CN109830513B - 一种阵列基板及其制备方法和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。用以解决相关技术中像素界定层采用梯形结构所出现的咖啡环效应，以及采用倒梯形结构所出现的阴极层断层的问题。一种阵列基板，包括：衬底，以及形成在衬底上的像素界定层，像素界定层将衬底划分为多个亚像素区域；像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，第二界定层的下表面的宽度大于第一界定层的上表面的宽度，以在第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层的缩进结构。本发明实施例用于通过喷墨打印技术制作OLED显示面板。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
背景技术
目前，采用喷墨打印技术制作OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示面板和QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板是实现低成本和大面积全彩化显示的最有效途径。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，用以解决相关技术中像素界定层采用梯形结构所出现的咖啡环效应，以及采用倒梯形结构所出现的阴极层断层的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：衬底，以及形成在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域；所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构。
可选的，所述第一界定层的厚度为0.5-1.5微米，所述第二界定层的厚度为0.5-1.0微米。
可选的，所述第二界定层的上表面形成有疏水薄膜。
可选的，所述疏水薄膜为碳氟聚合物薄膜。
可选的，所述第一界定层为氮化硅薄膜，所述第二界定层为氧化硅薄膜。
可选的，所述亚像素区域内设置有发光功能层，所述发光功能层的厚度与所述第一界定层的厚度之差大于或等于0小于或等于100纳米。
可选的，所述阵列基板还包括形成在所述衬底和所述像素界定层之间的阳极层，以及形成在所述发光功能层和像素界定层上的阴极层，其中，所述阳极层包括设置在每个所述亚像素区域内的阳极。
可选的，所述阳极层包括从下到上依次层叠设置的反射金属电极层和透明电极层；所述阴极层包括从下到上依次层叠设置的金属电极层和透明的电极保护层。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：在一衬底上形成像素界定层，所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域；所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构，所述第二界定层的上表面形成有疏水薄膜；其中，所述第一界定层的刻蚀选择比大于所述第二界定层的刻蚀选择比，且所述第一界定层和所述第二界定层通过同一次构图工艺形成。
可选的，还包括：利用碳氟化合物对所述第二界定层裸露在外的表面进行等离子体处理，以在所述第二界定层的上表面形成疏水薄膜。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，由于该像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，且第二界定层的下表面的宽度大于第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构，因此，在喷墨形成发光功能层时，由于缩进结构的存在，墨滴在毛细作用下能够更均匀地铺展开来，从而能够减轻墨滴干燥时的咖啡环效应。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术提供的一种喷墨打印发光功能层墨滴产生彗星点的结构示意图；
图2为相关技术提供的一种像素界定层沿宽度方向的竖直截面为梯形结构时，喷墨打印形成发光功能层的结构示意图；
图3为相关技术提供的一种像素界定层沿宽度方向的竖直截面为倒梯形结构时，喷墨打印形成发光功能层和阴极层的结构示意图；
图4为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的在衬底上形成TFT阵列、平坦层和阳极层的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的在图6的基础上形成氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的在图7的基础上对氧化硅薄膜和氮化硅薄膜进行掩膜的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的在图8的基础上形成第二界定层的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的在图9的基础上形成第一界定层的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的在图10的基础上去除第二界定层上的光刻胶后的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的在图4的基础上形成发光功能层的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在使用喷墨打印技术制作发光功能层时，如图1所示，需要先在衬底1上形成像素界定层2，然后将发光功能层的材料的溶液喷墨到像素界定层2所形成的开口(亚像素区域A)内部，以形成发光功能层。
在打印发光功能层时，为了防止墨水在印刷时向开口四周溢出，通常将像素界定层2设置成上窄下宽，顶部平坦的结构，即如图1和图2所示，像素界定层2沿宽度方向(宽度方向是指与像素界定层2相邻的两个亚像素区域A的连线方向，如图2中箭头a所示方向)的竖直截面为梯形结构，且像素界定层2通常形成在平坦层和阳极层上，在这种结构中，由于墨滴与像素界定层2的接触处二者间表面能的差异，以及发光功能层自身干燥行为，干燥后容易形成边缘厚、中间薄的不均匀薄膜，即咖啡环效应，若要避免咖啡环效应，需要对像素界定层2的材料和墨滴的组成进行调节，并且还需要对墨滴的干燥温度、压强等成膜条件进行调节，加大了研发难度。
为了解决以上咖啡环效应，如图3所示，将像素界定层2设置成上宽下窄的结构，即像素界定层2沿宽度方向(宽度方向是指与像素界定层2相邻的两个亚像素区域A的连线方向，如图3中箭头a所示方向)的竖直截面为倒梯形结构，由于该倒梯形结构与阳极层之间的夹角小于90度，存在毛细现象，因此，墨滴在毛细作用下铺展较为均匀，但是，采用这种结构，在沉积阴极层时，特别是当阴极层的厚度不足以铺平像素界定层2所形成的开口时，容易导致阴极层的断层，从而导致阴极层短路缺陷，这就需要蒸镀数十倍厚的阴极层来铺平像素界定层2所形成的开口，增加了制作成本和时间，且使得器件的透过率降低。
基于此，本发明实施例提供一种阵列基板，参见图4，包括：衬底1，以及形成在衬底1上的像素界定层2，该像素界定层2将衬底1划分为多个亚像素区域A；该像素界定层2包括从下到上依次层叠设置的第一界定层21和第二界定层22，该第二界定层22的下表面的宽度D2大于第一界定层21的上表面的宽度D1，以在所述第一界定层21沿宽度方向(与第一界定层21相邻的两个亚像素区域A的连线方向，如图4中箭头a所示方向)的两侧形成相对于所述第二界定层22的缩进结构23。
第二界定层22的下表面的宽度D2是指该第二界定层22的下表面在与该第二界定层22相邻的两个亚像素区域A之间的连线方向(如图4中箭头a所示方向)上的长度，第一界定层21的上表面的宽度D1是指该第一界定层22的上表面在与该第一界定层21相邻的两个亚像素区域A之间的连线方向(如图4中箭头a所示方向)上的长度。由于该第二界定层22的下表面的宽度D2大于第一界定层21的上表面的宽度D1，因此，通过将第一界定层21的上表面沿宽度方向的两侧相对于第二界定层22的下表面的边缘向内缩进，能够在第一界定层21沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层22的缩进结构23。
其中，第一界定层21和第二界定层22沿宽度方向的竖直截面可以为梯形结构、或者倒梯形结构，在此不做具体限定。只要第二界定层22的下表面的宽度D2大于第一界定层21的上表面的宽度D1，在第一界定层21的宽度方向的两侧形成相对于第二界定层22的缩进结构23即可。
在实际应用中，通过构图工艺形成第一界定层21和第二界定层22时，若没有特殊要求，根据刻蚀工艺通常得到的第一界定层21和第二界定层22沿宽度方向的竖直截面为梯形结构。
且在本发明实施例中，通过在第一界定层21沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层22的缩进结构23，利用缩进结构23的毛细作用使墨滴铺展更加均匀，用于解决相关技术中像素界定层采用梯形结构所出现的咖啡环效应，以及采用倒梯形结构所出现的阴极层断层的问题。
因此，基于以上考虑，如图4所示，第一界定层21和第二界定层22沿宽度方向的竖直截面优选均为梯形结构。
本发明实施例提供一种阵列基板，由于该像素界定层2包括从下到上依次层叠设置的第一界定层21和第二界定层22，且第二界定层22的下表面的宽度D2大于第一界定层21的上表面的宽度D1，以在所述第一界定层21沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层22的缩进结构23，因此，在喷墨形成发光功能层时，由于缩进结构23的存在，墨滴在毛细作用下能够更均匀地铺展开来，从而能够减轻墨滴干燥时的咖啡环效应。
其中，第一界定层21和第二界定层22的厚度可以依据实际情况进行合理设置。
示例性的，在实际应用时，可以根据需要形成的发光功能层的厚度对第一界定层21和第二界定层22的厚度进行合理设置，以使得在喷墨时，墨滴能够在缩进结构23的毛细作用下更加均匀地铺展开来，并防止发生溢墨，以及阴极层断层等问题。
本发明的一实施例中，如图4所示，该第一界定层21的厚度H1为0.5-1.5微米，第二界定层22的厚度H2为0.5-1.0微米。将第一界定层21和第二界定层22的厚度限定在以上范围内，在亚像素区域A内形成发光功能层时，通过对发光功能层的厚度进行合理控制，一方面能够利用毛细作用使发光功能层均匀铺展，另一方面还能够防止发光功能层溢出而发生短路，以及当第二界定层22为倒梯形结构，且第二界定层22过厚而容易发生阴极层断层的问题。
本发明的又一实施例中，如图5所示，该亚像素区域A内设置有发光功能层3，且该发光功能层3的厚度H3与第一界定层21的厚度H1之差大于或等于0小于或等于100纳米。能够防止在喷墨打印时发光功能层3的厚度过大而发生短路。
其中，对第一界定层21和第二界定层22的材质不做具体限定，第一界定层21和第二界定层22的材质可以相同，也可以不同。
本发明的一实施例中，该第一界定层21为氮化硅薄膜，该第二界定层22为氧化硅薄膜。由于氧化硅与氮化硅相比，刻蚀选择比较大，因此，以上第一界定层21和第二界定层22可以通过同一次构图工艺形成。
其中，还需要说明的是，在喷墨打印过程中，当墨水轨迹发生偏移或者当喷出墨滴产生彗星点等状况时，滴落在第二界定层22顶部的墨水会遗留在第二界定层22的顶部，从而导致像素界定层2所限定的亚像素区域内的墨水量减少，进而造成各亚像素区域发光功能层的薄膜厚度不均匀，影响最终的显示效果。
基于此，本发明的一实施例中，该第二界定层22的上表面形成有疏水薄膜24。这样，当喷墨打印时墨滴轨迹发生偏移，或者当喷出墨滴产生彗星点等状况时，能够在疏水薄膜24的疏水作用，以及底部具有缩进结构23的像素界定层2的毛细作用下，使得墨滴回流至亚像素区域中，防止由于墨滴轨迹发生偏移或者喷出产生彗星点所产生的厚度不均问题。
其中，对该疏水薄膜24的具体材质不做限定。
本发明的一实施例中，该疏水薄膜24为碳氟聚合物薄膜。碳氟聚合物薄膜是(CF2)n的高分子钝化膜。该薄膜中由于氟元素的电负性强，原子半径很小，原子极化率很低，碳氟聚合物中碳氟键的键能大，氟原子沿着碳键呈螺旋形分布，具有屏蔽效应，分子间作用力小，表面能很低，因此具有良好的疏水性。
其中，该碳氟聚合物薄膜可以在通过刻蚀形成第一界定层和第二界定层之后，继续采用碳氟化合物对第二界定层22的上表面进行等离子体处理形成。在以上的一个示例中，由于第一界定层21为氮化硅薄膜，该第二界定层22为氧化硅薄膜。相对于氮化硅而言，氧化硅更容易与碳氟化合物作用而形成碳氟聚合物薄膜，从而能够在第二界定层22的上表面形成碳氟聚合物薄膜，起到疏水作用。
本发明的又一实施例中，如图5所示，该阵列基板还包括形成在衬底1和像素界定层2之间的阳极层4，以及形成在发光功能层3和像素界定层2上的阴极层5，其中，该阳极层4包括设置在每个亚像素区域A内的阳极41。
在本发明实施例中，阳极层4、阴极层5与设置在两者之间的发光功能层3形成自发光器件。
该自发光器件可以为顶发光器件，或者双面发光器件。
本发明的一实施例中，该阳极层4包括从下到上依次层叠设置的反射金属电极层和透明电极层；该阴极层5包括从下到上依次层叠设置的金属电极层和透明的电极保护层。
在本发明实施例中，通过将阳极层4设置为双层结构，一方面，通过将高功函数的透明电极层靠近发光功能层3设置，能够降低阳极41和空穴传输层之间的势垒。另一方面，由于反射金属电极层的存在，该自发光器件可以为顶发光器件，并能够微腔结构设计难度。并且，通过在金属电极层表面设置电极保护层，可以采用低功函数的金属材料制作金属电极层，如锂、钙、铝、银、镁和氟化锂中一种或几种组合材料，由于这些金属材料的化学稳定性差，电极保护层能够对这些金属材料起到保护作用。
其中，该透明的电极保护层的材料可以为ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium zinc oxide，氧化铟锌)、氧化锌和氧化铟中的一种或几种组合材料。
本发明的又一实施例中，如图4和图5所示，该阵列基板还可以包括形成在衬底1和阳极层4之间的TFT阵列6和平坦层7。
进一步地，该阵列基板还可以包括形成在阴极层5之上的封装膜层和偏光片等。
本发明的实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
本发明的实施例提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不再赘述。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，参见图4，包括：
在一衬底1上形成像素界定层2，该像素界定层2将衬底划分为多个亚像素区域A。该像素界定层2包括从下到上依次层叠设置的第一界定层21和第二界定层22，第二界定层22的下表面的宽度大于第一界定层21的上表面的宽度，以在第一界定层21沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层22的缩进结构23。
在此基础上，如图4所示，在衬底1上形成像素界定层2之前，该制备方法还可以包括在衬底1上依次形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列6、平坦层7和阳极层4等。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，通过在第一界定层21沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层22的缩进结构23，在喷墨形成发光功能层时，由于缩进结构23的存在，墨滴在毛细作用下能够更均匀地铺展开来，从而能够减轻墨滴干燥时的咖啡环效应。
其中，第一界定层21和第二界定层22的材料可以相同，也可以不同，在此不做具体限定。在以下的实施例中，以第一界定层21为氮化硅薄膜，第二界定层22为氧化硅薄膜为例进行说明。
以下将通过具体示例对阵列基板的制备方法进行详细描述。
首先，如图6所示，在衬底1上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极，以形成薄膜晶体管阵列6、平坦层7后，沉积一层阳极材料，经过刻蚀形成每个亚像素区域A的阳极41。
而后，如图7所示，利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在阳极层4上沉积一层氮化硅薄膜021，该氮化硅薄膜的厚度可以为0.5-1.5微米，再利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在氮化硅薄膜021上沉积一层氧化硅薄膜022，厚度可以为0.5-1.0微米，而后再通过一次构图工艺形成第一界定层21和第二界定层22。
当然，也可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在阳极层4上沉积一层氮化硅薄膜021，先通过第一次构图工艺形成第一界定层21；再在衬底上沉积一层氧化硅薄膜022，通过第二次构图工艺形成第二界定层22。
当第一界定层21和第二界定层22通过同一次构图工艺形成时，具体步骤如下：
首先，在衬底1上形成氮化硅薄膜021和氧化硅薄膜022之后，在氧化硅薄膜022上涂覆光刻胶100，进行曝光、显影，去除感光的光刻胶，形成如图8所示结构。
而后，以碳氟化合物和氧气为工作气体，刻蚀暴露出的氧化硅薄膜022，形成如图9所示结构。在暴露出的氧化硅薄膜022刻蚀完成后，继续采用上述工作气体刻蚀氮化硅薄膜021，本发明实施例利用不同材料的刻蚀选择比不同，使得刻蚀速率不同的方法，由于氮化硅薄膜021相对于氧化硅薄膜022的刻蚀速率要快的多，而且存在横向刻蚀现象，所以在同样的刻蚀条件下，能够在第一界定层21沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层22的缩进结构23，形成如图10所示结构。
接着，可以以氧气为工作气体，利用等离子体灰化工艺，将第二界定层22上的光刻胶100去除，形成如图11所示结构。此时，可以继续利用碳氟化合物对第二界定层22裸露在外的表面进行等离子体处理以在第二界定层22的上表面形成疏水薄膜24，形成如图4所示结构。
具体的，根据碳氟化合物等离子体对氧化硅薄膜的刻蚀机理，主要包括三个阶段，第一阶段，碳氟化合物(如CF4、C4F8、CHF3等)在等离子体状态下分解为离子态的CF2与活性F基，如下式(I)，其中离子态的CF2发生聚合反应生成(CF2)n高分子钝化膜形成在氧化硅表面，即形成碳氟聚合物薄膜，如下式(II)。第二阶段，来自碳氟聚合物薄膜中的CFx基团与SiO2反应生成SiFxCO2，即碳氟聚合物薄膜生长被抑制的过程。第三阶段，SiFxCO2在F原子或者离子轰击下分解成SiFx，即氧化硅被刻蚀的过程。本发明实施例通过对自偏压的大小或者刻蚀时间进行控制，将刻蚀过程控制在第一阶段，即利用碳氟化合物等离子体处理氧化硅裸露在外的表面，在其表面生成出一层碳氟聚合物薄膜，就能够在第二界定层22的上表面形成碳氟聚合物薄膜。
CF4→2F↑+CF2↑ (I)
nCF2↑→(CF2)n (II)
在此过程中，第一界定层21裸露在外的表面也会形成碳氟聚合物薄膜，只是相对来说，氧化硅的成膜速率要远远大于氮化硅的成膜速率。
在形成像素界定层2之后，如图12所示，该阵列基板的制备方法还可以包括：通过喷墨打印的方式打印出发光功能层3。
由于像素界定层2中第一界定层21沿宽度方向的两侧形成有相对于第二界定层22的缩进结构23，且由于第二界定层22的上表面形成有疏水薄膜24，因此，在通过喷墨打印的方式打印发光功能层3时，在疏水薄膜24的疏水作用，以及缩进结构23的毛细作用下，能够使发光功能层3的墨滴均匀地平铺在各个亚像素区域A中，防止喷墨打印时墨滴轨迹发生偏移或者产生彗星点所产生的厚度不均问题。
其中，发光功能层3的可以包括发光层。示例性的，相邻的亚像素区域分别发出红光、蓝光和绿光。
进一步地，该发光功能层3还可以包括空穴注入层和电子注入层。更进一步地，该发光功能层还可以包括空穴传输层和电子传输层，以及空穴阻挡层和电子阻挡层等。
在通过喷墨打印技术形成发光功能层3之后，如图5所示，该阵列基板的制备方法还可以包括：通过蒸镀或者磁控溅射方式形成阴极层5。对于顶发光型器件来说，阴极层5的材质可以为具有低功函的金属(如锂、钙、铝、银、镁和氟化锂中的其中一种或几种组合)层和由ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium zinc oxide，氧化铟锌)、氧化锌和氧化铟中的一种或几种组合材料制成的透明导电层。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，以及形成在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域；
所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构；
所述第一界定层的厚度为0.5-1.5微米，所述第二界定层的厚度为0.5-1.0微米；
所述亚像素区域内设置有发光功能层，所述发光功能层的厚度与所述第一界定层的厚度之差大于或等于0小于或等于100纳米。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二界定层的上表面形成有疏水薄膜。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述疏水薄膜为碳氟聚合物薄膜。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一界定层为氮化硅薄膜，所述第二界定层为氧化硅薄膜。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括形成在所述衬底和所述像素界定层之间的阳极层，以及形成在所述发光功能层和像素界定层上的阴极层，其中，所述阳极层包括设置在每个所述亚像素区域内的阳极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述阳极层包括从下到上依次层叠设置的反射金属电极层和透明电极层；
所述阴极层包括从下到上依次层叠设置的金属电极层和透明的电极保护层。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种如权利要求1-6任一项所述阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在一衬底上形成像素界定层，所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域；所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，所述第一界定层的刻蚀选择比大于所述第二界定层的刻蚀选择比，且所述第一界定层和所述第二界定层通过同一次构图工艺形成；
其中，所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构；并且，所述第一界定层的厚度为0.5-1.5微米，所述第二界定层的厚度为0.5-1.0微米；
在所述亚像素区域内形成发光功能层，所述发光功能层的厚度与所述第一界定层的厚度之差大于或等于0小于或等于100纳米。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
还包括：利用碳氟化合物对所述第二界定层裸露在外的表面进行等离子体处理，以在所述第二界定层的上表面形成疏水薄膜。
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