二子层采用如下方式生长：

在所述第一子层生长之后，关闭镓源和镁源，打开氮源，对所述第一子层的表面进行处理；

打开铟源，在所述第一子层的表面生长所述第二子层。

可选地，所述多个叠层结构的第二子层的生长温度沿所述多个叠层结构的生长方向逐层升高。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过将P型半导体层分成多个叠层结构，每个叠层结构包括两个掺杂镁的氮化镓层以及***在中间的氮化铟层，氮化铟的能带很低，使得叠层结构整体的能带呈凹形，空穴会先在氮化铟层中积累到一定数量再进行迁移，由于同时迁移的空穴数量较多，因此有效注入有源层的空穴数量会增加。同时在同一个叠层结构中，靠近有源层的氮化镓层中镁的掺杂浓度小于远离有源层的氮化镓层中镁的掺杂浓度，使得空穴在叠层结构中靠近有源层区域的数量小于远离有源层区域的数量，数量上的差异有利于空穴朝靠近有源层的方向运动，促进空穴注入有源层。另外，铟是镁的激活剂，在两个掺杂镁的氮化镓层中间***氮化铟层，有利于氮化铟层两侧的氮化镓层中的镁激活而产生空穴，进一步增加注入有源层的空穴数量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的P型半导体层的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的生长方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

本发明实施例提供了一种发光二极管外延片。图1为本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图。参见图1，该发光二极管外延片包括衬底1、缓冲层2、N型半导体层3、有源层4和P型半导体层5，缓冲层2、N型半导体层3、有源层4和P型半导体层5依次层叠在衬底1上。

图2为本发明实施例提供的P型半导体层的结构示意图。参见图2，P型半导体层5包括依次层叠的多个叠层结构50，叠层结构50包括依次层叠的第一子层51、第二子层52和第三子层53。第一子层51的材料和第三子层53的材料均采用掺杂镁的氮化镓，第一子层51中镁的掺杂浓度小于第三子层53中镁的掺杂浓度；第二子层52的材料采用未掺杂的氮化铟。

本发明实施例通过将P型半导体层分成多个叠层结构，每个叠层结构包括两个掺杂镁的氮化镓层以及***在中间的氮化铟层，氮化铟的能带很低，使得叠层结构整体的能带呈凹形，空穴会先在氮化铟层中积累到一定数量再进行迁移，由于同时迁移的空穴数量较多，因此有效注入有源层的空穴数量会增加。同时在同一个叠层结构中，靠近有源层的氮化镓层中镁的掺杂浓度小于远离有源层的氮化镓层中镁的掺杂浓度，使得空穴在叠层结构中靠近有源层区域的数量小于远离有源层区域的数量，数量上的差异有利于空穴朝靠近有源层的方向运动，促进空穴注入有源层。另外，铟是镁的激活剂，在两个掺杂镁的氮化镓层中间***氮化铟层，有利于氮化铟层两侧的氮化镓层中的镁激活而产生空穴，进一步增加注入有源层的空穴数量。

可选地，多个叠层结构50的第一子层51中镁的掺杂浓度、多个叠层结构50的第二子层52中铟的组分含量、多个叠层结构50的第三子层53中镁的掺杂浓度可以分别沿多个叠层结构50的层叠方向逐层增大。即多个叠层结构50的第一子层51中镁的掺杂浓度沿多个叠层结构50的层叠方向逐层增大，多个叠层结构50的第二子层52中铟的组分含量沿多个叠层结构50的层叠方向逐层增大，多个叠层结构50的第三子层53中镁的掺杂浓度沿多个叠层结构50的层叠方向逐层增大。

同时多个叠层结构50的第二子层52中铟的组分含量的增大比例与多个叠层结构50的第一子层51中镁的掺杂浓度的增大比例、多个叠层结构50的第三子层53中镁的掺杂浓度的增大比例成正比。即多个叠层结构50的第二子层52中铟的组分含量的增大比例与多个叠层结构50的第一子层51中镁的掺杂浓度的增大比例成正比，多个叠层结构50的第二子层52中铟的组分含量的增大比例与多个叠层结构50的第三子层53中镁的掺杂浓度的增大比例成正比。

通过同比例增大多个叠层结构中铟和镁的掺杂浓度，两者可以相互配合，充分利用铟对镁的激活作用，增加P型半导体层中的空穴数量。而且靠近有源层的叠层结构中空穴数量小于远离有源层的叠层结构中空穴数量，数量上的差异有利于空穴朝靠近有源层的方向运动，促进空穴注入有源层。

进一步地，相邻两个第二子层52中，后层叠的第二子层52中铟的组分含量可以为先层叠的第二子层52中铟的组分含量的1.5倍～3倍。如果后层叠的第二子层中铟的组分含量小于先层叠的第二子层中铟的组分含量的1.5倍，则可能由于第二子层中铟的组分含量变化较小而无法对镁进行活化，导致空穴数量没有明显增加；如果后层叠的第二子层中铟的组分含量大于先层叠的第二子层中铟的组分含量的3倍，则可能由于第二子层中铟的组分含量变化较大而导致晶体质量较差，最终影响到LED的发光效率。

示例性地，第二子层52中铟的组分含量可以为1*10¹⁸/cm³～5*10¹⁹/cm³，实现效果好。

进一步地，相邻两个第一子层51中，后层叠的第一子层51中镁的掺杂浓度可以为先层叠的第一子层51中镁的掺杂浓度的1.5倍～5倍；相邻两个第三子层53中，后层叠的第三子层53中镁的掺杂浓度可以为先层叠的第三子层53中镁的掺杂浓度的1.5倍～5倍。如果后层叠的第一子层(或第三子层)中镁的掺杂浓度小于先层叠的第一子层(或第三子层)中镁的掺杂浓度的1.5倍，则可能由于第一子层(或第三子层)中镁的掺杂浓度变化较小而无法有效增加空穴数量；如果后层叠的第一子层(或第三子层)中镁的掺杂浓度大于先层叠的第一子层(或第三子层)中镁的掺杂浓度的5倍，则可能由于第一子层(或第三子层)中镁的掺杂浓度变化较大而导致晶体质量较差，最终影响到LED的发光效率。

示例性地，第一子层51中镁的掺杂浓度可以为4*10¹⁹/cm³～8*10²⁰/cm³，第三子层53中镁的掺杂浓度可以为4*10¹⁹/cm³～8*10²⁰/cm³，实现效果好。

可选地，第二子层52的厚度可以为叠层结构50的厚度的1/20～1/5。第二子层的厚度较薄，可以尽可能避免影响到P型半导体层整体的晶体质量，同时间隔***多个第二子层，又可以有效形成空穴蓄积区，促进空穴注入有源层。

进一步地，第二子层52的厚度可以为0.5nm～6nm，实现效果好。

示例性地，P型半导体层5的厚度可以为50nm～80nm。

可选地，叠层结构50的数量可以为2个～6个，实现效果好。

可选地，衬底1的材料可以采用蓝宝石(主要材料为三氧化二铝)，如晶向为[0001]的蓝宝石。缓冲层2的材料可以采用未掺杂的氮化镓或者氮化铝。N型半导体层3的材料可以采用N型掺杂(如硅)掺杂的氮化镓。有源层4可以包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置；量子阱的材料可以采用氮化铟镓(InGaN)，如In_xGa_1-xN，0＜x＜1，量子垒的材料可以采用氮化镓。

进一步地，缓冲层2的厚度可以为15nm～30nm，优选为25nm。N型半导体层3的厚度可以为2μm～3μm，优选为2.5μm；N型半导体层3中N型掺杂剂的掺杂浓度可以为10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3，优选为5*10¹⁸cm^-3。量子阱的厚度可以为2nm～3nm，优选为2.5nm；量子垒的厚度可以为8nm～11nm，优选为9.5nm；量子阱的数量与量子垒的数量相同，量子垒的数量可以为11个～13个，优选为12个；有源层4的厚度可以为130nm～160nm，优选为145nm。

可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括未掺杂氮化镓层6，未掺杂氮化镓层6设置在缓冲层2和N型半导体层3之间，以缓解衬底材料与氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，为外延片主体结构提供晶体质量较好的生长表面。

在具体实现时，缓冲层2为首先在图形化衬底上低温生长的一层较薄的氮化镓，因此也称为低温缓冲层。再在低温缓冲层进行氮化镓的纵向生长，会形成多个相互独立的三维岛状结构，称为三维成核层；然后在所有三维岛状结构上和各个三维岛状结构之间进行氮化镓的横向生长，形成二维平面结构，称为二维恢复层；最后在二维生长层上高温生长一层较厚的氮化镓，称为本征氮化镓层。本实施例中将三维成核层、二维恢复层和本征氮化镓层统称为未掺杂氮化镓层6。

进一步地，未掺杂氮化镓层6的厚度可以为2μm～3.5μm，优选为2.75μm。

可选地，该发光二极管外延片还可以包括应力释放层7，应力释放层7设置在N型半导体层3和有源层4之间，以对蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力进行释放，提高有源层的晶体质量，有利于电子和空穴在有源层进行辐射复合发光，提高LED的内量子效率，进而提高LED的发光效率。

可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括电子阻挡层81，电子阻挡层81设置在有源层4和P型半导体层5之间，以避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合，降低LED的发光效率。

具体地，电子阻挡层81的材料可以采用P型掺杂的氮化铝镓(AlGaN)，如Al_yGa_1-yN，0.15＜y＜0.25。

进一步地，电子阻挡层81的厚度可以为30nm～50nm，优选为40nm。

优选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括低温P型层82，低温P型层82设置在有源层4和电子阻挡层81之间，以避免电子阻挡层较高的生长温度造成有源层中的铟原子析出，影响发光二极管的发光效率。

具体地，低温P型层82的材料可以为P型掺杂的氮化镓。

进一步地，低温P型层82的厚度可以为10nm～50nm，优选为30nm；低温P型层82中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为10¹⁸/cm³～10²⁰/cm³，优选为10¹⁹/cm³。

可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括接触层9，接触层9设置在P型半导体层5上，以与芯片制作工艺中形成的电极或者透明导电薄膜之间形成欧姆接触。

具体地，接触层9的材料可以采用P型掺杂的氮化铟镓或者氮化镓。

进一步地，接触层9的厚度可以为5nm～300nm，优选为100nm；接触层9中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为10²¹/cm³～10²²/cm³，优选为5*10²¹/cm³。

本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的生长方法，适用于生长图1所示的发光二极管外延片。图3为本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的生长方法的流程图。参见图3，该生长方法包括：

步骤201：提供一衬底。

可选地，该步骤201可以包括：

控制温度为1000℃～1100℃(优选为1050℃)，压力为200torr～500torr(优选为350torr)，在氢气气氛中对衬底进行5分钟～6分钟(优选为5.5分钟)退火处理。

通过上述步骤清洁衬底的表面，避免杂质掺入外延片中，有利于提高外延片的生长质量。

步骤202：在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层。

在本实施例中，P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层。第一子层的材料和第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，第一子层中镁的掺杂浓度小于第三子层中镁的掺杂浓度；第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。

可选地，第二子层的生长温度可以低于第一子层的生长温度，第三子层的生长温度可以等于第一子层的生长温度。第二子层的生长温度较低，以尽可能减少铟的解析，同时第一子层的生长温度和第三子层的生长温度较高，有利于提高P型半导体层整体的晶体质量。

进一步地，第二子层的生长温度可以比第一子层的生长温度低20℃～50℃，可以较好地兼顾铟的掺入和整体的晶体质量。

示例性地，第一子层的生长温度可以为940℃～980℃，第二子层的生长温度可以为900℃～930℃，第三子层的生长温度可以为940℃～980℃，实现效果好。

进一步地，第二子层可以采用如下方式生长：

在第一子层生长之后，关闭镓源和镁源，打开氮源，对第一子层的表面进行处理；

打开铟源，在第一子层的表面生长第二子层。

在第二子层生长之前，先通入一段时间的氮源，以保护高温生长的第一子层。

示例性地，对第一子层的表面进行处理的时长可以为5s～30s，实现效果好。

可选地，多个叠层结构的第二子层的生长温度可以沿多个叠层结构的生长方向逐层升高。通过逐渐升高第二子层的生长温度，一方面可以弥补低温生长对P型半导体层晶体质量的影响，另一方面与多个叠层结构中镁掺杂浓度的逐渐增大配合，增加P型半导体层中的空穴数量。

进一步地，相邻两个第二子层中，后层叠的第二子层的生长温度比先层叠的第二子层的生长温度高5℃～15℃，既能起到生长温度升高的效果，又能避免生长温度升高太快所带来的不良影响。

可选地，该步骤202可以包括：

第一步，控制温度为530℃～560℃(优选为545℃)，压力为200torr～500torr(优选为350torr)，在衬底上生长缓冲层；

第二步，控制温度为1000℃～1100℃(优选为1050℃)，压力为100torr～500torr(优选为300torr)，在缓冲层上生长N型半导体层；

第三步，在N型半导体层上生长有源层；其中，量子阱的生长温度为760℃～780℃(优选为770℃)，压力为200torr；量子垒的生长温度为860℃～890℃(优选为875℃)，压力为200torr；

第四步，控制温度为940℃～980℃(优选为960℃)，压力为200torr～600torr(优选为400torr)，在有源层上生长P型半导体层。

可选地，在第二步之前，该生长方法还可以包括：

在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。

相应地，N型半导体层生长在未掺杂氮化镓层上。

具体地，在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层，可以包括：

控制温度为1000℃～1100℃(优选为1050℃)，压力为200torr～600torr(优选为400torr)，在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。

可选地，在第三步之前，该生长方法还可以包括：

在N型半导体层上生长应力释放层。

相应地，有源层生长在应力释放层上。

可选地，在第四步之前，该生长方法还可以包括：

在有源层上生长电子阻挡层。

相应地，P型半导体层生长在电子阻挡层上。

具体地，在有源层上生长电子阻挡层，可以包括：

控制温度为930℃～970℃(优选为950℃)，压力为100torr，在有源层上生长电子阻挡层。

优选地，在有源层上生长电子阻挡层之前，该生长方法还可以包括：

在有源层上生长低温P型层。

相应地，电子阻挡层生长在低温P型层上。

具体地，在有源层上生长低温P型层，可以包括：

控制温度为600℃～850℃(优选为750℃)，压力为100torr～600torr(优选为300torr)，在有源层上生长低温P型层。

可选地，在第四步之后，该生长方法还可以包括：

在P型半导体层上生长接触层。

具体地，在P型半导体层上生长接触层，可以包括：

控制温度为850℃～1050℃(优选为950℃)，压力为100torr～300torr(优选为200torr)，在P型半导体层上生长接触层。

需要说明的是，在上述外延生长结束之后，会先将温度降低至650℃～850℃(优选为750℃)，在氮气气氛中对外延片进行5分钟～15分钟(优选为10分钟)的退火处理，然后再将外延片的温度降低至室温。

控制温度、压力均是指控制生长外延片的反应腔中的温度、压力，具体为金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)设备的反应腔，如Veeco K465i MOCVD或者Veeco C4MOCVD。实现时以氢气、或者氮气、或者氢气和氮气的混合气体作为载气，三甲基镓或三乙基镓作为镓源，高纯氨气作为氮源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，硅烷作为硅源，二茂镁作为镁源。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个叠层结构的第一子层中镁的掺杂浓度、所述多个叠层结构的第二子层中铟的组分含量、所述多个叠层结构的第三子层中镁的掺杂浓度分别沿所述多个叠层结构的层叠方向逐层增大，所述多个叠层结构的第二子层中铟的组分含量的增大比例与所述多个叠层结构的第一子层中镁的掺杂浓度的增大比例、所述多个叠层结构的第三子层中镁的掺杂浓度的增大比例成正比。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，相邻两个所述第二子层中，后层叠的所述第二子层中铟的组分含量为先层叠的所述第二子层中铟的组分含量的1.5倍～3倍。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为所述叠层结构的厚度的1/20～1/5。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为0.5nm～6nm。

6.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；

其中，所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度低于所述第一子层的生长温度，所述第三子层的生长温度等于所述第一子层的生长温度。

8.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度比所述第一子层的生长温度低20℃～50℃。

9.根据权利要求7或8所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层采用如下方式生长：

在所述第一子层生长之后，关闭镓源和镁源，打开氮源，对所述第一子层的表面进行处理；

打开铟源，在所述第一子层的表面生长所述第二子层。

10.根据权利要求6～8任一项所述的生长方法，其特征在于，所述多个叠层结构的第二子层的生长温度沿所述多个叠层结构的生长方向逐层升高。