CN109818581B - 具有沿放大器输出端间的反相器的串联组件的多路放大器 - Google Patents

Abstract

本公开涉及具有沿放大器输出端间的反相器的串联组件的多路放大器。多路放大器(例如，多尔蒂放大器)和容纳所述放大器的模块的实施例包括具有第一输出端子的第一放大器(或第一功率晶体管管芯)、具有第二输出端子的第二放大器(或第二功率晶体管管芯)，和电连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间的阻抗反相器线组合件。所述阻抗反相器线组合件包括串联连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件。在各种实施例中，所述表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

Description

具有沿放大器输出端间的反相器的串联组件的多路放大器

技术领域

本文描述主题的实施例大体上涉及射频(RF)放大器，并且更具体地说，涉及多路放大器(例如，多尔蒂(Doherty)放大器)和放大器模块。

背景技术

无线通信***采用用于增加射频(RF)信号的功率的功率放大器。在无线通信***中，在将放大的信号提供到用于通过空中接口辐射的天线之前，功率放大器在传输链中形成上一级的一部分。这类无线通信***中期望的放大器的特性是高增益、高线性度、稳定性以及高水平的功率添加效率。

一般来说，当功率放大器接近饱和功率发射时，功率放大器以最大功率效率操作。然而，功率效率往往会随着输出功率减小而恶化。最近，由于架构在宽功率动态范围内的高功率添加效率，所以多尔蒂放大器架构不仅是基站的关注焦点，而且是移动端子的关注焦点。

简而言之，常规双向多尔蒂放大器包括信号分配器、并联联接的载波和峰值放大器，和联接到负载的组合节点。信号分配器将输入RF信号分成具有相等或不等功率的两个RF信号，将相移施加至两个RF信号中的一个或两个RF信号，以在信号之间实现约90度相位差，并且将两个RF信号提供到载波和峰值放大器。在输入RF信号功率水平相对低时，仅载波放大器主动放大其接收信号以产生被提供到负载的放大的输出信号。在给定输入信号功率阈值下，峰值放大器开始主动放大其接收信号，并且载波和峰值放大器输出RF信号在组合节点处同相组合并且提供到负载。随着输入RF信号功率水平继续到增加，峰值放大器输出信号水平也增加至多满功率输出条件。在低于满功率输出条件的功率水平下的多尔蒂放大器操作被称为“回退操作”。

阻抗反相器和多尔蒂负载调制线(在本文中被简称为“阻抗反相器线”)联接在载波和峰值放大器输出端与信号组合器之间。在来自峰值放大器的电流注入到负载中时，阻抗反相器线导致在载波放大器的输出端处可见的阻抗减少。在回退操作期间放大器的最佳效率输出阻抗通常被称为Zmod，并且阻抗反相器线的长度通过在回退操作期间设定Zmod条件对多尔蒂放大器的总体性能具有显著影响。为了确保来自载波和峰值放大器的输出RF信号在组合节点处同相组合，阻抗反相器线的电气长度应当尽可能接近90度的奇数倍，如约90度(λ/4)或270度(3λ/4)，其中λ为放大器的操作的中心频率。

多尔蒂放大器的高效率使得架构对于当前和下一代无线***而言是期望的。然而，随着对于***小型化越来越需要，架构在半导体封装设计方面提出挑战。具体来说，实施于集成封装件中的多尔蒂放大器通常具有严格的尺寸约束，该尺寸约束指示阻抗反相器线的潜在物理长度。另外，从损耗观点来看，期望使得阻抗反相器线尽可能紧凑。然而，在阻抗反相器线紧凑性和设计具有优化性能的多尔蒂放大器的简易性之间存在固有折衷。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种多路放大器，包括：

具有第一输出端子的第一放大器；

具有第二输出端子的第二放大器；和

阻抗反相器线组合件，所述阻抗反相器线组合件电连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间，其中所述阻抗反相器线组合件包括串联连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件。

在一个或多个实施例中，所述多路放大器为多尔蒂放大器，所述第一放大器为载波放大器，并且所述第二放大器为峰值放大器。

在一个或多个实施例中，所述阻抗反相器线组合件进一步包括：

第二传输线，其中，

所述第一传输线的第一端部联接到所述第一输出端，

所述第一传输线的第二端部联接到所述表面安装组件的第一端子，

所述第二传输线的第一端部联接到所述表面安装组件的第二端子，并且

所述第二传输线的第二端部联接到所述第二输出端。

在一个或多个实施例中，所述阻抗反相器线组合件进一步包括：

第一连接器，所述第一连接器电联接在所述第一传输线的所述第一端部和所述第一输出端之间；和

第二连接器，所述第二连接器电联接在所述第二传输线的所述第二端部和所述第二输出端之间。

在一个或多个实施例中，所述第一连接器包括第一键合线阵列；并且

所述第二连接器包括第二键合线阵列。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件为表面安装电容器。

在一个或多个实施例中，所述电容器的电容值在3.0皮法到33皮法的范围内。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件为表面安装电感器。

在一个或多个实施例中，所述电感器的电感值在0.3毫微亨利到4.4毫微亨利的范围内。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件包括无源电气组件联接到的基板。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

在一个或多个实施例中，所述第一输出端子对应于具有第一漏极-源极电容的第一功率晶体管的第一本征漏极，所述第二输出端子对应于具有第二漏极-源极电容的第二功率晶体管的第二本征漏极，并且所述阻抗反相器线组合件和所述第一漏极-源极电容和所述第二漏极-源极电容提供在所述第一本征漏极到所述第二本征漏极之间的阻抗反相和90度相位差。

根据本发明的第二方面，提供一种放大器，包括：

具有安装表面的第一基板；

联接到所述安装表面的第一功率晶体管管芯，其中所述第一功率晶体管管芯包括集成于所述第一功率晶体管管芯内的第一晶体管，并且其中所述第一晶体管包括第一漏极端子；

联接到所述安装表面的第二功率晶体管管芯，其中所述第二功率晶体管管芯包括集成于所述第二功率晶体管管芯内的第二晶体管，并且其中所述第二晶体管包括第二漏极端子；和

阻抗反相器线组合件，所述阻抗反相器线组合件电连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间，其中所述阻抗反相器线组合件包括串联连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件。

在一个或多个实施例中，所述放大器为多尔蒂放大器，所述第一晶体管形成载波放大器的一部分，并且所述第二晶体管形成峰值放大器的一部分。

在一个或多个实施例中，所述阻抗反相器线组合件进一步包括：

第二传输线，其中，

所述第一传输线的第一端部联接到所述第一输出端，

所述第一传输线的第二端部联接到所述表面安装组件的第一端子，

所述第二传输线的第一端部联接到所述表面安装组件的第二端子，并且

所述第二传输线的第二端部联接到所述第二输出端。

在一个或多个实施例中，所述阻抗反相器线组合件进一步包括：

第一键合线阵列，所述第一键合线阵列电联接在所述第一传输线的所述第一端部和所述第一输出端之间；和

第二键合线阵列，所述第二键合线阵列电联接在所述第二传输线的所述第二端部和所述第二输出端之间。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件选自表面安装电容器、表面安装电感器和无源电气组件联接到的第二基板。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

根据本发明的第三方面，提供一种容纳多尔蒂放大器的至少一部分的模块，所述模块包括：

具有安装表面的第一基板；

连接至所述安装表面的载波放大器管芯，其中所述载波放大器管芯包括集成于所述载波放大器管芯内的第一晶体管，并且其中所述第一晶体管包括第一漏极端子；

连接至所述安装表面的峰值放大器管芯，其中所述峰值放大器管芯包括集成于所述峰值放大器管芯内的第二晶体管，并且其中所述第二晶体管包括第二漏极端子；和

阻抗反相器线组合件，所述阻抗反相器线组合件电连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间，其中所述阻抗反相器线组合件包括在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间串联的连接至所述安装表面的第一传输线和连接至所述安装表面的表面安装组件。

在一个或多个实施例中，所述阻抗反相器线组合件进一步包括：

连接至所述安装表面的第二传输线，其中

所述第一传输线的第一端部联接到所述第一输出端，

所述第一传输线的第二端部联接到所述表面安装组件的第一端子，

所述第二传输线的第一端部联接到所述表面安装组件的第二端子，并且

所述第二传输线的第二端部联接到所述第二输出端。

在一个或多个实施例中，所述多尔蒂放大器为90-0多尔蒂放大器，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管的本征漏极之间的电气距离为90度。

在一个或多个实施例中，所述多尔蒂放大器为270-90多尔蒂放大器，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管的本征漏极之间的电气距离为270度。

在一个或多个实施例中，所述表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

本发明的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。

附图说明

当结合以下图式考虑时，通过参考详细描述和权利要求书得到对主题的更完整理解，在图式中相同的附图标记遍及各图指代类似元件。

图1为根据例子实施例的多尔蒂放大器的示意图；

图2为根据例子实施例的表示在载波装置和峰值装置的输出端之间的互连的示意图，其中串联组件沿在输出端之间的反相器线；

图3为根据例子实施例的多尔蒂放大器模块的俯视图；

图4为沿线4-4的图3的模块的横截面侧视图；

图5为根据例子实施例的具有串联组件的反相器线组合件的放大俯视图；

图6为根据另一例子实施例的具有串联组件的反相器线组合件的放大俯视图；

图7为根据另一例子实施例的具有串联组件的反相器线组合件的放大俯视图；

图8为根据另一例子实施例的具有串联组件的反相器线组合件的放大俯视图；

图9为示出可使用反相器线组合件的各种例子实施例执行的阻抗变换的史密斯圆图；并且

图10为根据例子实施例的用于制造多尔蒂放大器模块的方法的流程图。

具体实施方式

如上文所论述，常规双向多尔蒂放大器包括信号分配器、并联联接的载波和峰值放大器、组合节点和阻抗反相器以及多尔蒂负载调制线(或“阻抗反相器线”)。通常，阻抗反相器线被实施为电联接在载波和峰值放大器输出端与信号组合器之间的连续微带传输线。根据多路放大器(例如，双向或n向多尔蒂放大器)的各种实施例，阻抗反相器线的连续微带输电线实施方案替换为包括一条或多条微带传输线和至少一个串联联接的表面安装组件(在本文中被称为“串联组件”)的组合件。此“组合件”在本文中被称为阻抗反相器和多尔蒂负载调制组合件，或更简言之为“阻抗反相器线组合件”。

如先前另外论述的，在回退操作期间多尔蒂放大器的最佳效率输出阻抗或Zmod，和阻抗反相器的长度通过在回退操作期间设定Zmod条件对多尔蒂放大器的总体性能具有显著影响。此外，为了确保放大的载波和峰值信号在组合节点处尽可能建设性地组合，重要的是，选择阻抗反相器的电气长度，使得放大的载波和峰值信号的相位在它们到达组合节点时尽可能紧密地匹配。然而，不利的是，在包括阻抗反相器的连续微带传输线实施方案的常规多尔蒂放大器设计中，阻抗反相器的电气长度为固定并且不可调谐的。因此，从放大器的一个实例化到另一个实例化，上游组件(例如，信号分配器和/或放大器)的变化可导致在传播到组合节点的放大器输出端中的相位差的变化。因此，放大的载波和峰值信号可在没有期望的相位相干性水平的情况下到达组合节点，并且所得组合信号可具有不期望的失真。在具有阻抗反相器线组合件(即，一条或多条微带传输线和至少一个串联组件)的多尔蒂放大器的各种实施例中，一个或多个串联组件有助于阻抗反相器的可调谐性。更具体地说，可选择一个或多个串联组件，使得阻抗反相器线组合件的最终调谐长度引起在组合节点处在放大的载波和峰值信号之间的良好相位相干性，当与常规连续微带阻抗反相器线比较时，这又可引起在回退操作期间信号失真减少和期望Zmod条件。

载波放大器和峰值放大器各自可使用单级或多级功率晶体管来实施。使用通常施加至场效应晶体管(FET)的命名法，载波放大器晶体管和峰值放大器晶体管各自可包括被配置成接收输入RF信号的控制端子(例如，栅极)和两个导电端子(例如，漏极端子和源极端子)。在一些配置中，每个源极端子联接到接地参考节点，并且分别在载波放大器晶体管和峰值放大器晶体管的漏极端子处提供放大的载波和峰值信号。峰值放大器的漏极端子可充当用于由载波和峰值放大器产生的放大的RF信号的组合节点。

图式和以下描述示出和论述包括载波放大器和单一峰值放大器的双向“非反相”多尔蒂放大器的实施例，其中在峰值放大器输入端处提供的RF信号滞后在载波放大器输入端处提供的RF信号约90度，并且反相器线组合件用以在放大的载波信号与放大的峰值信号在组合节点处组合之前将相移施加至放大的载波信号。在一些实施例中，反相器线组合件实施于“90-0”多尔蒂放大器中，其中在放大的载波信号达到组合节点之前将约90度相移施加至放大的载波信号，而在峰值信号达到组合节点之前没有实质性相移施加至峰值信号。

为了在载波放大器的本征漏极和组合节点(例如，在峰值放大器晶体管的本征漏极处)之间提供90度相移和阻抗反相，载波放大器的漏极可电联接到阻抗反相器线组合件的实施例的第一端部，并且阻抗反相器线组合件的第二端部可电联接到峰值放大器的漏极(例如，组合节点)。在载波和峰值放大器晶体管的漏极端子之间的阻抗反相器线组合件的电气长度部分地通过载波和峰值放大器晶体管的漏极电容来确定。在90-0多尔蒂放大器中，尽管应当在载波和峰值放大器晶体管的本征漏极之间施加90度总相移，但在阻抗反相器线组合件中微带线的电气长度将具有小于90度的值。在各种实施例中，微带线的电气长度的值例如在约30度到约70度的范围内，但是微带线的电气长度也可更小或更大。在较高频率下，电气长度转换成非常短的物理长度，这可难以在紧凑的包装布置中实现。在阻抗反相器线组合件联接到的基板的介电常数相对高时，此困难变得甚至更尖锐。

尽管图式和以下描述集中于90-0多尔蒂放大器实施例，但是在其它实施例中，一个或多个反相器线组装件实施于“270-90”多尔蒂放大器中，其中在放大的载波信号达到组合节点之前将约270度的相移施加至放大的载波信号，而在放大的峰值信号达到组合节点之前将约90度的相移施加至放大的峰值信号。在这类实施例中，具有第一电气长度的第一阻抗反相器或反相器线组合件可联接在载波放大器输出端和组合节点之间，并且具有第二且不同的电气长度的第二阻抗反相器或反相器线组合件可联接在峰值放大器输出端和组合节点之间。

另外，虽然图式和以下描述集中于非反相的多尔蒂放大器实施例，但是其它实施例包括“反相”90-0或270-90多尔蒂放大器，其中在载波放大器输入端处提供的RF信号滞后在峰值放大器输入端处提供的RF信号约90度，并且在放大的峰值信号与放大的载波信号在组合节点处组合之前通过阻抗反相器线组合件来将90或270度相移施加至放大的峰值信号。另外，尽管图式和以下描述集中于双向多尔蒂放大器，但是反相器线组装件的实施例还可包括于其它n向多尔蒂放大器中，该n向多尔蒂放大器包括载波放大器和n-1个峰值放大器(其中n具有二或更大的整数值，如2到5的值)。

将阻抗反相器线组合件结合到反相或非反相n向多尔蒂放大器中可使得阻抗反相器能在物理上更加可实现，甚至对于被配置成在相对高的基本操作频率下操作的多尔蒂放大器，和/或对于被约束为适配相对紧凑的占据面积的多尔蒂放大器也是如此。阻抗反相器线组合件被设计成使得阻抗反相器的总电气长度可易于修改，而无需重新设计放大器布局和/或微带传输线配置。举例来说，修改可通过改变用于阻抗反相器线组合件的一个或多个串联组件的组件值来进行。各种实施例中固有的修改容易性可使得多尔蒂放大器能更容易调谐。

图1为根据例子实施例的多尔蒂放大器100的示意图。如图1中用方框110指示的，多尔蒂放大器100的一些或所有组件可实施于单一装置封装件或模块(例如，联接到单一基板)中。如稍后将详细解释，并且根据各种实施例，当与使用常规组件的常规封装技术进行比较时，各种放大器组件的配置和定向使得封装件或模块的尺寸能显著减小。可实现这些小型化优势同时仍然满足增益、线性度、稳定性和效率性能标准。这部分地通过使各种放大器组件定向以建立在载波和峰值放大器信号路径(例如路径130、150)的部分之间的角度偏移来实现。建立的角度偏移可具有减少在沿载波路径和峰值路径承载的信号之间的耦合的有益效果。

在一个实施例中，多尔蒂放大器100包括RF输入节点112、RF输出节点114、功率分配器120、载波放大器路径130、峰值放大器路径150、阻抗反相器线组合件172和组合节点180。如下文将更详细论述，阻抗反相器线组合件172的实施例包括一条或多条微带传输线和一个或多个串联组件(例如，表面安装组件)以实现阻抗反相器线组合件172的物理和电气长度的设计灵活性。

在结合到更大的RF***中时，RF输入节点112联接到RF信号源(未示出)，并且RF输出节点114联接到负载190(例如，天线或其它负载)。RF信号源提供输入RF信号，该输入RF信号为包括通常围绕一个或多个载波频率定中心的光谱能量的模拟信号。基本上，多尔蒂放大器100被配置成放大输入RF信号，并且在RF输出节点114处产生放大的RF信号。

在一个实施例中，功率分配器120具有输入端122以及两个输出端124、126。功率分配器输入端122被联接到RF输入节点112以接收输入RF信号。功率分配器120被配置成将在输入端122处接收的RF输入信号分成第一和第二RF信号(或载波和峰值信号)，该第一RF信号和第二RF信号通过输出端124、126提供到载波放大器路径130以及峰值放大器路径150。根据实施例，功率分配器120包括第一相移元件，该第一相移元件被配置成将一个或多个相移赋予到第一RF信号和第二RF信号以建立在输出端124、126处的信号之间的相位差(例如，约90度相位差)。在反相多尔蒂放大器中，施加一个或多个相移，使得提供到峰值放大器的RF信号的相位滞后提供到载波放大器的RF信号的相位约90度。因此，在输出端124和126处，载波和峰值信号可彼此异相约90度。

在多尔蒂放大器100具有对称配置(即，其中载波和峰值放大器功率晶体管在尺寸上基本上一致的配置)时，功率分配器120可将在输入端122处接收的输入RF信号分成或分割成功率非常类似(在一些实施例中，相等)的两个信号。相反地，当多尔蒂放大器100具有不对称配置(即其中放大器功率晶体管中的一个放大器功率晶体管(通常为峰值放大器晶体管)显著更大的配置)时，功率分配器120可输出具有不等功率的信号。在一些实施例中，功率分配器120可用固定值无源组件实施。在其它实施例中，功率分配器120可用一个或多个可控可变衰减器和/或可变移相器实施，这使得功率分配器120能基于外部提供的控制信号来使载波和峰值信号衰减和/或相移。

功率分配器120的输出端124、126分别连接至载波放大器路径130和峰值放大器路径150。载波放大器路径130被配置成放大来自功率分配器120的载波信号，并且将放大的载波信号提供到功率组合节点180。类似地，峰值放大器路径150被配置成放大来自功率分配器120的峰值信号，并且将放大的峰值信号提供到功率组合节点180，其中路径130、150被设计成使得放大的载波和峰值信号基本上彼此同相地到达功率组合节点180。

根据实施例，载波放大器路径130包括输入电路170(例如，包括阻抗匹配电路)、载波放大器管芯132和阻抗反相器线组合件172。在各种实施例中，载波放大器管芯132包括RF输入端子134、RF输出端子138和联接在输入端子134和输出端子138之间的一个或多个放大级。RF输入端子134通过输入电路170联接到功率分配器120的第一输出端124，并且因此RF输入端子134接收由功率分配器120产生的载波信号。漏极偏压电压端子116可联接到外部偏压电路，以便将DC偏压电压提供到载波放大器管芯132的RF输出端子138(例如，漏极端子)。

载波放大器管芯132的每个放大级包括功率晶体管。更具体地说，每个功率晶体管包括控制端子(例如，栅极端子)和第一和第二电流承载端子(例如，漏极端子和源极端子)。在将包括单一功率晶体管的单级装置中，控制端子电连接至RF输入端子134，电流承载端子中的一个电流承载端子(例如，漏极端子或源极端子)电连接至RF输出端子138，并且另一电流承载端子(例如，源极端子或漏极端子)电连接至接地参考(或另一个电压参考)。相反地，二级装置将包括串联联接的两个功率晶体管，其中第一晶体管充当具有相对低增益的驱动器放大器晶体管，并且第二晶体管充当具有相对高增益的输出放大器晶体管。在这类实施例中，驱动器放大器晶体管的控制端子电连接至RF输入端子134，驱动器放大器晶体管的电流承载端子中的一个电流承载端子(例如漏极端子或源极端子)电连接至输出放大器晶体管的控制端子，并且驱动器放大器晶体管的另一电流承载端子(例如源极端子或漏极端子)电连接至接地参考(或另一电压参考)。此外，输出放大器晶体管的电流承载端子中的一个电流承载端子(例如，漏极端子或源极端子)电连接至RF输出端子138，并且输出放大器晶体管的另一电流承载端子(例如，源极端子或漏极端子)电连接至接地参考(或另一电压参考)。

除了一个或多个功率晶体管之外，输入和输出阻抗匹配网络和偏压电路的部分(图1中未示出)还可整体形成为载波放大器管芯132的部分和/或电联接到载波放大器管芯132。另外，在载波放大器管芯132为二级装置的实施例中，级间匹配网络(在图1中未示出)还可整体形成为载波放大器管芯132的一部分。

载波放大器管芯132的RF输出端子138联接到阻抗反相器线组合件172。如将在下文详细论述的，阻抗反相器线组合件172的实施例包括两条相异微带传输线174、178，至少一个串联组件176以及在载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152的输出端与微带传输线174、178之间的电连接件161、163。在其它实施例中，阻抗反相器线组合件172可包括单一微带输电线和至少一个串联组件，或反相器线组合件172可包括多于两条微带传输线和多个串联组件。

大体上，在一个实施例中，载波放大器管芯132的RF输出端子138通过阻抗反相器线组合件172联接到功率组合节点180。根据实施例，阻抗反相器线组合件172为λ/4(λ/4)相移电路，该相移电路将约90度相对相移赋予到在由载波放大器管芯132放大之后的载波信号。阻抗反相器线组合件172的第一端部联接到载波放大器管芯132的RF输出端子138，并且阻抗反相器线组合件172的第二端部联接到功率组合节点180。

现在参考峰值放大器路径150，在一个实施例中，该峰值放大器路径150包括峰值放大器管芯152和输入电路174(例如，包括阻抗匹配电路)。在各种实施例中，峰值放大器管芯152包括RF输入端子154、RF输出端子158以及联接在输入端子154与输出端子158之间的一个或多个放大级。RF输入端子154联接到功率分配器120的第二输出端126，并且因此RF输入端子154接收由功率分配器120产生的峰值信号。漏极偏压电压端子118可联接到外部偏压电路，以便将DC偏压电压提供到峰值放大器管芯152的RF输出端子158(例如，漏极端子)。

同载波放大器管芯132一样，峰值放大器管芯152的每个放大级包括具有控制端子以及第一电流承载端子和第二电流承载端子的功率晶体管。以类似于上述结合载波放大器管芯132的描述的方式，峰值放大器管芯152的一个或多个功率晶体管可电联接在RF输入端子154和输出端子158之间。结合载波放大器管芯132的描述所论述的额外其它细节也施加至峰值放大器管芯152，并且为简洁起见，本文中不重申那些额外细节。

峰值放大器管芯152的RF输出端子158联接到功率组合节点180和阻抗反相器线组合件172。根据实施例，峰值放大器管芯152的RF输出端子158和组合节点180用共同元件实施。更具体地说，在一个实施例中，峰值放大器管芯152的RF输出端子158被配置成充当组合节点180和峰值放大器管芯152的输出端子158两者。

放大器100被设计成使得在操作期间，放大的载波和峰值RF信号在组合节点180处基本上同相组合。组合节点180电联接到RF输出节点114以将放大的和组合的RF输出信号提供到RF输出节点114。在一个实施例中，在组合节点180与RF输出节点114之间的输出阻抗匹配网络184用以将适当负载阻抗呈递给载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152中的每一个放大器管芯。在输出负载190(例如天线)连接到的RF输出节点114处产生所得放大的RF输出信号。

放大器100被配置成使得载波放大器路径130为相对低水平输入信号提供放大，并且放大路径130、150两者均以组合方式操作以为相对高水平输入信号提供放大。这可例如通过以下方式来实现：使载波放大器管芯132偏压，使得载波放大器管芯132以AB类模式操作，并且使峰值放大器管芯152偏压，使得峰值放大器管芯152以C类模式操作。

根据实施例，载波路径130和峰值路径150的物理组件相对于彼此定向，使得载波放大路径130和峰值放大路径150的对应部分在彼此基本上不同的方向上延伸。如本文所使用，术语“信号路径”是指RF信号通过电路所遵循的路径。举例来说，通过载波放大器管芯132的第一信号路径的一部分在RF输入端子134与RF输出端子138之间在第一方向上(由箭头130指示)延伸。类似地，通过峰值放大器管芯152的第二信号路径的一部分在RF输入端子154与RF输出端子158之间在第二方向上(由箭头150指示)延伸，其中第一方向和第二方向彼此基本上不同。在所示出的实施例中，第一方向和第二方向彼此垂直(即，成角度地隔开90度)。在其它实施例中，第一方向和第二方向可成角度地隔开小于或大于90度。举例来说，在其它实施例中，第一方向和第二方向可成角度地隔开在45度和315度之间的任何角度。如本文所使用，当提及在第一信号路径和第二信号路径的对应部分的方向之间的角间距时，术语“基本上不同”意指路径部分之间的角间距至少为+/-45度。

根据实施例，横越载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152的第一信号路径和第二信号路径的部分的方向之间的角间距是通过使载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152定向成使得载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152的相应RF输入端子134、154和输出端子138、158之间的信号路径成角度地隔开而实现的。举例来说，在一个实施例中，载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152垂直定向，使得通过载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152的信号路径的部分的方向也是垂直的。

在操作期间，当与其中载波和峰值管芯和/或载波和峰值信号路径彼此平行运行的***相比时，通过载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152的信号路径的角间距可显著减少在信号路径的那些部分之间的耦合量。给定信号路径之间耦合的这种减少，载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152可比可为常规平行定向更接近地定位在一起，同时仍然实现可接受的性能。因此，当与用于容纳常规布置的多尔蒂放大器的封装件或***的尺寸相比时，各种实施例的实施方案可使得高性能多尔蒂放大器能在相对小的封装件或模块中实施。

如上文所论述的，阻抗反相器线组合件172的实施例包括两条相异微带传输线174、178，至少一个串联组件176以及在载波放大器管芯132和峰值放大器管芯152的输出端与微带传输线174、178之间的电连接件161、163。阻抗反相器线组合件172的电特性现在将结合图2和9更详细论述。更具体地说，图2为示意图，该示意图表示在通过阻抗反相器线组合件272(例如，组合件172，图1)的实施例的载波装置232的本征漏极230和峰值装置252的本征漏极250之间的互连，并且图9为示出可使用反相器线组合件272的各种例子实施例执行的阻抗变换的史密斯圆图900。

在图2中，节点230表示载波装置232(例如，载波装置132，图1)的本征漏极，并且节点250表示峰值装置252(例如，峰值装置152，图1)的本征漏极。电容器234表示载波装置232的寄生漏极-源极并联电容，并且电容器254表示峰值装置252的寄生漏极-源极并联电容。支架272涵盖元件，该元件包括互连载波装置232的漏极230和峰值装置252的漏极250的阻抗反相器线组合件(例如，组合件172、372，图1、3)。阻抗反相器线组合件272包括多个串联联接的组件。根据实施例，阻抗反相器线组合件272的串联联接的组件包括联接到峰值装置252的漏极230的第一电感261(例如，键合线阵列361，图3)、在节点273处联接到第一电感261的第一微带传输线274(例如，微带传输线374，图3)、在节点275处联接到第一微带传输线274的串联组件276(例如，组件376，图3)、在节点277处联接到串联组件276的第二微带传输线278(例如，微带传输线378，图3)，和在节点279处联接到第二微带传输线278并且还联接到峰值装置252的漏极250的第二电感263(例如，键合线阵列363，图3)。如稍后将更详细解释，串联组件276可包括分立电容器276′，该分立电容器276′具有在节点275处联接到第一微带传输线274的第一端子和在节点277处联接到第二微带传输线277的第二端子。可替代地，串联组件276可包括分立电感器276″，该分立电感器276″具有在节点275处联接到第一微带传输线274的第一端子和在节点277处联接到第二微带传输线277的第二端子。尽管单一电容器276′或电感器276″用作用于串联组件276的例子，但是其它实施例可包括电容网络(例如，以各种并联和/或串联布置的方式连接的多个电容器的网络)、电感网络(例如，以各种并联和/或串联布置的方式连接的多个电感器的网络)，或电感/电容(L/C)网络(例如，以各种并联和/或串联布置的方式连接的多个电感器和电容器的网络)。

在一些实施例中，串联组件276(或串联组件176、376、876，图1和3-8)可为为固定值组件或固定值组件的网络。在其它实施例中，串联组件可为可变组件或网络(例如，电可调谐组件或网络)，该可变组件或网络具有可单次调节(例如，在部署之前的***调谐期间)或在操作期间动态调节的一个或多个电容和/或电感值。举例来说，***可包括开环调谐***，该开环调谐***具有基于RF信号的已知或检测到的特征进行调节的电可调谐无源组件或网络。根据一些实施例，***可被配置成基于操作频率来调节串联组件的值，这可使得***能易于被修改以在不同频率下和在不同频率带中有效地操作。根据其它实施例，***可被配置成基于驱动水平(例如，组件为在驱动上动态可调谐的)调节串联组件的值。在这类实施例中，可调谐无源组件可被设定或重设成多个状态中的任一种状态，每一种状态对应于期望相移(例如，10度、20度、30度等)。在另一个实施例中，***可包括具有反馈和控制环路的闭合回路调谐***。举例来说，***可包括联接到放大器输出端(例如，到输出匹配区域305中的导体，图3)的功率检测器，和被配置成基于由功率检测器检测的反射功率来调节(例如，增加或降低)串联组件的值(或串联组件状态)的控制组件。如上文所指示，在各种实施例中，表面安装组件可选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

在任何情况下，提供图9的史密斯圆图900以示出由于在阻抗反相器线组合件272中的寄生并联电容234、254和各种串联元件引起的阻抗移动。更具体地说，史密斯圆图900用于示出可如何通过纳入阻抗反相器线组合件272的串联组件276来以这样或那样的方式调节在载波装置232的漏极230和峰值装置252的漏极250之间的总Zmod变换。例子史密斯圆图900假定，本征漏极230的输出处于约25欧姆，并且本征漏极250的输出处于约100欧姆。本领域的技术人员将理解，基于在本文中的描述，可如何针对具有不同特性阻抗的***修改史密斯圆图。

史密斯圆图900的点901对应于在载波装置232的本征漏极230处朝向峰值装置252的本征漏极250观察的阻抗。在点901开始并且从载波装置232的本征漏极230朝向峰值装置252的本征漏极250移动，载波装置232的寄生漏极-源极并联电容234使得向下移动通常沿恒定电导圆到点902。串联电感261接着使得向上移动通常沿恒定阻抗圆到点903(例如，对应于节点273)。第一微带传输线274使得另一个向上移动通常沿恒定阻抗圆到点904(例如，对应于节点275)。如本文所用，“通常沿”恒定电导或阻抗圆意指为指示可存在在史密斯圆图上的这类圆的一些偏离。

史密斯圆图900中的下一个移动取决于串联组件276的类型(例如，电容型、电感型，或两者)，和串联组件值的量值(例如，电容值和/或电感值)。首先以其中串联组件276为电容器276′的例子实施例开始，串联电容器276′使得向下移动通常沿恒定电导圆(用箭头905′指示)朝向点906′(例如，对应于节点277)。从点906′起，第二微带传输线278使得另一个向上移动通常沿恒定阻抗圆到点907′(例如，对应于节点279)。接着，串联电感263使得另一个向上移动通常沿恒定阻抗圆到点908′(例如，对应于节点250)。最终，峰值装置252的寄生漏极-源极并联电容254使得向下移动通常沿恒定电导圆到点909′。点909′表示在峰值装置252的本征漏极(或求和节点)处朝向负载观察的阻抗。

移动回到点904，并且根据其中串联组件276为电感器276″的第二例子实施例，串联电感器276″使得向上移动通常沿恒定阻抗圆(用箭头905″指示)朝向点906″(例如，对应于节点277)。从点906″起，第二微带传输线278使得另一个向上移动通常沿恒定阻抗圆到点907″(例如，对应于节点279)。接着，串联电感263使得另一个向上移动通常沿恒定阻抗圆到点908″(例如，对应于节点250)。最终，峰值装置252的寄生漏极-源极并联电容254使得向下移动通常沿恒定电导圆到点909″。

总体上，为了确保由载波放大器232产生的放大的RF信号和由峰值放大器252产生的放大的RF信号在组合节点(例如，与峰值装置252的本征漏极位于同一位置)处同相组合，在本征漏极节点230、250之间的总电气长度应当为约90度。如在图9中指示的，当与由纳入串联电感器276″(由点909″指示)产生的阻抗比较时，在阻抗反相器线组合件272中纳入串联电容器276′引起在峰值装置252的本征漏极(由点909′指示)处的相对较低阻抗。另外，纳入具有更小或更大值的串联电容器276′或串联电感器276″可使得在史密斯圆图900上的点904和905′或905″之间的相对移动更小或更大，因此使在峰值装置252的本征漏极处的最终阻抗的位置偏斜。这指示可进行选择串联组件276的类型(例如，电容型或电感型)和值(例如，量值)，以精确地实现在峰值装置252的本征漏极处(或在求和节点处)的期望阻抗。

在其中载波放大器232和峰值放大器252大小相同的对称多尔蒂放大器中，漏极-源极电容234、254的电容值可在几个皮法(pF)的范围内(例如，在各种条件下例如各自约为2.0pF)。假定串联组件276从电路模型中排除并且使用单一微带传输线，如同在常规上设计的多尔蒂放大器中的情况，这类漏极-源极电容可显著减少阻抗反相器的容许电气和物理长度。举例来说，电气长度可减小到低于45度的值，如在20度与40度之间的值(例如30度的例子值)。在相对高频率下，电气长度转换成非常短的物理长度，该物理长度可过短而无法实现装置232、252的漏极之间的互连。根据各种实施例，在阻抗反相器线组合件272中纳入串联组件276使得微带传输线274、278组合的电气长度(和物理长度)能显著增加，同时仍然维持在本征漏极节点230、250之间的90度总相移。

应注意，在实际电路实施方案中，用于阻抗反相器线组合件(例如，阻抗反相器线组合件172、272、372，图1-3)的微带传输线的电气长度为可期望小于九十度的固定值，如在约30度到约70度范围内的值)。在较高频率下，此固定电气长度可转换成非常短的物理长度，该物理长度在被实施为在基板上单一印刷导体的相移和阻抗反相元件(例如，微带传输线)的情况下难以实现。这在基板的介电常数高(其可为针对典型印刷电路板(PCB)类型的基板(例如，基板310，图3)的情况)时尤其真实。具有串联组件的阻抗反相器线组装件的实施例的实施方案可通过实现微带传输线的电气和物理长度的增加来克服此问题。这使得实际电路实施方案尤其在相对高频率下物理上更加可实现和可调谐。

现在将结合图3和图4来详细描述图1的多尔蒂放大器电路的物理实施方案的实施例。更具体地说，图3为根据例子实施例的多尔蒂放大器模块300的俯视图。图3应与图4同时观看，图4为沿线4-4的图3的模块300的一部分的横截面侧视图。多尔蒂放大器模块300包括基板310、功率分配器320(例如功率分配器120，图1)、载波放大器管芯332(例如载波放大器管芯132，图1)、峰值放大器管芯352(例如峰值放大器管芯152，图1)、相移和阻抗反相组合件372(例如阻抗反相器线组合件172、272，图1、2)以及下文将更详细论述的各种其它电路元件。

举例来说，多尔蒂放大器模块300可被实施为平台栅格阵列(LGA)模块。因此，基板310具有组件安装表面312和平台表面314。可任选地用包封材料430(例如塑料包封物)覆盖组件安装表面312和安装到所述表面312的组件。在替代实施例中，组件可包含在空气腔内，该空气腔由覆盖安装表面312的各种结构(未示出)限定。

根据实施例，基板310相对小，这提供特别紧凑的多尔蒂放大器。举例来说，组件安装表面312的宽度(图3中的水平尺寸)和长度(图3中的竖直尺寸)可在约5毫米(mm)到约20mm的范围内，但宽度和/或长度也可更小或更大。在具体实施例中，例如，组件安装表面的宽度可为约10mm并且长度可为约6mm。

在一些实施例中，基板300可为具有通过介电材料隔开的多个金属层410、411、412、413、414、415的多层有机基板(例如，由PCB材料形成)。根据实施例，利用底部金属层410以提供LGA的外部可访问的导电接合衬垫316、317、318、319，其中一些例子接合衬垫316到319的位置在图3中用虚线框指示。这些接合衬垫316-319(以及未示出的其它接合衬垫)使得多尔蒂放大器模块300能表面安装到单独基板(未示出)上，该单独基板提供与RF***的其它部分的电连接性。尽管模块300被描绘为LGA模块，但是模块300可替代地被封装为接脚栅格阵列模块、方形扁平无引脚(QFN)模块或另一类型的封装件。

基板310的一种或多种其它金属层(例如，层411、412)可用于传送DC电压(例如，DC偏压电压)和提供接地参考。其它层(例如层413、414)可用于通过模块300传送RF和其它信号。另外，图案化金属层415可形成于基板310的安装表面312上。如下文将更详细论述，图案化金属层415可包括在安装表面312上的多个导电触点和迹线，这有助于电连接至可安装到安装表面312的管芯和其它组件。此外，阻抗反相器线组合件372的一个或多个部分可由图案化金属层415的一个或多个部分(或由一个或多个其它导电层的部分)形成。在具体实施例中，例如，阻抗反相器线组合件372的微带传输线374和378可由图案化金属层415的部分形成。导电通孔(例如通孔420、421)提供在金属层410-415之间的电连接性。

载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352中的每一个放大器管芯为在操作期间可产生显著量的热量的整体式功率晶体管集成电路(IC)。另外，载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352中的每一个放大器管芯也需要接入接地参考。因此，在一个实施例中，基板310还包括载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352联接到的多个导电和导热沟槽480(例如，用焊料、钎焊材料、银烧结物或其它管芯附接材料)。沟槽480在第一管芯安装区域302和第二管芯安装区域303中延伸通过基板厚度以提供接入载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352的散热器和接地参考。举例来说，导电沟槽480可填充有铜或一种或多种其它导热和电导材料。在替代实施例中，沟槽480可用导电段塞(例如，铜段塞)、用热通孔或用适于提供散热器和/或电接地能力的其它结构替换。

参考图3中的模块300的俯视图，在基板310的安装表面312处限定多个不重叠区域。更具体地说，不重叠区域包括输入信号和分配器区域301、第一管芯安装区域302、第二管芯安装区域303、阻抗反相器区域304以及输出匹配区域305。在输入信号和分配器区域301内，暴露在平台表面314处的导电接合衬垫316通过基板310电联接到在安装表面312处的导电触点390。接合衬垫316和触点390以及在它们之间的电连接件充当用于模块300的RF输入节点(例如，RF输入节点112，图1)。

功率分配器320联接到输入信号和分配器区域301中的安装表面312。根据实施例，功率分配器320可包括一个或多个分立管芯和/或组件，但在图3中将功率分配器320表示为单一元件。功率分配器包括输入端子322(例如，输入122，图1)和两个输出端子324、326(例如，输出端124、126，图1)。输入端子322电联接(例如，通过如图所示的键合线)到导电触点390以接收输入RF信号。另外，输出端子324、326电联接(例如，通过如图所示的额外键合线)到在安装表面312处的导电触点391、392。功率分配器320被配置成将通过输入端子322接收的输入RF信号的功率分割成在输出端子324、326处产生的第一和第二RF信号(例如，载波和峰值信号)。此外，功率分配器320可包括一个或多个相移元件，该一个或多个相移元件被配置成在输出端子324、326处提供的RF信号之间赋予约90度相移差。如先前所论述，功率分配器320可由固定值无源组件组成，或功率分配器320可包括可变移相器和/或衰减器。

如先前所论述，第一RF信号和第二RF信号可具有相等或不等功率。在输出端子324处产生并且传送到导电触点391的第一RF信号通过载波放大器路径放大。载波放大器路径包括安装在输入信号和分配器区域301内的输入电路370(例如，输入电路170，图1)、安装在第一管芯安装区域302内的载波放大器管芯332(例如，管芯132，图1)，和在阻抗反相器区域304内的连接至基板310的阻抗反相器线组合件372(例如，阻抗反相器线组合件172，图1)。

输入电路370电连接在导电触点391与导电触点393之间。尽管细节未在图3中示出，但是输入电路370可包括被配置成在第一功率分配器输出端324和载波管芯332的输入端之间提供适当阻抗匹配的多个分立和/或集成组件(例如，电感器和电容器)。

导电触点393电联接(例如用键合线360)到载波放大器管芯332的RF输入端子333，以便向载波放大器管芯332提供用于放大的RF载波信号。载波放大器管芯332的所示出的实施例体现二级放大器。更具体地说，载波放大器管芯332的电气组件包括RF输入端子333、集成输入匹配网络334、驱动晶体管335、集成级间匹配网络336、末级晶体管337和RF输出端子338。驱动晶体管335和末级晶体管337在输入端子333与输出端子338之间串联联接。驱动晶体管335被配置成向载波信号施加相对低的增益，并且末级晶体管337被配置成向通过驱动晶体管335初步放大之后的载波信号施加相对高的增益。在其它实施例中，载波放大器管芯332可体现单级放大器或可包括多于两个放大级。

晶体管335、337中的每一个晶体管可为场效应晶体管(FET)(如金属氧化物半导体FET(MOSFET)、横向扩散MOSFET(LDMOS FET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等)。可替代地，晶体管335、337中的每一个晶体管可为双极结型晶体管(BJT)。本文中对常用于描述FET的“栅极”、“漏极”和“源极”的引用并不旨在为限制性的，因为这些名称中的每一个名称具有用于BJT实施方案的类似特征部。

管芯332的输入端子333通过输入匹配网络334电联接到晶体管335的栅极端子，并且晶体管335的漏极端子通过级间匹配网络336电联接到晶体管337的栅极端子。根据实施例，晶体管337的漏极端子电联接到输出端子338。晶体管335、337的源极端子联接到接地参考。通过载波放大器管芯332的信号路径在从RF输入端子333朝向RF输出端子338延伸的方向上，该方向由箭头330指示。由载波放大器管芯332在RF输出端子338处产生放大的RF载波信号。

根据实施例，RF输出端子338通过键合线342和迹线398电联接到接合衬垫317，该接合衬垫317可用于提供DC偏压电压到晶体管337的输出端子338。在模块300结合到更大RF***中时，接合衬垫317可联接到在RF***中的漏极偏压电路。

移动回到输入信号和分配器区域301中的功率分配器320，在功率分配器320的输出端子326处产生并且传送到导电触点392的第二RF信号(即，峰值信号)通过峰值放大器路径放大。峰值放大器路径包括在输入信号和分配器区域301内的输入电路371，和安装在第二-管芯安装区域303内的峰值放大器管芯352(例如，管芯152，图1)。如上文所提及，功率分配器320可赋予一个或多个相移以在输出端子324和326处产生具有约90度相位差的RF信号。因此，相对于在载波管芯332的输入端子333处接收的载波信号，在峰值管芯352的输入端子353处接收的峰值信号的相位可延迟约90度。

输入电路371电连接在导电触点392与导电触点394之间。尽管细节未在图3中示出，但是输入电路371可包括被配置成在第二功率分配器输出端326和峰值管芯352的输入端之间提供适当阻抗匹配的多个分立和/或集成组件(例如，电感器和电容器)。

导电触点394电联接(例如用键合线366)到峰值放大器管芯352的RF输入端子353，以便向峰值放大器管芯352提供用于放大的RF载波信号。峰值放大器管芯352的所示出的实施例还体现二级放大器。更具体地说，峰值放大器管芯352的电气组件包括RF输入端子353、集成输入匹配网络354、驱动晶体管355、集成级间匹配网络356、末级晶体管357和RF输出端子358。驱动晶体管355和末级晶体管357串联联接在输入端子353与输出端子358之间。驱动晶体管355被配置成向峰值信号施加相对低的增益，并且末级晶体管357被配置成向通过驱动晶体管355初步放大之后的峰值信号施加相对高的增益。在其它实施例中，峰值放大器管芯352可体现单级放大器或可包括多于两个放大级。同样，晶体管355、357中的每一个可为FET或BJT。

管芯352的输入端子353通过输入匹配网络354电联接到晶体管355的栅极端子，并且晶体管355的漏极端子通过级间匹配网络356电联接到晶体管357的栅极端子。根据实施例，晶体管357的漏极端子电联接到输出端子358。因此，通过载波放大器管芯352的信号路径在从RF输入端子353朝向RF输出端子358延伸的方向上，该方向由箭头350指示。在RF输出端子358处通过峰值放大器管芯352产生放大的RF峰值信号。

根据实施例，RF输出端子358通过键合线346和迹线395电联接到接合衬垫318，该接合衬垫318可用于提供DC偏压电压到晶体管357的输出端子358。在模块300结合到更大RF***中时，接合衬垫318可联接到在RF***中的漏极偏压电路。除先前所论述的偏压电路连接件(例如，包括元件317、318、395、398)以外，模块300还可包括额外偏压电路和/或偏压电路连接件，该连接件被配置成将栅极和漏极偏压电压提供到驱动晶体管335、355和末级晶体管337、357中的一些或全部晶体管。举例来说，除了其它以外，偏压电路可包括多个接合衬垫(在基板310的平台表面314处)、触点(在基板310的安装表面312处)以及其它导电结构和电路。提供到晶体管335、355、337、357的栅极和/或漏极的偏压电压有助于模块的多尔蒂操作。举例来说，载波放大器管芯332的晶体管335、337可偏压成以AB类模式操作，并且峰值放大器管芯352的晶体管355、357可偏压成以C类模式操作。

通过峰值放大器管芯352的信号路径在从RF输入端子353到RF输出端子358延伸的方向上，该方向由箭头350指示。如可在图3中看出，通过峰值放大器管芯352和载波放大器管芯332的信号路径在显著不同的方向上延伸，并且更具体地说，信号路径在图3的实施例中是垂直的。

在一个实施例中，载波放大器管芯332的RF输出端子338电联接到阻抗反相器线组合件372的第一端部，并且峰值放大器管芯352的RF输出端子358电联接到阻抗反相器线组合件372的第二端部，并且RF输出端子358充当组合节点380(例如，组合节点180，图1)，在该组合节点380处放大的和延迟的载波放大器信号与放大的峰值放大器信号同相组合。在阻抗反相器线组装件的各种实施例的更详细描述之后，现将论述模块300的其余输出组件。

根据实施例，RF输出端子358(或组合节点380)通过导电输出迹线396、397在安装表面312处电联接到模块300的输出端。更具体地说，RF输出端子358用键合线阵列364连接至输出迹线396。如图3所示，键合线阵列364的键合线在与通过峰值放大器管芯352的RF信号路径的相同的方向上(例如，在由箭头350指示的方向上)排列。在一个实施例中，键合线阵列363、364相对于彼此被垂直地布置在管芯352的相邻侧边处，键合线阵列346、364还相对于彼此被垂直地布置在管芯352的相邻侧边处，并且键合线阵列363、346被彼此平行地布置在峰值放大器管芯352的相对侧边处。相应地，即使键合线阵列363、364以及键合线阵列346、364可相对接近地定位在一起，但它们的垂直定向可显著减少通过键合线阵列346、363、364承载的RF信号的耦合。

在一个实施例中，输出阻抗匹配网络384和/或去耦电容器386可沿输出迹线396、397联接。输出阻抗匹配网络384用以将适当负载阻抗呈递到组合节点380。虽然图3中并未示出细节，但是输出阻抗匹配网络384可包括各种分立和/或集成组件(例如电容器、电感器和/或电阻器)以提供期望阻抗匹配。输出阻抗匹配网络384和去耦电容器396通过迹线397和基板310电联接到在平台表面314处暴露的导电接合衬垫319。接合衬垫319充当用于模块300的RF输出节点(例如RF输出节点114，图1)。

根据实施例，除RF输出端子338、358的配置以外，峰值放大器管芯352的结构可与载波放大器管芯332一致，意指所述两个管芯332、352包括以相同方式布置和互连的相同结构元件和电元件。根据另外的实施例，峰值放大器管芯352和载波放大器管芯332在尺寸上也一致，多尔蒂放大器模块300呈现为对称多尔蒂放大器。在替代实施例中，峰值放大器管芯352和载波放大器管芯332可具有不同尺寸，多尔蒂放大器模块300呈现为非对称多尔蒂放大器。举例来说，峰值放大器管芯352可比载波放大器管芯332大一定比率(例如，1.6∶1、2∶1或一些其它比率)。

无论如何，每个管芯332、352的形状为矩形，其中第一侧边和第二侧边平行，并且在第一侧边与第二侧边之间延伸的第三侧边和第四侧边平行。在每个管芯332、352中，RF输入端子333、353接近于管芯的第一侧边，并且RF输出端子338、358的部分可接近于管芯的第二侧边。在一个实施例中，每个管芯332、352的第一侧边朝向输入信号和分配器区域301定向，并且管芯332、352的第一侧边相对于彼此垂直布置。换句话说，结构一致的载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352联接到基板310的安装表面312，使得管芯332、352彼此垂直，通过管芯332、352的RF信号路径也呈现为彼此垂直。即使管芯332、352可相对接近地定位在一起，但是它们的垂直定向可显著减少通过管芯332、352承载并且由管芯332、352放大的信号之间的耦合。

现将结合图5-8详细论述阻抗反相器线组装件(例如，阻抗反相器线组合件172、272，图1、2)的各种实施例。首先以图5(图5为图3的阻抗反相器线组合件372的放大视图)开始，阻抗反相器线组合件372的实施例包括两条相异微带传输线374、378(例如，线174、178、274、278，图1、2)、串联组件376(例如，串联组件176、276、276′、276″，图1、2)，和在载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352的输出端与微带传输线374、378之间的电连接件361、363(例如，连接件161、163、261、263，图1、2)。所示出的阻抗反相器线组合件372的第一端部502为与晶体管337的输出端子338连接的连接件361的端部，并且所示出的阻抗反相器线组合件372的第二端部504为与晶体管357的输出端子358连接的连接件363的端部。在一个实施例中，管芯332的RF输出端子338电联接到阻抗反相器线组合件372的第一端部502(即，电联接到连接件361的端部)，并且管芯352的RF输出端子358电联接到阻抗反相器线组合件372的第二端部504(即，电联接到连接件363的端部)。

在端部502处开始并且前进到端部504，阻抗反相器线组合件372更具体地说包括第一连接件361，其中第一端部连接至RF输出端子338，并且第二端部连接至第一微带传输线374。第一微带传输线374具有连接至第一连接件361的第一端部，和连接至串联组件376的第二端部。串联组件376具有连接至第一微带传输线374的第一端子575，和连接至第二微带传输线378的第二端子577。第二微带传输线378具有连接至串联组件376的第一端部，和连接至第二连接件363的第二端部。第二连接件363具有连接至第二微带传输线378的第一端部，和连接至RF输出端子358的第二端部。

根据实施例，电连接件361、363以第一键合线阵列和第二键合线阵列的形式实施，并且连接件361、363在本文中可以被称为键合线阵列361、363。第一键合线阵列和第二键合线阵列中的每一个键合线阵列可例如包括多个并联、紧密间隔的键合线。在替代实施例中，连接件361、363代替地可被实施为从晶体管337、357的漏极端子延伸到在管芯332、352的底部表面处暴露的导电衬垫的导电结构(例如，包括通过基板通孔)。在又其它替代实施例中，管芯332、352可为“倒装芯片”管芯，在该管芯的顶表面处具有导电衬垫，管芯顶表面可直接连接至基板310的顶表面312，使得在管芯顶表面处的导电衬垫可直接连接至在基板310的顶表面312上的对应衬垫。

参考图3和5两者并且根据实施例，载波放大器管芯332的RF输出端子338包括细长的第一衬垫，该细长的第一衬垫被配置成使得键合线361能连接至第一衬垫，使得键合线361在从通过载波放大器管芯332的信号路径的方向成角度地偏移(例如，垂直于)的方向上延伸(例如，键合线361可在由箭头350指示的方向上延伸)。另外，RF输出端子338可包括细长的第二衬垫，该细长的第二衬垫被配置成使得对应于漏极偏压连接件的键合线342能连接至第二衬垫，使得键合线342在基本上与通过载波放大器管芯332的信号路径的方向平行的方向上延伸(即，键合线342可在由箭头330指示的方向上延伸)。在一个实施例中，键合线阵列342、361相对于彼此垂直布置。

此外，峰值放大器管芯352的RF输出端子358包括细长的第一衬垫，该细长的第一衬垫被配置成使得键合线364能连接至第一衬垫，使得键合线364在与通过载波放大器管芯352的信号路径的方向平行的方向上延伸(例如，键合线364可在由箭头350指示的方向上延伸)。另外，RF输出端子358包括细长的第二衬垫，该细长的第二衬垫被配置成使得键合线阵列363的键合线能连接至第二衬垫，使得键合线在从通过峰值放大器管芯352的信号路径的方向成角度地偏移(例如，垂直于)的方向上延伸(例如，键合线363可在由箭头330指示的方向上延伸)。另外，RF输出端子358可包括细长的第三衬垫，该细长的第三衬垫被配置成使得对应于漏极偏压连接件的键合线346能连接至第三衬垫，使得键合线346在基本上与通过峰值放大器管芯332的信号路径的方向垂直的方向上延伸(即，键合线346可在从由箭头330指示的方向偏移180度的方向上延伸)。

在一个实施例中，微带传输线374、378各自可被实施为图案化导电层的一部分。在其它实施例中，可使用更复杂的导电结构实施微带传输线374、378中的每一条微带传输线，如包括多于一个图案化导电层、导电通孔等的部分的结构。在一个实施例中，在任何情况下，微带传输线374的第一端部适于容纳键合线连接件，并且微带传输线374的第二端部包括导电结合衬垫574。类似地，在一个实施例中，微带传输线378的第一端部包括导电结合衬垫578，并且微带传输线378的第二端部适于容纳键合线连接件。导电材料间隙576限定在第一微带传输线374的导电结合衬垫574和第二微带传输线378的导电结合衬垫578之间，并且间隙576的宽度可大致等于串联组件376的端子575、577之间的距离。

微带传输线374、378中的每一条微带传输线的电气长度与微带传输线374、378中的每一条微带传输线的物理长度和线的其它特性有关。在其中阻抗反相器线组合件172实施于90-0多尔蒂放大器中的实施例中，微带传输线374、378两者的总电气长度小于λ/4(即，小于90度)，并且期望在约30度到约70度的范围内。

在图5的实施例中，微带传输线374、378在它们的端部之间具有大致相等物理长度，并且相应地可具有大致相等电气长度。在替代实施例中，微带传输线可具有不等物理长度。举例来说，图6示出阻抗反相器线组合件672的替代实施例的放大视图，该阻抗反相器线组合件672可在模块300中取代阻抗反相器线组合件372。类似于反相器线组合件372，反相器线组合件672包括由间隙676隔开的两条相异微带传输线674、678(例如，线174、178、274、278，图1、2)、串联组件376(例如，串联组件176、276、276′、276″，图1、2)，和在载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352的输出端与微带传输线674、678之间的电连接件361、363(例如，连接件161、163、261、263，图1、2)。与反相器线组合件372相比，在图6中的第一微带传输线674的物理和电气长度显著短于在图5中的第一微带传输线374的物理和电气长度。因此，第一微带传输线674将比第一微带传输线374在史密斯圆图中产生显著更少移动。此外，在图6中的第二微带传输线678的物理和电气长度显著长于在图5中的第二微带传输线378的物理和电气长度。因此，第二微带传输线678将比第二微带传输线378在史密斯圆图中产生显著更多移动。尽管未示出，但是第一微带输电线674可完全排除，并且放大器输出端(例如，输出端338，图3)可在有或没有连接件361的情况下直接联接到串联组件376的第一端子575。在这类实施例中，阻抗反相器线组合件可包括仅一条微带传输线。

作为另一例子，图7示出阻抗反相器线组合件772的替代实施例的放大视图，该阻抗反相器线组合件772可在模块300中取代阻抗反相器线组合件372。类似于反相器线组合件372，反相器线组合件772包括由间隙776隔开的两条相异微带传输线774、778(例如，线174、178、274、278，图1、2)、串联组件376(例如，串联组件176、276、276′、276″，图1、2)，和在载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352的输出端与微带传输线774、778之间的电连接件361、363(例如，连接件161、163、261、263，图1、2)。与反相器线组合件372相比，在图7中的第一微带传输线774的物理和电气长度显著长于在图5中的第一微带传输线374的物理和电气长度。因此，第一微带传输线774将比第一微带传输线374在史密斯圆图中产生显著更多移动。此外，在图7中的第二微带传输线778的物理和电气长度显著短于在图5中的第二微带传输线378的物理和电气长度。因此，第二微带传输线778将比第二微带传输线378在史密斯圆图中产生显著更少移动。尽管未示出，但是第二微带输电线778可完全排除，并且放大器输出端(例如，输出端358，图3)可在有或没有连接件363的情况下直接联接到串联组件376的第二端子577。同样，在这类实施例中，阻抗反相器线组合件可包括仅一条微带传输线。

在各种实施例中，串联组件376可为具有第一端子575和第二577的表面安装组件，使用焊料、导电粘合剂或其它合适的附接手段该第一端子575和第二577被配置成物理和电连接至导电结合衬垫(例如，结合衬垫574、578)。如本文所用，术语“表面安装组件”意指具有至少一个输入端子和至少一个输出端子的封装的电气装置，该封装的电气装置被配置成通过输入端子和输出端子物理附接至基板的表面并且电附接至基板的导电特征部。在一些实施例中，串联组件376可为表面安装组件，该表面安装组件包括单一无源装置(例如，单一电容器、电感器或电阻器)，而在其它实施例中，串联组件376可为包括具有多个无源装置的电路的表面安装组件。串联组件376可或可不包括一个或多个无源装置联接到的相异基板(例如，PCB)。另外，端子(例如，端子575、577)可或可不在串联组件376的底部表面处暴露。在其中端子在串联组件376的底部表面处暴露的实施例中，使用焊料、导电粘合剂或其它合适的手段，可将端子(和组件376)直接物理和电附接至微带传输线374、378。在其中端子代替地仅在串联组件376的顶表面处暴露的替代实施例中，可使用额外键合线或其它电连接件将端子电附接至微带传输线。

举例来说，串联组件376可为表面安装电容器(例如，电容器276′，图2)，如MOSCAP(金属氧化物半导体电容器)，集成无源装置(例如，集成到半导体基板中的电容器)或另一类型的表面安装电容器。可替代地，串联组件376可为表面安装电感器(例如，电感器276″，图2)，如陶瓷芯体电感器、空气芯体电感器、集成无源装置(例如，集成到半导体基板中的螺旋电感器)或另一类型的表面安装电感器。

在又其它实施例中，串联组件376可包括联接到相异基板的电路，该基板也可被认为是表面安装组件。举例来说，图8示出阻抗反相器线组合件872的替代实施例的放大视图，该阻抗反相器线组合件872可在模块300中取代阻抗反相器线组合件372。类似于反相器线组合件372，反相器线组合件872包括由间隙880隔开的两条相异微带传输线874、878(例如，线174、178、274、278，图1、2)、串联组件876(例如，串联组件176、276、276′、276″，图1、2)，和在载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352的输出端与微带传输线874、878之间的电连接件361、363(例如，连接件161、163、261、263，图1、2)。与反相器线组合件372相比，串联组件876包括小基板890，该小基板890具有联接到基板892的顶表面的无源电气组件892。在所示出的实施例中，电气组件892为对应于电感元件的印刷导电迹线。在其它实施例中，一个或多个其它电气组件可联接到或集成于基板890内，包括(但不限于)分立或集成电容器、分立或集成电感器或包括多个电容器和/或电感器的电路。无论如何，例如，可使用通过基板890的导电通孔875、877将一个或多个电气组件892电连接至第一微带传输线874和第二微带传输线878。可替代地，可使用键合线将一个或多个电气组件892电连接至第一微带传输线874和第二微带传输线878，或串联组件876可为倒装芯片类型的组件。另外，在一些实施例中，微带传输线874或878中的任一个微带传输线可排除，并且串联组件的一个或多个电气组件可在有或没有连接件361或363的情况下直接联接到放大器输出端(例如，输出端338或358，图3)。同样，在这类实施例中，阻抗反相器线组合件可包括仅一条微带传输线。

如结合图2和9详细论述，组件的类型(例如，电容型、电感型或其组合)和串联组件电容和/或电感值的量值限定串联组件376可引起的在史密斯圆图上移动的方向和距离。在其中串联组件376为电容器(例如，电容器276′)的实施例中，串联组件的电容值可在约3.0皮法(pF)到约33pF的范围内，但是电容值也可更低或更高。在其中串联组件376为电感器(例如，电感器276″)的实施例中，串联组件的电感值可在约0.3毫微亨利(nH)到约4.4nH的范围内，但是电感值也可更低或更高。

在图5-8的实施例中的每一个实施例中，阻抗反相器线组合件372、672、772、872包括单一串联组件376、876。在替代实施例中，阻抗反相器线组合件可包括多个串联组件，该串联组件的类型和值可实现在史密斯圆图上的一定范围的期望移动。举例来说，阻抗反相器线组合件的替代实施例可包括两个串联组件和三条微带传输线。在这类实施例中，第一连接器(例如，连接器361)可连接在第一放大器输出端和第一微带传输线之间，第一串联组件可连接在第一微带传输线和第二微带传输线之间，第二串联组件可连接在第二微带传输线和第三微带传输线之间，并且第三微带传输线可通过第二连接器(例如，连接器363)连接至第二放大器输出端。可作出类似修改以适应三个或更多个串联组件。

上文所描述的实施例包括双向多尔蒂功率放大器实施方案，其包括载波放大器和一个峰值放大器。根据其它实施例，多尔蒂功率放大器可包括多于一个峰值放大器，或可修改模块300以实施除多尔蒂放大器以外类型的放大器。换句话说，模块被配置成包括具有一个或多个串联组件的阻抗反相器线组装件，因此可用于除本文中示出和论述的那些之外的放大器配置。

在不脱离本发明的主题的范围的情况下，可对模块300作出各种修改。举例来说，尽管基板310在图4中被描绘成包括五个金属层410-414，但可替代地，可使用包括更多或更少金属层的基板。另外，可替代地，可使用包括陶瓷基板或其它类型基板的其它类型基板。另外，替代实施例可包括被配置为倒装芯片的功率分配器和/或放大器管芯。此外，载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352中的每一个放大器管芯可包括单级放大器，或两个相异放大器管芯(一个驱动器放大器管芯和一个末级放大器管芯)可沿各自路径330、350实施。

图10为根据例子实施例的用于制造多尔蒂放大器模块(例如，多尔蒂放大器模块300，图3)的方法的流程图。方法在框1002中通过制造基板(例如，基板310，图3)来开始，该基板包括被布置成提供期望电连接性到随后附接的分立管芯和组件的多个导电特征部(例如，接合衬垫、触点、导电迹线和导电通孔)。如先前所论述，多个不重叠区域(例如，区域301-305，图3)可限定在基板的安装表面(例如，表面312，图3)处。在管芯安装区域(例如，区域302、303，图3)内，基板可包括导电散热器特征部(例如，导电沟槽480，图4)。此外，在一个实施例中，基板可包括一个或多个微带传输线元件(例如，微带传输线374、378，图3)，该微带传输线元件具有如以上详细描述而配置的物理和电气长度。

在框1004中，第一放大器管芯和第二放大器管芯(例如，载波放大器管芯332和峰值放大器管芯352，图3)附接至在管芯安装区域中的基板的安装表面。如先前所论述，第一放大器管芯和第二放大器管芯被附接成使得通过管芯的RF信号路径以基本上不同的方向定向(或成角度地隔开)。举例来说，第一放大器管芯和第二放大器管芯可附接至基板，使得管芯和通过管芯的RF信号路径基本上彼此垂直。此外，一个或多个串联组件(例如，串联组件376、876，图3、5-7)附接至在阻抗反相器区域(例如，区域304，图3)中的阻抗反相器线组合件的一个或多个微带传输线元件(例如，组合件172、272、372、672、772、872，图1-8)。额外分立组件还可附接至基板的安装表面。

在框1006中，各种管芯、微带线和组件与额外连接器(例如，包括键合线360、342、346、364、361、363、366，图3)和/或其它导电联接部件电连接在一起。最终，在框1008中，覆盖基板的安装表面的各种管芯和组件被包封(例如，用包封材料430，图4)，或以其它方式被包含(例如，在空气腔封装件配置中)，以完成模块。

多路放大器的实施例包括具有第一输出端子的第一放大器、具有第二输出端子的第二放大器，和电连接在第一输出端子与第二输出端子之间的阻抗反相器线组合件。阻抗反相器线组合件包括串联连接在第一输出端子与第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件。在各种实施例中，表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

放大器的另一个实施例包括具有安装表面的第一基板、阻抗反相器线组合件，以及联接到安装表面的第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯。第一功率晶体管管芯包括集成于第一功率晶体管管芯内的第一晶体管，并且第一晶体管包括第一漏极端子。第二功率晶体管管芯包括集成于第二功率晶体管管芯内的第二晶体管，并且第二晶体管包括第二漏极端子。阻抗反相器线组合件电连接在第一输出端子和第二输出端子之间，并且阻抗反相器线组合件包括串联连接在第一输出端子与第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件。在各种实施例中，表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

容纳多尔蒂放大器的至少一部分的模块的实施例包括具有安装表面的第一基板、阻抗反相器线组合件，以及连接至安装表面的载波放大器管芯和峰值放大器管芯。载波放大器管芯包括集成于载波放大器管芯内的第一晶体管，并且第一晶体管包括第一漏极端子。峰值放大器管芯包括集成于峰值放大器管芯内的第二晶体管，并且第二晶体管包括第二漏极端子。

阻抗反相器线组合件电连接在第一输出端子与第二输出端子之间，并且阻抗反相器线组合件包括在第一输出端子与第二输出端子之间串联的连接至安装表面的第一传输线和连接至安装表面的表面安装组件。在各种实施例中，表面安装组件选自固定值电容器、固定值电感器、可调谐电容器、可调谐电感器和可调谐无源组件网络。

先前详细描述本质上仅仅是说明性的，并且不旨在限制主题的实施例或这类实施例的应用和用途。如本文所使用，词语“示例性”意指“充当例子、实例或说明”。本文中描述为示例性的任何实施方案未必应理解为比其它实施方案优选或有利。此外，不希望受到先前技术领域、背景技术或详细描述中呈现的任何所表达或暗示的理论的束缚。

此外，本文中包含的各附图中示出的连接线旨在表示各种元件之间的示例性功能关系和/或物理联接。应注意，许多替代或额外功能关系或物理连接可存在于主题的实施例中。此外，本文中还可仅出于参考的目的使用某些术语，并且因此这些术语并不旨在具有限制性，并且除非上下文清楚地指示，否则指代结构的术语“第一”、“第二”和其它此类数值术语并不暗示次序或顺序。

如本文所用，“节点”意指任何内部或外部参考点、连接点、接合点、信号线、导电元件等等，在“节点”处存在给定信号、逻辑电平、电压、数据模式、电流或量。此外，两个或更多个节点可通过一个物理元件实现(并且尽管在公共节点处接收或输出，但是仍然可对两个或更多个信号进行多路复用、调制或者以其它方式区分)。

前述描述是指元件或节点或特征部“连接”或“联接”在一起。如本文所使用，除非以其它方式明确地陈述，否则“连接”意指一个元件直接接合到另一个元件(或直接与另一个元件连通)，并且不必以机械方式。同样，除非以其它方式明确地陈述，否则“联接”意指一个元件直接或间接接合到另一个元件(或直接或间接与另一个元件电或以其它方式连通)，并且不必以机械方式。因此，虽然附图中示出的示意图描绘元件的一个示例性布置，但是额外介入元件、装置、特征部或组件可存在于所描绘主题的实施例中。

尽管先前详细描述中已呈现至少一个示例性实施例，但应了解，存在大量变化。还应了解，本文中所描述的一个或多个示例性实施例并不旨在以任何方式限制所要求主题的范围、可应用性或配置。相反地，前述详细描述将向本领域的技术人员提供用于实施所描述的一个或多个实施例的方便的指南。应理解，可在不脱离由权利要求书所限定的范围的情况下对元件的功能和布置作出各种改变，该权利要求书包括在提交本专利申请时的已知等效物和可预见的等效物。

Claims (8)

1.一种多路放大器，其特征在于，包括：

具有第一输出端子的第一放大器；

具有第二输出端子的第二放大器；和

阻抗反相器线组合件，所述阻抗反相器线组合件电连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间，其中所述阻抗反相器线组合件包括串联连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件，

所述第一输出端子对应于具有第一漏极-源极电容的第一功率晶体管的第一本征漏极，所述第二输出端子对应于具有第二漏极-源极电容的第二功率晶体管的第二本征漏极，并且所述阻抗反相器线组合件和所述第一漏极-源极电容和所述第二漏极-源极电容提供在所述第一本征漏极到所述第二本征漏极之间的阻抗反相和90度相位差。

2.根据权利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述多路放大器为多尔蒂放大器，所述第一放大器为载波放大器，并且所述第二放大器为峰值放大器。

3.根据权利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述阻抗反相器线组合件进一步包括：

第二传输线，其中，

所述第一传输线的第一端部联接到所述第一输出端，

所述第一传输线的第二端部联接到所述表面安装组件的第一端子，

所述第二传输线的第一端部联接到所述表面安装组件的第二端子，并且

所述第二传输线的第二端部联接到所述第二输出端。

4.根据权利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述表面安装组件为表面安装电容器。

5.根据权利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述表面安装组件为表面安装电感器。

6.根据权利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述表面安装组件包括无源电气组件联接到的基板。

7.一种放大器，其特征在于，包括：

具有安装表面的第一基板；

联接到所述安装表面的第一功率晶体管管芯，其中所述第一功率晶体管管芯包括集成于所述第一功率晶体管管芯内的第一晶体管，并且其中所述第一晶体管包括第一漏极端子；

联接到所述安装表面的第二功率晶体管管芯，其中所述第二功率晶体管管芯包括集成于所述第二功率晶体管管芯内的第二晶体管，并且其中所述第二晶体管包括第二漏极端子；和

阻抗反相器线组合件，所述阻抗反相器线组合件电连接在第一输出端子与第二输出端子之间，其中所述阻抗反相器线组合件包括串联连接在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间的第一传输线和表面安装组件，

所述第一输出端子对应于具有第一漏极-源极电容的第一功率晶体管的第一本征漏极，所述第二输出端子对应于具有第二漏极-源极电容的第二功率晶体管的第二本征漏极，并且所述阻抗反相器线组合件和所述第一漏极-源极电容和所述第二漏极-源极电容提供在所述第一本征漏极到所述第二本征漏极之间的阻抗反相和90度相位差。

8.一种容纳多尔蒂放大器的至少一部分的模块，其特征在于，所述模块包括：

具有安装表面的第一基板；

连接至所述安装表面的载波放大器管芯，其中所述载波放大器管芯包括集成于所述载波放大器管芯内的第一晶体管，并且其中所述第一晶体管包括第一漏极端子；

连接至所述安装表面的峰值放大器管芯，其中所述峰值放大器管芯包括集成于所述峰值放大器管芯内的第二晶体管，并且其中所述第二晶体管包括第二漏极端子；和

阻抗反相器线组合件，所述阻抗反相器线组合件电连接在第一输出端子与第二输出端子之间，其中所述阻抗反相器线组合件包括在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间串联的连接至所述安装表面的第一传输线和连接至所述安装表面的表面安装组件，

所述第一输出端子对应于具有第一漏极-源极电容的第一功率晶体管的第一本征漏极，所述第二输出端子对应于具有第二漏极-源极电容的第二功率晶体管的第二本征漏极，并且所述阻抗反相器线组合件和所述第一漏极-源极电容和所述第二漏极-源极电容提供在所述第一本征漏极到所述第二本征漏极之间的阻抗反相和90度相位差。