CN109739377A - 一种On-cell触控特殊金属工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种On‑cell触控特殊金属工艺，包括以下步骤：(1)对玻璃基板进行清洗和烘干；(2)在CF基板的背面进行真空溅射镀膜；(3)制作出保护涂布光阻，做出导电线路，并将线宽控制在10um以下；(4)进行蚀刻，将不需要的金属膜层去掉，只留下需要的线路；(5)利用紫外线曝光、显影技术制作出涂布一层光阻；(6)利用真空溅射镀膜技术，在步骤(5)中的可视区域内再镀上一层ITO；(7)利用紫外线曝光、显影技术制作出ITO的图案层。通过使用本发明提供的工艺，能够填充填补国内外导电金属膜层表面降低反射率的技术空缺；金属引线可直接替代ITO，少两道工序，降低加工成本，可广泛应用在导电金属膜层技术领域。
Description
技术领域
本发明涉及导电金属膜层技术领域，用于手机、平板、电视、车载等显示触摸视窗导电线路，具体是指一种On-cell触控特殊金属工艺。
背景技术
目前，在通用技术中，显示、触控可视区导电层主要使用的是ITO(氧化铟锡)，其操作技术熟练，使用范围较广，被广泛应用在导电层的工艺中。但ITO存在的问题包括：成本高，无法适应大尺寸，而金属膜层用于可视区时存在反射问题，肉眼可识别，这就造成了视觉疲劳、眩光等使用问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种On-cell触控特殊金属工艺，在显示屏上直接做触控层，在显示屏的CF侧镀上一层降低表面反射率的金属膜层作为导电线路，金属膜层表面经过降低反射率工艺再配套上显示的偏光片，可做到黑屏、点亮、显示状态下金属线路都不可见的效果，包括以下步骤：
(1)对玻璃基板进行清洗和烘干操作；
(2)利用真空溅射镀膜技术，在CF基板的背面进行真空溅射镀膜，使之镀上金属组合膜层，包括铜+氮氧化铜镍、铜+ITO、铜镍+ITO，使得CF基板的表面反射率降到4％以下；
(3)利用紫外线曝光、显影技术制作出保护涂布光阻，做出导电线路，并将线宽控制在10um以下；
(4)进行蚀刻，将不需要的金属膜层去掉，只留下需要的线路；
(5)利用紫外线曝光、显影技术制作出涂布一层光阻作为绝缘层；
(6)利用真空溅射镀膜技术，在步骤(5)中的可视区域内再镀上一层ITO；
(7)利用紫外线曝光、显影技术制作出ITO的图案层。
优选地，所述步骤(1)中的基板厚度为0.2～1.0um。
优选地，所述步骤(5)中的绝缘层为OC绝缘层。
采用以上工艺后，本发明具有如下优点：
(1)通过采用本发明提供的工艺，可将金属膜层表面反射率降到0.5％－3％，反射率降低后的金属膜层可用于可视区导电线路，人眼无法视别，即可解决视觉疲劳、眩光等问题，用于外挂触摸屏和On-cell的METAL MESH、MT架桥等结构，填补了国内外导电金属膜层表面降低反射率的技术空缺；
(2)金属引线可直接替代ITO，且少两道工序，降低加工成本，具有很大的市场竞争优势。
附图说明
图1是一种On-cell触控特殊金属工艺中基板的结构示意图。
如图所示：A、基板，B、铜+氮氧化铜镍、铜+ITO、铜镍+ITO，C、绝缘层，D、氧化铟锡导电层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
结合附图1，一种On-cell触控特殊金属工艺，在显示屏上直接做触控层，在显示屏的CF侧镀上一层降低表面反射率的金属膜层作为导电线路，金属膜层表面经过降低反射率工艺再配套上显示的偏光片，可做到黑屏、点亮、显示状态下金属线路都不可见的效果，降低金属膜层表面反射率的工艺包括以下步骤：
(1)对玻璃基板进行清洗和烘干操作；
(2)利用真空溅射镀膜技术，在CF基板(A)的背面进行真空溅射镀膜，使之镀上金属组合膜层，包括铜+氮氧化铜镍、铜+ITO、铜镍+ITO(B)，使得CF基板的表面反射率降到4％以下；
(3)利用紫外线曝光、显影技术制作出保护涂布光阻，做出导电线路，并将线宽控制在10um以下；
(4)进行蚀刻，将不需要的金属膜层去掉，只留下需要的线路；
(5)利用紫外线曝光、显影技术制作出涂布一层光阻作为绝缘层(C)；
(6)利用真空溅射镀膜技术，在步骤(5)中的可视区域内再镀上一层ITO(D)；
(7)利用紫外线曝光、显影技术制作出ITO的图案层。
其中：
步骤(1)中的基板厚度为0.2～1.0um；步骤(5)中的绝缘层为OC绝缘层。
在具体操作时，对于真空溅射镀膜技术、紫外线曝光和显影技术均采用现有技术即可实现。
Claims (3)
1.一种On-cell触控特殊金属工艺，其特征在于，在显示屏上直接做触控层，在显示屏的CF侧镀上一层降低表面反射率的金属膜层作为导电线路，金属膜层表面经过降低反射率工艺再配套上显示的偏光片，可做到黑屏、点亮、显示状态下金属线路都不可见的效果，包括以下步骤：
(1)对玻璃基板进行清洗和烘干操作；
(2)利用真空溅射镀膜技术，在CF基板的背面进行真空溅射镀膜，使之镀上金属组合膜层，包括铜+氮氧化铜镍、铜+ITO、铜镍+ITO，使得CF基板的表面反射率降到4％以下；
(3)利用紫外线曝光、显影技术制作出保护涂布光阻，做出导电线路，并将线宽控制在10um以下；
(4)进行蚀刻，将不需要的金属膜层去掉，只留下需要的线路；
(5)利用紫外线曝光、显影技术制作出涂布一层光阻作为绝缘层；
(6)利用真空溅射镀膜技术，在步骤(5)中的可视区域内再镀上一层ITO；
(7)利用紫外线曝光、显影技术制作出ITO的图案层。
2.根据权利要求1所述的一种On-cell触控特殊金属工艺，其特征在于，所述步骤(1)中的基板厚度为0.2～1.0um。
3.根据权利要求1所述的一种On-cell触控特殊金属工艺，其特征在于，所述步骤(5)中的绝缘层为OC绝缘层。
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