CN109892228A - 一种楸树组培苗的瓶外生根方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种楸树组培苗的瓶外生根方法,包括以下步骤:1)生根材料的挑选;2)生根材料伤口愈合;3)组培苗扦插生根;4)营养钵苗抚育。本发明采用的楸树组培苗的瓶外生根方法中,首先对生根材料的切口进行伤口愈合处理,再进行后续的生根培育,使得切口处的组织能够很好的愈合,降低切口感染病菌的风险,后续能够更好的进行生根,并且缩短整个的生根培育时间,并且,生根之后的楸树苗能够在室温自然环境下长根,主根上有大量须根,根系活力强,3‑5天新根发出后直接吸收基质中的营养促进新叶抽生,且生根成活率高。本发明适用于楸树组培苗的瓶外生根。
Description
技术领域
本发明属于植物培育领域,涉及一种瓶外生根的方法,具体涉及一种楸树组培苗的瓶外生根方法。
背景技术
楸树是紫葳科梓树属落叶乔木,在立地较好的条件下,树高可达30米,胸径达1米以上。楸树原产地是我国,为我国特有的乡土树种,其树体高大挺拔,干形通直,树姿优美,花色艳丽,是高大观花乔木。因其材质优良,故素有“木王”之称。楸树木材价值高,出材率大。但由于种种原因现成为濒危树种。楸树属深耕性树种,地表耕作层内须根很少,不与农作物争水肥,对于防治水土流失、阻滞风蚀、固定沙丘、保护农田起到了很好的作用。此外,楸树具有滞尘,吸收二氧化硫、氯气等有害气体的功能。
目前楸树主要采用播种、扦插、嫁接、组织培养等方式进行繁育。但是由于楸树受其遗传特性的影响,种子繁殖存在自花不育的特点,因此发芽率较低,且后代性状分离严重。因此,要想保持母本植株的优良性状,只能进行无性繁殖,其中扦插生根的无性繁殖方式由于生根率低而限制了其应用;因此生产中一般采用梓树作砧木,嫁接楸树进行楸树种苗的繁育这一方法,但梓树嫁接的楸树苗不耐重茬,根系易感染根瘤线虫病,一旦发病损失惨重,且易出现“大小脚病”,树木难以成材。通过组织培养技术繁殖的楸树是自根系种苗,不存在梓树感染根瘤线虫病的问题,但是传统楸树组培苗的生根方法需经历瓶内生根(25-30天)、瓶外生根炼苗(25-30天)、营养钵苗抚育(20-30天)三个阶段,获得成品苗需要70-120天,整个成品苗的获得周期较长。另外,传统楸树组培苗瓶内生根所采用的基质为附加糖、矿物质等的琼脂培养基,植株叶片不具备光合能力,根系多为肉质根,在温室需要通过长时间的炼苗使其适应自然环境,且成活率不稳定,易受环境影响。
因此,研究一种既能缩短成品苗的获得时间,又能生根成活率较高的培育方法,具有重要的意义。
发明内容
本发明要解决的技术问题,是提供一种楸树组培苗的瓶外生根方法,既能缩短成品苗的获得时间,又能提高生根成活率。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:
一种楸树组培苗的瓶外生根方法,包括以下步骤:
1)生根材料的挑选:挑选植株高度为2~4cm、继代周期为25~35天、叶色浓绿的楸树组培苗,切除基部叶片、腋芽,顶部留3~5片完全展开的叶片,获得生根材料A;
2)生根材料伤口愈合:将生根材料A的切口部位涂覆植物伤口愈合剂,之后接入培养基M中培养3~5天,获得生根材料B;
3)组培苗扦插生根:将生根材料B的切口部涂覆营养液N,于基质Ⅰ中进行扦插生根,培养7~14天,制得生根苗C;其中,所述楸树扦插生根用基质Ⅰ包括层状铺设的珍珠岩、草炭和蛭石;
4)营养钵苗抚育:将生根苗C移栽至装有基质Ⅱ营养钵中,培养20-28天得楸树生根苗D;其中,所述基质Ⅱ为双层基质,其中上层基质为体积比1~2:1:1的蛭石:珍珠岩,下层基质为体积比1~3:1~2:1的草炭:蛭石:珍珠岩。
作为本发明的一种限定,所述步骤2)中的培养基M为:30-60目蛭石和去离子水在121℃下灭菌10min后制得,其中30-60目蛭石:去离子水的体积比为=1:1。其中,该培养基M与传统的琼脂培养基相比,以无机基质蛭石替代琼脂,且因培养周期短不需要添加营养物质就能够达到伤口愈合的效果,同时不影响植株生长。因此,当楸树组培苗出瓶时不用清洗即可直接移栽至苗床,节约清洗种苗所需的人工。此外,由于培养基不含营养物质,培养过程以及移栽至苗床后培养时不易感染真菌。
作为上述限定的进一步限定,所述植物伤口愈合剂为杀菌剂和辅助剂的混合物,且植物伤口愈合剂的使用浓度为杀菌剂加去离子水稀释800-1500倍的浓度。所述杀菌剂和辅助剂混合物的混合程度以能够使植株的切口部位上粘附混合物即可。本发明中所使用的多菌灵为国光牌,有效成分含量50%,剂型为可湿性粉剂的多菌灵,其化学名称为N-(2-苯并咪唑基)-氨基甲酸甲酯。
作为上述限定的进一步限定,所述杀菌剂为多菌灵或高锰酸钾中的一种,所述辅助剂为草木灰或石灰粉的一种。
作为本发明的另一种限定,所述步骤2)中的培养条件为:培养温度24~28℃,光照强度3000~5000Lux,光照时长10~14h/天。在该培养条件下的植株生长健壮,且有利于切口处的伤口愈合。
作为本发明的另一种限定,所述步骤3)中的营养液N为质量/体积比为1.5~4:1的滑石粉:萘乙酸,其中萘乙酸的浓度为0.3~1.0mg/L。其中,营养液N与现有技术中常用的琼脂培养基相比,在营养液N中培养的植株生根率更高。
作为本发明的另一种限定,所述步骤3)中的培养条件为:空气温度22~28℃,土壤温度为24~30℃,空气湿度≥80%,光照条件为5000~7000Lux。在该培养条件下所述的空气温度及空气湿度范围内培养的植株叶片不会出现失水干枯的现象,并且新叶萌发快;在该培养条件下,使用土壤温度范围内培养的植株根系萌发快,生长速度快;在该培养条件所述的光照条件范围内培养的植株叶片不易灼伤干枯,且能进行适当的光合作用。
作为本发明的另一种限定,所述步骤3)中基质Ⅰ包括3~5cm厚的珍珠岩,1~3cm厚的草炭和1~3cm厚的蛭石。作为上述限定的进一步限定,所述步骤3)中基质Ⅰ中下层为珍珠岩,中间层为草炭,上层为蛭石。该基质Ⅰ中的蛭石疏松透气、保水性较强,置于上层利于植株新根萌发、且植株不易倒伏;草炭富含有机质,置于中层利于根系伸长后吸收草炭中的营养;珍珠岩疏松透气、保水性强,且价格较低,相对成本较低。
作为本发明的另一种限定,所述步骤4)中的培养条件为:空气温度为22~28℃;土壤温度为24~30℃;移栽后前7天空气湿度≥80%,后逐渐至自然湿度;移栽后前7天光照强度≤10000Lux,后渐至自然光照。在该培养条件所述的空气温度及空气湿度范围内培养的植株叶片不会出现失水干枯的现象,并且新叶萌发快;在该培养条件下,使用土壤温度范围内培养的植株根系萌发快,生长速度快;在该培养条件所述的光照条件范围内培养的植株叶片不易灼伤干枯,且能进行适当的光合作用,逐渐适应自然环境。
本发明还有一种限定,所述步骤4)中的基质Ⅱ上层基质与下层基质的体积比为1:2。
由于采用了上述的技术方案,本发明与现有技术相比,所取得的技术进步在于:
本发明采用的楸树组培苗的瓶外生根方法中,首先对生根材料的切口进行愈合处理,再进行后续的生根培育,使得切口处的组织能够很好的愈合,后续能够更好的进行生根,并且缩短整个的生根培育时间,使用本发明的方法瓶内伤口愈合为3天、苗床生根的时间为7-14天、营养钵苗抚育的时间为20-28天,获得整个的生根苗共需要30-45天,较现有的方法时间缩短。并且,生根之后的楸树苗能够在室温自然环境下长根,主根上有大量须根,根系活力强,3-5天新根发出后直接吸收基质中的营养促进新叶抽生,且生根成活率较高,达到98%以上,叶色浓绿,培养25-30天株高可达6cm以上。
本发明适用于楸树组培苗的瓶外生根。
本发明下面将结合具体实施例作进一步详细说明。
具体实施方式
实施例1
一种楸树组培苗的瓶外生根方法,包括以下步骤:
1)生根材料的挑选:挑选植株高度为2~4cm、继代周期为30天、叶色浓绿的楸树组培苗,切除基部叶片、腋芽,顶部留3~5片完全展开的叶片,获得生根材料A;
2)生根材料伤口愈合:将生根材料A的切口部位涂覆植物伤口愈合剂,之后接入培养基M中培养3天,培养条件为:培养温度25℃,光照强度3000Lux,光照时长12h/天,获得生根材料B;其中,所述培养基M为:60目蛭石和去离子水在121℃下灭菌10min后制得,其中60目蛭石:去离子水的体积比为=1:1。所述植物伤口愈合剂为杀菌剂和辅助剂的混合物,且植物伤口愈合剂的使用浓度为杀菌剂加去离子水稀释800-1500倍的浓度。所述杀菌剂和辅助剂混合物的混合程度以能够使植株的切口部位上粘附混合物即可。本实施例中所使用的多菌灵为国光牌,有效成分含量50%,剂型为可湿性粉剂的多菌灵,其化学名称为N-(2-苯并咪唑基)-氨基甲酸甲酯。所述杀菌剂为多菌灵或高锰酸钾中的一种,所述辅助剂为草木灰或石灰粉的一种。
3)组培苗扦插生根:将生根材料B的切口部涂覆营养液N,于基质Ⅰ中进行扦插生根,培养10天,培养条件为:空气温度25℃,土壤温度为28℃,空气湿度≥80%,光照条件为6000Lux,制得生根苗C;其中,所述楸树扦插生根用基质Ⅰ包括层状铺设的珍珠岩、草炭和蛭石;其中,基质Ⅰ包括下层3cm厚的珍珠岩,中层3cm厚的草炭和上层1cm厚的蛭石;
4)营养钵苗抚育:将生根苗C移栽至装有基质Ⅱ的营养钵中,培养25天,培养条件为:空气温度为25℃;土壤温度为28℃;移栽后前7天空气湿度≥80%,后逐渐至自然湿度;移栽后前7天光照强度≤10000Lux,后渐至自然光照,培养得楸树生根苗D;其中,所述基质Ⅱ为双层基质,其中上层基质为体积比1:1的蛭石:珍珠岩,下层基质为体积比1:2:1的草炭:蛭石:珍珠岩,且上层基质与下层基质的体积比为1:2。
通过上述方法制得的楸树生根苗能够在室温自然环境下长根,主根上有大量须根,根系活力强,3-5天新根发出后直接吸收基质中的营养促进新叶抽生,且生根成活率高,可达到98%,叶色浓绿,25-30天株高6cm以上。
实施例2-6
实施例2-6分别为一种楸树组培苗的平外生根方法,其步骤与实施例1相似,不同之处仅在于其中涉及的技术参数不同,具体详见下表:
通过上述实施例2-6方法制得的楸树生根苗能够在室温自然环境下长根,主根上有大量须根,根系活力强,3-5天新根发出后直接吸收基质中的营养促进新叶抽生,且生根成活率高,可达到98%以上,叶色浓绿,25-30天株高6cm以上。
对比例
在楸树组培苗的瓶外生根方法中所使用的处理方式和其中所使用的培养基,对楸树生根苗的培养结果具有直接的影响。
采用生根材料伤口愈合方式进行处理,处理结果如下表所示:
由上表可以看出,生根材料伤口愈合时间为3天时,100%的植株伤口愈合,部分形成愈伤组织,扦插后3天,成活率100%。
采用基质Ⅰ进行生根的楸树生根苗培养结果如下所示:
由上表可以看出,基质Ⅰ的厚度为7cm,仅采用单一一种基质或基质的比例均匀分配时,均会导致植株的死亡率上升,当使用下层为3cm珍珠岩、中间层为2cm草炭、上层为2cm蛭石的基质Ⅰ,植株叶色浓绿,7天左右新叶萌发,14天时长高1cm及以上,植株死亡率降低。
采用基质Ⅱ进行生根的楸树生根苗培养结果如下所示:
由上表可以看出,基质Ⅱ中采用的基质种类和比例均非常关键,并且采用双层基质较单一层的基质腐烂度降低,下层2/3体积为草炭:蛭石:珍珠岩=2:1:2(体积比),上层1/3体积为蛭石:珍珠岩=1:1的基质Ⅱ,植株叶色浓绿,7天左右新叶萌发,14天时长高1cm及以上,植株死亡率降低。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非是对本发明作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述技术内容作为启示加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作出的简单修改,等同变化与改型,仍属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (11)
1.一种楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于它包括以下步骤:
1)生根材料的挑选:挑选植株高度为2~4cm、继代周期为25~35天、叶色浓绿的楸树组培苗,切除基部叶片、腋芽,顶部留3~5片完全展开的叶片,获得生根材料A;
2)生根材料伤口愈合:将生根材料A的切口部位涂覆植物伤口愈合剂,之后接入培养基M中培养3~5天,获得生根材料B;
3)组培苗扦插生根:将生根材料B的切口部涂覆营养液N,于基质Ⅰ中进行扦插生根,培养7~14天,制得生根苗C;其中,所述楸树扦插生根用基质Ⅰ包括层状铺设的珍珠岩、草炭和蛭石;
4)营养钵苗抚育:将生根苗C移栽至装有基质Ⅱ的营养钵中,培养20-28天得楸树生根苗D;其中,所述基质Ⅱ为双层基质,其中上层基质为体积比1~2:1的蛭石:珍珠岩,下层基质为体积比1~3:1~2:1的草炭:蛭石:珍珠岩。
2.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤2)中的培养基M为:30-60目蛭石和去离子水在121℃下灭菌10min后制得,其中30-60目蛭石:去离子水的体积比为=1:1。
3.根据权利要求2所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述植物伤口愈合剂为杀菌剂和辅助剂的混合物,且植物伤口愈合剂的使用浓度为杀菌剂加去离子水稀释800-1500倍的浓度。
4.根据权利要求3所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述杀菌剂为多菌灵或高锰酸钾中的一种,所述辅助剂为草木灰或石灰粉的一种。
5.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤2)中的培养条件为:培养温度24~28℃,光照强度3000~5000Lux,光照时长10~14h/天。
6.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中的营养液N为质量/体积比为1.5~4:1的滑石粉:萘乙酸,其中萘乙酸的浓度为0.3~1.0mg/L。
7.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中的培养条件为:空气温度22~28℃,土壤温度为24~30℃,空气湿度≥80%,光照条件为5000~7000Lux。
8.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中基质Ⅰ包括3~5cm厚的珍珠岩,1~3cm厚的草炭和1~3cm厚的蛭石。
9.根据权利要求8所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤3)中基质Ⅰ中下层为珍珠岩,中间层为草炭,上层为蛭石。
10.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤4)中的培养条件为:空气温度为22~28℃;土壤温度为24~30℃;移栽后前7天空气湿度≥80%,后逐渐至自然湿度;移栽后前7天光照强度≤10000Lux,后渐至自然光照。
11.根据权利要求1所述的楸树组培苗的瓶外生根方法,其特征在于:所述步骤4)中的基质Ⅱ上层基质与下层基质的体积比为1:2。
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