CN109884507A - Qfn芯片用高频测试座 - Google Patents
Qfn芯片用高频测试座 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109884507A CN109884507A CN201910212330.XA CN201910212330A CN109884507A CN 109884507 A CN109884507 A CN 109884507A CN 201910212330 A CN201910212330 A CN 201910212330A CN 109884507 A CN109884507 A CN 109884507A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- probe
- hole slot
- qfn chip
- detection hole
- test subject
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
本发明提供了一种QFN芯片用高频测试座,包括至少两层相互叠加的测试主体板,及设置于测试主体板上方的导向压板,导向压板中部开设有用于容纳QFN芯片的容纳通孔腔,测试主体板中部为检测部,且所述检测部设置于所述容纳通孔腔正下方,检测部开设有检测孔槽,所述检测孔槽内设置有用于与所述QFN芯片连接的探针,所述探针呈片状设置,上、下层测试主体板上的检测孔槽错位开设,所述探针的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片底部的触点通过探针与所述测试主体板接触连接。本发明的有益效果体现在:具有高频信号的传输能力,在保证承载相对大电流的情况下,QNF芯片与电路板之间的高频连接。
Description
技术领域
本发明属于电子元器件技术领域,具体涉及一种高频测试座。
背景技术
随着芯片技术的飞速发展,现有高频测试座为弹簧探针式测试座,其信号传输的信道较长,探针自身的感抗、容抗比较高,对高频信号的传输质量不高。随着现在芯片中信号传输频率的提高,传统的基于弹簧探针测试的插座结构遇到了严峻的挑战,需要开发一种新的结构的测试探针及相应的测试座来应对发展需求。
发明内容
为了解决现有技术的不足,本发明提供了一种高频测试座。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
QFN芯片用高频测试座,包括至少两层相互叠加的测试主体板,及设置于测试主体板上方的导向压板,所述导向压板中部开设有用于容纳QFN芯片的容纳通孔腔,所述测试主体板中部为检测部,且所述检测部设置于所述容纳通孔腔正下方,所述检测部开设有检测孔槽,所述检测孔槽内设置有用于与所述QFN芯片连接的探针,所述探针呈片状设置,上、下层测试主体板上的检测孔槽错位开设,所述探针的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片底部的触点通过探针与所述测试主体板接触连接。
优选地,所述检测孔槽设置有四组,且每组检测孔槽由并列开设的多个检测孔槽构成,每个检测孔槽内均设置有探针,相邻检测孔槽组之间相互垂直设置。
优选地,所述测试主体板设置有四个端部,且每个端部开设有插接孔,所述导向压板底部设置有导向柱,所述导向压板与所述测试主体板通过导向柱插接连接。
优选地,所述测试主体板设置有四层,且相邻测试主体板之间粘结连接。
优选地,所述检测孔槽内设置有弹性压件,所述弹性压件横向设置于所述探针上并与探针抵接,同一组检测孔槽共享有一个弹性压件。
优选地,所述弹性压件为柱形,所述探针包括有定位端及接触端,所述接触端的顶端与QFN芯片的触点接触,所述定位端上设置有弧形。
优选地,所述弹性压件的下端面嵌压于所述定位端的弧形内,所述弹性压件的上端面通过所述导向压板压紧。
优选地,所述弹性压件为橡胶压棒。
本发明的有益效果体现在:具有高频信号的传输能力,在保证承载相对大电流的情况下,QNF芯片与电路板之间的高频连接。
附图说明
图1:本发明的测试座的***示意图。
图2:本发明的测试座的座正面结构示意图。
图3:图2的C-C剖面结构示意图。
图4:图3的A部分局部放大结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例具体阐述本发明的技术方案,本发明揭示了一种QFN芯片用高频测试座,结合图1-图4所示,包括至少两层相互叠加的测试主体板3,及设置于测试主体板3上方的导向压板2,本发明中测试主体板3设置有四块,且相邻测试主体板3之间粘结连接形成一体。所述测试主体板3设置有四个端部,且每个端部开设有插接孔31。
所述导向压板2采用聚酰胺-酰亚胺材料制成,且底部设置有导向柱21,所述导向压板2与所述测试主体板3通过导向柱21插接连接。本发明中的测试主体板3的横截面呈“×”形,所述测试主体板3的中部为检测部,所述导向压板2中部开设有用于容纳QFN芯片1的容纳通孔腔,且所述容纳通孔腔设置于所述检测部正上方。所述检测部开设有检测孔槽32,所述检测孔槽32内设置有用于与所述QFN芯片1连接的金属的探针4,所述探针4呈片状设置,所述探针的一端通过弹性压件5进行压紧。所述弹性压件5为柱形,且横向置于弹性压件的一端。
具体的,所述检测孔槽32设置有四组,且每组检测孔槽由并列开设的多个检测孔槽32构成,每个检测孔槽内均设置有探针,相邻检测孔槽组之间相互垂直设置。本发明中检测孔槽组的形状、结构等于QFN芯片的截面相当,即QFN芯片的触点分布在芯片底部的四周,为了能对所有的触点进行检测,需要在QFN芯片的四周都进行探针的分布。
相邻上、下层测试主体板3上的检测孔槽32错位开设,所述探针4的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片1底部的触点11通过探针4与所述测试主体板3接触连接。本发明的错位开设,是为了更好的容纳探针4,并使得探针4的上部可以接触到触点,另一端保持稳定状态。所述探针4包括有定位端41及接触端42,基本呈W形,当然,探针的形状并不唯一,也可以采用其他类似的片状。所述接触端42为探针的上部,定位端41为探针的下部。且接触端的顶端与QFN芯片1的触点11接触,所述定位端41上设置有弧形,所述弹性压5下端面51嵌压于所述定位端41的弧形内,所述弹性压件的上端面52通过所述导向压板2压紧。同一组检测孔槽32共享有一个弹性压件5,即一个弹性压件5将每个检测空槽32内的探针下端进行压紧。本发明中所述弹性压件5为橡胶压棒,或硅胶压棒。本测试座的测试方法的原理与现有技术类似,同时不属于本发明保护重点,故在此不再赘述。本发明中的高频测试座整体厚度非常小,使连接QFN芯片与PCB板间的距离较常规插座缩短了2-5倍,从而在阻值上有优异的表现,高频测试中感抗和容抗也相对较小,进而在高频信号测试中信号通过衰减非常少。同时,也因为在测试中接触点为滑动,所以容易刺破芯片上的触点,进而保持稳定接触。
当然本发明尚有多种具体的实施方式,在此就不一一列举。凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案,均落在本发明要求保护的范围之内。
Claims (8)
1.QFN芯片用高频测试座,其特征在于:包括至少两层相互叠加的测试主体板,及设置于测试主体板上方的导向压板,所述导向压板中部开设有用于容纳QFN芯片的容纳通孔腔,所述测试主体板中部为检测部,且所述检测部设置于所述容纳通孔腔正下方,所述检测部开设有检测孔槽,所述检测孔槽内设置有用于与所述QFN芯片连接的探针,所述探针呈片状设置,上、下层测试主体板上的检测孔槽错位开设,所述探针的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片底部的触点通过探针与所述测试主体板接触连接。
2.如权利要求1所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述检测孔槽设置有四组,且每组检测孔槽由并列开设的多个检测孔槽构成,每个检测孔槽内均设置有探针,相邻检测孔槽组之间相互垂直设置。
3.如权利要求1所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述测试主体板设置有四个端部,且每个端部开设有插接孔,所述导向压板底部设置有导向柱,所述导向压板与所述测试主体板通过导向柱插接连接。
4.如权利要求1所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述测试主体板设置有四层,且相邻测试主体板之间粘结连接。
5.如权利要求4所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述检测孔槽内设置有弹性压件,所述弹性压件横向设置于所述探针上并与探针抵接,同一组检测孔槽共享有一个弹性压件。
6.如权利要求5所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述弹性压件为柱形,所述探针包括有定位端及接触端,所述接触端的顶端与QFN芯片的触点接触,所述定位端上设置有弧形。
7.如权利要求6所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述弹性压件的下端面嵌压于所述定位端的弧形内,所述弹性压件的上端面通过所述导向压板压紧。
8.如权利要求5所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述弹性压件为橡胶压棒。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910212330.XA CN109884507A (zh) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | Qfn芯片用高频测试座 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910212330.XA CN109884507A (zh) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | Qfn芯片用高频测试座 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109884507A true CN109884507A (zh) | 2019-06-14 |
Family
ID=66933140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910212330.XA Pending CN109884507A (zh) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | Qfn芯片用高频测试座 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109884507A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111239592A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-05 | 上海捷策创电子科技有限公司 | 一种芯片测试座 |
CN112730909A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 无锡国芯微电子***有限公司 | 一种微波模块测试夹具 |
WO2024021766A1 (zh) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 苏州和林微纳科技股份有限公司 | 超薄接地散热组件及测试基座 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090124587A (ko) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 리노공업주식회사 | 반도체 칩 패키지 검사용 소켓 |
CN201937131U (zh) * | 2010-11-08 | 2011-08-17 | 上海韬盛电子科技有限公司 | 依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座 |
CN202471762U (zh) * | 2011-12-02 | 2012-10-03 | 金英杰 | 手动芯片测试座 |
KR20140003667A (ko) * | 2012-06-22 | 2014-01-10 | 리노공업주식회사 | 전자부품 검사용 소켓 |
CN105676114A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-06-15 | 安拓锐高新测试技术(苏州)有限公司 | 一种用于扁平引脚芯片的测试装置 |
CN105807213A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-07-27 | 青岛港湾职业技术学院 | 一种用于扁平引脚芯片的测试装置 |
CN106199385A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-12-07 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | 一种用于芯片的测试插座及其测试电路 |
CN106771409A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-05-31 | 苏州微缜电子科技有限公司 | 一种高频测试插座 |
CN108448279A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-24 | 深圳市鸿义通仪测有限公司 | 一种s型连接器及应用该连接器的芯片测试座 |
CN109103121A (zh) * | 2018-10-09 | 2018-12-28 | 深圳斯普瑞溙科技有限公司 | 用于扁平无引脚封装芯片的测试座 |
CN210015199U (zh) * | 2019-03-20 | 2020-02-04 | 苏州和林微纳科技有限公司 | Qfn芯片用高频测试座 |
-
2019
- 2019-03-20 CN CN201910212330.XA patent/CN109884507A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090124587A (ko) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 리노공업주식회사 | 반도체 칩 패키지 검사용 소켓 |
CN201937131U (zh) * | 2010-11-08 | 2011-08-17 | 上海韬盛电子科技有限公司 | 依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座 |
CN202471762U (zh) * | 2011-12-02 | 2012-10-03 | 金英杰 | 手动芯片测试座 |
KR20140003667A (ko) * | 2012-06-22 | 2014-01-10 | 리노공업주식회사 | 전자부품 검사용 소켓 |
CN105676114A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-06-15 | 安拓锐高新测试技术(苏州)有限公司 | 一种用于扁平引脚芯片的测试装置 |
CN105807213A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-07-27 | 青岛港湾职业技术学院 | 一种用于扁平引脚芯片的测试装置 |
CN106199385A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-12-07 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | 一种用于芯片的测试插座及其测试电路 |
CN106771409A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-05-31 | 苏州微缜电子科技有限公司 | 一种高频测试插座 |
CN108448279A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-24 | 深圳市鸿义通仪测有限公司 | 一种s型连接器及应用该连接器的芯片测试座 |
CN109103121A (zh) * | 2018-10-09 | 2018-12-28 | 深圳斯普瑞溙科技有限公司 | 用于扁平无引脚封装芯片的测试座 |
CN210015199U (zh) * | 2019-03-20 | 2020-02-04 | 苏州和林微纳科技有限公司 | Qfn芯片用高频测试座 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111239592A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-05 | 上海捷策创电子科技有限公司 | 一种芯片测试座 |
CN112730909A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 无锡国芯微电子***有限公司 | 一种微波模块测试夹具 |
WO2024021766A1 (zh) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 苏州和林微纳科技股份有限公司 | 超薄接地散热组件及测试基座 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN204514967U (zh) | 一种pcb测试连接器 | |
CN109884507A (zh) | Qfn芯片用高频测试座 | |
TW200801527A (en) | Probe, testing head having a plurality of probes, and circuit board tester having the testing head | |
TW202035991A (zh) | 探針卡裝置及其導電探針 | |
CN211505623U (zh) | 用于电子芯片及电子连接器的测试座 | |
CN107238505B (zh) | 一种用于声表面波滤波器高低温测试的夹具 | |
CN208705412U (zh) | 测试治具 | |
CN211505786U (zh) | 一种固定探针与导线的连接转接板 | |
TW201118381A (en) | Test device for high-frequency vertical probe card | |
CN218036996U (zh) | 一种用于大电流芯片的开尔文测试座 | |
CN210015199U (zh) | Qfn芯片用高频测试座 | |
CN202057750U (zh) | 用于检测排线电性的检测装置 | |
CN210835006U (zh) | 一种测试针座 | |
CN108535552A (zh) | 测试装置 | |
US9410986B2 (en) | Testing jig | |
CN210514405U (zh) | 一种测试b2b连接器的防过压结构 | |
CN205595310U (zh) | 半导体器件用测试座 | |
CN215180488U (zh) | 一种贴片电阻测试治具 | |
CN209446642U (zh) | 一种高精密微针测试针模 | |
CN219302639U (zh) | 测试模组 | |
CN220419376U (zh) | 一种聚四氟乙烯绝缘套电压检测工装 | |
CN211856860U (zh) | 一种连接器短针与漏针检测装置 | |
CN204760358U (zh) | 一种用于ipm和igbt测试的适配器 | |
CN218956635U (zh) | 一种小尺寸b2b连接结构 | |
CN215728629U (zh) | 一种电路板工装 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 215000 No.80 Emeishan Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: Suzhou Helin Micro Technology Co.,Ltd. Address before: No. 80 Emeishan Road, High tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province, 215163 Applicant before: SUZHOU UIGREEN MICRO & NANO TECHNOLOGIES Co.,Ltd. |