CN109786276A - 感测装置及感测方法 - Google Patents
感测装置及感测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109786276A CN109786276A CN201711317771.3A CN201711317771A CN109786276A CN 109786276 A CN109786276 A CN 109786276A CN 201711317771 A CN201711317771 A CN 201711317771A CN 109786276 A CN109786276 A CN 109786276A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensing
- light
- receiver
- sensing device
- magnitude
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明涉及感测装置及感测方法。一种感测方法,使用一包括发光器及接收器的检测装置,先将该发光器朝一目标物发射光线,且以该接收器接收该光线反射的状态得知该目标物的量值大小。
Description
技术领域
本发明关于一种检测制程,尤指一种检测目标物含量是否充足的感测装置及感测方法。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品在型态上趋于轻薄短小,在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。为满足半导体装置的高积集度(Integration)及微型化需求,除传统打线式的半导体封装技术外,亦可通过覆晶方式,以提升布线密度。
如图1所示,现有覆晶式半导体封装件1是将一半导体晶片12以多个焊锡凸块13结合至一封装基板11上,且该些焊锡凸块13上具有助焊剂(flux)14,以利于回焊该焊锡凸块13,进而提升该半导体晶片12与该封装基板11间的电性导通。
然而,现有半导体封装件1于制作该助焊剂14时,并没有侦测该助焊剂14的储存量的检查作业,故往往发生该助焊剂14的储存量不足而未发出警示的情况,以导致于在覆晶封装过程中,部分焊锡凸块13上没有形成助焊剂14,因而造成该半导体晶片12与该封装基板11间的电性不良,导致产品异常的情形。
因此,如何解决现有技术的缺失,实为目前各界亟欲解决的技术问题。
发明内容
为解决上述现有技术的种种问题,本发明遂揭示一种感测装置及感测方法,能提升半导体晶片与封装基板间的电性良率,进而提升产品的可靠度。
本发明的感测装置,包括:发光器,其朝至少一目标物发射光线;以及接收器,其用以接收该光线的反射,并依据该光线的反射状态,得知该目标物的量值大小。
本发明亦揭示一种感测方法,包括:提供一包括一发光器及接收器的检测装置;以及将该发光器朝一目标物发射光线,且以该接收器接收该光线的反射,并依据该光线的反射状态,得知该目标物的量值大小。
前述的感测装置及感测方法中,该发光器为光纤或发光二极体。
前述的感测装置及感测方法中,该接收器为光感测器。
前述的感测装置及感测方法中,当该接收器未接收到该目标物所反射的光线时,表示该目标物的量值达到标准。
前述的感测装置及感测方法中,当该接收器接收到该目标物所反射的光线时,表示该目标物的量值未达标准。
前述的感测装置及感测方法中,还包括警示器,以当该接收器接收到该目标物所反射的光线时,该警示器发出警示讯号。
前述的感测装置及感测方法中,该目标物为助焊剂。
由上可知,本发明的感测装置及感测方法中,通过光感测方式进行目标物量值大小的判断,以得知该目标物的量值状态,故相较于现有技术,当该目标物为助焊剂时,本发明能立即发现该助焊剂的储存量不足而发出警示,以于覆晶封装过程中,避免焊锡凸块上没有助焊剂的问题,因而能提升半导体晶片与封装基板间的电性良率,进而提升产品的可靠度。
附图说明
图1为显示现有半导体封装件的剖面示意图;
图2A至图2B为显示助焊剂的成型制程的侧视示意图;以及
图3A至图3B为显示本发明的检测方法的侧视示意图。
符号说明:
1 半导体封装件
11 封装基板
12 半导体晶片
13 焊锡凸块
14,24 助焊剂
20 承载件
21 成形件
210 容置空间
24a 助焊材料
3 检测装置
30 发光器
31 接收器
32 警示器
A 置放区
L,L1,L2 光线。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供本领域技术人员的了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、及“一”等的用语,也仅为便于叙述的明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当也视为本发明可实施的范畴。
首先,请参阅图2A至图2B,其为助焊剂的成型制程的侧视示意图。
如图2A所示,于一承载件20上设置一具有容置空间210的成形件21,且将助焊材料24a装入该容置空间210中。
于本实施例中,该承载件20具有一置放区A,以供置放电子元件(如图1所示的半导体晶片12)。具体地,该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合等,其中,该主动元件为例如半导体晶片,且该被动元件为例如电阻、电容及电感。
再者,该成形件21为刮环,且该容置空间210与该承载件20的表面连通(即该承载件20的表面外露于该容置空间210),其形状例如为球形或其它适用的形状。
又,该助焊材料24a用以于回焊作业中,提升覆晶制程用的焊锡凸块的结合性。
如图2B所示,移动该成形件21以带动该助焊材料24a配合该容置空间210的形状变形,使该助焊材料24a成为助焊剂24。
于本实施例中,是沿该承载件20的平面方向移动该成形件21,使该助焊剂24呈现如球状的凸块体。
还请配合参阅图3A至图3B,其为显示本发明的检测方法的侧视示意图。本发明的检测方法是使用一检测装置3检测至少一目标物,其中,该检测装置3包括一发光器30及接收器31,且该目标物为该助焊剂24。
所述的发光器30为光纤、发光二极体或其它适用的光源。
所述的接收器31为光感测器或其它适用的讯号接收器。
如图3A所示,将该检测装置3的发光器30朝该成形件21发射光线L,若该助焊剂24的储存量充足(该助焊剂24的体积符合预期)时,该光线L会抵达该助焊剂24,而该助焊剂24会将光线L1反射至别处,使该检测装置3的接收器31无法接收来自该助焊剂24的反射光线L1。因此,该接收器31的接收状态代表该助焊剂24的储存量充足而无需补充。
于本实施例中,该助焊剂24形成球状,使抵达至该助焊剂24的光线L造成散射,而使该接收器31不会接收到反射光线L1。
如图3B所示,若该助焊剂24的储存量过少(该助焊剂24的体积过小)时,来自该发光器30的光线L会抵达该承载件20而不会抵达该助焊剂24,因而该承载件20会将光线L2朝该接收器31反射,使该接收器31会接收来自该承载件20的反射光线L2。因此,该接收器31的接收状态代表该助焊剂24的储存量不足而需补充该助焊剂24。
于本实施例中,该检测装置3可包括一警示器32,例如,警示灯、蜂鸣器、振动器、制程暂停机制或其它适用的的警示机制。当该接收器31的接收状态代表该助焊剂24的储存量不足时,该警示器32会发生警示讯号,以提醒作业员补充该助焊剂24的储存量。
综上所述,本发明的感测装置3及感测方法中,主要通过光感测方式进行该助焊剂24的储存量的判断,以即时侦测该助焊剂24的储存量状态,故相较于现有技术,本发明能立即发现该助焊剂24的储存量不足而发出警示,以于覆晶封装过程中,避免焊锡凸块上没有助焊剂的问题,因而能提升半导体晶片与封装基板间的电性良率,进而提升产品的可靠度。
上述该些实施例仅例示性说明本发明的功效,而非用于限制本发明,任何所属领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述该些实施态样进行修饰与改变。此外,在上述该些实施态样中的元件的数量仅为例示性说明,也非用于限制本发明。因此本发明的权利保护范围,应如后述权利要求书所列。
Claims (14)
1.一种感测装置,其特征在于,该感测装置包括:
发光器,其朝至少一目标物发射光线;以及
接收器,其用以接收该光线的反射,并依据该光线的反射状态,得知该目标物的量值大小。
2.根据权利要求1所述的感测装置,其特征在于,该发光器为光纤或发光二极体。
3.根据权利要求1所述的感测装置,其特征在于,该接收器为光感测器。
4.根据权利要求1所述的感测装置,其特征在于,该接收器未接收到该目标物所反射的光线时,表示该目标物的量值达到标准。
5.根据权利要求1所述的感测装置,其特征在于,该接收器接收到该目标物所反射的光线时,表示该目标物的量值未达标准。
6.根据权利要求1所述的感测装置,其特征在于,该感测装置还包括警示器,以于该接收器接收到该目标物所反射的光线时,该警示器发出警示讯号。
7.根据权利要求1所述的感测装置,其特征在于,该目标物为助焊剂。
8.一种感测方法,其特征在于,该感测方法包括:
提供一包括发光器及接收器的检测装置;以及
将该发光器朝一目标物发射光线,且以该接收器接收该光线的反射,并依据该光线的反射状态,得知该目标物的量值大小。
9.根据权利要求8所述的感测方法,其特征在于,该发光器为光纤或发光二极体。
10.根据权利要求8所述的感测方法,其特征在于,该接收器为光感测器。
11.根据权利要求8所述的感测方法,其特征在于,该接收器未接收到该目标物所反射的光线时,表示该目标物的量值达到标准。
12.根据权利要求8所述的感测方法,其特征在于,该接收器接收到该目标物所反射的光线时,表示该目标物的量值未达标准。
13.根据权利要求8所述的感测方法,其特征在于,该感测方法还包括于该接收器接收到该目标物所反射的光线时,透过一警示器发出警示讯号。
14.根据权利要求8所述的感测方法,其特征在于,该目标物为助焊剂。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106139491A TWI676020B (zh) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | 感測裝置及感測方法 |
TW106139491 | 2017-11-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109786276A true CN109786276A (zh) | 2019-05-21 |
CN109786276B CN109786276B (zh) | 2020-11-03 |
Family
ID=66495340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711317771.3A Active CN109786276B (zh) | 2017-11-15 | 2017-12-12 | 感测装置及感测方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109786276B (zh) |
TW (1) | TWI676020B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201507856U (zh) * | 2009-09-30 | 2010-06-16 | 苏州明富自动化设备有限公司 | 光学检测用光源及自动检测设备 |
TWM402417U (en) * | 2010-11-02 | 2011-04-21 | Astek Tech Ltd | Tilt detector |
CN104380035A (zh) * | 2013-05-20 | 2015-02-25 | 株式会社高永科技 | 利用频率扫描干涉仪的形状测量装置 |
CN106290387A (zh) * | 2015-06-08 | 2017-01-04 | 杭州中自华内光电科技有限公司 | 一种光反射法检测光伏板清洁度的方法及检测器 |
CN106611719A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 韩华泰科株式会社 | 倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法 |
-
2017
- 2017-11-15 TW TW106139491A patent/TWI676020B/zh active
- 2017-12-12 CN CN201711317771.3A patent/CN109786276B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201507856U (zh) * | 2009-09-30 | 2010-06-16 | 苏州明富自动化设备有限公司 | 光学检测用光源及自动检测设备 |
TWM402417U (en) * | 2010-11-02 | 2011-04-21 | Astek Tech Ltd | Tilt detector |
CN104380035A (zh) * | 2013-05-20 | 2015-02-25 | 株式会社高永科技 | 利用频率扫描干涉仪的形状测量装置 |
CN106290387A (zh) * | 2015-06-08 | 2017-01-04 | 杭州中自华内光电科技有限公司 | 一种光反射法检测光伏板清洁度的方法及检测器 |
CN106611719A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 韩华泰科株式会社 | 倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109786276B (zh) | 2020-11-03 |
TW201923334A (zh) | 2019-06-16 |
TWI676020B (zh) | 2019-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102867800B (zh) | 将功能芯片连接至封装件以形成层叠封装件 | |
US9799813B2 (en) | Lead frame and semiconductor package including the lead frame | |
US9793251B2 (en) | Semiconductor package and manufacturing method thereof | |
US10186488B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor package and manufacturing method of semiconductor device | |
US20150137148A1 (en) | Optical sensor package | |
TWI694585B (zh) | 半導體裝置封裝、封裝層疊以及包含封裝層疊的計算裝置 | |
US20080017880A1 (en) | Si-substrate and structure of opto-electronic package having the same | |
CN104979315A (zh) | 具有预防金属线裂缝设计的封装件 | |
CN109600876B (zh) | 光学封装结构、光学模块及其制造方法 | |
US20200152845A1 (en) | Mounting structure for mounting micro led | |
CN102163581B (zh) | 半导体模块 | |
KR20150053238A (ko) | 미세 기계 센서 장치 | |
CN109669113A (zh) | 测试互连电路的装置和方法以及制造半导体器件的方法 | |
CN109786276A (zh) | 感测装置及感测方法 | |
EP3067928A2 (en) | Semiconductor package assembly with passive device | |
US20210005522A1 (en) | Lid structure and semiconductor device package including the same | |
US20140312450A1 (en) | Small Size, Weight, and Packaging of Image Sensors | |
US10760930B2 (en) | Sensor package, method of manufacturing the same, and method of manufacturing lid structure | |
US11923214B2 (en) | Semiconductor packaging apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
CN103781342B (zh) | 单颗bga产品倒装贴片装置及其使用方法 | |
KR102545300B1 (ko) | 콜렛 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
CN103579259A (zh) | 晶圆级影像模块结构 | |
CN215731710U (zh) | 封装结构 | |
CN110239819A (zh) | 晶圆载运装置 | |
KR20110124094A (ko) | 수직형 칩을 갖는 반도체 패키지 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |