CN109786392A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种显示设备及其制造方法，及一种电子产品，显示设备的制造方法包括如下步骤：提供一起始硅层；在所述起始硅层的上表面加工出多孔硅层；在所述多孔硅层上生长硅外延层；在所述硅外延层上生成所述显示设备的主动型显示器件。该显示设备的制造方法对现有设备的改造成本低，能够生产出高性能的大尺寸的硅基板显示设备，并且能够进一步提升显示设备性能，还可以有效降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备制造领域，具体涉及一种显示设备及其制造方法。
背景技术
平板显示是，相对使用阴极射线管等显示技术来说，没有投射距离的一种比较理想的显示技术。由于它多采用矩阵控制，所以又叫做矩阵控制平板显示或简称为矩阵显示。它所控制的显示材料有：场致发光材料、发光二极管、等离子、液晶等。平板显示技术按是否具有背板晶体管驱动电路，分为有背板驱动的主动式和无背板驱动的被动式。常见的主流背板技术为生长在玻璃、有机薄膜或者不锈钢等材料上的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor)，即TFT技术。
为了获得性能更为出色的背板驱动，在硅片上生长晶体管的硅上型微显示技术也非常常见，即(Micro)Display On Si。相比生长在玻璃、有机薄膜等材料上的薄膜晶体管，硅基背板可以获得更好的晶体管器件，以达到更高的驱动电流。而硅上型又以CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)为主流，如OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)on CMOS。但是目前主流的用于集成电路芯片如CMOS的生产设备只能生产8英寸(200mm)或者12英寸(300mm)的圆形硅片，18英寸(450mm)尚在研发之中。这些尺寸的圆形硅片比较适合切割获得面积较小的(微)显示器，如果要切割大尺寸的手机面板，则切割成方形的显示面板后，圆形硅片的面积损耗极大。受制于当前集成电路设备的8英寸(200mm)或者12英寸(300mm)的圆形硅片尺寸限制，目前的硅上型显示技术无法提供对角线长度大于12英寸的显示面板。这也是硅上型显示技术多数用于显示面积较目前手机屏幕更小的面积的显示应用上，比如对角线尺寸为1寸至3寸的虚拟现实或者增强现实头戴式显示器的应用，因此硅上型显示技术常常被称为微显示技术。并且，用于集成电路芯片如CMOS生产设备的单位面积设备成本相比相同工艺步骤的TFT平板制造设备，要高出很多。但是，集成电路生产设备的工艺性能指标，通常要远高于相同工艺步骤的TFT平板制造设备的工艺性能指标。
相对的，传统的显示基板生产线以玻璃基板为主，生产线的代按照长方形玻璃基板的尺寸划分，如图1所示，各代玻璃基板尺寸(mm)大致对应的产品尺寸为：1代线320*400mm，2代线370*470mm，3代线550*650mm，4代线680*880mm，4.5代线730*920mm，5代线1100*1300mm，6代线1500*1850mm，7代线1950*2250mm，8代线2200*2500mm，10代线2880*3130mm，11代线3000*3320mm。使用较大的玻璃基板可以获得更大面积的平板显示器件，更低的单位设备投资比，同时获得更高的切割率，从而获得低成本的大屏平板显示器。但是，传统平板显示制造设备无法获得高性能的显示背板。
可以看出，目前的硅上型显示技术无法提供对角线长度大于12英寸的显示面板，而且其工艺成本昂贵，而传统的显示基本技术又无法生产高性能的显示背板。
发明内容
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示设备及其制造方法。本发明的技术方案，通过硅外延生长技术与玻璃显示基板生产技术，实现了大尺寸的硅上型显示设备的生产，并且本发明的技术方案通过对硅材料的重复利用，有效的降低了显示设备的生产成本。
第一方面，本发明实施例的显示设备的制造方法包括如下步骤：提供一起始硅层；在所述起始硅层的上表面加工出多孔硅层；在所述多孔硅层上生长硅外延层；在所述硅外延层上生成所述显示设备的主动型显示器件。
可选地，本发明实施例的显示设备的制造方法还包括，在所述主动型显示器件生成前，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
可选地，本发明实施例的显示设备的制造方法还包括，在所述主动型显示器件生成后，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
可选地，通过激光照射所述多孔硅层并辅助机械剥离技术，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
可选地，在剥离后的所述硅外延层的残留有多孔硅的一面上进行镀膜处理。
可选地，在剥离后的所述硅外延层的残留有多孔硅的一面，和所述主动型显示器件的上表面同时进行镀膜处理。
可选地，所述硅外延层为单晶硅。
可选地，所述起始硅层是单晶硅硅片。
可选地，所述镀膜为二氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜，或者以上三种膜构成的复合三明治结构膜。
可选地，对剥离后的所述起始硅层表面残留的所述多孔硅层进行抛光。
可选地，通过对剥离后的所述起始硅层表面进行处理，以增加剥离后的所述起始硅层的厚度。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示设备，该显示设备包括：硅基底和主动型显示器件，其中，该硅基底为一硅外延层，该硅外延层生长在一多孔硅层上，该多孔硅层通过加工一起始硅层的上表面而获得；和该主动型显示器件生长在该硅基底的表面上，该主动型显示器件包括半导体驱动电路层和生长在该半导体驱动电路层上的显示层。该半导体驱动电路层包括多个CMOS器件或TFT器件。该显示层包括多个有机发光二极管或微二极管。该显示设备通过根据本发明的第一方面的显示设备制造方法获得。
第三方面，本发明实施例还提供一种电子产品，该电子产品包括上述可通过根据本发明实施例的显示设备制造方法获得的显示设备。
基于上述方案，本发明的实施例在显示设备的制造方面，对现有设备的改造成本低，能够生产出高性能的大尺寸的硅基板显示设备，并且能够进一步提升显示设备性能，还可以有效降低生产成本。
附图说明
图1是现有技术1-5代四边形玻璃基板的尺寸以及各代玻璃切割显示面板尺寸的示意图。
图2是根据本发明实施例的显示设备的制造方法的起始硅层和多孔硅层的结构示意图。
图3是根据本发明实施例的显示设备的制造方法的起始硅层、多孔硅层和硅外延层的结构示意图。
图4是根据本发明实施例的显示设备的制造方法的剥离步骤的示意图。
图5A是300mm硅片切割后在生产线的布置示意图。
图5B是450mm硅片切割后在生产线的布置示意图。
图5C是600mm硅片切割后的示意图。
图6是在300mm一种圆形设备摆放7片4.6寸四边形硅基板的布置示意图。
图7是根据本发明实施例的显示设备的制造方法的材料循环利用的示意图。
图8是根据本发明实施例的显示设备的制造方法的背面镀膜处理的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
术语“层”与“膜”在本文中可互换使用。
本发明的第一实施例涉及一种显示设备的制造方法。
具体地，该方法包括以下步骤：
(1)提供一起始硅层。
可以理解，起始硅层可以是，通过在起始材料上面同质或者异质生长一定厚度的外延硅，或将硅通过转移技术转移到起始材料上，或者是用直拉、区熔等手段直接获得的单晶硅硅片。所谓的起始材料可以是单晶硅、多晶硅、氧化铝、碳化硅、氮化硅等的晶体，或者是诸如氧化铝、碳化硅、氮化硅等的陶瓷、石英、玻璃、或金属材料，或者聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)等无机塑料薄膜。
作为一个实例，可以使用诸如平板式外延炉的硅外延设备生成大尺寸的起始硅层。具体来说，通常硅外延设备的用于外延反应的圆盘形石墨基座具有较大的直径，该石墨基座的可以摆放硅片的部分的有效直径一般在150mm至900mm(约36英寸)，而石墨基座的圆周最大直径通常为有效部分直径的1.3倍。常见的石墨基座的直径可以是234mm,266mm,330mm，390mm,460mm、465mm,600mm,686mm,700mm，716mm,736mm和900mm，对设备进一步放大，可以做到1800mm有效直径。将起始材料放置在以上大直径的石墨基座中，根据石墨基座的有效直径，通过外延生长技术可以生长出直径在50mm到900mm或者更大尺寸的单晶的起始硅层。
作为另一个实例，可以根据硅外延设备的石墨基座的尺寸，将直拉、区熔等手段直接获得的单晶硅硅片切割后，在石墨基座内拼接成起始硅层。该起始硅层可以拼成对应与石墨基座的圆形，或对角线长度小于等于石墨基座直径的矩形。使用直拉、区熔等手段直接获得的单晶硅硅片作为起始硅层的优点在于，这样可以在后续生产中获得性能最佳的硅基板。
可选地，在得到起始硅层后，可以对起始硅层进行切割操作。对于在圆柱形石墨基座内生成的起始硅层，可以根据起始硅层的上表面直径和所要生产的显示设备的尺寸规格，将圆形起始硅层切割成一个或多个矩形起始硅层，该矩形起始硅层的对角线长度可以从50mm到1800mm，例如，50mm，100mm，150mm，156mm、200mm、226mm、300mm、330mm、400mm、450mm、460mm、600mm、686mm、716mm、736mm和900mm，乃至更高的1800mm，由石墨基座的有效直径尺寸所决定。此外，对于切割后剩余的弓形区域还可以根据实际需要切割出多个例如供手机使用的4英寸、4.7英寸、5英寸或5.5英寸的起始硅层，从而有效地提高材料使用率，降低成本。较早地将起始硅层切割为较小的矩形，具有显著的优点，例如，切割后，较小的表面积可以降低诸如剥离等后续工艺的难度，较轻的重量可以降低生产过程中自动化搬运操作的难度。
可以理解，当石墨生产工艺能够生产出直径大于900mm的石墨基座时，根据本发明的实施方式的制造方法可以生产更大尺寸的显示设备。
(2)在起始硅层的上表面加工出多孔硅层。
如图2所示，通过离子注入或电化学加工等手段，在起始硅层1上加工出一多孔硅层2。具体地，以电化学加工方式为例，在氢氟酸或者氢氧化钾等强碱性溶液中，以起始硅层1为一个电极，通常是阳极或者正极，施加电流。通过调节合适的电解液配方，合适的电流强度及其他工艺参数可以获得一定孔隙率和深度的多孔结构的多孔硅层2。
(3)在多孔硅层上生长硅外延层。
如图3所示，在外延设备中，通过气相沉积等外延生长技术，在多孔硅层2上生长出硅外延层3。在硅的生长过程中，多孔硅层2上会先生长出一个多孔硅的过渡层，当硅继续生长时，该过渡层会最终消失，之后单晶硅开始生成，当单晶硅达到一定厚度时，该单晶硅层就是硅外延层3。这样，根据起始硅层的直径或对角线的长度，可以获得表面直径或对角线长度为50mm-1800mm，例如，50mm,100mm,156mm、200mm、226mm、300mm、330mm、400mm、450mm、460mm、600mm、686mm、716mm、736mm和900mm或者更大尺寸的硅外延层3。其中，450mm以上的硅外延层3可以作为大尺寸高性能显示设备的硅基板。
(4)在硅外延层上生成显示设备的主动型显示器件。
具体地，以硅外延层3作为新的衬底，放入传统显示面板生产线中生成主动型显示器件。首先，使用光刻等工艺在硅外延层3上生成诸如TFT晶体管或CMOS器件的半导体驱动电路层，其次，在该驱动电路层上制作液晶器件，生长OLED或转移微发光二极管(Micro-LED)。由于多数当TFT和OLED生长设备为前述各高世代基于玻璃基板的显示设备生产线，这些生产线可以加工尺寸远大于硅基板的玻璃基板，因此使用上述生产线可以同时加工多个硅基板，进而有效地降低显示设备的生产成本。
作为一个实例，对于工艺反应腔截面为诸如各世代玻璃基板尺寸的长方形，或者工艺反应腔截面为可以将n乘以m个硅片摆放成长方形的制造设备，如图5A所示，对于上述直径为300mm的圆形硅片，可以切割成200mm x 225mm的矩形硅片6，然后硅片6以如图所示方式排列放置在第4代的基于玻璃基板的显示设备生产线的托盘7中。
作为另一个实例，如图5B所示，对于上述直径为450mm的圆形硅片，可以切割成280mm x 350mm的18英寸的的矩形硅片6’，然后硅片6’以如图所示方式排列放置在第4代的基于玻璃基板的显示设备生产线的托盘7中。
作为另一个实例，对于上述直径为900mm的圆形硅片，可以切割成2x 2枚280mmx350mm的18英寸的矩形硅片6’，然后硅片6’排列放置在第4代的基于玻璃基板的显示设备生产线的托盘7中。
作为另一个实例，如图5C所示，对于上述直径为600mm的圆形硅片，可以切割成370mm x 470mm的24英寸矩形硅片6”。
可以理解，本发明中的显示设备生产线并不局限于第4代线，可以使用目前已有的各代生产线实施本发明的制造方法，在此不作限制。
此外，不仅可以使用如上述第1代到第11代显示设备生产线中的方形工艺设备，同样还可以使用如图6所示的圆形工艺设备。作为一个实例，如图6所示，在圆形托盘7’中排列放置有7个4.6英寸的矩形硅片6”’。即，对于工艺反应腔截面为圆形的制造设备，可以在反应腔内摆放最多数量的长方形硅片。
(5)在主动型显示器件生成后，将硅外延层从多孔硅层上剥离。
如图4所示，剥离操作针对多孔硅层2实施。可选地，可以在惰性气体或者氢气环境中退火以扩大多孔硅层2的孔隙率，从而使多孔结构变得脆弱，易于剥离。之后，可以通过压敏胶黏住器件，蜡，树脂，热熔胶或者其他粘胶剂粘接，真空吸附，静电吸附或者更为直接的机械夹持，侧面楔子***等各种机械剥离手段，分别夹持住多孔硅层2的上面部分和下面部分后施加一定的机械剪切力后将硅外延层3从多孔硅层2上剥离。
可选地，还可以使用激光对多孔硅层2进行剥离。激光可以起到退火加高温剥离的作用，并且使用激光对多孔硅层2剥离所需要的功率远小于直接使用激光对如硅外延层3的单晶硅进行剥离所需要的功率。
具体地，剥离时，可对多孔硅层2使用激光照射，以扩大多孔的孔隙率甚至直接烧蚀多孔结构。作为一个实例，也可以使用激光只对多孔硅层2的边缘部分进行照射，因为通常的激光剥离技术需要对全部剥离面进行扫描并逐点剥离，而由于多孔硅层的结合力已经较弱，可以仅仅将激光从多孔硅层2侧面入射帮助将多孔硅层2的最边缘部分切开，再辅助以上述的机械剥离手段将硅外延层3从多孔硅层2上剥离。
剥离之后，硅外延层3和其上的主动型显示器件构成一个完整的显示设备。
在主动型显示器件生成后，再对多孔硅层2剥离能够显著地提高主动型显示器件的工艺指标和性能水平。因为，当硅基板用于制造解像度高于1000像素点每英寸的高像素密度的显示器件时，光学曝光(光刻)工艺将对硅表面的平坦度提出更高的要求。而剥离操作可能会对硅外延层3表面的平坦度和翘曲度产生影响。
因此，本发明的上述实施例的显示设备的制造方法，例如，使用本方法可以获得能够驱动像素密度为每英寸4000-5000个像素点的高解像度OLED器件的显示设备；而且，利用多批次同时加工工艺降低了生产成本。
本发明的第二实施方式公开了一种显示设备的制造方法。
第二实施方式在第一实施方式的基础上进行了改进，主要改进之处在于：
将硅外延层3从多孔硅层2上剥离后，对剩余的部分多孔硅层2和下方的起始硅层1循环使用。
剥离后，原有起始硅层1表面将残留有一定的多孔硅，如果残留的多孔硅厚度不够或者孔隙率不符合要求，可能导致再次生长外延后无法可靠地实施剥离工艺，则可重新通过电化学腐蚀获得适合厚度和孔隙率的多孔硅层2。
可选地，如果检测到残留的多孔硅表面的平坦度不良，则可能会影响此后的电路器件的曝光制程，在此情况下则需要对此表面进行化学或/和机械抛光处理改善表面平坦度，甚至直至完全除去此多孔硅层，以达到所需的平坦度。
作为一个实例，如图7所示，如原有起始硅层1上用于制作多孔硅层2的材料厚度不够，则可以通过外延生长或者转移单晶硅以补充一定厚度单晶硅层4到起始硅层1。然后对此起始硅层1进行腐蚀，生成多孔硅层2，重复前述实施例的各步骤工艺后，剥离获得显示器件，将剥离得到的多孔硅层2和起始硅层1不断循环往复使用。
该实施方式的其他内容与第一实施方式相同，在此不再赘述。
通过材料的循环利用，可以进一步降低显示设备的生产成本。而且，即便是使用本发明实施例的方法制造300mm(约12英寸)以下对角线屏幕，其经济性也不是直接采用通常的直拉单晶硅片切割后使用可以相提并论的。
本发明的第三实施方式公开了一种显示设备的制造方法。
第三实施方式在第一、二实施方式的基础上进行了改进，主要改进之处在于：
在主动型显示器件生成前，将硅外延层从多孔硅层上剥离。
作为一个实例，可以在在TFT/CMOS驱动或者OLED发光层等显示器件生长前将硅外延层3从多孔硅层2上剥离。通过上述剥离方法剥离后，需要使用蜡，树脂，各种粘胶，真空或者静电等方法，将剥离下的硅外延层3粘接或者吸附在一个金属、陶瓷、玻璃，或石墨等材质载片或者吸盘上，对硅外延层3进行支撑以实现下一步的工艺。
根据本发明第三实施方式的其他内容与第一、二实施方式相同，在此不再赘述。
通过提前剥离的方式，可以同时进行在硅外延层3上生长显示器件，和起始硅层1循环利用的工艺操作，这样可以进一步增加材料的循环利用效率，提高生产效率，降低生产成本。
本发明的第四实施方式公开了一种显示设备的制造方法。
第四实施方式在上述实施方式的基础上进行了改进，主要改进之处在于：
在剥离之后，在剥离后的硅外延层3的残留有多孔硅的一面上进行镀膜处理。
如图8所示，对剥离后的外延层3的残留多孔硅一侧生长薄膜层5进行钝化和绝缘硅处理。薄膜层5可以包括氧化硅膜、氮化硅膜，或者氧化铝膜；也可以是不同厚度的这三种膜的组合叠加。薄膜层5用于钝化和绝缘，以保护多孔硅之上的晶体管驱动元件甚至OLED等显示器件。薄膜层5可以有效提高背板的性能，起到半导体硅片中绝缘硅(Silicon oninsulator，简称SOI)的效果。并且使用该绝缘钝化层，可以降低上述工艺中多孔硅层上所需要生长的硅外延层的厚度。
具体地，可以使用普通热化学沉积，等离子增强化学沉积或者原子层沉积，或者这些不同成膜技术的组合来生长这些膜层5。
可以理解，如果剥离发生在硅外延层3上的显示器件制作完成之后，此时的器件通常已经无法耐受较高的温度。因此，可以使用反应温度较低的原子层化学气相反应沉积或者等离子辅助气相沉积工艺来实现背面的镀膜处理。
根据本发明的第四实施方式的其他内容与前述实施方式相同，在此不再赘述。
可以理解，本实例的镀膜处理，可以在硅外延层3被剥离后，TFT/CMOS器件成长之前立刻进行，也可以选择在TFT/CMOS器件或者OLED等器件生长的任意步骤间进行。
本发明的第五实施方式公开了一种显示设备的制造方法。
第五实施方式在上述实施方式的基础上进行了改进，主要改进之处在于：
在剥离后的硅外延层3的残留有多孔硅的一面，和主动型显示器件的上表面同时进行镀膜处理。
根据本发明第四实施例的镀膜处理可以在上方主动型显示器件制作完成后，同OLED常见的薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)阻水工艺相结合。
具体地，在完成的整个完整的显示设备的正反表面，即硅外延层3下方剥离露出的多孔硅的表面和OLED有机发光结构的表面，通过热化学沉积，等离子增强化学沉积或者原子层沉积同时生长上述薄膜层5。
根据本发明的第五实施方式的其他内容与前述实施方式相同，在此不再赘述。
这样将原先两个不同的步骤生长的薄膜层，在单一工艺中完成，减少了设备和消耗品的投入，大大降低了成本。
进一步地，根据本发明的实施例，还提供一种显示设备，该显示设备包括：硅基底和主动型显示器件，其中，该硅基底为一硅外延层，该硅外延层生长在一多孔硅层上，该多孔硅层通过加工一起始硅层的上表面而获得；和该主动型显示器件生长在该硅基底的表面上，该主动型显示器件包括半导体驱动电路层和生长在该半导体驱动电路层上的显示层。该半导体驱动电路层包括多个CMOS器件或TFT器件。该显示层包括多个有机发光二极管或微二极管。可以理解，该显示设备可通过上述根据本发明的第一至第五实施例的显示设备制造方法获得。
进一步地，根据本发明的实施例，还提供一种电子产品，该电子产品包括上述可通过根据本发明实施例的显示设备制造方法获得的显示设备。
需要说明的是，在本专利的权利要求和说明书中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管本文已公开了各种方面和实施例，但其它方面和实施例对于本领域技术人员而言将是明显的。本文公开的各种方面和实施例是为了说明的目的，而不意在进行限制，真实的范围应当由所附权利要求以及这样的权利要求所被授权的等效物的全部范围指示。还要理解，本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意在进行限制。
因为可以对所描述的示例做出细节上的很多修改、变化和改变，但是意图在于前面的描述和附图中所示的所有事项被解释为说明性的，而不是限制的意思。
Claims (19)
1.一种显示设备的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一起始硅层；
在所述起始硅层的上表面加工出多孔硅层；
在所述多孔硅层上生长硅外延层；
在所述硅外延层上生成所述显示设备的主动型显示器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅外延层的上表面为矩形或者圆形，所述上表面的对应对角线或直径的长度大于等于50mm且小于等于1800mm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述主动型显示器件生成前，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述主动型显示器件生成后，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，通过将所述多孔硅层在氢气中退火并辅助机械剥离技术，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，通过激光照射所述多孔硅层并辅助机械剥离技术，将所述硅外延层从所述多孔硅层上剥离。
7.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，在剥离后的所述硅外延层的残留有多孔硅的一面上进行镀膜处理。
8.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，在剥离后的所述硅外延层的残留有多孔硅的一面，和所述主动型显示器件的上表面同时进行镀膜处理。
9.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述硅外延层为单晶硅。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述起始硅层是单晶硅硅片。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述起始硅层是通过在基底衬底上同质或者异质生长的硅层。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述起始硅层是通过硅转移技术转移到基底衬底上的硅层。
13.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述镀膜为二氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜，或者以上三种膜构成的复合三明治结构膜。
14.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，对剥离后的所述起始硅层表面残留的所述多孔硅层进行抛光。
15.根据权利要求3、4、14任一项所述的方法，其特征在于，通过对剥离后的所述起始硅层表面进行处理，以增加剥离后的所述起始硅层的厚度。
16.一种显示设备，其特征在于，包括：硅基底和主动型显示器件，其中，
所述硅基底为一硅外延层，所述硅外延层生长在一多孔硅层上，所述多孔硅层通过加工一起始硅层的上表面而获得；和
所述主动型显示器件生长在所述硅基底的表面上，所述主动型显示器件包括半导体驱动电路层和生长在所述半导体驱动电路层上的显示层。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其特征在于，所述半导体驱动电路层包括多个CMOS器件或TFT器件。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其特征在于，所述显示层包括多个有机发光二极管或微发光二极管。
19.一种电子产品，其特征在于，包括如权利要求16-18任一项所述的显示设备。
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