CN109713084A - 一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法 - Google Patents
一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109713084A CN109713084A CN201811653579.6A CN201811653579A CN109713084A CN 109713084 A CN109713084 A CN 109713084A CN 201811653579 A CN201811653579 A CN 201811653579A CN 109713084 A CN109713084 A CN 109713084A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- passed
- nitrogen
- oxygen
- diffusion furnace
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，工艺中通过加强扩散工艺中预氧化步骤提高二氧化硅膜的厚度，同时增加第二步推进且通入POCl3来改善太阳能电池片内方阻均匀。由于磷元素在二氧化硅中扩散速度要慢于硅，因此提高二氧化硅膜的厚度可降低磷在硅中的推进深度，使磷可以更均匀得扩散进硅片内部，同时增加第二步推进并通入POCl3可弥补因扩散炉内气体紊流造成的磷源分布不均导致的片内方阻不均。采用本发明的方法生产出的太阳能电池片的方阻均匀性更好，PN结更加平整且结深更浅，一定程度上可提高太阳能电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，属于太阳能电池加工技术领域。
背景技术
传统火力发电所带来的弊端对环境的影响越来越受到人们的关注，由此对绿色能源的需求带动了光伏行业的迅速发展，并且随着太阳能电池的制造技术的不断成熟与完善，新技术和新工艺的使用让光伏发电的成本不断降低，使其与传统发电领域相比更具优势。
太阳能电池片的制造工艺复杂，简单来说，太阳能电池的生产过程包括：制绒、扩散、刻蚀、镀膜以及丝网印刷。扩散制备的PN结的均匀性和结深直接影响整个太阳能电池电性能的好坏，因此，扩散工艺是整个太阳能电池生产工艺的最重要的一环。目前，常用的扩散制结的扩散炉是闭管式扩散炉。由于闭管式扩散炉的密闭性较差，导致通入炉内的气流会形成紊流从而导致磷源在硅片表面的分布不均，从而使硅片的方阻均匀性较差，直接导致太阳能电池的低效片比例增加。因此，需要开发一种在普通闭管式扩散炉也能完成较好扩散效果的扩散工艺。
发明内容
发明目的：针对现有技术中存在的问题与不足，本发明提供一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，通过加强扩散工艺中预氧化步骤提高二氧化硅膜的厚度，使PN结的平整度更好且结深更浅，相对应的提高太阳能电池的转换效率。
技术方案：
本发明提出的一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在750-800℃下通入2000-3000sccm的氧气10-19min；
⑵向炉内通入1000-2000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1000-1500sccm的氧气和15000-20000sccm的氮气，扩散炉温度为750-800℃，时间为15-20min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10-15min内将扩散炉温度提升至830-850℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入500-1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500-2000sccm的氧气和15000-20000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为840-860℃，反应时间为10-14min；
⑸扩散炉停止加热并通入2000-3000sccm的氧气和15000-20000sccm的氮气，通气时间为10-15min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入15000-20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
本发明的进一步的限定技术方案，前述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，所述步骤(1)和步骤(4)中的POCl3气体与氮气的体积比为1-3:6。
前述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在780℃下通入2500sccm的氧气17min；
⑵向炉内通入1500sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1200sccm的氧气和15000sccm的氮气，扩散炉温度为780℃，时间为18min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10min内将扩散炉温度提升至830℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入800sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入2000sccm的氧气和15000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为850℃，反应时间为14min；
⑸扩散炉停止加热并通入2500sccm的氧气和15000sccm的氮气，通气时间为12min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
前述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在750℃下通入2000sccm的氧气10min；
⑵向炉内通入1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1000sccm的氧气和15000sccm的氮气，扩散炉温度为750℃，时间为15min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10min内将扩散炉温度提升至830℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入500sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500sccm的氧气和15000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为840℃，反应时间为10min；
⑸扩散炉停止加热并通入2000sccm的氧气和15000sccm的氮气，通气时间为10min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入15000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
进一步的，前述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在800℃下通入3000sccm的氧气15min；
⑵向炉内通入2000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500sccm的氧气和20000sccm的氮气，扩散炉温度为800℃，时间为20min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在15min内将扩散炉温度提升至850℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入2000sccm的氧气和20000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为860℃，反应时间为14min；
⑸扩散炉停止加热并通入3000sccm的氧气和20000sccm的氮气，通气时间为15min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
有益效果：本发明通过加强扩散工艺中预氧化步骤提高二氧化硅膜的厚度，利用磷元素在二氧化硅中扩散速度要慢于硅，可降低磷在硅中的推进深度，使磷可以更均匀得扩散进硅片内部，同时在第二步推进增加通入POCl3可弥补因扩散炉内气体紊流造成的磷源分布不均使生产出的太阳能电池片的方阻均匀更好，从而使PN结的平整度更好且结深更浅，相对应的提高太阳能电池的转换效率。
本发明的太阳能电池扩散工艺在不增加设备改进的额外成本的前提下，提高普通的闭管式扩散炉的扩散均匀性，即通过优化硅片扩散后的方阻片内均匀性制备平整的PN结，从而可有效的减少在后续丝网烧结过程中异常片以及低效片的出现。因此，可有效的提高太阳能电池的转换效率。
具体实施方式
下面以具体实施例，进一步阐明本发明。
实施例1
本实施例提供一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在780℃下通入2500sccm的氧气17min；
⑵向炉内通入1500sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1200sccm的氧气和15000sccm的氮气，扩散炉温度为780℃，时间为18min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10min内将扩散炉温度提升至830℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入800sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入2000sccm的氧气和15000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为850℃，反应时间为14min；
⑸扩散炉停止加热并通入2500sccm的氧气和15000sccm的氮气，通气时间为12min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用；
其中步骤(1)和步骤(4)中的POCl3气体与氮气的体积比为1:6。
表1：现有工艺对比例与实施例的对比数据。
片内不均匀性计算方法为(最大值-最小值)/(片内方阻平均值)*100％
表2：现有工艺对比例与实施例的电性能参数对比。
从以上数据可以看出，表1对比例五个温区得不均匀性分别是11％、12％、10.6％、9.0％和13.5％，而本发明的实施例的五个温区分别为4.3％、5.5％、7.7％、3.4％和5.4％。这说明本发明对方阻均匀的改善效果显著，并且改善后的实施例的效率比对比例提高了0.05％。
实施例2
本实施例提供一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在750℃下通入2000sccm的氧气10min；
⑵向炉内通入1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1000sccm的氧气和15000sccm的氮气，扩散炉温度为750℃，时间为15min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10min内将扩散炉温度提升至830℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入500sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500sccm的氧气和15000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为840℃，反应时间为10min；
⑸扩散炉停止加热并通入2000sccm的氧气和15000sccm的氮气，通气时间为10min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入15000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用；
其中步骤(1)和步骤(4)中的POCl3气体与氮气的体积比为1:6。
表3：现有工艺对比例与实施例的对比数据。
片内不均匀性计算方法为(最大值-最小值)/(片内方阻平均值)*100％
表4：现有工艺对比例与实施例的电性能参数对比。
从以上数据可以看出，表3对比例五个温区得不均匀性分别是12.2％、10.7％、10.9％、9.6％和9.8％，而本发明的实施例的五个温区分别为3.2％、4.3％、4.3％、3.3％和3.2％。这说明本发明对方阻均匀的改善效果显著，并且改善后的实施例的效率比对比例提高了0.07％。
实施例3
本实施例提供一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在800℃下通入3000sccm的氧气15min；
⑵向炉内通入2000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500sccm的氧气和20000sccm的氮气，扩散炉温度为800℃，时间为20min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在15min内将扩散炉温度提升至850℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入2000sccm的氧气和20000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为860℃，反应时间为14min；
⑸扩散炉停止加热并通入3000sccm的氧气和20000sccm的氮气，通气时间为15min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用；
其中步骤(1)和步骤(4)中的POCl3气体与氮气的体积比为1:6。
表5：现有工艺对比例与实施例的对比数据。
片内不均匀性计算方法为(最大值-最小值)/(片内方阻平均值)*100％
表6：现有工艺对比例与实施例的电性能参数对比。
从以上数据可以看出，表5对比例五个温区得不均匀性分别是11％、12％、9.8％、8.6％和12.2％，而本发明的实施例的五个温区分别为4.3％、4.3％、4.4％、3.3％和4.3％。这说明本发明对方阻均匀的改善效果显著，并且改善后的实施例的效率比对比例提高了0.06％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，其特征在于包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在750-800℃下通入2000-3000sccm的氧气10-19min；
⑵向炉内通入1000-2000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1000-1500sccm的氧气和15000-20000sccm的氮气，扩散炉温度为750-800℃，时间为15-20min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10-15min内将扩散炉温度提升至830-850℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入500-1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500-2000sccm的氧气和15000-20000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为840-860℃，反应时间为10-14min；
⑸扩散炉停止加热并通入2000-3000sccm的氧气和15000-20000sccm的氮气，通气时间为10-15min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入15000-20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
2.根据权利要求1所述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，其特征在于：所述步骤（1）和步骤（4）中的POCl3气体与氮气的体积比为1-3:6。
3.根据权利要求1所述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，其特征在于包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在780℃下通入2500sccm的氧气17min；
⑵向炉内通入1500sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1200sccm的氧气和15000sccm的氮气，扩散炉温度为780℃，时间为18min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10min内将扩散炉温度提升至830℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入800sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入2000sccm的氧气和15000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为850℃，反应时间为14min；
⑸扩散炉停止加热并通入2500sccm的氧气和15000sccm的氮气，通气时间为12min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
4.根据权利要求1所述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，其特征在于包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在750℃下通入2000sccm的氧气10min；
⑵向炉内通入1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1000sccm的氧气和15000sccm的氮气，扩散炉温度为750℃，时间为15min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在10min内将扩散炉温度提升至830℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入500sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500sccm的氧气和15000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为840℃，反应时间为10min；
⑸扩散炉停止加热并通入2000sccm的氧气和15000sccm的氮气，通气时间为10min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入15000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
5.根据权利要求1所述的改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法，其特征在于包括如下步骤：
⑴将硅片放入扩散炉中，同时在800℃下通入3000sccm的氧气15min；
⑵向炉内通入2000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入1500sccm的氧气和20000sccm的氮气，扩散炉温度为800℃，时间为20min；
⑶停止通入氧气、氮气和POCl3，并在15min内将扩散炉温度提升至850℃，使硅片表面的磷元素向硅片内部推进；
⑷向扩散炉内通入1000sccm的且混合POCl3的氮气，同时通入2000sccm的氧气和20000sccm的氮气，保持扩散炉的炉内温度为860℃，反应时间为14min；
⑸扩散炉停止加热并通入3000sccm的氧气和20000sccm的氮气，通气时间为15min；
⑹将扩散炉温度降至800℃以下，保持通入20000sccm的氮气，将硅片从扩散炉取出并测其方阻待用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811653579.6A CN109713084A (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811653579.6A CN109713084A (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109713084A true CN109713084A (zh) | 2019-05-03 |
Family
ID=66260597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811653579.6A Pending CN109713084A (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109713084A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110164758A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-23 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种可降低常规多晶电池漏电值的扩散工艺 |
| CN111508829A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-07 | 徐州谷阳新能源科技有限公司 | 一种能够匹配se+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺 |
| CN113078234A (zh) * | 2020-01-03 | 2021-07-06 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种大尺寸硅片扩散工艺 |
| CN113555463A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-26 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池的制备方法与太阳能电池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049521A1 (de) * | 1998-03-25 | 1999-09-30 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren zur einseitigen dotierung eines halbleiterkörpers |
| CN102637778A (zh) * | 2012-05-10 | 2012-08-15 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种pn结的扩散方法 |
| CN104319308A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-28 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法 |
| CN108470798A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-08-31 | 润峰电力有限公司 | 一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法 |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201811653579.6A patent/CN109713084A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049521A1 (de) * | 1998-03-25 | 1999-09-30 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren zur einseitigen dotierung eines halbleiterkörpers |
| CN102637778A (zh) * | 2012-05-10 | 2012-08-15 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种pn结的扩散方法 |
| CN104319308A (zh) * | 2014-09-16 | 2015-01-28 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法 |
| CN108470798A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-08-31 | 润峰电力有限公司 | 一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110164758A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-23 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种可降低常规多晶电池漏电值的扩散工艺 |
| CN113078234A (zh) * | 2020-01-03 | 2021-07-06 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种大尺寸硅片扩散工艺 |
| CN113555463A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-26 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池的制备方法与太阳能电池 |
| CN111508829A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-07 | 徐州谷阳新能源科技有限公司 | 一种能够匹配se+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109713084A (zh) | 一种改善太阳能电池扩散工艺中方阻均匀性的方法 | |
| CN102820383B (zh) | 多晶硅太阳能电池扩散方法 | |
| CN104409339B (zh) | 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法 | |
| CN106057980B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| CN106206847B (zh) | 一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl3高温扩散方法 | |
| CN103632934B (zh) | N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN105280484B (zh) | 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺 | |
| CN102691107A (zh) | 一种太阳能电池制备扩散工艺 | |
| CN106449868B (zh) | 太阳能电池硅片的扩散方法 | |
| CN104716232B (zh) | 一种太阳能电池发射极掺杂分布方法 | |
| CN106856215A (zh) | 太阳能电池片扩散方法 | |
| CN205398771U (zh) | 一种太阳能电池用硅片扩散炉 | |
| CN102522449B (zh) | 一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| CN103606596A (zh) | 磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法 | |
| CN103715308A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池低温变温扩散工艺 | |
| CN102925982B (zh) | 一种太阳能电池及其扩散方法 | |
| CN103632933A (zh) | N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102916086A (zh) | 一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺 | |
| CN102544238B (zh) | 一种多晶硅硅片多重扩散的制造方法 | |
| CN104319308B (zh) | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的方法 | |
| CN108470798A (zh) | 一种用于晶硅电池片的含氧扩散方法 | |
| CN103413867B (zh) | 太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法 | |
| CN101980381B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺 | |
| CN203871351U (zh) | 一种均匀扩散硼扩散炉反应气的结构 | |
| CN103311372A (zh) | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190503 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |