CN109814343A - 用于将显像剂分配至基板上的分配头 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂。分配头还包括设置于壳体上的至少一液体出口。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向喷洒显像剂，其中分配方向倾斜于基板的一法线方向且垂直于长形区域的一长轴方向。

Description

用于将显像剂分配至基板上的分配头

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种用于分配显像剂的分配头(dispensing head)。

背景技术

半导体集成电路(semiconductor integrated circuits)产业经历了指数级的成长。在集成电路材料以及设计上的技术进步下，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每一芯片区域内互连元件的数目)通常会增加，而几何尺寸(即，工艺中所能产出的最小元件(或者线))则会缩小。一般而言，此种尺寸缩小的工艺可提供增加生产效率以及降低制造成本的好处。

然而，随着特征尺寸不断减小，工艺实施的难度也变得越来越高。这些工艺包括如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等各种常见的工艺。因此，形成尺寸越来越小的可靠的半导体装置是一大挑战。

发明内容

本公开一些实施例提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，以及至少一液体出口。壳体配置用以接收显像剂。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向(dispensing direction)喷洒显像剂，其中分配方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于长形区域的一长轴方向。

本公开一些实施例提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂，且壳体包括靠近基板的一长形表面。分配头还包括从长形表面延伸的多个喷嘴。喷嘴配置成以倾斜的方式将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上。

本公开一些实施例提供一种用于将显像剂分配至基板上的方法。上述方法包括将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，长形区域沿着一第一方向延伸。特别地，显像剂沿着一第二方向被喷洒，且第二方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于第一方向。上述方法还包括旋转基板以将显像剂散布在基板上。

附图说明

图1显示根据一些实施例的一显像剂分配设备的示意图。

图2显示图1中的分配头的放大图，其中分配头中的结构及/或构件被描绘成虚线。

图3显示另一视角的图1中的分配头的放大图，其中分配头中的结构及/或构件被描绘成虚线。

图4A示意性地示出图1中的分配头以倾斜的方式将显像剂喷洒在基板上。

图4B示意性地示出显像剂的分配方向垂直于基板上的分配区域的长轴方向。

图5示意性地示出根据一些实施例的一分配头中的结构及/或构件。

图6示意性地示出根据一些实施例的一分配头中的结构及/或构件。

图7示意性地示出根据一些实施例的一分配头中的结构及/或构件。

图8显示根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法的流程图。

图9示意性地示出根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法的一中间阶段。

图10示意性地示出根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法的一中间阶段。

其中，附图标记说明如下：

1～显像剂分配设备；

2～基板；

10～基板台；

10A～转轴；

11～储存单元；

12～显像剂；

13～泵；

14～过滤器；

15～阀；

16～导管；

17、17'、17″、17″′～分配头；

18～壳体；

18A～上壳体部分；

18B～下壳体部分；

184～倾斜表面；

19A～第一液体导管；

19B～第二液体导管；

191～液体入口；

192～液体出口；

192'～长形液体出口；

193～液体入口；

194～液体出口；

20～液体整流器；

21～喷嘴；

22～储液槽；

23～控制阀；

80～方法；

81、82、83～操作；

D～线性方向；

L～长轴；

N～法线方向；

R～长形区域；

S～分配方向；

T～长度；

HV～水平流动速度；

α～角度。

具体实施方式

以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含第一特征与第二特征是直接接触的实施例，也可能包含了有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下公开不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。为了简单和清楚起见，各种特征可能以不同比例任意绘制。

本公开中所描述的先进光刻工艺、方法和材料可用于许多应用，包括鳍式场效晶体管(fin-type field effect transistors(FinFETs))。举例来说，本文的公开内容非常适合用于将鳍片图案化以在特征之间产生相对紧密的间隔。另外，在形成FinFETs的鳍片所使用的间隔物也可以根据本文的公开内容来处理。

此外，空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为是了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在图式中绘示的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。

图1显示根据一些实施例用于在光刻工艺中执行一光致抗蚀剂显像步骤的一显像剂分配设备1的示意图。在光致抗蚀剂显像步骤中，显像剂分配设备1将一显像剂(溶液)分配至一基板2上，以溶解在光刻工艺中的一光掩模(mask或reticle)曝光步骤中所形成的光致抗蚀剂层(图未示)的可溶区域。

光致抗蚀剂层可为负光致抗蚀剂或正光致抗蚀剂。在负光致抗蚀剂的情况下，基板2上的光致抗蚀剂层的可溶、未曝光区域可被显像剂溶解，而不溶、交联的(cross-linked)曝光区域则保持电路图案的形式。在正光致抗蚀剂的情况下，基板2上的光致抗蚀剂层的可溶、曝光区域可被显像剂溶解，而不溶、未曝光区域则保持电路图案的形式。

基板2可为由硅或其他半导体材料所制成的一半导体晶片。可替换地(alternatively)或附加地(additionally)，基板2可能包括其他基本半导体材料，例如锗(Ge)。在一些实施例中，基板2由复合半导体所制成，例如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)、或磷化铟(InP)。在一些实施例中，基板2由合金半导体所制成，例如硅锗(SiGe)、硅锗碳(SiGeC)、磷砷化镓(GaAsP)、或磷化铟镓(GaInP)。在一些实施例中，基板2包括一外延层(epitaxial layer)。举例来说，基板2具有覆盖一体型半导体(bulk semiconductor)的外延层。在一些其他实施利中，基板2为一绝缘体上覆硅(silicon-on-insulator(SOI))或一绝缘体上覆锗(germanium-on-insulator(GOI))基板。

请参照图1，在一些实施例中，显像剂分配设备1包括一基板台10、一储存单元11、一泵13、一过滤器14、一阀15、一导管16、及一分配头17。应了解的是，一些附加元件可以加入显像剂分配设备1中，并且在显像剂分配设备1的其他实施例中可以替换或消除以下所述的一些元件。

在一些实施例中，基板台10配置用以在光致抗蚀剂显像步骤中保持、定位、移动、及以其他方式操作基板2。基板台10是相对于分配头17定位，以允许来自分配头17的一显像剂12(将在下面进一步说明)被喷洒在放置在基板台10上的基板2上。在一些实施例中，基板2通过例如真空夹持或静电吸盘夹持的夹持机构(图未示)固定在基板台10上。在一些实施例中，基板台10也可由一驱动机构(图未示)驱动以移动基板2(例如，沿着图中的Z轴方向)及/或旋转基板2(例如，绕着基板台10的一转轴10A)。

在一些实施例中，显像剂12储存在储存单元11中。储存单元11可具有相对较大的容量，并可用于在显像剂12被喷洒在基板2上之前将显像剂12储存一相对较长的时间。显像剂12可为正型显像剂(positive tone developer(PTD))或负型显像剂(negative tonedeveloper(NTD))。正型显像剂用于选择性地溶解及移除基板2上的光致抗蚀剂层的曝光区域。在一些实施例中，正型显像剂为一含水碱性显像剂，例如含水的四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide(TMAH))等。负型显像剂用于选择性地溶解及移除基板2上的光致抗蚀剂层的未曝光区域。在一些实施例中，负型显像剂包含有机溶剂，例如乙酸正丁酯(n-butyl acetate(NBA))等。在一些其他实施例中，显像剂12包含去离子水。

在一些实施例中，显像剂分配设备1还包括用于储存显像剂12的多个储存单元11。每个储存单元11中的显像剂12可为相同类型或不同类型的显像剂。另外，储存单元11也可以是相同类型或不同类型。在一些实施例中，导管16配置用以流体地连接储存单元11与分配头17。

在一些实施例中，泵13设置于导管16中，并配置用以接收来自储存单元11的显像剂12及将显像剂12泵送至分配头17，进而将显像剂12喷洒在基板2上。泵13可由一马达(图未示)驱动并可为各种传统的泵，使得一预定量的显像剂12可通过分配头17推送至基板2上。

在一些实施例中，阀15设置于导管16中并位于泵13与分配头17之间。阀15配置用以调节显像剂12从泵13至分配头17的流动。在一些实施例中，显像剂分配设备1还包括配置用以控制阀15的操作的一控制单元(例如，一主计算机(图未示))。在一些实施例中，显像剂分配设备1还包括位于导管16中的一感测器(图未示)。感测器可以感测通过阀15的显像剂12的流量。如果发生显像剂12溢流(overflow)至基板2时，感测器可向控制单元发出一信号，通过关闭阀15来阻止显像剂12继续喷洒在基板2上。

在一些实施例中，过滤器14设置于导管16中，并配置用以从显像剂12中过滤不需要的颗粒。过滤器14可以布置在导管16中的任何位置。在一些实施例中，过滤器14位于泵13与阀15之间，且显像剂12被泵13加压送至过滤器14。在被过滤之后，显像剂12经由阀15和导管16送至分配头17。

在一些实施例中，分配头17连接至导管16的一端，用以将来自储存单元11的显像剂12供应至基板2上。在一些实施例中，分配头17可通过一驱动机构(例如，一马达(图未示))在一静止/休息位置与一分配位置之间移动。如图1中所示，在分配位置时，分配头17处于静态状态(即，在将显像剂12喷洒在基板2上时，分配头17不会水平地移动以改变其分配区域)并将显像剂12喷洒在基板2的一中心区域上。在一些实施例中，分配头17还通过另一驱动机构(例如，一汽缸(图未示))被降低(例如，沿着图中的Z轴方向)至分配位置，然后再将显像剂12喷洒在基板2上。在光致抗蚀剂显像步骤之前或之后，分配头17停留(rests)在远离基板2的静止位置。

图2及图3显示不同视角的图1中的分配头17的放大图，其中分配头17中的结构及/或构件被描绘成虚线。分配头17包括一壳体18，配置用以接收来自导管16(图1)的显像剂12。在一些实施例中，壳体18具有设置于其中的一第一液体导管19A。第一液体导管19A具有位于壳体18的上侧上的一液体入口191，用于接收来自导管16的显像剂12。在一些实施例中，第一液体导管19A是由聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene(PTFE))或PFA塑料(Polyfluoroalkoxy(PFA))等制成的管道。

在一些实施例中，壳体18还具有设置于其中的多个第二液体导管19B。如图2中所示，根据某些实施例，壳体18中设置有五个第二液体导管19B。在一些其他实施例中，第二液体导管19B的数量可以是两个、三个、四个、或多于五个。每个第二液体导管19B具有位于壳体18的下侧上的一液体出口192，用于将显像剂12喷洒在基板2(图1)上。在一些实施例中，每个第二液体导管19B是包括与第一液体导管19A相同材料或不同材料的管道。

在一些实施例中，壳体18还具有设置于第一液体导管19A与多个第二液体导管19B之间并将第一液体导管19A与第二液体导管19B互连的一液体整流器(rectifier)20。第一液体导管19A中的显像剂12经由液体整流器20均匀地分布至多个第二液体导管19B中。在一些实施例中，液体整流器20可为各种传统的液体整流器，其能够将液体从一个管道均匀地引导至多个管道。

在一些实施例中，壳体18具有一上壳体部分18A及一下壳体部分18B。上壳体部分18A与下壳体部分18B可以独立制造，然后通过例如锁合机构(例如，螺钉与螺纹凹槽)组合在一起。或者，上壳体部分18A与下壳体部分18B可以一体成型。上壳体部分18A与下壳体部分18B可包括金属(例如，不锈钢)或其他合适的材料。

在一些实施例中，第一液体导管19A设置于上壳体部分18A中，并大致上沿着垂直方向(例如，图中的Z轴方向及如图4A中所示基板2的法线方向N)布置。在此实施例中，第一液体导管19A的液体入口191可连接至上壳体部分18A的上侧。

在一些实施例中，第二液体导管19B设置于下壳体部分18B中。每个第二液体导管19B可以被弯曲，并具有位于下壳体部分18B的上侧上的一液体入口193及位于下壳体部分18B的靠近基板2的一倾斜表面184上的一液体出口192。

在一些实施例中，倾斜表面184是一长形表面(例如，一长矩形表面)，其具有沿着一水平方向(例如，图中的X轴方向及如图1中所示从基板2的中心至边缘的一线性方向D)延伸的一长轴L。液体出口192可沿着倾斜表面184的长轴L排列成一排(要说明的是，多个液体出口192是相应地位在多个喷嘴21的后面(此将在下面进行描述)，因而不会显示于图2中)。在一些实施例中，液体出口192以等间隔排列并相互分开。另外，液体出口192可具有相同的形状及/或尺寸。

在一些实施例中，如图4A中所示，倾斜表面184被布置成使得倾斜表面184与基板2的法线方向N之间形成一角度α(例如，约30度至约60度)。角度α可影响显像剂(从液体出口192或喷嘴21)至基板2上的水平流动速度(horizontal flowing velocity)HV及显像剂在基板2上的散布速率(spreading rate)。举例来说，当角度α在约30度至约60度的范围内时，显像剂可以迅速地散布在基板2上，并与基板2上的光致抗蚀剂具有适当的反应时间。然而，当角度α大于约60度时，显像剂将以接近垂直方式分配至基板2上而不能迅速地散布在基板2上，导致显像剂与在基板2的中心区域与边缘区域的光致抗蚀剂的反应时间不同。另一方面，当角度α小于约30度时，显像剂将快速地流过基板2，使得显像剂与基板2上的光致抗蚀剂的反应时间不足。

在一些实施例中，如图3中所示，液体整流器20设置于下壳体部分18B的顶部，并连接第一液体导管19A的一液体出口194与第二液体导管19B的液体入口193。在一些实施例中，在液体整流器20、第一液体导管19A与第二液体导管19B之间的接合处设置有由橡胶或类似材料制成的O形环，以避免显像剂12泄漏。

在一些实施例中，分配头17还包括多个喷嘴21，设置于下壳体部分18B的倾斜表面184上并连接至液体出口192(即，喷嘴21的数量对应于液体出口192的数量)。喷嘴21从倾斜表面184朝着显像剂12的一预定的分配方向S延伸。在一些实施例中，在倾斜表面184与分配方向S之间形成一大于0度的角度。例如，分配方向S可垂直于倾斜表面184。

喷嘴21配置用以调节从分配头17的液体出口192喷洒的显像剂12的压力或流速。在一些例示性实施例中，喷嘴21以等间隔(例如，约6mm)排列并对应于液体出口192。另外，喷嘴21的喷嘴孔(图未示)可具有相同的形状(例如，圆形)及尺寸(例如，约1.3mm至约1.8mm)。在一些例示性实施例中，分配头17通过喷嘴21同时并以相同速度喷洒显像剂12(例如，约150ml/min至约300ml/min)。在分配头17的一些实施例中，喷嘴21也可被省略，并且第二液体导管19B的液体出口192均设计成具有喷嘴结构。

借由上述布置，分配头17可以通过液体出口192或喷嘴21同时(即，在一次分配时)将显像剂12喷洒在基板2上的一长形区域R(参照图9)上，其中长形区域R包括沿着基板2的一线性方向D的多个裸片(dies)。需要了解的是，与现有的分配头(其在一次分配时的显像剂量是覆盖约一个裸片尺寸的分配区域)相比，使用分配头17在一次分配时的分配区域可以增加。再者，如图4A中所示，分配头17沿着相对于基板2的法线方向N呈倾斜的一分配方向S(也垂直于长形区域R的长轴方向，如图4B中所示)将显像剂12喷洒在基板2上，如此也使得显像剂12可以由于水平流动速度HV而迅速地散布在基板2上，并仍然与基板2上的光致抗蚀剂具有足够的反应时间。因此，在光致抗蚀剂显像步骤中使用分配头17可以改善(即，减小)临界尺寸均匀性(critical dimension uniformity(CDU))及临界尺寸范围(在基板2上的裸片内或多个裸片之间)。结果，光刻工艺的制造良率也得到改善。

应了解的是，还可以对本公开的实施例做出许多变化和修改。

图5示意性地示出根据一些其他实施例的一分配头17'中的结构及/或构件。分配头17'与上述的分配头17不同在于，有一储液槽(tank)22设置于第一液体导管19A与第二液体导管19B之间(例如，形成于上壳体部分18A中，且第2及3图中的液体整流器20被省略)并将第一液体导管19A与第二液体导管19B互连，以及有多个控制阀23相应地/分别地设置于第二液体导管19B中。在一些实施例中，当显像剂12通过第一液体导管19A最初注入到储液槽22中时，控制阀23(例如，气动阀)阻止储液槽22中的显像剂12进入第二液体导管19B。当储液槽22充满显像剂12时，控制阀23接收来自一感测器(例如，一液面感测器(图未示))的信号，并且允许储液槽22与第二液体导管19B之间的连通，使得显像剂12可以通过液体出口192或喷嘴21同时推出至基板2。储液槽22能够提供缓冲及稳定流入第二液体导管19B的显像剂的流量的功能。

图6示意性地示出根据一些其他实施例的一分配头17″中的结构及/或构件。分配头17″与上述的分配头17'(图5)不同在于，设置有一长形开口(即，一长形液体出口192')以取代第2及3图中的液体出口192和喷嘴21。长形液体出口192'沿着倾斜表面184的长轴L延伸。在一些实施例中，长形液体出口192'的长度T决定在基板2上的分配区域(例如，长形区域R)。另外，如图6中所示，长形液体出口192'经由一第二液体导管19B连接至储液槽22，以及有一控制阀23设置于第二液体导管19B中并以与上述类似的方式控制储液槽22与第二液体导管19B之间的连通。

图7示意性地示出根据一些其他实施例的一分配头17″′中的结构及/或构件。分配头17″′与上述的分配头17(第2及3图)不同在于，有多个第一液体导管19A设置于上壳体部分18A中以直接连接下壳体部分18B中的第二液体导管19B，且第2及3图中的液体整流器20被省略。为了配合分配头17″′，显像剂分配设备1的导管16(图1)可以分成多个分支来分别连接第一液体导管19A，且在分支中流动的显像剂12可具有相同的流量。

第5至7图中所示分配头17'、17″和17″′的实施例也可以通过液体出口192或喷嘴21同时将显像剂12喷洒在基板2上的一长形区域R(图9)上，且显像剂12以倾斜的方式被喷洒在基板2上(类似于第1至4B图中所示分配头17的实施例)。

图8显示根据一些实施例的一用于将显像剂分配至基板上的方法80的流程图。为了说明，流程图将与第9至10图中所示的示意图一起描述。以下所述的一些操作在不同实施例中可以被替换或消除。或者，可以在不同实施例中增加一些操作。方法80包括多个操作81、82和83。

在操作81中，一显像剂12(图1)经由一分配头(例如，第1至4图中所示的分配头17)分配在基板2上。在一些实施例中，如图9中所示，显像剂12基本上被喷洒在基板2上的中心区域。在一些实施例中，分配头17通过液体出口192或喷嘴21将显像剂12喷洒在基板2上的一长形区域R上。长形区域R沿着基板2的一线性方向D(第一方向)延伸并包括沿着线性方向D的多个裸片。另外，长形区域R位在远离基板2的边缘的位置。在一些实施例中，在将显像剂12喷洒在基板2上的操作中，显像剂12喷洒在基板2上的一固定的长形区域R上，也就是说，在分配头17将显像剂12喷洒在基板2上的同时，其不会进行移动以改变显像剂12的分配区域。然而，在一些实施例中，长形区域R(即，分配头17的分配区域)也可能改变。

在一些实施例中，在将显像剂12喷洒在基板2上的操作中，分配头17更是沿着相对于基板2的法线方向N(图4A)呈倾斜的一分配方向S(也垂直于长形区域R的延伸方向，如图4B中所示)喷洒显像剂12。在一些实施例中，在分配方向S(第二方向)与基板2的法线方向N之间形成约30度至约60度的一角度。在一些实施例中，在经由分配头17的喷嘴21将显像剂12喷洒在基板2上的操作中，显像剂12的喷洒速度为约150ml/min至约300ml/min。在一些实施例中，在将显像剂12喷洒在基板2上的操作中，显像剂12连续或间断地喷洒在基板2上的长形区域R上。

在操作82中，旋转基板2以将显像剂12散布在基板2上。在一些实施例中，如图10所示，显像剂12从基板2的中心区域径向地向外散布，直到整个基板2被显像剂12所覆盖。在旋转基板2的操作中，多余的显像剂12被甩出旋转的基板2。在一些实施例中，在旋转基板2的操作中，基板2由基板台10以可变的速度旋转。举例来说，在旋转基板2的操作中，基板2的旋转速度可以逐渐增加然后逐渐减小。在一些实施例中，在旋转基板2的操作中，基板2由基板台10以约200转/分钟(revolutions per minute(rpm))至约2500转/分钟的速度旋转。在一些实施例中，同时进行将显像剂12喷洒在基板2上的操作及旋转基板2的操作。在一些实施例中，在将显像剂12喷洒在基板2上的操作之前、期间和之后进行旋转基板2的操作。

在操作83中，当显像剂12分布在整个基板2上，停止将显像剂12喷洒在基板2上及停止旋转基板2。

根据本公开一些实施例，通过上述的分配头，可将光致抗蚀剂显像剂以倾斜的方式喷洒在基板上包括多个裸片的一长形区域上，使得显像剂可以通过基板的旋转快速地散布在整个基板(包括中心区域及边缘区域)上。由此，显像剂与整个基板(包括中心区域及边缘区域)的接触时间(即，显像时间)更加一致。结果，光致抗蚀剂显像步骤中(在基板上的裸片内或多个裸片之间)的临界尺寸均匀性(CDU)及临界尺寸范围可因此被改善(即，减小)。此外，光刻工艺的制造良率也得到改善。

根据一些实施例，提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂。分配头还包括设置于壳体上的至少一液体出口。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向喷洒显像剂，其中分配方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于长形区域的一长轴方向。

根据一些实施例，壳体包括一倾斜表面，且液体出口位于倾斜表面上。

根据一些实施例，倾斜表面是具有一长轴的长形表面，长轴沿着从基板的中心至边缘的一线性方向延伸。

根据一些实施例，液体出口是沿着倾斜表面的长轴延伸的一长形开口。

根据一些实施例，分配头还包括额外的液体出口，上述液体出口及额外的液体出口形成于倾斜表面上且沿着倾斜表面的长轴排列成一排。

根据一些实施例，液体出口以等间隔排列。

根据一些实施例，分配头还包括一第一液体导管、多个第二液体导管及一液体整流器。第一液体导管设置于壳体中以接收显像剂。第二液体导管设置于壳体中并定义液体出口。液体整流器将第一液体导管与第二液体导管互连。

根据一些实施例，分配头还包括一第一液体导管、多个第二液体导管、一储液槽及多个阀。第一液体导管设置于壳体中以接收显像剂。第二液体导管设置于壳体中并定义液体出口。储液槽将第一液体导管与第二液体导管互连。阀相应地/分别地设置于第二液体导管中。

根据一些实施例，分配头还包括连接至液体出口且沿着分配方向从倾斜表面延伸的至少一喷嘴。

根据一些实施例，倾斜表面与分配方向之间形成大于0度的角度。

根据一些实施例，提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂，且壳体包括靠近基板的一长形表面。分配头还包括从长形表面延伸的多个喷嘴。喷嘴配置成以倾斜的方式将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上。

根据一些实施例，喷嘴配置用以沿着一分配方向将显像剂喷洒在基板上，且分配方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于长形区域的一长轴方向。

根据一些实施例，喷嘴沿着长形表面的一长轴以等间隔排列。

根据一些实施例，喷嘴具有相同的形状及尺寸。

根据一些实施例，提供一种用于将显像剂分配至基板上的方法。上述方法包括将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，长形区域沿着一第一方向延伸。特别地，显像剂沿着一第二方向被喷洒，且第二方向相对于基板的一法线方向呈倾斜且垂直于第一方向。上述方法还包括旋转基板以将显像剂散布在基板上。

根据一些实施例，长形区域包括沿着基板的一线性方向的多个裸片，并位在远离基板的边缘的位置。

根据一些实施例，在将显像剂喷洒在基板上的操作中，显像剂喷洒在基板上的一固定的长形区域上。

根据一些实施例，在将显像剂喷洒在基板上的操作中，显像剂连续或间断地喷洒在基板上的长形区域上。

根据一些实施例，在旋转基板的操作中，基板以可变的速度旋转。

根据一些实施例，同时进行将显像剂喷洒在基板上的操作及旋转基板的操作。

以上虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，对本公开可作出各种变化、替代和修改。例如，本领域技术人员将容易理解的是，本文叙述的许多特征、功能、工艺及材料可被改变，而仍然在本公开的范围内。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域技术人员将容易地从本公开中理解，根据本公开，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与在本公开所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括它们的范围内。此外，每一个权利要求构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本公开的范围内。

Claims (1)

1.一种用于将一显像剂分配至一基板上的分配头，其特征在于，包括：

一壳体，配置用以接收所述显像剂；以及

至少一液体出口，设置于所述壳体上，其中所述液体出口配置用以将所述显像剂喷洒在所述基板上的一长形区域上，且所述液体出口配置用以沿着一分配方向喷洒所述显像剂，所述分配方向相对于所述基板的一法线方向呈倾斜且垂直于所述长形区域的一长轴方向。