CN109841711A - 基于非辐射共振能量转移机制的白光led及其制备方法 - Google Patents
基于非辐射共振能量转移机制的白光led及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109841711A CN109841711A CN201910106242.1A CN201910106242A CN109841711A CN 109841711 A CN109841711 A CN 109841711A CN 201910106242 A CN201910106242 A CN 201910106242A CN 109841711 A CN109841711 A CN 109841711A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gan
- micro
- white light
- energy transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法，其包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P‑GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米孔或微/纳米柱阵列，包含n(n≥1)个微/纳米孔或微/纳米柱；以及混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中或微纳米柱阵列间隙之间；通过改变混合量子点的配比，结合量子阱中In的组分的调节，形成全光谱，实现高显色性能。
Description
技术领域
本公开涉及半导体外延和芯片技术领域，尤其涉及一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法。
背景技术
将量子点作为光转换材料涂覆在蓝光LED上所制成白光的LED在提高显色指数、发光效率上取得了较好的效果，然而，要想同时获得高显色指数以及高的发光效率的白光LED仍然比较困难。为此，在白光领域上，研究者们研制了很多新型的结构来替代传统的商业上的LED结构，以期待获得更好性能的白光LED器件。对此，科研工作者提出了一种新的结构——基于量子阱/量子点的非辐射共振能量转移机制的白光LED。在LED的发光区中，电子-空穴对和量子点之间存在一种能量直接传递的途径，即共振能量传递过程。其原理是，当量子阱结构中的激子(电子-空穴对)与量子点中的激子非常接近时，两者间能够进行能量转移，即量子阱中产生的一部分激子，并不是通过辐射复合，而是通过非辐射能量传递过程直接将能量传递给附近的量子点，从而激发电子-空穴对，再产生一个新的复合通道，激发量子点发光。从物理上说，这种直接的非辐射能量传递路径主要是由偶极子之间的相互作用产生的，即阱点耦合过程以及在量子点中发生的超快带间弛豫形成的。将荧光粉涂覆在蓝光LED所制成白光LED历经发光——激发——再发光多个过程，其存在着一定的效率损失，发光效率受到限制，相反，这种非辐射能量传递过程则减少了能量传递的中间过程，从而提高了色转换效率，提升了发光品质。2016年，南京大学刘斌课题组设计了一组氮化物的纳米晶体发光二极管，即利用纳米压印技术打出贯穿其量子阱InGan/GaN间的纳米孔/柱阵列，再采用旋涂的方式将量子点填充至纳米孔/柱阵列的间隙中，以形成混合杂化的LED结构，可以发现，这种方法可以显著减少激子的衰减寿命，能量转换效率可以获得高达80％，从而优化性能指标，其显色指数可达82，白光发射出的色温可从2629K到6636K，覆盖了温暖的白色、自然的白色和冷的白色等范围，取得了较好的发光效果。但是在这个技术中白光的显色指数还是没有达到一定的高度，因此，提高显色指数，使色坐标接近(1/3，1/3)也尤为迫切。
公开内容
(一)要解决的技术问题
基于上述问题，本公开提供了一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法，以缓解现有技术中白光的显色指数比较低等技术问题等技术问题。
(二)技术方案
在本公开的一个方面，提供一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米孔阵列，包含n个微/纳米孔，所述微/纳米孔垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层；以及混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中。
在本公开中，还提供另一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米柱阵列，包含n个微/纳米柱，所述微/纳米柱由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层；以及混合量子点，填充于所述微/纳米柱阵列的间隙之间。
在本公开实施例中，所述衬底的制备材料，包括：蓝宝石、碳化硅或硅中的任意一种。
在本公开实施例中，所述低温成核层的厚度为5nm～200nm；所述非掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm；所述N型掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm。
在本公开实施例中，所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层由下至上包括：蓝色量子阱；GaN阻挡层；以及绿色量子阱。
在本公开实施例中，所述AlGaN电子阻挡层的厚度为10nm～250nm。
在本公开实施例中，所述P-GaN层的厚度为10nm～250nm。
在本公开实施例中，所述混合量子点，包括：红色量子点、黄色量子点以及绿色量子点。
在本公开的另一方面，提供一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，用于制备以上所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，包括：步骤A：在衬底上生长低温成核层；步骤B：在步骤A所生长的低温成核层上生长非掺杂GaN层；步骤C：在步骤B所生长的非掺杂GaN层上生长N型掺杂GaN层；步骤D：在步骤C所生长的N型掺杂GaN层上制备InGaN/GaN双波长多量子阱结构层；步骤E：在步骤D所制备的InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上生长AlGaN电子阻挡层；步骤F：在步骤E所生长的AlGaN电子阻挡层上生长P-GaN层；以及步骤G：在步骤F所制备的P-GaN层上制备垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层的微/纳米孔或由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层的微/纳米柱阵列，并在微/纳米孔之中或微/纳米柱阵列的间隙之间填充混合量子点，完成基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备。
在本公开实施例中，所述步骤D中由下至上依次生长蓝色量子阱、GaN阻挡层、以及绿色量子阱，其中，在生长温度为650℃～1050℃，生长压力为30Torr～400Torr条件下制备蓝色量子阱；在生长温度为600℃～900℃，生长压力为30Torr～400Torr条件下制备绿色量子阱。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本公开基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法至少具有以下有益效果其中之一或其中一部分：
(1)基于非辐射共振能量转移机制的白光LED是将InGaN/GaN双波长多量子阱结构与量子点结合起来，该结构利用量子阱中的激子与量子点中的激子进行非辐射共振能量转移，提高发光效率；
(2)可以通过调节量子阱中In的组分可以使InGaN/GaN双波长多量子阱结构发射出双波长的光，即蓝光和绿光，再结合微/纳米孔之中或微/纳米柱阵列间隙之间的混合量子点(混合量子点中包含有红色量子点)的配比，形成全光谱，实现高显色性能(显色指数＞90)。
附图说明
图1是本公开实施例提供的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的截面结构示意图。
图2是本公开实施例提供的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的InGaN/GaN双波长多量子阱结构层结构示意图。
图3是本公开实施例提供的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法流程图。
图4是本公开实施例提供的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的InGaN/GaN双波长多量子阱结构层的生长流程图。
具体实施方式
本公开提供了一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法，是由InGaN/GaN双波长多量子阱结构与混合量子点结合起来所得到。该结构能利用量子阱中的激子与量子点中的激子进行非辐射共振能量转移，提高发光效率；并还可以通过调节量子阱中In的组分可以使InGaN/GaN双波长多量子阱结构发射出双波长的光，即蓝光和绿光，同时也可改变微/纳米孔之中或微/纳米柱阵列间隙之间的混合量子点(混合量子点中包含着红色量子点)的配比，两者结合，形成全光谱，实现高显色性能。
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
在本公开实施例中，提供一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，结合图1和图2所示，所述基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：
衬底；
低温成核层，位于所述衬底上；
非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；
N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；
InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；
AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；
P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；
微/纳米孔阵列，包含n(n≥1)个微/纳米孔，所述微/纳米孔垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层；以及
混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中。
所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层由下至上包括：蓝色量子阱；GaN阻挡层；以及绿色量子阱。
在本公开实施例中，还提供另一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：
衬底；
低温成核层，位于所述衬底上；
非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；
N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；
InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；
AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；
P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；
微/纳米柱阵列，包含n(n≥1)个微/纳米柱，所述微/纳米柱由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层；以及
混合量子点，填充于所述微/纳米柱阵列的间隙之间。
所述衬底包括：蓝宝石、碳化硅或硅中的一种；
所述低温成核层的厚度为5nm～200nm。
所述非掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm。
所述N型掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm；
所述AlGaN电子阻挡层的厚度为10nm～250nm；
所述P-GaN层的厚度为10nm～250nm；
所述混合量子点，包括：红色量子点、黄色量子点以及绿色量子点。
所述低温成核层是为了提高GaN外延薄膜的生长质量；非掺杂GaN层是为了得到较平坦的GaN表面；N型掺杂GaN层的作用是为发光层(双波长量子阱结构层)提供复合载流子，即电子；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层以及微/纳米孔之中或微纳米柱阵列间隙之间的混合量子点是主要的发光源；AlGaN电子阻挡层是为了把更多的载流子限制在芯片的有源区，提高辐射复合率，即提高内量子效率；P-GaN层的作用也是为发光层提供复合载流子，即空穴。
在本公开实施例中，还提供一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，用于制备上述基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，结合图3和图4所示，所述基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，包括：
步骤A：在衬底上生长低温成核层；
在一衬底上生长低温成核层，其中，衬底可以蓝宝石、碳化硅或硅中的一种，成核层的厚度可取5nm～200nm。
步骤B：在步骤A所生长的低温成核层上生长非掺杂GaN层；
在低温成核层上生长非掺杂GaN层，非掺杂GaN层的厚度可取0.2μm～10μm。
步骤C：在步骤B所生长的非掺杂GaN层上生长N型掺杂GaN层；
在非掺杂GaN层生长N型掺杂GaN层，N型掺杂GaN层的厚度可取0.2μm～10μm。
步骤D：在步骤C所生长的N型掺杂GaN层上制备InGaN/GaN双波长多量子阱结构层；
所述步骤D中，由下至上依次生长蓝色量子阱、GaN阻挡层、以及绿色量子阱，完成InGaN/GaN双波长多量子阱结构层的制备。其中，在生长温度为650℃～1050℃，生长压力为30Torr～400Torr条件下制备蓝色量子阱；在生长温度为600℃～900℃，生长压力为30Torr～400Torr条件下制备绿色量子阱。
步骤E：在步骤D所制备的InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上生长AlGaN电子阻挡层；
在InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上生长一层10nm～250nm厚的AlGaN电子阻挡层。
步骤F：在步骤E所生长的AlGaN电子阻挡层上生长P-GaN层；
在AlGaN电子阻挡层再生长一层10nm～250nm厚的P型掺层GaN层。
步骤G：在步骤F所制备的P-GaN层上制备垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层的微/纳米孔或由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层的微/纳米柱阵列，并在微/纳米孔之中或微/纳米柱阵列的间隙之间填充混合量子点，完成基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备。
所述混合量子点，包括：红色量子点、黄色量子点以及绿色量子点。
至此，已经结合附图对本公开实施例进行了详细描述。需要说明的是，在附图或说明书正文中，未绘示或描述的实现方式，均为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，并未进行详细说明。此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换。
依据以上描述，本领域技术人员应当对本公开基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法有了清楚的认识。
综上所述，本公开提供了一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法，是由InGaN/GaN双波长多量子阱结构与混合量子点结合起来所得到。该结构能利用量子阱中的激子与量子点中的激子进行非辐射复合能量转移，提高发光效率；并还可以通过调节量子阱中In的组分可以使InGaN/GaN双波长多量子阱结构发射出双波长的光，即蓝光和绿光，同时也可改变微/纳米孔之中或微/纳米柱阵列间隙之间的混合量子点(混合量子点中包含着红色量子点)的配比，两者结合，形成全光谱，实现高显色性能。
还需要说明的是，实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。
并且图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本公开实施例的内容。另外，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。
除非有所知名为相反之意，本说明书及所附权利要求中的数值参数是近似值，能够根据通过本公开的内容所得的所需特性改变。具体而言，所有使用于说明书及权利要求中表示组成的含量、反应条件等等的数字，应理解为在所有情况中是受到「约」的用语所修饰。一般情况下，其表达的含义是指包含由特定数量在一些实施例中±10％的变化、在一些实施例中±5％的变化、在一些实施例中±1％的变化、在一些实施例中±0.5％的变化。
再者，单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰相应的元件，其本身并不意味着该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚区分。
此外，除非特别描述或必须依序发生的步骤，上述步骤的顺序并无限制于以上所列，且可根据所需设计而变化或重新安排。并且上述实施例可基于设计及可靠度的考虑，彼此混合搭配使用或与其他实施例混合搭配使用，即不同实施例中的技术特征可以自由组合形成更多的实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。并且，在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个公开方面中的一个或多个，在上面对本公开的示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本公开要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，公开方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本公开的单独实施例。
以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：
衬底；
低温成核层，位于所述衬底上；
非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；
N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；
InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；
AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；
P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；
微/纳米孔阵列，包含n个微/纳米孔，所述微/纳米孔垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层；以及
混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中。
2.一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，包括：
衬底；
低温成核层，位于所述衬底上；
非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；
N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；
InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；
AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；
P-GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；
微/纳米柱阵列，包含n个微/纳米柱，所述微/纳米柱由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层；以及
混合量子点，填充于所述微/纳米柱阵列的间隙之间。
3.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述衬底的制备材料，包括：蓝宝石、碳化硅或硅中的任意一种。
4.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述低温成核层的厚度为5nm～200nm；所述非掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm；所述N型掺杂GaN层的厚度为0.2μm～10μm。
5.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层由下至上包括：蓝色量子阱；GaN阻挡层；以及绿色量子阱。
6.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述AlGaN电子阻挡层的厚度为10nm～250nm。
7.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述P-GaN层的厚度为10nm～250nm。
8.根据权利要求1或2所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述混合量子点，包括：红色量子点、黄色量子点以及绿色量子点。
9.一种基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，用于制备如权利要求1至8任一项所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED，所述基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，包括：
步骤A：在衬底上生长低温成核层；
步骤B：在步骤A所生长的低温成核层上生长非掺杂GaN层；
步骤C：在步骤B所生长的非掺杂GaN层上生长N型掺杂GaN层；
步骤D：在步骤C所生长的N型掺杂GaN层上制备InGaN/GaN双波长多量子阱结构层；
步骤E：在步骤D所制备的InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上生长AlGaN电子阻挡层；
步骤F：在步骤E所生长的AlGaN电子阻挡层上生长P-GaN层；以及
步骤G：在步骤F所制备的P-GaN层上制备垂直贯穿所述P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层至部分N型掺杂GaN层的微/纳米孔或由上至下包括P-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN双波长多量子阱结构层、以及部分N型掺杂GaN层的微/纳米柱阵列，并在微/纳米孔之中或微/纳米柱阵列的间隙之间填充混合量子点，完成基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备。
10.根据权利要求9所述的基于非辐射共振能量转移机制的白光LED的制备方法，步骤D中由下至上依次生长蓝色量子阱、GaN阻挡层、以及绿色量子阱，其中，在生长温度为650℃～1050℃，生长压力为30Torr～400Torr条件下制备蓝色量子阱；在生长温度为600℃～900℃，生长压力为30Torr～400Torr条件下制备绿色量子阱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910106242.1A CN109841711A (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 基于非辐射共振能量转移机制的白光led及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910106242.1A CN109841711A (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 基于非辐射共振能量转移机制的白光led及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109841711A true CN109841711A (zh) | 2019-06-04 |
Family
ID=66884555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910106242.1A Pending CN109841711A (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 基于非辐射共振能量转移机制的白光led及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109841711A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110379897A (zh) * | 2019-07-01 | 2019-10-25 | 东南大学 | Ⅲ族氮化物量子阱-金属-量子点混合白光led器件 |
| CN113257966A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-08-13 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led芯片结构、其制备方法以及显示模组 |
| CN113451465A (zh) * | 2020-08-12 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管及其制作方法以及显示屏 |
| WO2021212336A1 (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微发光二极管及其制造方法 |
| CN114300594A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-08 | 福州大学 | 适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法 |
| CN115050860A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-13 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 基于iii族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件 |
| EP4345925A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device, display apparatus including the same and manufacturing method of the light emitting device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102347408A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-02-08 | 华南师范大学 | GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法 |
| CN103229316A (zh) * | 2010-11-26 | 2013-07-31 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN104868023A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-08-26 | 南京大学 | Iii族氮化物半导体/量子点混合白光led器件及其制备方法 |
| CN205376570U (zh) * | 2016-01-08 | 2016-07-06 | 芜湖赛宝信息产业技术研究院有限公司 | 一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片 |
-
2019
- 2019-02-01 CN CN201910106242.1A patent/CN109841711A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103229316A (zh) * | 2010-11-26 | 2013-07-31 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN102347408A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-02-08 | 华南师范大学 | GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法 |
| CN104868023A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-08-26 | 南京大学 | Iii族氮化物半导体/量子点混合白光led器件及其制备方法 |
| CN205376570U (zh) * | 2016-01-08 | 2016-07-06 | 芜湖赛宝信息产业技术研究院有限公司 | 一种采用倒装结构的GaN基双波长LED芯片 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110379897A (zh) * | 2019-07-01 | 2019-10-25 | 东南大学 | Ⅲ族氮化物量子阱-金属-量子点混合白光led器件 |
| WO2021212336A1 (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微发光二极管及其制造方法 |
| US11942570B2 (en) | 2020-04-21 | 2024-03-26 | Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. | Micro light-emitting diode comprising nanoring and manufacturing method thereof |
| CN113451465A (zh) * | 2020-08-12 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管及其制作方法以及显示屏 |
| CN113451465B (zh) * | 2020-08-12 | 2022-04-01 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管及其制作方法以及显示屏 |
| CN113257966A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-08-13 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led芯片结构、其制备方法以及显示模组 |
| CN114300594A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-08 | 福州大学 | 适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法 |
| CN114300594B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-09-29 | 福州大学 | 适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法 |
| CN115050860A (zh) * | 2022-06-15 | 2022-09-13 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 基于iii族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件 |
| CN115050860B (zh) * | 2022-06-15 | 2023-09-22 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 基于iii族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件 |
| EP4345925A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device, display apparatus including the same and manufacturing method of the light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109841711A (zh) | 基于非辐射共振能量转移机制的白光led及其制备方法 | |
| JP5260502B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物白色発光ダイオード | |
| TWI291247B (en) | Nanoparticle structure and manufacturing process of multi-wavelength light emitting devices | |
| CN1505843B (zh) | 在SiC衬底上形成的GaN基LED | |
| US20090206320A1 (en) | Group iii nitride white light emitting diode | |
| US20070228931A1 (en) | White light emitting device | |
| Duan et al. | High quantum-yield CdSexS1− x/ZnS core/shell quantum dots for warm white light-emitting diodes with good color rendering | |
| US20110284824A1 (en) | Light emitting diode structure and a method of forming a light emitting diode structure | |
| CN108389941A (zh) | 显指可调的无荧光粉单芯片白光led器件及其制备方法 | |
| CN104900771B (zh) | 一种无荧光粉的高效白光led外延结构及其生长方法 | |
| CN103717703A (zh) | 红色氮化物荧光体 | |
| CN107170866A (zh) | 一种多光谱发光二极管结构 | |
| KR20160071780A (ko) | 반도체 발광 소자의 제조 방법 | |
| TWI314786B (zh) | ||
| JP5296280B2 (ja) | ＧａＩｎＮからなる薄い半導体層およびその製造方法ならびにその半導体層を備えたＬＥＤさらにはこのＬＥＤを備えた照明デバイス | |
| CN102244171A (zh) | 一种无荧光粉高显色性能白光led芯片 | |
| CN104868027B (zh) | 一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法 | |
| CN109841712A (zh) | 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光led及其制备方法 | |
| JP4458870B2 (ja) | 蛍光発光装置、蛍光発光素子、および蛍光体 | |
| CN110010731B (zh) | 一种长波长led外延垒晶片、芯片及制备方法 | |
| CN105226150A (zh) | 一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用 | |
| JP4503316B2 (ja) | 多色光の発光方法 | |
| Johnson et al. | Materials for solid state lighting | |
| CN219917199U (zh) | 半导体发光元件 | |
| JP2003529200A (ja) | 混色の電磁放射を発生させる半導体コンポーネント |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190604 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |