CN109811308A - 一种ito导电膜制作工艺 - Google Patents

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张磊
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Abstract

本发明公开一种ITO导电膜制作工艺，包括以下制作步骤：步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍,步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空,步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温,步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光,步骤五：沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温,步骤六：冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜,步骤七：将ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。

Description

一种ITO导电膜制作工艺
技术领域
本发明涉及一种ITO领域，具体是一种ITO导电膜制作工艺。
背景技术
ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。近年来，随着半导体制造技术的突飞猛进，诸如光电池、平面显示器、LED照明、触摸屏等新器件迅速发展起来并大量运用到我们的日常生活中。这些新器件都要用到透明导电膜作为受光面或者是发光面电极。在常规的透明导电膜里，ITO(氧化铟锡混合物)膜是最常用，也是性能最好的一种。针对这种情况，现提出一种ITO导电膜制作工艺，ITO层与树脂基体之间的结合力强的效果，产品的透过率高、电阻率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种ITO导电膜制作工艺，ITO层与树脂基体之间的结合力强的效果，产品的透过率高、电阻率低，生产过程中基材进行彻底的清洁和抛光，提高了附着性能，同时也提高了薄膜的使用寿命。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种ITO导电膜制作工艺，包括以下制作步骤：
步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍。
步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空。
步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温。
步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光。
步骤五：将步骤四沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温。
步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜。
步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。
进一步地，所述基材厚度30μm～200μm，基材的可见光透过率为93％以上，基材为树脂基体。
进一步地，所述第一ITO层镀层表面表面粗糙度不高于2.5nm。
进一步地，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5％的氧化铟和重量百分含量为5.5％的氧化锡组成。
进一步地，所述磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压160～170V，磁场强度1100G～1450G，工艺气体采用氩气与氧气混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2.5:1.2。
进一步地，所述ITO导电膜检测数据符合以下标准：面电阻：200～250Ω/m 2，面电阻均匀性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光线透过率：≥93％，表面硬度(铅笔硬度)：≥3H。
本发明的有益效果：
1、本发明ITO层与树脂基体之间的结合力强的效果，产品的透过率高、电阻率低。
2、本发明生产过程中基材进行彻底的清洁和抛光，提高了附着性能，同时也提高了薄膜的使用寿命。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
一种ITO导电膜制作工艺，包括以下制作步骤：
步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍，基材厚度30μm～200μm，基材的可见光透过率为93％以上，基材为树脂基体。
步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空。
步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温。
步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光，第一ITO层镀层表面表面粗糙度不高于2.5nm。
步骤五：将步骤四沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜；
步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。
磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5％的氧化铟和重量百分含量为5.5％的氧化锡组成。
所述磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压160～170V，磁场强度1100G～1450G，工艺气体采用氩气与氧气混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2.5:1.2。
对生产的ITO导电膜检测数据符合以下标准：面电阻：200～250Ω/m2，面电阻均匀性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光线透过率：≥93％，表面硬度(铅笔硬度)：≥3H。
实施例1
使用以下制作步骤一种ITO导电膜制作工艺：
步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍，基材厚度30μm～200μm，基材的可见光透过率为93％以上，基材为树脂基体。
步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空。
步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温。
步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光，第一ITO层镀层表面表面粗糙度不高于2.5nm。
步骤五：将步骤四沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜；
步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。
磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5％的氧化铟和重量百分含量为5.5％的氧化锡组成。
所述磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压160～170V，磁场强度1100G～1450G，工艺气体采用氩气与氧气混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2.5:1.2。
对生产的ITO导电膜检测数据，ITO导电膜面电阻：235Ω/m2，面电阻均匀性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光线透过率＝93％，表面硬度(铅笔硬度)＝3H。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (6)

1.一种I TO导电膜制作工艺，其特征在于，包括以下制作步骤：
步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍；
步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空；
步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一I TO层后，冷却至室温；
步骤四：对第一I TO层镀层表面进行抛光；
步骤五：将步骤四沉积第一I TO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜；
步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。
2.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述基材厚度30μm～200μm，基材的可见光透过率为93％以上，基材为树脂基体。
3.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述第一ITO层镀层表面表面粗糙度不高于2.5nm。
4.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5％的氧化铟和重量百分含量为5.5％的氧化锡组成。
5.根据权利要求1所述的一种ITO导电膜制作工艺,其特征在于，所述磁控溅射时采用直流/射频电源，溅射电压160～170V，磁场强度1100G～1450G，工艺气体采用氩气与氧气混合气体，混合气体中氩气：氧气的体积比为2.5:1.2。
6.根据权利要求1所述的一种I TO导电膜制作工艺,其特征在于，所述ITO导电膜检测数据符合以下标准：面电阻：200～250Ω/m2，面电阻均匀性：MD≤±3％，TD≤±5％，全光线透过率：≥93％，表面硬度(铅笔硬度)：≥3H。
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