CN109873060B - 一种微发光二极管阵列制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，涉及发光二极管技术领域。首先基于第一基板的一侧制作图案化发光层，然后基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层，再将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片，最后去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离。本发明实施例提供的微发光二极管阵列制作方法具有加工过程更加高效的效果。

Description

一种微发光二极管阵列制作方法

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种微发光二极管阵列制作方法。

背景技术

发光芯片(Light Emitting Diode，发光二极管)显示装置是一种在驱动电路的基片上组装高密度二维微型发光二极管(发光芯片)阵列的全固态自发光阵列，将LED尺寸微缩到微米级，以达到超高像素密度、超高分辨率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。优化设计发光芯片器件的结构，以及发光芯片阵列的制作方法，以便微型的LED器件能够更高效的转移和组装至驱动基板上，形成由高密度发光芯片阵列构成的自发显示装置成为当今研究的重点。由于发光芯片本身尺寸只有几十微米，正装或倒装发光芯片结构，电极及电互连占据芯片面积较大，发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高，对于超高像素发光芯片显示装置，上述器件结构难以满足需求。

发明内容

本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，以解决现有技术中发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高的问题。

本发明的另一目的在于提供了一种键合基板，以解决现有技术中发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高的问题。

本发明的另一目的在于提供了一种发光芯片，以解决现有技术中发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高的问题。为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种微发光二极管阵列制作方法，所述微发光二极管阵列制作方法包括：

基于第一基板的一侧制作图案化发光层；

基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层；

将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片；

去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离；

将所述转移基板上的发光芯片安装于目标基板，以形成微发光二极管阵列。

第二方面，本发明实施例还提出一种键合基板，所述键合基板包括：第二基板及位于所述第二基板一侧的图案化键合层；其中，所述图案化键合层包括牺牲层。

第三方面，本发明实施例提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括发光层，所述发光层连接的键合层；其中，所述键合层的远离所述发光层的一侧设置有图案化安装部。

相对现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，首先基于第一基板的一侧制作图案化发光层，然后基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层，再将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片，最后去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离。由于本发明提供的微发光二极管阵列制作方法采用倒装的方式制作微发光二极管阵列，并且能够通过一转移基板将发光芯片安装于目标基板，因此能够更高效的进行组装。并且，利用去除牺牲层，并利用转移基板的方式，无法人工将发光芯片进行转移，因此能够降低发光芯片器件的尺寸，同时提高像素密度。

本发明还提供了一种键合基板，该键合基板包括第二基板与位于第二基板一侧的图案化键合层，且图案化键合层包括牺牲层。由于可直接去除牺牲层的方式剥离发光芯片，因此其加工过程更加高效。

本发明还提供了一种发光芯片，该发光芯片包括发光层以及与发光层连接的键合层，且键合层的远离发光层的一侧设置有图案化安装部。通过设置图案化安装部的方式，能够在将发光芯片安装于目标基板上时，更加方便的进行焊接工艺，从而使其安装过程更加高效。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本发明实施例提供的微发光二极管阵列制作方法的流程图。

图2示出了本发明实施例提供的图案化发光层的结构示意图。

图3示出了本发明实施例提供的图案化发光层的俯视图。

图4示出了本发明实施例提供的图1的S101的子步骤的流程图。

图5示出了本发明实施例提供的图案化键合层的结构示意图。

图6示出了本发明实施例提供的图1的S102的子步骤的流程图。

图7示出了本发明实施例提供的步骤S103对应的结构示意图。

图8示出了本发明实施例提供的步骤S107对应的结构示意图。

图9示出了本发明实施例提供的发光芯片的结构示意图。

图标：110-图案化发光层；111-第一基板；112-发光区；113-透明导电层；120-图案化键合层；121-第二基板；122-第一牺牲层；123-第二牺牲层；124-第一金属层；125-第二金属层；140-转移基板；200-发光芯片；210-发光层；220-键合层；221-图案化安装部。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

第一实施例

请参阅图1，本发明实施例提供了一种微发光二极管阵列制作方法，该微发光二极管阵列制作方法包括：

S101，基于第一基板111的一侧制作图案化发光层110。

本实施例中，采用倒装的工艺进行微发光二极管阵列的制作，以达到更加高效地将发光芯片200组装至目标基板上的效果。其中，对于发光层210与键合层220而言，均需要进行图案化处理。

本实施例的图案化，指在发光层210或者键合层220上划分多个区域，每个区域对应制作成为一个发光芯片200，且多个区域成阵列排布，以实现在将发光层210与间隔层进行键合后，形成的多个发光芯片200也呈阵列排布，便于利用转移基板140对发光芯片200进行转移。制作的图案化发光层110请参阅图2与图3。

并且，在本实施例中，第一基板111上的图案化发光层110包括发光区112、透明导电层113、反射金属层、阻挡金属层及第一键合金属层，第一键合金属层与发光区之间依次制作了透明导电层113、反射金属层及阻挡金属层；其中透明导电层113的横向尺寸小于反射金属层的横向尺寸，反射金属层的横向尺寸小于阻挡金属层的横向尺寸，反射金属层的横向尺寸小于第一键合金属层的横向尺寸。

其中，制作第一键合金属层的材料可以是Au，或者AuSn，也可以是其它金属。具体地，请参阅图4，S101包括：

S1011，基于第一基板111的一侧外延生长N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层。

本实施例中，发光芯片200为LED(Light Emitting Diode，发光二极管)，对于发光二极管而言，其发光区包括N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层，当在通电状态下时，N区电子与P区的空穴在量子阱层结合发光。即在制作图案化发光层110中，首先需在第一基板111上依次外延生长发光层210。

S1012，基于P型半导体层的远离第一基板111的一侧制作图案化透明导电层113。

为了实现导电的功能，还需要在P形半导体层的一侧制作透明导电层113，其中，透明导电层113可通过外延工艺或其它工艺制作。

并且，在本实施例中，为了实现发光二极管的量子阱层中发出的光线能够通过反射的方式提升发光强度的效果，本实施例采用透明导电层113，其中，透明导电层113既能达到导电作用，又能实现的不会对光进行吸收的作用，不会影响发光二极管的发光强度。

进一步地，在制作透明导电层113后，对透明导电层113进行图像化，即将透明导电层113划分为多个区域，且多个区域呈阵列排布，例如采用刻蚀等方式将透明导电层113进行图案化。

当然地，在其它的一些实例中，也可采用非透明导电层113，透过非透明导电层113，实现对光源的反射，本实施例对此并不做任何限定。

并且，作为本实施例的一种实现方式，发光区在图案化发光层110与键合基板键合后再进行刻蚀，以形成图案化的发光区；作为本实施例的另一种实现方式，在对透明导电层113进行图案化时，也可同时对发光区进行图案化，本实施例对此也并不做限定。

S1013，基于图案化透明导电层113的远离第一基板111的一侧制作反射金属层、阻挡金属层以及第一键合金属层。

其中，反射金属层的横向尺寸大于透明导电层113的横向尺寸；阻挡金属层的横向尺寸大于反射层金属的横向尺寸；第一键合金属层的横向尺寸大于阻挡金属层层的横向尺寸。

在制作出图案化透明导电层113后，即可在图案化透明导电层113上通过外延的方式制作反射金属层，其中，反射金属层能够对量子阱层中发出的光线进行反射，进而使光线从N型半导体一侧出射。例如，反射金属层可以为银层。阻挡金属层可以保护反射金属层，阻止其电迁移，保证其保持高反射率。第一键合金属层用于将第一基板111的半导体层键合转移至第二基板121。

本实施例在反射金属层上还需制作第一键合金属层114，以实现与键合基板之间的永久键合。其中，键合的原理为当大量金属原子聚集一起形成固体时，其中的大部分或全部原子会贡献出自己的价电子。这些价电子为全体原子所共有，而不像离子键或共价键中的电子，只为某个或某两个原子专有或共有。共有价电子在金属正离子之间***，好像一种气体充满其间，形成所谓电子气，将金属正离子沉浸其中。金属正离子与电子气之间产生强烈的静电吸引力，使金属原子相互结合起来。

S102，基于第二基板121的一侧制作与图案化发光层110对应的图案化键合层120，其中，图案化键合层120包括牺牲层。

在本实施例中，步骤S102与步骤S101之间并无先后顺序，即在实际的加工过程中，可先加工图案化发光层110，也可先加工图案化键合层120。

并且，为了图案化发光层110与图案化键合层120之间的键合效果更好在本实施例中，图像化发光层210与图案化键合层120之间需为对应关系。本实施例的对应关系指图案化发光层110的每个区域的大小以及相邻区域之间的间隔，与图案化键合层120的每个区域的大小以及相邻区域之间的间隔均分别相等，以实现在键合的过程中，图案化发光层110与图案化键合层120之间存在一一对应的关系。制作出的图案化键合层120请参阅图5。

其中，请参阅图6，S102包括：

S1021，对第二基板121的目标侧进行图案化处理，以在第二基板121的目标侧形成多个凹陷。

在本实施例中，为了制作发光芯片200键合层220，需要先将键合基板进行图案化处理，例如，通过光刻或者腐蚀等工艺对第二基板121的一侧进行图案化处理，从而使第二基板121的一侧形成多个凹陷。其中，凹陷的图案化与发光层210的图案化相对应。并且，本实施例中将第二基板121的用于生长图案化键合层120的一侧作为目标侧。

S1022，在每个凹陷的底部制作第一牺牲层122。

为了制作形成的发光芯片200能够实现更好的焊接，本实施例采用在每个凹陷的底部制作图案化结构的方式，该图案化结构即为第一牺牲层122，当在去除第一牺牲层122后，即可露出该图案化结构。

其中，作为本实施例的一种实现方式，图案化安装部221为图案化的空洞，当然在其它的实施例中，安装部也可以为其它形式，例如凹槽，本实施例对此并不做任何限定。在制作过程中，会在每个凹陷的底部制作第一牺牲层122，其中，第一牺牲层122为在将发光芯片200从第二基板121上剥离时，可以通过化学或其它方法去除的层。在去除第一牺牲层122后，即可在放光器件的底部形成相应的图案化安装部221。

其中，凹陷内的图案化结构，图案包括圆柱体，圆锥体，长方体，正方体及其变形体；其中凹槽内图案化结构可以是沉积第一牺牲层122材料后刻蚀形成，也可以是直接刻蚀第二基板121所形成。即在本实施例中，第一牺牲层122的结构包括圆柱体，圆锥体，长方体，正方体及其变形体。

S1023，基于第二基板121的目标侧沉积的第二牺牲层123。

为了在键合后更高效地将发光芯片200从第二基板121上剥离，本实施还设置了第二牺牲层123，其中，制作第二牺牲层123的材料与第一牺牲层122的材料可以相同也可以不同，本实施例对此并不做任何限定。

同时，第二牺牲层123盖设于第二基板121与第一牺牲层122上，例如，采用外延沉积的方式在第二基板121的目标侧生长第二牺牲层123，使得在制作发光芯片200后，能够在去除第二牺牲层123后，即可实现发光芯片200从第二基板121中剥离的效果。

S1024，基于第二牺牲层123的目标侧制作导电层。

其中，导电层包括第一金属层124与第二金属层125，并且首先在在每个凹陷内沉积第一金属层124，并基于的目标侧沉积第二金属层125，其中，第二金属层125用于与图案化发光层110键合。

需要说明的是，在本实施例中，在制作第二牺牲层123后，第二基板121上仍包括多个凹陷，因此可在每个凹陷内采用沉积的方式制作第一金属层124，其中，第一金属层124用于在制作出发光芯片200后，与目标加班进行焊接的一层。同时，第一金属层124的高度低于第二牺牲层123的顶端的高度。

S103，将发光层210与图案化键合层120进行键合，以在第二基板121的一侧形成多个发光芯片200。

请参阅图7与图8，在制作出图案化发光层110与图案化键合层120后，即可将二者进行键合，并在键合后形成多个阵列排布的发光芯片200。其中，每个发光芯片200的一侧为第一基板111，每个发光芯片200的另一侧为第二基板121。

并且，在本步骤中，形成的多个发光芯片200之间相互相连接形成一整体。

S104，剥离第一基板111。

本实施例中，去除第一基板111的方法可以是激光剥离，也可以是湿法腐蚀，或干法刻蚀。

S105，对图案化发光层110进行刻蚀，以形成多个独立的发光层210。

为了使每个发光芯片200独立，需要将发光层210进行刻蚀，其中，按照设定的图案化进行刻蚀，从而形成多个独立的发光芯片200。本实施例中直接采用刻蚀位于第二基板121的N型半导体、量子阱、P型半导体，直至露出第二基板121上的牺牲层，以形成多个独立的发光芯片200。

需要说明的是，本作为实施例的另一种实现方式，也可在步骤S103之前进行刻蚀操作，以形成多个独立的发光层210。同时，在将图案化发光层110与图案化键合层120进行键合时，实质为将每个独立的发光层210均键合于图案化键合层120，从而以形成多个独立的发光芯片200。

S106，在N型半导体上制作N型半导体欧姆接触电极。

其中与N型半导体形成欧姆接触的金属为环形结构，露出中间大部分的N型半导体用于出光，或采用透明导电材料作为欧姆接触电极，发光二极管产生的光子可以透过欧姆接触电极出射。

S107，制作钝化层包裹刻蚀露出的多层半导体层侧壁及部分N型半导体接触电极，露出部分N型半导体接触电极。

S108，去除第二基板121部分牺牲层结构，制作临时固定连接发光芯片200的锚结构，并去除所有牺牲层，发光芯片200器件结构从第二基板121释放，由锚结构临时固定在第二基板121上，形成向接收基板转移的发光芯片200阵列。

S109，将转移基板140上的微发光二极管转移至接收基板，以组装自发光显示装置或发光阵列。

本实施例采用利用一转移基板140的方式对发光芯片200进行转移至接收基板，其中，利用转移基板140对形成向接收基板转移的发光芯片200阵列进行转移时，一次可以是单个或多个，多个可以连续的多个，或按照一定规律排列的选择性的多个转移至接收基板，以组装自发光显示装置或形成发光阵列。

同时，本实施例采用利用一转移基板140的方式对发光芯片200进行剥离，其中，由于制作的多个发光芯片200的材料一致，因此位于同一第二基板121上的发光芯片200发出的光色一致。为了制作成微发光二极管阵列，需要红绿蓝三色发光芯片200，因此本实施例利用转移基板140对部分或者全部发光芯片200进行剥离，以在转移基板140上，相邻发光芯片200之间的间距较大，能够通过该转移基板140继续剥离其它色光的发光芯片200，进而制作出三色微发光二极管阵列。

第二实施例

请参阅图5，本发明实施例提供了一种键合基板，键合基板包括：多个图案化的第二键合金属层；第二键合金属层一侧包含具有图案结构的焊接金属层；以及位于焊接金属结构一侧的牺牲层；其中图案结构的焊接金属层，图案包括空心圆柱体，圆锥体，长方体，正方体及其变形体；其中，可利用该键合基板与第一基板111图案化第一键合金属层执行第一实施例的微发光二极管阵列的制作。

具体地，该牺牲层包括第一牺牲层122与第二牺牲层123，且第二基板121上设置有多个阵列排布的凹陷，每个第一牺牲层122均设置于每个凹陷的底部，第二牺牲层123盖设于第二基板121与第一牺牲层122上。且第一牺牲层122的结构包括但不限于长方体形、三棱锥形以及圆柱形。

通过本实施例提供的键合基板，利用倒装工艺制作出的发光阵列的每个微发光二极管芯片结构的底部均设置有空洞，以便更加方便的实现的焊接的工艺。

第三实施例

请参阅图9，本发明实施例提供本了一种微发光二极管芯片结构，该结构包括在第一基板111上外延生长形成的N型半导体、量子阱、P型半导体构成的PN结、在P型半导体表面一侧的透明导电层113、反射性金属层，阻挡金属层以及键合金属层键合金属层和与键合金属层远离P型半导体的一侧设置用于焊接组装实现电气互连的图案化金属层。

其中N型半导体横向尺寸小于P型半导体横向尺寸，透明导电层113横向尺寸小于P型半导体横向尺寸，透明导电层113的横向尺寸小于反射金属层的横向尺寸，反射金属层的横向尺寸小于阻挡金属层横向尺寸，反射金属层的横向尺寸小于键合金属层的横向尺寸。

其中N型半导体、量子阱、P型半导体刻蚀所露出的侧壁及部分N型半导体层被绝缘钝化层包裹保护。

其中焊接金属层底部包含图案化结构，图案包括空心圆柱体，圆锥体，长方体，正方体及其变形体。

其中单个发光芯片200结构尺寸为1-100μm。

综上所述，本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，首先基于第一基板的一侧制作图案化发光层，然后基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层，再将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片，最后去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离。由于本发明提供的微发光二极管阵列制作方法采用倒装的方式制作微发光二极管阵列，并且能够通过一转移极板将发光芯片安装于目标基板，因此能够更高效的进行组装。同时，由于可直接去除牺牲层的方式剥离发光芯片，因此其加工过程更加高效。

本发明还提供了一种键合基板，该键合基板包括第二基板与位于第二基板一侧的图案化键合层，且图案化键合层包括牺牲层。由于可直接去除牺牲层的方式剥离发光芯片，因此其加工过程更加高效。

本发明还提供了一种发光芯片，该发光芯片包括发光层以及与发光层连接的键合层，且键合层的远离发光层的一侧设置有图案化安装部。通过设置图案化安装部的方式，能够在将发光芯片安装于目标基板上时，更加方便的进行焊接工艺，从而使其安装过程更加高效。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

Claims (5)

1.一种微发光二极管阵列制作方法，其特征在于，所述微发光二极管阵列制作方法包括：

基于第一基板的一侧制作图案化发光层；

基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层；

将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片；

去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离；

将所述转移基板上的发光芯片安装于目标基板，以形成微发光二极管阵列；其中，

所述牺牲层包括第一牺牲层与第二牺牲层，所述基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层的步骤包括：

对所述第二基板的目标侧进行图案化处理，以在所述第二基板的目标侧形成多个凹陷；

在每个所述凹陷的底部制作第一牺牲层；

基于所述第二基板的目标侧沉积所述第二牺牲层；

基于所述第二牺牲层的目标侧制作导电层；

所述基于所述第二牺牲层的目标侧制作导电层的步骤包括：

在每个所述凹陷内沉积第一金属层；

基于所述第一金属层的目标侧沉积第二金属层，其中，所述第二金属层用于与所述图案化发光层键合。

2.如权利要求1所述的微发光二极管阵列制作方法，其特征在于，所述第一牺牲层的结构包括长方体形、三棱锥形以及圆柱形。

3.如权利要求1所述的微发光二极管阵列制作方法，其特征在于，在所述将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合的步骤之后，所述微发光二极管阵列制作方法还包括：

从所述图案化发光层上剥离所述第一基板；

对所述图案化发光层进行刻蚀，以形成多个独立的发光芯片。

4.如权利要求1所述的微发光二极管阵列制作方法，其特征在于，在所述将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合的步骤之前，所述微发光二极管阵列制作方法还包括：

对所述图案化发光层进行刻蚀，以形成多个独立的发光层；

所述将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合的步骤包括：

将每个所述发光层均键合于所述图案化键合层，以形成多个独立的发光芯片。

5.如权利要求1所述的微发光二极管阵列制作方法，其特征在于，所述基于第一基板的一侧制作图案化发光层的步骤包括：

基于所述第一基板的一侧依次外延生长N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层；

基于所述P型半导体层的远离所述第一基板的一侧制作图案化透明导电层；

基于所述图案化透明导电层的远离所述第一基板的一侧制作反射金属层、阻挡金属层以及第一键合金属层。

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