CN109698140A - 金属层对连接孔包裹程度的检查方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种金属层对连接孔包裹程度的检查方法，提供金属目标层图形并生成其外轮廓的目标层曲线；提供连接孔图形并标记该连接孔图形四边的中心位置；设定一安全阈值，根据所述连接孔图形四边的中心位置分别到所述目标层曲线的距离，标记所述距离中小于所述安全阈值的边的个数；对每个连接孔小于安全阈值的不同的边的个数，设定不同的单边、邻边或相对边的计算方法及过滤阈值，最终筛选出金属层对连接孔的包裹程度不好的点。本发明能够达到与在生成光罩后用模拟图形验证同样的效果，提早发现问题，快速检验出金属层对连接孔包裹程度，减少脚本总运算时间，提高OPC处理效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种金属层对连接孔包裹程度的检查方法。
背景技术
在半导体的后段制程中，需要在相邻两层金属线之间形成连接孔以实现上下层金属互连。随着技术节点的延伸，金属层图形尺寸不断减小，图形越来越密集，OPC需要做的规则式(rule-based)修正及模型式(model-based)修正越来越复杂，为避免OPC修正引起的金属层对连接孔包裹不够，从而造成的上下层金属线断开问题，需要在OPC修正后检查金属层对连接孔的包裹程度。
目前通常的检查方法有两种，一种方法是在生成目标金属层后，检查连接孔是否有露在目标金属层外。这种检查方法快速简单，但是检查种类单一，只能检查连接孔某一边和金属层关系的情况，无法兼顾两边或多边的整体效果，尤其是目标金属层拐角处对连接孔包裹不足的地方基本检查不出。另一种方法是在生成金属光罩层后，模拟生成金属曝光到硅片上的曲线图形，采用面积占比的方法检查金属层对连接孔的包裹程度，即金属曲线图形包裹住切角后连接孔的面积除以切角后连接孔的总面积。这种检查方法能更加准确地反映图形曝光到硅片后的实际情况，缺点是生成光罩层及生成相应的模拟曲线图形需要的时间很久，可能会存在金属目标层修正不合理的情况到金属光罩层才能发现，对整个OPC出版流程来说会造成时间、资源、人力的浪费。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种金属层对连接孔包裹程度的检查方法，用于解决现有技术中检查种类单一、生成相应的模拟曲线图形时间久以及修正不合理发现晚造成费时费力的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种金属层对连接孔包裹程度的检查方法，该方法包括如下步骤：步骤一、提供金属目标层图形并生成其外轮廓的目标层曲线；步骤二、提供连接孔图形并标记该连接孔图形四边的中心位置；步骤三、设定一安全阈值，根据所述连接孔图形四边的中心位置分别到所述目标层曲线的距离，标记所述距离中小于所述安全阈值的边的个数；步骤四、按所述距离中小于所述安全阈值的边的个数进行分类，分为单边、两条边为邻边、两条边为相对边或三条边的类型，并给出各种类型分别对应的过滤阈值；步骤五、对于单边类型，若所述距离小于其对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于两条边为邻边类型，若其各自对应所述距离的和小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于两条边为相对边类型，若该两条边各自对应的所述距离中有任一小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于三条边情况，若其中任何两条相邻边各自对应的所述距离的和小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象。
优选地，所述目标层曲线是根据所述金属目标层图形由软件计算得出的目标层圆角化的曲线。
优选地，所述连接孔图形对应的连接孔，包括连接于上下金属层的连接通孔层，以及金属层与有源区和多晶硅的接触孔层。
优选地，所述安全阈值的取值范围为15nm～30nm。
优选地，所述单边类型对应的过滤阈值的取值范围为-5nm～0nm。
优选地，所述两条边为相对边的类型对应的过滤阈值的取值范围为-5nm～0nm。
优选地，所述两条边为邻边类型对应的过滤阈值的取值范围为5nm～15nm。
优选地，所述三条边类型对应的过滤阈值的取值范围为5nm～15nm。
优选地，所述过滤阈值的数值大小根据实际工艺要求及程序调试所得。
优选地，所述预处理对象中的预处理动作包括：筛选出金属目标层图形对包裹程度不好的连接孔图形。
优选地，所述金属目标层图形的个数为多个。
如上所述，本发明的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，具有以下有益效果：本发明提供一种能够快速检验出属层对连接孔包裹程度检查方法，减少脚本总运算时间，提高OPC处理效率。
附图说明
图1显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔单边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；
图2a显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔相对两边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；
图2b显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔相邻两边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；
图3显示为金属目标层曲线与连接孔三边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；
图4显示为本发明的金属层对连接孔包裹程度的检查方法流程图。
元件标号说明
1 目标层曲线
01 金属目标层图形
2 中心位置
02 连接孔图形
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图4所示，图4显示为本发明的金属层对连接孔包裹程度的检查方法流程图。本发明的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，具体步骤如下：
步骤一：提供金属目标层图形并生成其外轮廓的目标层曲线；如图1至图3中的目标层曲线1是根据所提供的金属目标层图形01生成。优选地，所述目标层曲线是根据所述金属目标层图形由软件计算得出的目标层圆角化的曲线。
步骤二、提供连接孔图形并标记该连接孔图形四边的中心位置；如图1至图3所示，由于所述连接孔图形为矩形，其四个边的中心位置为四个边的中点。
步骤三、设定一安全阈值，根据所述连接孔图形四边的中心位置2分别到所述目标层曲线1的距离，标记所述距离中小于所述安全阈值的边的个数；优选地，所述连接孔图形的四个边到所述目标层曲线的距离小于安全阈值的边的个数，有一个，两个，或三个三种类型。进一步优选地，所述连接孔图形对应的连接孔，包括连接于上下金属层的连接通孔，以及金属层与有源区和多晶硅的接触孔。本实施例优选地，所述安全阈值的取值范围为15nm～30nm。优选地，所述安全阈值为金属层与连接孔的距离所满足的最小设计规则的数值。
步骤四、按所述距离中小于所述安全阈值的边的个数进行分类，分为单边、两条边为邻边、两条边为相对边或三条边的类型，并给出各种类型分别对应的过滤阈值；如图1所示，图1显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔单边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；图2a显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔相对两边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；图2b显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔相邻两边中心距离小于安全阈值位置关系示意图；图3显示为金属目标层曲线与连接孔三边中心距离小于安全阈值位置关系示意图。本实施例优选地，所述单边类型对应的过滤阈值的取值范围为-5nm～0nm。所述两条边为相对边的类型对应的过滤阈值的取值范围为-5nm～0nm。所述两条边为邻边类型对应的过滤阈值的取值范围为5nm～15nm。所述三条边类型对应的过滤阈值的取值范围为5nm～15nm。进一步优选地，所述过滤阈值的数值大小根据实际工艺要求及程序调试所得。
步骤五、对于单边类型，若所述距离小于其对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于两条边为邻边类型，若其各自对应所述距离的和小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于两条边为相对边类型，若该两条边各自对应的所述距离中有任一小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于三条边情况，若其中任何两条相邻边各自对应的所述距离的和小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象。
其中图1显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔单边中心距离小于安全阈值位置关系示意图，符合单边类型，边的个数为1，判断连接孔图形单边中心到金属目标层曲线的距离A1(如图1所示)是否小于其对应的过滤阈值S，S数值约为-5nm～0nm，是则将所述连接孔图形标记为预处理对象。优选地，所述预处理对象中的预处理动作包括：筛选出金属目标层图形对包裹程度不好的连接孔图形，并对该连接孔图形进行修正。优选地，所述金属目标层图形的个数为多个。
其中图2a显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔相对两边中心距离小于安全阈值位置关系示意图。若两条边是相对的，如图2a所示，则判断连接孔图形两条边每边到金属目标层曲线的距离B1，B2是否有值小于过滤阈值T1，T1数值为-5nm～0nm，是则将所述连接孔图形标记为预处理对象。优选地，所述预处理对象中的预处理动作包括：筛选出金属目标层图形对包裹程度不好的连接孔图形，并对该连接孔图形进行修正。优选地，所述金属目标层图形的个数为多个。
其中图2b显示为本发明的金属目标层曲线与连接孔相邻两边中心距离小于安全阈值位置关系示意图。若两条边是相邻的，如图2b所示，则判断B1+B2是否小于过滤阈值T2，T2数值约为5nm～15nm，是则将所述连接孔图形标记为预处理对象。优选地，所述预处理对象中的预处理动作包括：筛选出金属目标层图形对包裹程度不好的连接孔图形，并对该连接孔图形进行修正。优选地，所述金属目标层图形的个数为多个。
图3显示为金属目标层曲线与连接孔三边中心距离小于安全阈值位置关系示意图。若所述边的个数为3，判断连接孔三边中心到金属目标层曲线的距离C1，C2，C3(如图3所示)相邻两边数值C1+C2及C2+C3中是否有一个值小于过滤阈值Q，Q的数值为5nm～15nm，是则将所述连接孔图形标记为预处理对象。优选地，所述预处理对象中的预处理动作包括：筛选出金属目标层图形对包裹程度不好的连接孔图形。优选地，所述金属目标层图形的个数为多个。
综上所述，本发明提供一种能够快速检验出属层对连接孔包裹程度检查方法，减少脚本总运算时间，提高OPC处理效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (12)
1.一种金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤一、提供金属目标层图形并生成其外轮廓的目标层曲线；
步骤二、提供连接孔图形并标记该连接孔图形四边的中心位置；
步骤三、设定一安全阈值，根据所述连接孔图形四边的中心位置分别到所述目标层曲线的距离，标记所述距离中小于所述安全阈值的边的个数；
步骤四、按所述距离中小于所述安全阈值的边的个数进行分类，分为单边、两条边为邻边、两条边为相对边或三条边的类型，并给出各种类型分别对应的过滤阈值；
步骤五、对于单边类型，若所述距离小于其对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于两条边为邻边类型，若其各自对应所述距离的和小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于两条边为相对边类型，若该两条边各自对应的所述距离中有任一小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象；对于三条边情况，若其中任何两条相邻边各自对应的所述距离的和小于该类型对应的过滤阈值，则将所述连接孔图形标记为预处理对象。
2.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述目标层曲线是根据所述金属目标层图形由软件计算得出的目标层圆角化的曲线。
3.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述连接孔图形对应的连接孔，包括连接于上下金属层的连接通孔，以及金属层与有源区和多晶硅的接触孔。
4.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述安全阈值的取值范围为15nm～30nm。
5.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述单边类型对应的过滤阈值的取值范围为-5nm～0nm。
6.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述两条边为相对边的类型对应的过滤阈值的取值范围为-5nm～0nm。
7.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述两条边为邻边类型对应的过滤阈值的取值范围为5nm～15nm。
8.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述三条边类型对应的过滤阈值的取值范围为5nm～15nm。
9.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述过滤阈值的数值大小根据实际工艺要求及程序调试所得。
10.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述预处理对象中的预处理动作包括：筛选出金属目标层图形对包裹程度不好的连接孔图形。
11.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：所述金属目标层图形的个数为多个。
12.根据权利要求1所述的金属层对连接孔包裹程度的检查方法，其特征在于：步骤三中的所述安全阈值为金属层与连接孔的距离所满足的最小设计规则的数值。
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| CN104898368A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 基于双层图形的光学临近效应修正方法 |
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