CN109767682B - 背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法，属于物理建模技术领域。该方法包括：获取背形负花状共轭式断层的基础参数，该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型；基于该多个物理模拟模型，确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。本发明通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数，进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型，并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析，以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

Description

背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法

技术领域

本发明涉及物理建模技术领域，特别涉及一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法。

背景技术

共轭式断层是指两组倾向相反、走向平行或非平行的正断层在剖面上或平面上相互交叉组成的断层。不同的地质条件以及变化状态，均会影响共轭式断层的发育样式，也即是，不同的形成机理导致共轭式断层的发育样式也不相同。比如，共轭式断层可以通过一定的形成机理发育成背形负花状共轭式断层。其中，背形负花状是指一束向上、向外撒开的大多数为正离距的离散的走滑断层或转换伸展断层所限定的，下部呈“向形”，上部呈“背形”的组合样式。由于共轭式断层的不同发育样式影响着油气藏的形成，且在油气藏的形成研究过程中，发现背形负花状共轭式断层对油气藏的形成具有重要意义，因此，亟需一种背形负花状共轭式断层的物理模拟方法，分析确定背形负花状共轭式断层的形成机理，进而确定油气藏的形成。

发明内容

为了解决相关技术中的背形负花状共轭式断层的形成机理，进而确定油气藏的形成问题，本发明实施例提供了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法，所述方法包括：

获取背形负花状共轭式断层的基础参数，所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；

基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型；

基于所述多个物理模拟模型，确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理。

可选地，所述基于所述基础参数和多个预设过程参数构建所述背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型，包括：

基于所述基础参数，按照预设比例构建所述背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒；

构建所述模拟基底地垒对应的模拟装置；

基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。

可选地，所述模拟装置包括第一上盘和第二上盘，所述基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型，包括：

从所述多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数，基于选择的预设过程参数执行以下处理，得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型，直至对所述多个预设过程参数处理完为止：

基于所述选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度，在所述模拟基底地垒、所述第一上盘和所述第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层，每层模拟盖层采用不同颜色进行标记；

基于所述选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量，拉伸所述模拟装置；

基于所述模拟盖层的厚度，在所述多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层，并基于所述拉伸方式和所述拉伸量拉伸所述模拟装置，当所述至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时，得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。

可选地，所述得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型之前，还包括：

在拉伸所述模拟装置的过程中，每隔预设时长获取所述模拟盖层的盖层表面图。

可选地，所述模拟盖层的总厚度和所述滑脱层的厚度之和大于盖层地垒模拟高度且小于所述盖层地垒模拟高度与盖层地堑模拟深度之和；

所述盖层地垒模拟高度是基于所述背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度按照所述预设比例确定得到的，所述盖层地堑模拟深度是指基于所述背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论深度按照所述预设比例确定得到的。

可选地，所述基于所述多个物理模拟模型，确定所述背形负花状共轭式断层的形成机理，包括：

分别获取每个物理模拟模型的剖面图；

基于每个物理模拟模型的剖面图和拉伸过程中获取的多个盖层表面图，从所述多个物理模拟模型中选择目标物理模拟模型；

将所述目标物理模拟模型对应的预设过程参数确定为所述背形负花状共轭式断层的形成机理。

可选地，所述分别获取每个物理模拟模型的剖面图，包括：

浸润所述多个物理模拟模型中的每个物理模拟模型；

剖切每个物理模拟模型以得到每个物理模拟模型的剖面图。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本发明实施例中，通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数，该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型，并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析，以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图；

图2A是本发明实施例提供的另一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图；

图2B是本发明实施例提供的一种物理模拟模型的模拟装置的结构示意图；

图3A是本发明实施例提供的一种物理模拟模型的四层盖层的盖层平面示意图；

图3B是本发明实施例提供的一种物理模拟模型的六层盖层的盖层平面示意图；

图3C是本发明实施例提供的一种物理模拟模型的八层盖层的盖层平面示意图；

图3D是本发明实施例提供的一种物理模拟模型的十层盖层的盖层平面示意图；

图4是本发明实施例提供的一种物理模拟模型的剖面示意图。

附图标记：

1：第一导轨；2：第一挡板；21：第一滑轨；3：第一上盘；4：第二导轨；5：第二挡板；51：第二滑轨；6：第二上盘。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图。参见图1，该方法包括如下步骤。

步骤101：获取背形负花状共轭式断层的基础参数，该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度。

步骤102：基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型。

步骤103：基于该多个物理模拟模型，确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

本发明实施例中，通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数，该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；进而基于该基础参数和每个预设过程参数构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型，并对构建得到的多个物理模拟模型分别进行分析，以确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

可选地，基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型，包括：

基于该基础参数，按照预设比例构建该背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒；

构建该模拟基底地垒对应的模拟装置；

基于该模拟基底地垒和该模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。

可选地，该模拟装置包括第一上盘和第二上盘，基于该模拟基底地垒和该模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型，包括：

从该多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数，基于选择的预设过程参数执行以下处理，得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型，直至对该多个预设过程参数处理完为止：

基于该选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度，在该模拟基底地垒、该第一上盘和该第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层，每层模拟盖层采用不同颜色进行标记；

基于该选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量，拉伸该模拟装置；

基于该模拟盖层的厚度，在该多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层，并基于该拉伸方式和该拉伸量拉伸该模拟装置，当该至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时，得到该选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。

可选地，得到该选择的预设过程参数对应的物理模拟模型之前，还包括：

在拉伸该模拟装置的过程中，每隔预设时长获取该模拟盖层的盖层表面图。

可选地，该模拟盖层的总厚度和该滑脱层的厚度之和大于盖层地垒模拟高度且小于该盖层地垒模拟高度与盖层地堑模拟深度之和；

该盖层地垒模拟高度是基于该背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度按照该预设比例确定得到的，该盖层地堑模拟深度是指基于该背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论深度按照该预设比例确定得到的。

可选地，基于该多个物理模拟模型，确定该背形负花状共轭式断层的形成机理，包括：

分别获取每个物理模拟模型的剖面图；

基于每个物理模拟模型的剖面图和拉伸过程中获取的多个盖层表面图，从该多个物理模拟模型中选择目标物理模拟模型；

将目标物理模拟模型对应的预设过程参数确定为该背形负花状共轭式断层的形成机理。

可选地，分别获取每个物理模拟模型的剖面图，包括：

浸润该多个物理模拟模型中的每个物理模拟模型；

剖切每个物理模拟模型以得到每个物理模拟模型的剖面图。

上述所有可选技术方案，均可按照任意结合形成本发明的可选实施例，本发明实施例对此不再一一赘述。

图2A是本发明实施例提供的一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的流程图。参见图2A，该方法包括如下步骤。

步骤201：获取背形负花状共轭式断层的基础参数。

为了保证背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法的准确性及适用性，可以基于该共轭式断层的基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型，也即是，在构建该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型时，可以获取该背形负花状共轭式断层的基础参数。

其中，可以以地质剖面图为基础，通过人为测量的方式获取该背形负花状共轭式断层的基础参数，当然，也可以以其他方式获取该背形负花状共轭式断层的基础参数。该基础参数可以包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度。

在获取到该背形负花状共轭式断层的基础参数后，可以基于该基础参数和多个预设过程参数构建该背形负花状共轭式断层的多个物理模拟模型，具体地，可以按照如下步骤202-步骤204来实现。

步骤202：基于该基础参数，按照预设比例构建该背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒。

对于该基础参数包括的基底地垒顶面的理论宽度，可以按照预设比例确定该基底地垒顶面的模拟宽度。进而基于该基础参数包括的断层倾角或剖面夹角，以及确定得到的该基底地垒顶面的模拟宽度，构建走向平行的模拟基底地垒。

其中，该预设比例可以预先进行设置，比如，该预设比例可以为50000:1、100000:1或200000:1等，本发明实施例对此不作限定。

比如，假设该预设比例为50000:1，由南堡凹型背形负花状共轭式断层的断层倾角和基底地垒顶面的理论宽度为基础参数，假设该断层倾角为60度，基底地垒顶面的理论宽度为3公里，则可以建立底部宽20cm、顶面宽度为6cm和高为12cm的模拟基底地垒。

步骤203：构建该模拟基底地垒对应的模拟装置。

具体地，建立该模拟基底地垒后，再构建与该模拟基底地垒相适应的模拟装置，以用于配合模拟地质参数的变化。

参见图2B所示，模拟装置包括相对设置、且具有相同结构的第一拉伸机构和第二拉伸机构。第一拉伸机构包括至少一条第一导轨1、第一挡板2、第一电机和第一上盘3，第一挡板2上沿竖直方向设置有至少一条第一滑轨21；该至少一条第一导轨1平行设置于地面上，该第一挡板2垂直于第一导轨1的设置方向，第一挡板2能够在第一电机驱动3下，在至少一条第一导轨1上沿水平方向作平稳运动。第一上盘3通过至少一条第一滑轨21可滑动的垂直安装于第一挡板2上，且第一上盘3水平设置，以保证第一上盘3可以沿至少一条第一滑轨21沿竖直方向平稳移动。

相应地，第二拉伸机构包括至少一条第二导轨4、第二挡板5、第二电机和第二上盘6，第二挡板5上沿竖直方向设置有至少一条第二滑轨51；该至少一条第二导轨4平行设置于地面上，该第二挡板5垂直于第二导轨4的设置方向，第二挡板5能够在第二电机驱动下，在至少一条第二导轨4上沿水平方向作平稳运动。第二上盘6通过至少一条第二滑轨51可滑动的垂直安装于第二挡板5上，且第二上盘6水平设置，以保证第二上盘6可以沿至少一条第二滑轨51沿竖直方向平稳移动。

第一挡板2与第二挡板5相对设置，第一上盘3与第二上盘6相对设置，且第一上盘3与第二上盘6位于第一挡板2与第二挡板5之间。当第一上盘3和第二上盘6位于某一高度位置时，第一挡板2与第二挡板5作平移运动时，分别带动第一上盘3和第二上盘6相对做平移运动，能够增大或减小第一上盘3与第二上盘6之间的拉伸量，以使该间距与该高度条件下基底地垒顶面的模拟宽度相适应。

其中，第一上盘3与第二上盘6相互靠近的端面可分别设置为下端朝向对应挡板位置倾斜的斜面结构，两个斜面的上侧边对应的直线彼此平行，以适应走向平行的模拟断层结构。第一拉伸机构和第二拉伸机构可以实现同时同速拉伸、同时差异拉伸或非同时拉伸等伸展方式。

进一步地，在构建了该模拟基底地垒对应的模拟装置后，可以将第一上盘3与第二上盘6相对设置于模拟基底地垒的两侧，且第一上盘3与第二上盘6与模拟基底地垒两侧的断层界面相接触，并且，第一上盘3与第二上盘6的上端面与模拟基底地垒的上端面处于同一水平面上。

步骤204：基于该模拟基底地垒和该模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。

在设置第一上盘3和第二上盘6与模拟基底地垒的位置之后，基于该模拟基底地垒、该模拟装置，以及每个预设过程参数，在第一上盘3、第二上盘6与模拟基底地垒上均铺设模拟滑脱层和模拟盖层，分别构建每个预设过程参数对应的该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型。

具体地，对于该多个预设过程参数，从该多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数，基于选择的预设过程参数执行以下步骤(1)-(3)处理，得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型，直至对该多个预设过程参数处理完为止：

(1)、基于该选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度，在该模拟基底地垒、该第一上盘和该第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层，每层模拟盖层采用不同颜色进行标记。

其中，该选择的预设过程参数可以预先进行设置，比如，模拟盖层的厚度可以是1厘米、模拟滑脱层的厚度可以是1.5厘米、模拟滑脱层的材料可以为硅胶或微玻璃珠。模拟盖层的材料可以是石英砂。

为了可以实现该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型，该模拟盖层的总厚度和该滑脱层的厚度之和大于盖层地垒模拟高度且小于该盖层地垒模拟高度与盖层地堑模拟深度之和。其中，该盖层地垒模拟高度是基于该背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度按照该预设比例确定得到的，该盖层地垒理论高度是指背形负花状共轭式断层的剖面交点与基底地垒顶面的距离；该盖层地堑模拟深度是指基于该背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论深度按照该预设比例确定得到的，该盖层地堑理论深度是指该背形负花状共轭式断层的剖面交点与盖层顶面的距离。

因此，在铺设模拟滑脱层和模拟盖层之前，可以基于该背形负花状共轭式断层的断层倾角或剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面理论宽度，按照如下公式(1)或如下公式(2)确定该背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度：

其中，α是指该背形负花状共轭式断层的断层倾角，β是指该背形负花状共轭式断层的剖面夹角，H是指该背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度，Wh是指该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面理论宽度。其中，α和β的变化均为0-90°且存在如下关系：β＝180°-2α。

将该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面理论宽度作为该背形负花状共轭式断层的盖层顶面地堑理论宽度，并基于该背形负花状共轭式断层的断层倾角或剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的盖层顶面地堑理论宽度，按照如下公式(3)或如下公式(4)确定该背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论深度：

其中，α是指该背形负花状共轭式断层的断层倾角，β是指该背形负花状共轭式断层的剖面夹角，D是指该背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论高度，Wg是指该背形负花状共轭式断层的盖层顶面地堑理论宽度。

(2)、基于该选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量，拉伸该模拟装置。

其中，该模拟装置的拉伸方式和拉伸量可以预先进行设置，该模拟装置的第一拉伸机构和第二拉伸机构分别位于该模拟基底地垒断层的两侧，因此，该模拟装置的拉伸方式可以包括同时同速向两侧拉伸第一拉伸机构和第二拉伸机构，同时差异向两侧拉伸第一拉伸机构和第二拉伸机构，以及非同时向两侧拉伸第一拉伸机构和第二拉伸机构等。该模拟装置的拉伸量可以基于该背形负花状共轭式断层的地质剖面图进行测量，以得到该模拟装置的拉伸量。

进一步地，在拉伸该模拟装置的过程中，可以每隔预设时长获取该模拟盖层的盖层表面图。

当第一上盘3和第二上盘6分别与模拟基底地垒的模拟断层的界面之间存在一定拉伸量时，位于模拟滑脱层上侧的模拟盖层会发生结构变化，在该模拟基底地垒的模拟断层的界面形成新的模拟边界断层，可以形成地堑式结构。

(3)、基于该模拟盖层的厚度，在该多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层，并基于该拉伸方式和该拉伸量拉伸该模拟装置，当该至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时，得到该选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。

在基于该模拟装置的拉伸方式和拉伸量使该模拟滑脱层和模拟盖层的结构发生改变，形成地堑式结构后，基于该模拟盖层的厚度，在该多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层，并基于该拉伸方式和该拉伸量继续拉伸该模拟装置。当该至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时，将该模拟基底地垒、铺设的模拟滑脱层和模拟盖层组成的结构确定为该选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。

继续上述举例，当选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度为1厘米、材料为石英砂，模拟滑脱层的厚度为1.5厘米、材料为硅胶，拉伸方式为同时同速向两侧拉伸第一拉伸机构和第二拉伸机构，拉伸量为3毫米。

在上述构建的模拟基底地垒、第一上盘3和第二上盘6的上侧铺设1.5厘米厚的模拟滑脱层，在该模拟滑脱层上侧铺设四层同样结构的厚度为1厘米的模拟盖层。各层模拟盖层之间用不用的颜色进行标记。对该模拟装置以该选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量进行拉伸，并在拉伸过程中连续照相和扫描，以获取模拟盖层结构变化的过程。

进一步，待四层模拟盖层的结构变化稳定后，在模拟盖层的上侧再继续铺设两层模拟盖层。该模拟盖层每层厚度为1厘米，每层模拟盖层间也用不同颜色标记，且继续以上述拉伸方式和拉伸量拉伸该模拟装置，并在拉伸过程中连续照相和扫描，以获取模拟盖层结构变化的过程。

进一步，待六层模拟盖层的结构变化稳定后，在模拟盖层的上侧再继续铺设两层模拟盖层。该模拟盖层每层厚度为1厘米，每层模拟盖层间也用不同颜色标记，且继续以上述拉伸方式和拉伸量拉伸该模拟装置，并在拉伸过程中连续照相和扫描，以获取模拟盖层结构变化的过程。

进一步，待八层模拟盖层的结构变化稳定后，在模拟盖层的上侧再继续铺设两层模拟盖层。该模拟盖层每层厚度为1厘米，每层模拟盖层间也用不同颜色标记，且继续以上述拉伸方式和拉伸量拉伸该模拟装置，并在拉伸过程中连续照相和扫描，以获取模拟盖层结构变化的过程，在该模拟装置的拉伸过程中，出现背形结构。

在基于每个预设过程参数构建了该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型后，基于该多个物理模拟模型，确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。具体地，可以按照如下步骤205-步骤207确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

步骤205：分别获取每个物理模拟模型的剖面图。

对于每个预设过程参数，构建得到该背形负花状共轭式断层的物理模拟模型之后，为了将该物理模拟模型与该背形负花状共轭式断层进行对比分析，可以浸润该多个物理模拟模型中的每个物理模拟模型，剖切每个物理模拟模型以得到每个物理模拟模型的剖面图。

具体地，由于该多个物理模拟模型较为松散，在获取该多个物理模拟模型的剖面图之前可以在该多个物理模拟模型上继续铺设预设厚度的模拟盖层，之后将该多个物理模拟模型分别进行浸润，以使每个物理模拟模型禁锢。之后，对每个物理模拟模型进行剖切，以得到每个物理模拟模型的剖面图。

步骤206：基于每个物理模拟模型的剖面图和拉伸过程中获取的多个盖层表面图，从该多个物理模拟模型中选择目标物理模拟模型。

对于获取到的每个物理模拟模型的剖面图和多个盖层平面图，对该剖面图和该多个盖层平面图进行分析，进而基于该背形负花状共轭式的地质剖面图和地质平面图，从该多个物理模拟模型中选择目标物理模拟模型。

其中，目标物理模拟模型的剖面图的特征与该背形负花状共轭式断层的地质剖面的特征最为相似，且该多个盖层平面图中存在与该背形负花状的地质平面图最为相似的一个盖层平面图。

步骤207：将目标物理模拟模型对应的预设过程参数确定为该背形负花状共轭式断层的形成机理。

由于目标物理模拟模型的分布特征与该背形负花状共轭式断层的分布特征极为相似，且目标物理模拟模型是在对应的预设过程参数下构建得到的。因此，可以将目标物理模拟模型对应的预设过程参数确定为该背形负花状共轭式断层的形成机理。

继续上述举例，对于该选择的预设过程参数对应的物理模拟模型，待对该模拟装置拉伸结束后，再铺设5厘米厚的模拟盖层，并将整个模拟盖层润湿后进行剖面切片，以用于分析。

对于在拉伸过程中获取的多个盖层平面图，参见图3A，当有四层模拟盖层时，在两侧同时初始拉伸时，在模拟盖层表面形成两条对倾的边界断层，组成地堑式结构，在两条边界断层内发育少量次级断层。参见图3B，当有六层模拟盖层时，随着伸展量与盖层厚度的增加，边界断层组成的地堑宽度增大。参见图3C，当有八层模拟盖层时，随着盖层厚度与拉伸量继续增加，由主边界断层组成的地堑宽度持续增加；在主边界断层的内部的模拟盖层发生弯曲，形成背形构造。参见图3D，当有十层模拟盖层时，随着盖层厚度与拉伸量继续增加，由主边界断层组成的地堑宽度持续增加；在主边界断层的内部的形成次级断层，在剖面上构成背形负花状构造。

对于该物理模拟模型的剖面图，参见图4，该剖面图显示不规则的垒堑式组合构造。无论是地堑还是地垒内的模拟盖层都发生了不同程度的旋转。地堑内的主边界断层切割至基底硅胶层，次级断层呈多米诺是相向倾斜，由外向内逐渐向下尖灭，整体构成背形负花状构造。

本发明实施例中，通过获取背形负花状共轭式断层的基础参数，该基础参数包括该背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及该背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；基于该基础参数按照预设比例构建该背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒，并构建该模拟基底地垒的模拟装置。基于每个预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度、该模拟装置的拉伸方式和拉伸量构建每个预设过程参数对应的物理模拟模型，且在构建过程中获取每个物理模拟模型的多个盖层平面图，之后对构建得到的多个物理模拟模型分别进行剖切，确定每个物理模拟模型的剖面图，进而基于每个物理模拟模型的多个盖层平面图和剖面图分析确定该背形负花状共轭式断层的形成机理。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种背形负花状共轭式断层的物理模拟分析方法，其特征在于，所述方法包括：

获取背形负花状共轭式断层的基础参数，所述基础参数包括所述背形负花状共轭式断层的断层倾角或断层剖面夹角，以及所述背形负花状共轭式断层的基底地垒顶面的理论宽度；

基于所述基础参数，按照预设比例构建所述背形负花状共轭式断层的模拟基底地垒；

构建所述模拟基底地垒对应的模拟装置；

基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型；

分别获取每个物理模拟模型的剖面图；

基于所述每个物理模拟模型的剖面图和拉伸过程中获取的多个盖层表面图，从多个物理模拟模型中选择目标物理模拟模型；

将所述目标物理模拟模型对应的预设过程参数确定为所述背形负花状共轭式断层的形成机理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模拟装置包括第一上盘和第二上盘，所述基于所述模拟基底地垒和所述模拟装置，分别构建每个预设过程参数对应的所述背形负花状共轭式断层的物理模拟模型，包括：

从所述多个预设过程参数中选择出一个预设过程参数，基于选择的预设过程参数执行以下处理，得到选择的预设过程参数对应的物理模拟模型，直至对所述多个预设过程参数处理完为止：

基于所述选择的预设过程参数包括的模拟盖层的厚度、模拟滑脱层的材料和/或厚度，在所述模拟基底地垒、所述第一上盘和所述第二上盘上铺设模拟滑脱层和多层模拟盖层，每层模拟盖层采用不同颜色进行标记；

基于所述选择的预设过程参数包括的拉伸方式和拉伸量，拉伸所述模拟装置；

基于所述模拟盖层的厚度，在所述多层模拟盖层上继续铺设至少一层模拟盖层，并基于所述拉伸方式和所述拉伸量拉伸所述模拟装置，当所述至少一层模拟盖层的盖层表面呈现背形结构时，得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型。

3.如权利要求2所述的分析方法，其特征在于，所述得到所述选择的预设过程参数对应的物理模拟模型之前，还包括：

在拉伸所述模拟装置的过程中，每隔预设时长获取所述模拟盖层的盖层表面图。

4.如权利要求3所述的分析方法，其特征在于，所述模拟盖层的总厚度和所述滑脱层的厚度之和大于盖层地垒模拟高度且小于所述盖层地垒模拟高度与盖层地堑模拟深度之和；

所述盖层地垒模拟高度是基于所述背形负花状共轭式断层的盖层地垒理论高度按照所述预设比例确定得到的，所述盖层地堑模拟深度是指基于所述背形负花状共轭式断层的盖层地堑理论深度按照所述预设比例确定得到的。

5.如权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述分别获取每个物理模拟模型的剖面图，包括：

浸润所述多个物理模拟模型中的每个物理模拟模型；

剖切每个物理模拟模型以得到每个物理模拟模型的剖面图。

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