CN109903884A - 用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制造的电极 - Google Patents
用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制造的电极 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109903884A CN109903884A CN201810669709.9A CN201810669709A CN109903884A CN 109903884 A CN109903884 A CN 109903884A CN 201810669709 A CN201810669709 A CN 201810669709A CN 109903884 A CN109903884 A CN 109903884A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- electrode
- solar battery
- composition according
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 25
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N n-[(octadecanoylamino)methyl]octadecanamide Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 claims description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 2
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 240000000528 Ricinus communis Species 0.000 description 3
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011267 electrode slurry Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 239000010773 plant oil Substances 0.000 description 3
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical class C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N cyclotetrasiloxane Chemical class O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000370 laser capture micro-dissection Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical class OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N tetrasiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 2
- OGNSDRMLWYNUED-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-4-[4-[4-(4-cyclohexylcyclohexyl)cyclohexyl]cyclohexyl]cyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCC(C2CCC(CC2)C2CCC(CC2)C2CCC(CC2)C2CCCCC2)CC1 OGNSDRMLWYNUED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSIKJPJINIDELZ-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8-octakis-phenyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VSIKJPJINIDELZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexakis-phenyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUEXTJJSYQHTTC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetraphenyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound O1[Si](C=C)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=C)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=C)O[Si]1(C=C)C1=CC=CC=C1 XUEXTJJSYQHTTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXJQTYOZFVTCEM-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triphenyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound O1[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH]1C1=CC=CC=C1 NXJQTYOZFVTCEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPJOGDPLXNTKAZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanoic acid;2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol Chemical class CC(C)C(O)=O.CC(C)C(O)C(C)(C)CO VPJOGDPLXNTKAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CWNXOPXKENEODI-UHFFFAOYSA-N C[SiH]1O[SiH](C)O[Si](C)(CCC(F)(F)F)O1 Chemical compound C[SiH]1O[SiH](C)O[Si](C)(CCC(F)(F)F)O1 CWNXOPXKENEODI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVNCNSJFMMFHPL-VKHMYHEASA-N D-penicillamine Chemical class CC(C)(S)[C@@H](N)C(O)=O VVNCNSJFMMFHPL-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 241001274660 Modulus Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100341868 Mus musculus Kcp gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJLARPLSJYOZTN-UHFFFAOYSA-N O1[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH]1C1=CC=CC=C1 Chemical compound O1[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH]1C1=CC=CC=C1 HJLARPLSJYOZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100341869 Xenopus laevis kcp gene Proteins 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QACZTJJABFVRAS-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-butoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCO QACZTJJABFVRAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- JJRDHFIVAPVZJN-UHFFFAOYSA-N cyclotrisiloxane Chemical class O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 JJRDHFIVAPVZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000320 mechanical mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSANOGQCVHBHIF-UHFFFAOYSA-N tetradecamethylcycloheptasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 GSANOGQCVHBHIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本文公开了一种用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制造的电极。用于太阳能电池电极的组合物包含:导电粉末、玻璃料、有机载体、滑爽剂、以及触变剂,并且具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。
Description
相关申请的引证
本申请要求2017年12月7日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2017-0167840的权益,通过引证将其全部公开内容并入本文中。
技术领域
本发明涉及用于太阳能电池电极的组合物及使用其制造的电极。
背景技术
随着化石燃料能源的耗尽,太阳能电池作为新的替代能源得到关注。太阳能电池利用p-n结的光伏效应来发电,所述p-n结将太阳光的光子转化为电。在太阳能电池中,前电极和后电极分别形成在具有p-n结的半导体晶片或基底的上表面和下表面上。然后,通过太阳光进入半导体晶片来诱导p-n结处的光伏效应以及在p-n结处通过光伏效应产生的电子通过电极向外部提供电流。通过施加、图案化和烘烤电极浆料,在晶片上形成太阳能电池的电极。
对于这种太阳能电池而言,重要的是提高转化效率,即太阳能电池的有用输出与输入的比率(就能量而言)。传统上,为了提高太阳能电池的转化效率,已经提出了通过调节导电粉末颗粒的尺寸和混合比或通过导电粉末颗粒的表面处理来制备合适的电极浆料的方法。然而,这种单独的方法对提高太阳能电池的转化效率具有限制。此外,通过混合具有不同粒径的导电粉末获得所需烧结密度或电极电阻的方法具有有限的可印刷性和图案化能力(patternability,图案形成性能,可成图案性)的问题。因此,需要通过对其使用的有机材料进行改进能够提高太阳能电池的转化效率并且能够在丝网印刷中表现出从筛网(mesh)改善的可喷射性的电极浆料,从而实现了具有由于较小的线宽和较高的线高导致的较高的高宽比(aspect ratio,纵横比)的前电极。
为了改善用于太阳能电池电极的浆料的可印刷性,提出了使用表面处理的导电颗粒或通过调节导电颗粒的尺寸和混合比来提高可分散性的方法。此外,还提出了一种方法,其中使用丙烯酸酯粘合剂来代替典型的纤维素粘合剂树脂。然而,前者在电性质方面具有限制,而后者的优点在于,丙烯酸酯粘合剂可以通过比纤维素粘合剂树脂更简单的方法来制备,通过各种单体的组合,为浆料提供所需的性能,并且由于低残留碳含量以及在其聚合物侧基中存在极性官能团而呈现出良好的分散性。然而,与典型的纤维素粘合剂树脂相比,后者具有相对较差的可印刷性(触变性)的缺点。大多数常规方法是材料方法,因此需要开发流变学方法。
本发明的背景技术公开于日本未审查专利公开号2015-144162中。
发明内容
根据本发明的一个方面,用于太阳能电池电极的组合物包含:导电粉末、玻璃料、有机载体、滑爽剂、以及触变剂,并且可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。
根据本发明的另一个方面,使用根据本发明的太阳能电池电极的组合物来制造电极。
本发明提供能够以30μm或更小的细线宽(fine line-width)印刷的用于太阳能电池电极的组合物。
此外,本发明提供了用于太阳能电池电极的组合物,其能够在丝网印刷中表现出由筛网的改善的可喷射性。
此外,本发明提供了用于太阳能电池电极的组合物,其可以实现具有由于在丝网印刷中的较小的线宽和较高的线高导致的较高的高宽比,从而降低太阳能电池的电阻,同时提高太阳能电池的转换效率。
附图说明
图1是根据本发明一个实施方式的太阳能电池的示意图。
图2是示出实施例1的依赖角速度的储能模量(storage modulus,储存模量)(G')、损耗模量(G")和tanδ值的曲线图。
图3是示出比较例1的依赖角速度的储能模量(G')、损耗模量(G")和tanδ值的曲线图。
图4是烘烤后实施例1的图案形状的图像。
图5是在烘烤之后比较例1的图案形状的图像。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的实施方式。应当理解,本发明可以以不同的方式实施,并不局限于以下实施方式。
用于太阳能电池电极的组合物
用于太阳能电池电极的组合物包含导电粉末、玻璃料、有机载体、滑爽剂和触变剂,并且可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度(凝胶点)。在该范围内,组合物可以以30μm或更小的细线宽印刷,并且在丝网印刷中具有由筛网的改进的可喷射性。此外,组合物可实现具有由于在丝网印刷中较小的线宽和较高的线高导致的较高的高宽比的电极,从而降低太阳能电池的电阻,同时提高太阳能电池的转换效率。优选地,组合物具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至70rad/s的角速度。
在一个实施方式中,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下测量的11或更小、特别是10.5或更小、例如1至10.5的tanδmax。在该范围内,组合物可以以细线宽印刷,并且可以实现具有较高的高宽比的电极。
在一个实施方式中,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和1rad/s的条件下测量的小于3,500Pa或更小的储能模量,具体为3,200Pa或更小,例如,400Pa至3,200Pa,1,000Pa至3,200Pa。在该范围内,组合物可以以细线宽印刷,并且可以实现具有较高的高宽比的电极。
在一个实施方式中,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和10rpm的条件下测定的100kcPs至500kcPs、具体为100kcPs至300kcPs的粘度。在此范围内,用于太阳能电池电极的组合物可以用作用于太阳能电池电极的组合物。
现在,将更详细地描述根据本发明的用于太阳能电池电极的组合物的各组分。
导电粉末
导电粉末可以包括选自银、金、铂、钯、铝和镍中的至少一种金属粉末。具体地,导电粉末可以包括银(Ag)粉末。
导电粉末可以具有纳米或微米级的粒度。例如,导电粉末可以具有几十至几百纳米的平均粒径或可以具有几至几十微米的平均粒径。可替代地,导电粉末可以是两种或更多种类型的具有不同粒度的导电粉末的混合物。
导电粉末可以具有各种颗粒形状,如球形、片状或无定形颗粒形状,但不限于此。
导电粉末可以具有0.1μm至10μm、特别是0.5μm至5μm的平均粒径(D50)。在此范围内,组合物可以降低太阳能电池的接触电阻和线电阻。在此,在通过超声波处理在25℃下将导电粉末分散于异丙醇(IPA)中3分钟之后,可以使用模型(Model)1064D粒度分析仪(CILASCo.,Ltd.)测量平均粒径。
在用于太阳能电池电极的组合物中,导电粉末可以以60wt%至95wt%的量存在。在该范围内,组合物能够改善太阳能电池的转化效率,并且可以容易地以浆料形式制备。优选地,导电粉末以70wt%至95wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。例如,导电粉末可以以60wt%、61wt%、62wt%、63wt%、64wt%、65wt%、66wt%、67wt%、68wt%、69wt%、70wt%、71wt%、72wt%、73wt%、74wt%、75wt%、76wt%、77wt%、78wt%、79wt%、80wt%、81wt%、82wt%、83wt%、84wt%、85wt%、86wt%、87wt%、88wt%、89wt%、90wt%、91wt%、92wt%、93wt%、94wt%、或95wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
玻璃料
通过在用于太阳能电池电极的组合物的烘烤过程中,蚀刻抗反射层并熔融导电粉末,玻璃料用于形成发射极区(emitter region,发射器)中导电粉末的晶粒。此外,玻璃料提高了导电粉末与晶片的粘附性,以及在烘烤过程中,其被软化以降低烘烤温度。
在本发明中,玻璃料可以是具有200℃至300℃的玻璃化转变温度的低熔点玻璃料。在该玻璃化转变温度的范围内,组合物在接触电阻方面可以表现出良好的性能。
在本发明中,玻璃料可以是无铅玻璃料。具体地,玻璃料可以包括选自以下的至少一种:铋(Bi)、碲(Te)、锂(Li)、锌(Zn)、磷(P)、锗(Ge)、镓(Ga)、铈(Ce)、铁(Fe)、硅(Si)、钨(W)、镁(Mg)、铯(Cs)、锶(Sr)、钼(Mo)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)、钒(V)、钡(Ba)、镍(Ni)、铜(Cu)、钠(Na)、钾(K)、砷(As)、钴(Co)、锆(Zr)和锰(Mn)。优选地,玻璃料是铋-碲-锌-锂-氧化物(Bi-Te-Zn-Li-O)玻璃料。
玻璃料的形状和尺寸无特别限制。例如,玻璃料可以具有0.1μm至10μm的平均粒径(D50)。玻璃料可以具有球形或无定形形状。在此,在通过超声波处理在25℃下将导电粉末分散于异丙醇(IPA)中3分钟之后,可以使用模型1064D粒度分析仪(CILAS Co.,Ltd.)测量平均粒径(D50)。
玻璃料可以通过本领域已知的任何典型方法从金属和/或金属氧化物制备。例如,可以通过使用球磨机或行星式磨机混合碲氧化物、铋氧化物、以及任选的其它金属和/或金属氧化物,在800℃至1300℃下熔融混合物,并将熔融的混合物淬火至25℃,然后使用圆盘磨机、行星式磨机等粉碎得到的产物来制备玻璃料。
玻璃料可以在用于太阳能电池电极的组合物中以0.1wt%至20wt%的量存在,特别是0.5wt%至10wt%,更具体地1.5wt%至2wt%。在此范围内,玻璃料能够确保在各种薄层电阻(sheet resistance,片材电阻)下p-n结的稳定性,将串联电阻降至最低,并且最终提高太阳能电池的效率。例如,玻璃料可以在用于太阳能电池电极的组合物中以0.1wt%、0.5wt%、1wt%、1.5wt%、2wt%、2.5wt%、3wt%、3.5wt%、4wt%、5wt%、6wt%、7wt%、8wt%、9wt%、10wt%、11wt%、12wt%、13wt%、14wt%、15wt%、16wt%、17wt%、18wt%、19wt%、或20wt%的量存在。
有机载体
有机载体通过与组合物的无机组分的机械混合,赋予对于印刷用于太阳能电池电极的组合物的合适的粘度和流变学特性。
有机载体可以包括粘合剂树脂、溶剂等。
溶剂可以选自由以下各项组成的组:例如己烷、甲苯、乙基溶纤剂、环己酮、丁基溶纤剂、丁基卡必醇(二甘醇单丁醚)、二丁基卡必醇(二甘醇二丁醚)、丁基卡必醇乙酸酯(二甘醇单丁醚乙酸酯)、丙二醇单甲醚、己二醇、松油醇、甲基乙基酮、苄醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯、和2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯(例如,texanol)。这些可单独使用或作为其混合物使用。
粘合剂树脂可以选自丙烯酸酯树脂或纤维素树脂。乙基纤维素通常用作粘合剂树脂。此外,粘合剂树脂可以选自乙基羟乙基纤维素、硝化纤维素、乙基纤维素和酚醛树脂(phenol resin)的共混物、醇酸树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯树脂、二甲苯树脂、聚丁烯树脂、聚酯树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、乙酸乙烯酯树脂、松香树脂(如木松香)、醇的聚甲基丙烯酸酯等。这些可以单独使用或作为其混合物使用。
在一个实施方式中,粘合剂树脂可以是重均分子量为20,000至200,000、特别是20,000至100,000的第一粘合剂树脂。在另一实施方式中,粘合剂树脂可以是重均分子量为20,000至200,000的第一粘合剂树脂和数均分子量为500至5,000、特别是500至3,000的第二粘合剂树脂的混合物。当粘合剂树脂是具有在该范围内的重均分子量的第一粘合剂树脂和具有在该范围内的数均分子量的第二粘合剂树脂的混合物时,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。
第一粘合剂树脂可以以0.1wt%至20wt%、特别是0.1wt%至10wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。第二粘合剂树脂可以以0.1wt%至10wt%、特别是0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。在这些范围内,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。
有机载体可以以基于用于太阳能电池电极的组合物总重量的1wt%至30wt%的量存在。在此范围内,有机载体可以为组合物提供充分的粘合强度和良好的可印刷性。例如,有机载体可以以基于用于太阳能电池电极的组合物总重量的1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、5wt%、6wt%、7wt%、8wt%、9wt%、10wt%、11wt%、12wt%、13wt%、14wt%、15wt%、16wt%、17wt%、18wt%、19wt%、20wt%、21wt%、22wt%、23wt%、24wt%、25wt%、26wt%、27wt%、28wt%、29wt%、或30wt%的量存在。
滑爽剂
在本发明中,滑爽剂可以包括线型硅氧烷和环状硅氧烷中的至少一种。
线性硅氧烷可以以5wt%或更少、例如0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。在此范围内,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。例如,线性硅氧烷可以以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、或5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
线性硅氧烷可以包括聚甲基硅氧烷、聚乙基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷和聚二乙基硅氧烷中的至少一种。
环状硅氧烷可以以5wt%或更少、例如0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。在此范围内,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。例如,环状硅氧烷可以以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、或5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
环状硅氧烷是具有硅-氧-硅-氧的环的环状硅氧烷化合物,并且可以包括选自以下的至少一种:取代或未取代的环三硅氧烷、取代或未取代的环四硅氧烷、取代或未取代的环五硅氧烷、取代或未取代的环六硅氧烷、取代或未取代的环七硅氧烷、取代或未取代的环八硅氧烷、取代或未取代的环九硅氧烷、和取代或未取代的环十硅氧烷。本文所用的术语“取代的”是指偶联到硅氧烷中的硅(Si)的至少一个氢原子被以下各项取代:C1至C5烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、或戊基)、C2至C5烯基(例如,乙烯基)、C6至C10芳基(例如苯基)或C1至C5卤代烷基(例如,三氟丙基)。
例如,环状硅氧烷化合物可以包括选自以下的至少一种:六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷、十八甲基环九硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、六苯基环三硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷(如2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基环四硅氧烷)、三(三氟丙基)-三甲基环三硅氧烷(如1,3,5-三(3,3,3-三氟丙基)-1,3,5-三甲基环三硅氧烷)、十六甲基环八硅氧烷、五甲基环五硅氧烷、六甲基环六硅氧烷、八苯基环四硅氧烷、三苯基环三硅氧烷、四苯基环四硅氧烷、四甲基-四苯基环四硅氧烷、四乙烯基-四苯基环四硅氧烷、六甲基-六乙烯基环六硅氧烷、六甲基-六苯基环六硅氧烷和六乙烯基-六苯基环六硅氧烷,但不限于此。
滑爽剂可以以0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。在此范围内,滑爽剂可以降低组合物的区域中变化的比率,并防止太阳能电池的电阻增加。例如,滑爽剂可以以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、或5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
触变剂
在本发明中,触变剂可以包括双酰胺类触变剂(bisamide-based thixotropicagent,基于双酰胺的触变剂)。双酰胺类触变剂可以包括本领域已知的任何典型的双酰胺类触变剂,例如,Thixatrol Max(Elementis Co.,Ltd.)。
触变剂可以以0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。在此范围内,用于太阳能电池电极的组合物可以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。例如,触变剂可以以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、或5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
在一个实施方式中,用于太阳能电池电极的组合物不含蓖麻油类触变剂。如果用于太阳能电池电极的组合物含有蓖麻油类触变剂,组合物难以具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。
分散剂
用于太阳能电池电极的组合物还可以包含分散剂。分散剂可以包括酸类分散剂(acid-based dispersant)。酸类分散剂可以包括本领域已知的任何典型的酸类分散剂,例如,包括丁二酸类分散剂的饱和或不饱和酸类分散剂,和聚羧酸类分散剂,如三价或更高价的羧酸类分散剂。
分散剂还可以包括胺盐类分散剂。胺盐类分散剂可以包括本领域已知的任何典型的胺盐类分散剂。
分散剂可以以0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。在此范围内,分散剂可以降低组合物的区域中的变化率,并防止太阳能电池的电阻增加。例如,分散剂可以以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%或5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
其它添加剂
根据需要,用于太阳能电池电极的组合物还可以包含任何典型的添加剂以增强流动性、可加工性和稳定性。添加剂可以包括增塑剂、粘度稳定剂、消泡剂、颜料、紫外稳定剂、抗氧化剂、偶联剂等。这些可以单独使用或作为其混合物使用。添加剂可以以0.1wt%至5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中,尽管添加剂的含量可以根据需要改变。例如,添加剂可以以0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、2wt%、3wt%、4wt%、或5wt%的量存在于用于太阳能电池电极的组合物中。
太阳能电池电极和包括其的太阳能电池
本发明的其它方面涉及由用于太阳能电池电极的组合物形成的电极和包括其的太阳能电池。图1示出了根据本发明的一个实施方式的太阳能电池。
参照图1,太阳能电池100包括后电极21和前电极23,其通过以下来形成:将用于电极的组合物印刷在包含p-层(或n-层)11和n-层(或p-层)12(作为发射体)的晶片或基板10上,然后进行烘烤。例如,通过将组合物印刷在晶片的背面并且在200℃至400℃下将印刷的组合物干燥10秒至60秒来执行制备后电极的初步过程。此外,可以通过将组合物印刷在晶片的前表面上,并干燥印刷的组合物来执行用于制备前电极的初步过程。然后,可以通过在400℃至950℃、具体为700℃至950℃下烘烤晶片30秒至210秒来形成前电极和后电极。
接下来,将参照实施例更详细地描述本发明。然而,应当注意,这些实施例仅仅是为了说明的目的而提供的,而不应解释为以任何方式限制本发明。
实施例1
(A)将90重量份的银粉末与(B)2重量份的玻璃料混合,从而制备混合物。作为有机载体,将(C1)1重量份的乙基纤维素和(C3)5.6重量份的texanol加入到混合物中。然后,将(D1)0.35重量份的聚二甲基硅氧烷作为滑爽剂、(E1)0.6重量份的双酰胺类触变剂、和(F3)0.45重量份的聚羧酸类分散剂加入到混合物中,然后在3辊捏合机中进行混合和捏合,从而制备用于太阳能电池电极的组合物。
实施例2至8
以与实施例1相同的方式制备用于太阳能电池电极的组合物,不同之处在于各组分的含量(以重量份计)如表1所示改变。
比较例1至5
以与实施例1相同的方式制备用于太阳能电池电极的组合物,不同之处在于各组分的含量(以重量份计)如表2所示改变。
对实施例和比较例中制备的用于太阳能电池电极的组合物的每一种评价如下性质。结果示于表1、表2、图2和图3中。
(1)储能模量(单位:Pa,@1rad/s):使用旋转流变仪(ARES G2,TA仪器)通过扫频方法评价在实施例和比较例中制备的用于太阳能电池电极的组合物的每一种的储能模量。在此,每种组合物的储能模量的测量在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s(角速度)的条件下进行。储能模量由储能模量值在1rad/s的角速度下确定。
(2)Tanδmax:使用旋转流变仪(ARES G2,TA仪器)通过扫频方法评价在实施例和比较例中制备的用于太阳能电池电极的组合物的每一种的tanδmax。在此,在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s(角速度)的条件下进行tanδ值的测量,然后找到所测量的tanδ值中的最高值。
(3)凝胶点(针对tanδmax测量的角速度)(单位:rad/s,@最大tanδ):通过扫频方法评价在实施例和比较例中制备的用于太阳能电池电极的组合物中的每一种的凝胶点(针对tanδmax测量的角速度)。
(4)粘度(单位:kcPs,@10rpm,@23℃):使用Brookfield粘度计在10rpm和23℃的条件下评价在实施例和比较例中制备的用于太阳能电池电极的组合物的每一种的粘度。
使用实施例和比较例的用于太阳能电池电极的组合物的每一种制造电极,然后对于列于表1和表2的性能,对其进行评价。结果示于表1、表2和图2至图5。
通过以预定图案丝网印刷,然后在IR干燥炉中干燥将在实施例和比较例中制备的用于太阳能电池电极的组合物的每一种沉积在晶片的前表面上(薄层电阻:70Ω/sq)。然后,将铝浆料印刷在晶片的整个背面上,以与上述相同的方式进行干燥。在带式烘烤炉中将根据该方法形成的电池在400℃至900℃的温度下烘烤30秒至50秒,从而制造太阳能电池。根据下面的标准,评价太阳能电池的可印刷性、溢流(flooding)、图案化能力1、和图案化能力2。
(1)可印刷性:检查所获得的图案的分离,随后根据以下标准评价可印刷性。
○:分离线的数量:小于5
×:分离线的数量:大于或等于5
(2)溢流:将用于太阳能电池电极的组合物的每一种沉积在用于太阳能电池的硅晶片上,以制备样品。在沉积时表现出均匀溢流的样品被评定为“良好”以及在沉积时没有显示均匀溢流并且部分地不能再沉积的样品被评定为“差”。
(3)图案化能力1:用激光显微镜观察得到的图案的宽度。
○:线宽值的标准偏差:小于3μm,Rz:小于15μm
△:线宽值的标准偏差:大于或等于3μm且小于5μm,Rz:大于或等于15μm且小于20μm
×:线宽值的标准偏差:大于或等于5μm,Rz:大于或等于20μm
(4)图案化能力2:利用激光显微镜观察图案的高度和宽度,以及计算图案的高宽比(高度与宽度的比率)。
○:高宽比大于或等于25%
△:高宽比大于或等于20%且小于25%
×:高宽比小于20%
表1
表2
(A)银粉末:平均粒径:2.0μm(AG-5-11F,Dowa Hightech Co.,Ltd.)
(B)玻璃料:玻璃化转变温度:270℃,平均粒径:2.0μm(ABT-1,Ashai Glass Co.,Ltd.)
(C)有机载体
(C1)乙基纤维素:重均分子量:40,000(STD4,Dow Chemical Company)
(C2)松香:数均分子量:600(Foral 85E,Eastman Chemical)
(C3)Texanol(Eastman Chemical)
(D)滑爽剂
(D1)聚二甲基硅氧烷(KF-96,ShinEtsu Chemical)
(D2)环戊硅氧烷(PMX-245,Dow Corning Corporation)
(E)触变剂
(E1)双酰胺类触变剂(Thixatrol Max,Elementis Co.,Ltd.)
(E2)蓖麻油类触变剂(Thixatrol ST,Elementis Co.,Ltd.)
(F)分散剂
(F1)胺盐类分散剂(TDO,Akzonobel Chemical)
(F2)十八烯基丁二酸类分散剂(KD-16,Croda Advanced Materials)
(F3)聚羧酸类分散剂(MALIALIM,NOF Corporation)
如表1和图2所示,可以看出,根据本发明的用于太阳能电池电极的组合物具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。因此,根据本发明的用于太阳能电池电极的组合物允许细线宽印刷,从而表现出良好的可印刷性和图案化能力和均匀的溢流,如图4所示。
相反地,比较例1的用于太阳能电池电极的组合物具有如在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的在0.1rad/s至80rad/s的范围之外的角速度。因此,在细线宽印刷中,如图5所示,比较例1的组合物表现出较差的可印刷性和图案化能力和不均匀的溢流。
应理解的是,在不背离本发明精神和范围的前提下,本领域技术人员可以做出各种修改、变化、更改、和等效实施方式。
Claims (11)
1.一种用于太阳能电池电极的组合物,包含:
导电粉末、玻璃料、有机载体、滑爽剂、以及触变剂,
其中,所述组合物具有在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下针对tanδmax测量的0.1rad/s至80rad/s的角速度。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物具有在23℃和0.1rad/s至1,000rad/s的条件下测量的11或更小的tanδmax。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述组合物具有在23℃和1rad/s的条件下测量的3,500Pa或更小的储能模量。
4.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述有机载体包括具有20,000至200,000的重均分子量的第一粘合剂树脂。
5.根据权利要求4所述的组合物,其中,所述有机载体进一步包括具有500至5,000的数均分子量的第二粘合剂树脂。
6.根据权利要求5所述的组合物,其中,所述第一粘合剂树脂以0.1wt%至20wt%的量存在于所述组合物中并且所述第二粘合剂树脂以0.1wt%至10wt%的量存在于所述组合物中。
7.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述触变剂包括双酰胺类触变剂并且以0.1wt%至5wt%的量存在于所述组合物中。
8.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述滑爽剂包括线性硅氧烷和环状硅氧烷中的至少一种并且以0.1wt%至5wt%的量存在于所述组合物中。
9.根据权利要求1所述的组合物,还包含:分散剂,
其中,所述分散剂以0.1wt%至5wt%的量存在于所述组合物中。
10.根据权利要求1所述的组合物,还包含选自以下各项中的至少一种添加剂:增塑剂、粘度稳定剂、消泡剂、颜料、紫外稳定剂、抗氧化剂、以及偶联剂。
11.一种使用根据权利要求1至10中任一项所述的用于太阳能电池电极的组合物制造的太阳能电池电极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0167840 | 2017-12-07 | ||
KR1020170167840A KR20190067667A (ko) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109903884A true CN109903884A (zh) | 2019-06-18 |
Family
ID=66697280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810669709.9A Pending CN109903884A (zh) | 2017-12-07 | 2018-06-26 | 用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制造的电极 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190181278A1 (zh) |
KR (1) | KR20190067667A (zh) |
CN (1) | CN109903884A (zh) |
TW (1) | TWI676182B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102413679B1 (ko) * | 2019-12-31 | 2022-06-24 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
KR102340931B1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-12-17 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 도전성 페이스트의 인쇄 특성 향상을 위한 파라미터 및 이를 만족하는 도전성 페이스트 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001002967A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-09 | Ricoh Co Ltd | 平版印刷機用インキ及び平版印刷装置 |
CN1901234A (zh) * | 2006-07-17 | 2007-01-24 | 谭富彬 | 化学法合成硅太阳能电池背场铝导电浆料 |
CN104981911A (zh) * | 2012-10-15 | 2015-10-14 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 传导组合物 |
CN107393623A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-24 | 三星Sdi株式会社 | 用于太阳电池电极的组合物以及使用其制作的电极 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140124713A1 (en) * | 2011-03-29 | 2014-05-08 | Diptarka Majumdar | High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes |
KR101716549B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2017-03-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
WO2016147867A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
KR20170068777A (ko) * | 2015-12-10 | 2017-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 태양전지 전극 형성용 페이스트 조성물 |
CN106601335B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-08-31 | 无锡帝科电子材料科技有限公司 | 用于制备太阳能电池电极的糊剂组合物、太阳能电池电极及太阳能电池 |
-
2017
- 2017-12-07 KR KR1020170167840A patent/KR20190067667A/ko not_active Application Discontinuation
-
2018
- 2018-06-19 US US16/011,951 patent/US20190181278A1/en not_active Abandoned
- 2018-06-26 CN CN201810669709.9A patent/CN109903884A/zh active Pending
- 2018-07-04 TW TW107123075A patent/TWI676182B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001002967A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-09 | Ricoh Co Ltd | 平版印刷機用インキ及び平版印刷装置 |
CN1901234A (zh) * | 2006-07-17 | 2007-01-24 | 谭富彬 | 化学法合成硅太阳能电池背场铝导电浆料 |
CN104981911A (zh) * | 2012-10-15 | 2015-10-14 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 传导组合物 |
CN107393623A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-24 | 三星Sdi株式会社 | 用于太阳电池电极的组合物以及使用其制作的电极 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201926361A (zh) | 2019-07-01 |
KR20190067667A (ko) | 2019-06-17 |
TWI676182B (zh) | 2019-11-01 |
US20190181278A1 (en) | 2019-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016127276A (ja) | 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極 | |
CN103959393A (zh) | 用于太阳能电池电极的糊料组合物和由此生产的电极 | |
CN107393623B (zh) | 用于太阳电池电极的组合物以及使用其制作的电极 | |
KR101557536B1 (ko) | 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR20140091090A (ko) | 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
CN109903884A (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制造的电极 | |
CN106098139B (zh) | 电极组成物、使用其制造的电极以及太阳能电池 | |
TWI731243B (zh) | 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的電極 | |
KR20150117762A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
TWI665209B (zh) | 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的電極 | |
CN104628257A (zh) | 玻璃料、包含其的组合物及使用该组合物制造的电极 | |
TWI728475B (zh) | 太陽能電池電極與其製備方法以及包含其的太陽能電池 | |
TWI721620B (zh) | 用於太陽能電池電極的組合物及使用所述組合物製備的太陽能電池電極 | |
TWI684286B (zh) | 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的電極 | |
TWI741283B (zh) | 用於太陽能電池電極的組成物以及太陽能電池 | |
CN110364580A (zh) | 制造太阳能电池指状电极的方法以及太阳能电池指状电极 | |
TWI681410B (zh) | 用於太陽電池電極的組成物及使用其製備的太陽電池電極 | |
CN110689992B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及使用其制备的电极 | |
TWI663739B (zh) | 用於太陽電池電極的組成物及使用其製作的太陽電池電極 | |
CN108389915A (zh) | 太阳能电池的指状电极及其制造方法 | |
TWI741393B (zh) | 用於形成基於dsw的太陽能電池電極的組合物以及使用所述組合物製備的基於dsw的太陽能電池電極 | |
TW202022061A (zh) | 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的太陽能電池電極 | |
KR20150019404A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
CN110364282A (zh) | 用于太阳能电池电极的组合物及使用其制备的电极 | |
KR20170103724A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210310 Address after: 88 Xinzhu 2nd Road, Xinbei District, Changzhou City, Jiangsu Province Applicant after: CHANGZHOU JUHE NEW MATERIAL Co.,Ltd. Address before: Han Guojingjidao Applicant before: Samsung SDI Co.,Ltd. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190618 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |