CN109686849A - 发光装置和平板显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供发光装置和平板显示设备。发光装置包括：第一电极，分别在第一子像素、第二子像素和第三子像素上；第二电极，面向第一电极；第一发射层，在第一子像素上以发射第一颜色光；第二发射层，在第二子像素上以发射第二颜色光；第一层，与第一子像素、第二子像素和第三子像素集成；第一辅助层，在第一层与第一发射层之间；第一中间层，在第一辅助层与第一发射层之间。第一中间层的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值比第一辅助层的HOMO能级的绝对值大，并比第一发射层的HOMO能级的绝对值小。第一中间层的最低未占据分子轨道(LOMO)能级的绝对值比第一辅助层的LUMO能级的绝对值大，并比第一发射层的LUMO能级的绝对值小。

Description

发光装置和平板显示设备
本申请要求于2017年10月19日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0135873号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或更多个实施例涉及一种发光装置。
背景技术
发光装置包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的发射层。从阳极提供的空穴与从阴极提供的电子在发射层中复合以产生激子。这些激子可以经历从激发态到基态的跃迁，从而以光的形式释放能量。
当形成包括轻质薄膜并且以低电压驱动的发光装置时，该装置可以在宽视角、高对比度和短响应时间方面具有优异的特性。就这一点而言，发光装置可以用于包括个人便携式装置(诸如MP3播放器和移动电话)和TV的广泛的应用中。
发明内容
在包括公共层(或共用层)和发射不同颜色的两个发射层的发光装置中，发射层可以堆叠，并且中间层可以位于所述两个发射层之间，以防止或减少颜色的混合。
中间层可以用作装置中的单个(例如，组合的)空穴注入层和空穴传输层。然而，由于中间层直接接触发射层，所以不再存在单个装置中的辅助层(例如，装置不包括辅助层)。在不存在辅助层的情况下，高空穴注入势垒会导致高驱动电压，并且阻止电子从发射层扩散到中间层中的失败会导致与颜色混合和寿命劣化相关的性能问题。
为了解决各种问题(包括上述问题)，本公开提供了一种具有降低的驱动电压以及改善的寿命和效率的发光装置。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
根据本公开的一个或更多个实施例，一种发光装置包括：
多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素上(例如，分别与第一子像素、第二子像素和第三子像素对应)；
第二电极，面向所述多个第一电极；
第一发射层，位于第一子像素上，以发射第一颜色光；
第二发射层，位于第二子像素上，以发射第二颜色光；
第一层，与第一子像素、第二子像素和第三子像素集成；
第一辅助层，位于第一层与第一发射层之间；以及
第一中间层，位于第一辅助层与第一发射层之间，
其中，第一中间层的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值比第一辅助层的HOMO能级的绝对值大，并且比第一发射层的HOMO能级的绝对值小，并且
第一中间层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级的绝对值比第一辅助层的LUMO能级的绝对值大，并且比第一发射层的LUMO能级的绝对值小。
在一些实施例中，第一中间层可以包括p掺杂剂或包含p掺杂剂的单层(例如，薄膜)。
在一些实施例中，p掺杂剂可以包括从醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中选择的至少一种。
在一些实施例中，第一辅助层可以包括空穴传输化合物。
在一些实施例中，空穴传输化合物可以包括从由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中选择的至少一种：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
L205可以选自于*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4可以均独立地为从0至3的整数，
xa5可以为从1至10的整数，
R201至R204以及Q201可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1-C20亚烷基、取代的C2-C20亚烯基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基可以选自于由下面的基团构成的组：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
Q11至Q13、Q21至Q23以及Q31至Q33可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
在一些实施例中，发光装置还可以包括在第一层与第二发射层之间的第二中间层。
在一些实施例中，发光装置还可以包括在第一电极与第一层之间的第三中间层。
在一些实施例中，发光装置还可以包括在第一中间层与第一发射层之间的第四中间层。
在一些实施例中，第四中间层的HOMO能级的绝对值可以比第一中间层的HOMO能级的绝对值大，但是可以比第一发射层的HOMO能级的绝对值小，
在一些实施例中，第四中间层的LUMO能级的绝对值可以比第一中间层的LUMO能级的绝对值大，但是可以比第一发射层的LUMO能级的绝对值小。
在一些实施例中，发光装置还可以包括在第一电极与第一层之间的从空穴注入层和空穴传输层中选择的至少一者。
在一些实施例中，从空穴注入层和空穴传输层中选择的至少一者可以包括p掺杂剂或包括p掺杂剂的单层(例如，薄膜)。
在一些实施例中，发光装置还可以包括位于第一发射层与第二发射层上方且位于第二电极下方的从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者。
在一些实施例中，从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者可以包括含金属的材料。
在一些实施例中，发光装置还可以包括位于第一发射层和第二发射层之上以及位于第二电极下方的缓冲层。
在一些实施例中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极。
在一些实施例中，阳极可以是反射或半透射电极，阴极可以是透射电极。
在一些实施例中，发光装置可以是顶部发射型或顶部发射类的装置(例如，顶部发射装置)。
在一些实施例中，第一颜色光可以是蓝色光，第二颜色光可以是红色光，并且位于第一层中且与第三子像素对应的区域可以发射绿色光。
在一些实施例中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是蓝色光，并且位于第一层中且与第三子像素对应的区域可以发射绿色光。
根据一个或更多个实施例，平板显示设备可以包括：
薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层；以及
发光装置，
其中，发光装置的第一电极与从薄膜晶体管的源电极和漏电极中选择的至少一个电连接。
附图说明
通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更容易领会，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的发光装置的示意性剖视图；
图2是根据本公开的另一实施例的发光装置的示意性剖视图；
图3是示出根据示例1和对比示例1制备的发光装置的电致发光光谱的曲线图；
图4是示出根据示例1和对比示例1制备的发光装置的寿命特性的曲线图；
图5是示出根据示例2和对比示例2制备的发光装置的电流密度与驱动电压之间的关系的曲线图；
图6是示出根据示例2和对比示例2制备的发光装置的寿命特性的曲线图；
图7是示出根据示例2和对比示例2制备的发光装置的发光效率的曲线图；
图8是示出根据示例3和对比示例3制备的发光装置的寿命特性的曲线图；
图9是示出根据示例3和对比示例4制备的发光装置的电流密度与驱动电压之间的关系的曲线图。
具体实施方式
现在将参照示例实施例更充分地描述本公开。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把公开的构思充分地传达给本领域技术人员。通过参照这里详细描述的实施例以及附图，本公开的优势、特征以及如何实现它们将变得明显。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应该限于示例实施例。
在下文中，通过参照附图详细描述实施例，并且在附图中，同样的附图标记表示同样的元件，并且可以不提供其重复的说明。
如这里所使用的，术语“第一”、“第二”等仅用于将一个组件与另一组件区分开，并且这些组件不应该局限于这些术语。
如这里所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。当诸如“……中的至少一个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”、“从……中选择(选自于……中)的至少一个(种/者)”和“从……中选择(选自于……中)的一个(种/者)”的表达在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。
将理解的是，当层、膜、区域或板被称为“形成在”另一层、膜、区域或板上时，该层、膜、区域或板可以直接或间接地形成在所述另一层、膜、区域或板上。在一些实施例中，例如，可以存在中间层、膜、区域或板。在一些实施例中，为了方便解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，由于为了方便解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以本公开的下面的实施例不限于此。
[图1的描述]
图1是根据本公开的实施例的发光装置的示意性剖视图。
参照图1，根据本公开的实施例的发光装置100包括：
多个第一电极110，分别位于第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)上(例如，分别与第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)对应)；
第一发射层130a，位于第一子像素SP1上以发射第一颜色光；
第二发射层130b，位于第二子像素SP2上以发射第二颜色光；
第一层130c，与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3集成；
第一辅助层130'，位于第一层130c与第一发射层130a之间；以及
第一中间层131，位于第一辅助层130'与第一发射层130a之间，
其中，第一中间层131的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值比第一辅助层130'的HOMO能级的绝对值大，并且比第一发射层130a的HOMO能级的绝对值小，
第一中间层131的最低未占据分子轨道(LUMO)能级的绝对值比第一辅助层130'的LUMO能级的绝对值大，并且比第一发射层130a的LUMO能级的绝对值小。
在一些实施例中，发光装置100还可以包括位于第一层130c与第二发射层130b之间的第二中间层132以及位于第一电极110与第一层130c之间的第三中间层133。
在一些实施例中，发光装置100还可以包括：从空穴注入层121和空穴传输层中选择的至少一种(例如，位于多个第一电极110与第一层130c之间)；从电子注入层和电子传输层142中选择的至少一种(例如，位于第一发射层130a和第二发射层130b之上，并且位于第二电极150下方)；和/或缓冲层141(例如，位于第一发射层130a和第二发射层130b之上且位于第二电极150下方)。下面将详细描述这些层中的每个。
在一些实施例中，如上所述，第一层130c可以与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3集成。例如，第一层130c可以是公共层。
例如，第一层130c可以位于所述多个第一电极110之上并且位于第一发射层130a和第二发射层130b下方。
在包括两个或更多个发射层和公共层的发光装置(根据现有技术)的结构中，通常从公共层注入空穴，就这一点而言，一个层(例如，发射层中的一个)可以位于底部发射层(例如，公共层)与顶部发射层(例如，另一发射层)之间。
在一些实施例中，与如上所述的现有技术中的发光装置相比，发光装置100可以包括位于第一层130c与第一发射层130a之间的两个层，即，第一辅助层130'和第一中间层131。当第一中间层131位于第一辅助层130'和第一发射层130a之间时，第一中间层131可以促进将注入的空穴从第一层130c传输到第一辅助层130'。在一些实施例中，第一中间层131可以防止或减少电子进入空穴传输区域而不在发射层中发光，其中，电子经由电子传输层142注入第一发射层130a。
在一些实施例中，第一中间层131的HOMO能级的绝对值可以比第一辅助层130'的HOMO能级的绝对值大，并且比第一发射层130a的HOMO能级的绝对值小，就这一点而言，第一中间层131可以促进从第一辅助层130'向第一发射层130a注入空穴。
在一些实施例中，第一中间层131的LUMO能级的绝对值可以比第一发射层130a的LUMO能级的绝对值小，就这一点而言，第一中间层131可以促进阻挡或减少传输电子。
详细地，第一发射层130a可以包括诸如主体材料的发光材料。第一中间层131的HOMO能级的绝对值可以比第一辅助层130'的HOMO能级的绝对值大，但是可以比包括在第一发射层130a中的主体材料的HOMO能级的绝对值小。第一中间层131的LUMO能级的绝对值可以比第一辅助层130'的LUMO能级的绝对值大，但是可以比包括在第一发射层130a中的主体材料的LUMO能级的绝对值小。
在下文中，将更详细地描述根据本公开的实施例的发光装置100。
[第一电极110]
在图1中，基底可以另外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。基底可以是玻璃基底或塑料基底，所述玻璃基底或塑料基底均具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易处理性和/或防水性。
例如，当发光装置100是顶部发射型或顶部发射类的装置(例如，顶部发射装置)时，其中，光在与基底相反(例如，远离基底)的方向上发射，基底可以不是透明的，并且可以是不透明或半透明的。在一些实施例中，金属可以用于形成基底。当基底由金属形成时，基底可以包括从铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦(Invar)合金、因康(Inconel)合金和可伐(Kovar)合金中选择的至少一种。在一些实施例中，基底可以由碳形成。
在一些实施例中，缓冲层、薄膜晶体管和有机绝缘层还可以包括在基底与第一电极110之间。
第一电极110可以通过在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，用于第一电极110的材料可以选自于具有高逸出功的材料以促进空穴注入。
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)和它们的任意组合，但是本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和它们的组合，但是本公开的实施例不限于此。
第一电极110可以具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但是第一电极110的结构的实施例不限于此。
例如，当阳极是半透明的时，阳极可以包括从氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)及它们的任意组合中选择的至少一种透明导电层。为了改善发光效率，阳极可以进一步或替代地包括由几到几十纳米的银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铟(In)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、镱(Yb)或它们的任意组合形成的半透明薄膜。
例如，当阳极是反射性的时，除了形成在反射膜的顶部和/或底部上的透明导电层之外，阳极还可以包括反射膜，所述反射膜可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、In、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Yb或它们的任意组合形成。
本公开的实施例不限于此，阳极可以由各种材料形成。在一些实施例中，包括单层结构和多层结构的阳极的结构可以经受各种修改。
阳极的厚度可以为大约50nm至大约110nm。当阳极的厚度在该范围内时，可以在不显著增大驱动电压的情况下获得优异的发光特性。
发光装置100还可以包括位于第一电极110与第一层130c之间的空穴传输区域和/或位于第一发射层130a或第二发射层130b与第二电极150之间的电子传输区域。
[空穴传输区域和第一辅助层130']
空穴传输区域可以具有：i)包括包含单一材料的单层的单层结构；ii)包括包含多种不同材料的单层的单层结构；或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
除了空穴注入层121(如图1中所示)之外，空穴传输区域还可以包括从空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中选择的至少一层。
例如，空穴传输区域可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构包括包含多种不同材料的单层，所述多层结构具有空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每种结构中，构成层可以以该陈述的次序在第一电极110上顺序地堆叠，但是空穴传输区域的结构的实施例不限于此。
在一些实施例中，第一辅助层130'可以包括包含在空穴传输区域中的空穴传输化合物。
空穴传输区域和第一辅助层130'可以包括从m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、由式201表示的化合物以及由式202表示的化合物中选择的至少一种：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
L205可以选自于*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4可以均独立地为从0至3的整数，
xa5可以为从1至10的整数，
R201至R204以及Q201可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基。
在一些实施例中，在式202中，R201和R202可以可选择地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基来连接(例如，以形成环)，R203和R204可以可选择地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基来连接。
在一个或更多个实施例中，关于式201和式202，
L201至L205可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基，
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或更多个实施例中，xa1至xa4可以均独立地为0、1或2。
在一个或更多个实施例中，xa5可以为1、2、3或4。
在一个或更多个实施例中，R201至R204可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，
Q31至Q33可以均独立地与上面描述的相同。
在一个或更多个实施例中，在式201中，从R201至R203中选择的至少一个可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，
但是本公开的实施例不限于此。
在一个或更多个实施例中，在式202中，i)R201和R202可以经由单键连接，并且/或者ii)R203和R204可以经由单键连接。
在一个或更多个实施例中，在式202中，从R201至R204中选择的至少一个可以选自于由下面的基团构成的组：
咔唑基；以及
取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的咔唑基，
但是本公开的实施例不限于此。
由式201表示的化合物可以由式201A表示：
式201A
在一些实施例中，由式201表示的化合物可以进一步由式201A(1)表示，但是本公开的实施例不限于此：
式201A(1)
在一些实施例中，由式201表示的化合物可以由下面的式201A-1表示，但是本公开的实施例不限于此：
式201A-1
在一些实施例中，由式202表示的化合物可以进一步由式202A表示：
式202A
在一些实施例中，由式202表示的化合物可以进一步由式202A-1表示：
式202A-1
在式201A、式201A(1)、式201A-1、式202A和式202A-1中，
L201至L203、xa1至xa3、xa5和R202至R204可以均独立地与上面描述的相同，
R211和R212可以均独立地与上面结合R203描述的相同，
R213至R217可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有C1-C10烷基的苯基、取代有-F的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
空穴传输区域和第一辅助层130'可以包括从化合物HT1至化合物HT39中选择的至少一种化合物，但是本公开的实施例不限于此：
空穴传输区域的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约当空穴传输区域包括从空穴注入层121和空穴传输层中选择的至少一者时，空穴注入层121的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约空穴传输层的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约当空穴传输区域、空穴注入层121和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以在不显著增大驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学谐振距离(例如，可以调节光学谐振距离以匹配从发射层发射的光的波长)来提高装置的发光效率，电子阻挡层可以阻挡或减少电子从电子传输区域流入。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。
[p掺杂剂]
从空穴注入层121和空穴传输层中选择的至少一个可以包括p掺杂剂或包含p掺杂剂的单层(例如，薄膜)。
在一些实施例中，第一中间层131、第二中间层132和第三中间层133可以均独立地包括p掺杂剂或包含p掺杂剂的单层(例如，薄膜)。
在一些实施例中，p掺杂剂可以具有-3.5eV或更小的LUMO能级(eV)。
p掺杂剂可以包括从醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。
例如，p掺杂剂可以包括从由下面的化合物构成的组中选择的至少一种：
醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))；
金属氧化物(诸如氧化钨和/或氧化钼)；
1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)；以及
由式221表示的化合物，
但是本公开的实施例不限于此：
HAT-CN F4-TCNQ
式221
在式221中，
R221至R223可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，其中，从R221至R223中选择的至少一者可以包括从氰基、-F、-Cl、-Br、-I、取代有-F的C1-C20烷基、取代有-Cl的C1-C20烷基、取代有-Br的C1-C20烷基和取代有-I的C1-C20烷基中选择的至少一个取代基。
第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c
第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c可以均包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括从磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中选择的至少一种。掺杂剂可以发射从第一颜色光至第三颜色光中选择的至少一种。例如，第一颜色光至第三颜色光可以均独立地选自蓝色光、红色光和绿色光。基于100重量份的主体，掺杂剂的量可以为大约0.01重量份至大约15重量份，但是本公开的实施例不限于此。
第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c的厚度可以均独立地为大约至大约例如，大约至大约当发射层的厚度在该范围内时，可以在不显著增大驱动电压的情况下获得优异的发光特性。
[第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c中的主体]
在本公开的一个或更多个实施例中，主体可以包括由式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301可以为取代的或未取代的C5-C60碳环基或者取代的或未取代的C1-C60杂环基，
xb11可以为1、2或3，
L301可以选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xb1可以为从0至5的整数，
R301可以选自于氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)和-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以为从1至5的整数，
Q301至Q303可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施例不限于此。
在一些实施例中，式301中的Ar301可以选自于由下面的基团构成的组：
萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施例不限于此。
当式301中的xb11为二或更大时，两个或更多个Ar301可以经由单键连接。
在一个或更多个实施例中，由式301表示的化合物可以进一步由式301-1或式301-2表示：
式301-1
式301-2
在式301-1和式301-2中，
A301至A304可以均独立地选自于苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，
X301可以为O、S或N-[(L304)xb4-R304]，
R311至R314可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，
L301、xb1、R301和Q31至Q33可以均独立地与上面描述的相同，
L302至L304可以均独立地与结合L301描述的相同，
xb2至xb4可以均独立地与结合xb1描述的相同，
R302至R304可以均独立地与结合R301描述的相同。
例如，在式301、式301-1和式301-2中，L301至L304可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚***基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚***基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，
Q31至Q33可以均独立地与上面的描述相同。
在一些实施例中，在式301、式301-1和式301-2中，R301至R304可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，
Q31至Q33可以均独立地与上面的描述相同。
在一个或更多个实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。例如，主体可以选自于Be配合物(例如，化合物H55)和Mg配合物。在一些实施例中，主体可以是Zn配合物。
主体可以包括从9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)以及化合物H1至化合物H55中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此：
[第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c中的磷光掺杂剂]
磷光掺杂剂可以包括由下面的式401表示的有机金属配合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2，
式402
在式401和式402中，
M可以选自于铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，
L401可以选自于由式402表示的配体，xc1可以为1、2或3，其中，当xc1为二或更大时，两个或更多个L401可以彼此相同或彼此不同，
L402可以为有机配体，xc2可以为从0至4的整数，其中，当xc2为二或更大时，两个或更多个L402可以彼此相同或彼此不同，
X401至X404可以均独立地为氮(N)或碳(C)，
X401和X403可以经由单键或双键连接，X402和X404可以经由单键或双键连接，
A401和A402可以均独立地为C5-C60碳环基或C1-C60杂环基，
X405可以为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，其中，Q411和Q412可以为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
X406可以为单键、O或S，
R401和R402可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，其中，Q401至Q403可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C20芳基和C1-C20杂芳基，
xc11和xc12可以均独立地为从0至10的整数，
式402中的*和*'均表示与式401中的M的结合位。
在一些实施例中，在式402中，A401和A402可以均独立地选自于苯基、萘基、芴基、螺二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
在一个或更多个实施例中，在式402中，i)X401可以为氮，X402可以为碳，或者ii)X401和X402可以同时均为氮。
在一个或更多个实施例中，在式402中，R401和R402可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中选择的至少一者的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，
Q401至Q403可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但是本公开的实施例不限于此。
在一个或更多个实施例中，当式401中的xc1为二或更大时，两个或更多个L401中的两个A401可以可选择地经由作为连接基团的X407连接，或者两个或更多个L401中的两个A402可以可选择地经由作为连接基团的X408连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。X407和X408可以均独立地选自于单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q413)-*'、*-C(Q413)(Q414)-*'或*-C(Q413)＝C(Q414)-*'(其中，Q413和Q414可以均独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但是本公开的实施例不限于此。
式401中的L402可以为单价有机配体、二价有机配体或三价有机配体。例如，L402可以为卤素、二酮(例如，乙酰丙酮)、羧酸(例如，吡啶甲酸酯)、-C(＝O)、异腈、-CN和含磷材料(例如，膦和亚磷酸盐)，但是本公开的实施例不限于此。
在一个或更多个实施例中，磷光掺杂剂可以例如选自于化合物PD1至化合物PD25，但是本公开的实施例不限于此：
[第一发射层130a、第二发射层130b和第一层130c中的荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可以包括芳胺化合物或苯乙烯胺化合物。
荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
式501
在式501中，
Ar501可以为取代的或未取代的C5-C60碳环基或者取代的或未取代的C1-C60杂环基，
L501至L503可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xd1至xd3可以均独立地为从0至3的整数，
R501和R502可以均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
xd4可以为从1至6的整数。
在一些实施例中，式501中的Ar501可以选自于由下面的基团构成的组：
萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中选择的至少一者的萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基。
在一个或更多个实施例中，式501中的L501至L503可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基。
在一个或更多个实施例中，在式501中，R501和R502可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或更多个实施例中，式501中的xd4可以为2，但是本公开的实施例不限于此。
例如，荧光掺杂剂可以选自于化合物FD1至化合物FD22：
在一个或更多个实施例中，荧光掺杂剂可以选自于下面的化合物，但是本公开的实施例不限于此：
[电子传输区域]
电子传输区域可以具有i)包括包含单一材料的单个层的单层结构、ii)包括包含多种不同材料的单个层的单层结构、或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
除了图1的电子传输层142或缓冲层141之外，电子传输区域还可以包括从空穴阻挡层、电子控制层和电子注入层中选择的至少一者，但是本公开的实施例不限于此。
例如，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每种结构中，构成层顺序地堆叠在发射层上。然而，电子传输区域的结构的实施例不限于此。
电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮环(πelectron-depleted nitrogen-containing ring，或π电子耗尽的含氮环)的无金属化合物。
“贫π电子的含氮环”表示具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基。
例如，“贫π电子的含氮环”可以是：i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基；ii)均具有至少一个*-N＝*'部分的两个或更多个5元至7元杂单环基彼此缩合的杂多环基；或者iii)均具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元杂单环基中的至少一个与至少一个C5-C60碳环基缩合的杂多环基。
贫π电子的含氮环的非限制性示例可以包括咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，但是本公开的实施例不限于此。
在一些实施例中，例如，电子传输区域可以包括由式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可以为取代的或未取代的C5-C60碳环基或者取代的或未取代的C1-C60杂环基，
xe11可以为1、2或3，
L601可以选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xe1可以为从0至5的整数，
R601可以选自于取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可以均独立地为C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
xe21可以为从1至5的整数。
在一些实施例中，至少一个Ar601和/或至少一个R601可以包括上面描述的贫π电子的含氮环。
在一些实施例中，在式601中，Ar601可以选自于由下面的基团构成的组：
苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，
Q31至Q33可以均独立地选自于C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
当式601中的xe11为二或更大时，两个或更多个Ar601可以经由单键连接。
在一个或更多个实施例中，式601中的Ar601可以为蒽基。
在一个或更多个实施例中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：
式601-1
在式601-1中，
X614可以为N或C(R614)，X615可以为N或C(R615)，X616可以为N或C(R616)，从X614至X616中选择的至少一者可以为N，
L611至L613可以均独立地与结合L601描述的相同，
xe611至xe613可以均独立地与结合xe1描述的相同，
R611至R613可以均独立地与结合R601描述的相同，
R614至R616可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一些实施例中，式601中的L601和式601-1中的L611至L613可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚***基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚***基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，
但是本公开的实施例不限于此。
在一个或更多个实施例中，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。
在一个或更多个实施例中，式601中的R601和式601-1中的R611至R613可以均独立地选自于由下面的基团构成的组：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、***基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601和Q602可以与上面描述的相同。
电子传输区域可以包括从化合物ET1至化合物ET36中选择的至少一种化合物，但是本公开的实施例不限于此：
在一个或更多个实施例中，电子传输区域可以包括从2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、3-(联苯基-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)和NTAZ中选择的至少一种化合物：
缓冲层141、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约当缓冲层141、空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围内时，电子阻挡层可以在不显著增大驱动电压的情况下具有优异的电子阻挡特性和/或电子控制特性。
电子传输层142的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约当电子传输层142的厚度在上面描述的范围内时，电子传输层142可以在不显著增大驱动电压的情况下具有令人满意的电子传输特性。
除了上面描述的材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层142)还可以包括含金属的材料。
含金属的材料可以包括从碱金属配合物和碱土金属配合物中选择的至少一种。碱金属配合物可以包括从锂(Li)离子、钠(Na)离子、钾(K)离子、铷(Rb)离子和铯(Cs)离子中选择的金属离子，碱土金属配合物可以包括从铍(Be)离子、镁(Mg)离子、钙(Ca)离子、锶(Sr)离子和钡(Ba)离子中选择的金属离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、二吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施例不限于此。
在一些实施例中，例如，含金属的材料可以包括Li配合物。Li配合物可以包括例如化合物ET-D1(羟基喹啉锂，LiQ)或化合物ET-D2：
电子传输区域可以包括促进电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
电子注入层可以具有i)包括包含单一材料的单个层的单层结构、ii)包括包含多种不同材料的单个层的单层结构、或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任意组合。
碱金属可以选自于Li、Na、K、Rb和Cs。在一些实施例中，碱金属可以为Li、Na或Cs。在一个或更多个实施例中，碱金属可以为Li或Cs，但是本公开的实施例不限于此。
碱土金属可以选自于镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和钡(Ba)。
稀土金属可以选自于钪(Sc)、钇(Y)、铈(Ce)、铽(Tb)、镱(Yb)和钆(Gd)。
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可以选自于碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。
碱金属化合物可以选自于碱金属氧化物(诸如Li2O、Cs2O和/或K2O)和碱金属卤化物(诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)。在一些实施例中，碱金属化合物可以选自于LiF、Li2O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI，但是本公开的实施例不限于此。
碱土金属化合物可以选自于诸如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(0<x<1)和/或BaxCa1-xO(0<x<1)的碱土金属氧化物。在一些实施例中，碱土金属化合物可以选自于BaO、SrO和CaO，但是本公开的实施例不限于此。
稀土金属化合物可以选自于YbF3、ScF3、ScO3、Y2O3、Ce2O3、GdF3和TbF3。在一些实施例中，稀土金属化合物可以选自于YbF3、ScF3、TbF3、YbI3、ScI3和TbI3，但是本公开的实施例不限于此。
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括如上面描述的碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子，与碱金属配合物、碱土金属配合物或稀土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、二吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施例不限于此。
电子注入层可以包括如上面描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任意组合(例如，由上述物质构成)。在一个或更多个实施例中，电子注入层还可以包括有机材料。当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可以为大约至大约例如，大约至大约当电子注入层的厚度在上面描述的范围内时，电子注入层可以在不显著增大驱动电压的情况下具有令人满意的电子注入特性。
在一些实施例中，除了上面描述的材料之外，电子传输层还可以包括含金属的材料。
[第二电极150]
发光装置100包括面对第一电极110的第二电极150。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，就这一点而言，用于形成第二电极150的材料可以选自于均具有相对低的逸出功的金属、合金、导电化合物以及它们的任意组合。
第二电极150可以包括从锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO和IZO中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。第二电极150可以为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或包含两个或更多个层的多层结构。
例如，第一电极110可以是阳极，第二电极150可以是阴极。这里，阳极可以是反射的或半透明的。
[图2的描述]
图2是根据本公开的另一实施例的发光装置的示意性剖视图。
参照图2，根据本公开的另一实施例的发光装置200包括：
多个第一电极210，分别位于第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)上；
第二电极250，面向所述多个第一电极210；
第一发射层230a，位于第一子像素SP1上以发射第一颜色光；
第二发射层230b，位于第二子像素SP2上以发射第二颜色光；
第一层230c，与第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3集成；
第一辅助层230'，位于第一层230c与第一发射层230a之间；以及
第一中间层231，位于第一辅助层230'与第一发射层230a之间，
其中，第一中间层231的HOMO能级的绝对值比第一辅助层230'的HOMO能级的绝对值大，并且比第一发射层230a的HOMO能级的绝对值小，并且
第一中间层231的LUMO能级的绝对值比第一辅助层230'的LUMO能级的绝对值大，并且比第一发射层230a的LUMO能级的绝对值小。
在一些实施例中，发光装置200还可以包括位于第一层230c与第二发射层230b之间的第二中间层232以及位于第一电极210与第一层230c之间的第三中间层233。
在一些实施例中，发光装置200还可以包括：从空穴注入层221和空穴传输层中选择的至少一种(例如，位于所述多个第一电极210与第一层230c之间)；从电子注入层和电子传输层242中选择的至少一种(例如，位于第一发射层230a与第二发射层230b之上并且位于第二电极250下方)；和/或缓冲层241(例如，位于第一发射层230a和第二发射层230b之上并且位于第二电极250下方)。
在图2中，第一电极210、第二电极250、第一发射层230a、第二发射层230b、第一层230c、第一辅助层230'、第一中间层231、第二中间层232、第三中间层233、电子传输层242和缓冲层241可以均独立地与上面描述的相同。
在一些实施例中，图2的发光装置200在结构上与图1的发光装置100的不同之处可以在于：图2的发光装置200还包括作为中间层的第四中间层234。
例如，发光装置200还可以包括位于第一中间层231与第一发射层230a之间的第四中间层234。这里，第四中间层234的HOMO能级的绝对值可以比第一中间层231的HOMO能级的绝对值大，但是可以比第一发射层230a的HOMO能级的绝对值小。在一些实施例中，第四中间层234的LUMO能级的绝对值可以比第一中间层231的LUMO能级的绝对值大，但是可以比第一发射层230a的LUMO能级的绝对值小。
可以通过参照第一中间层至第三中间层的描述来理解第四中间层(例如，第四中间层可以在结构、材料和功能方面与第一中间层至第三中间层基本相似)。
在一些实施例中，第一颜色光可以是蓝色光，第二颜色光可以是红色光，位于第一层230c中并且与第三子像素SP3对应的区域可以发射绿色光。
在一些实施例中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是蓝色光，位于第一层230c中并且与第三子像素SP3对应的区域可以发射绿色光。
在一些实施例中，第一颜色光可以是绿色光，第二颜色光可以是红色光，位于第一层230c中并且与第三子像素SP3对应的区域可以发射蓝色光。
在一些实施例中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，位于第一层230c中并且与第三子像素SP3对应的区域可以发射蓝色光。
在一些实施例中，第一颜色光可以是蓝色光，第二颜色光可以是绿色光，位于第一层230c中并且与第三子像素SP3对应的区域可以发射红色光。
在一些实施例中，第一颜色光可以是绿色光，第二颜色光可以是蓝色光，位于第一层230c中并且与第三子像素SP3对应的区域可以发射红色光。
包括在发光装置100中的每个层可以利用从真空沉积、旋涂、浇铸、LB(朗格缪尔-布吉特)法、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中选择的一种或更多种合适的方法形成在设定的或预定的区域上。
当通过真空沉积形成每个层时，可以根据用于形成空穴注入层的化合物以及空穴注入层的结构和热特性来选择沉积条件。在一些实施例中，例如，沉积条件可包括大约100℃至大约500℃的沉积温度、大约10-8托至大约10-3托的真空压力以及大约/秒至大约/秒的沉积速率。
当通过旋涂形成每个层时，根据将包括在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，旋涂可以在大约2000rpm至大约5000rpm的涂覆速度下和在大约80℃至大约200℃的热处理温度下执行。
如这里使用的术语“C1-C60烷基”可以指具有1个至60个碳原子的直链或支链的饱和脂肪烃单价基团，其非限制性示例可以包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如这里使用的术语“C1-C60亚烷基”可以指与C1-C60烷基具有基本相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C6-C60芳基”可以指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，如这里使用的术语“C6-C60亚芳基”可以指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。C6-C60芳基的非限制性示例可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和基。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基均包括两个或更多个环时，所述环可以彼此稠合。
如这里使用的术语“C1-C60杂芳基”可以指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子。如这里使用的术语“C1-C60亚杂芳基”可以指具有杂环芳香体系的二价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子。C1-C60杂芳基的非限制性示例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述环可以彼此稠合。
如这里使用的术语“单价非芳香缩合多环基”可以指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的非限制性示例可以为芴基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合多环基”可以指与单价非芳香缩合多环基具有基本相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”可以指具有彼此缩合的两个或更多个环、具有除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)之外的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的非限制性示例可以是咔唑基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”可以指与单价非芳香缩合杂多环基具有基本相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C5-C60碳环基”可以指具有5个至60个碳原子的单环或多环基团，其中，成环原子仅是碳原子(例如，所述环不包括任何杂原子)。C5-C60碳环基可以为芳香碳环基或非芳香碳环基。C5-C60碳环基可以是环(诸如苯)、单价基团(诸如苯基)或二价基团(诸如亚苯基)。在一个或更多个实施例中，根据连接到C5-C60碳环基的取代基的数量，C5-C60碳环基可以是三价基团或四价基团。
如这里使用的术语“C1-C60杂环基”可以指：除了可以包括除碳(碳原子的数量可以为1个至60个)外的从N、O、Si、P和S中选择的至少一种杂原子作为成环原子之外，与C5-C60碳环基具有基本相同结构的基团。
取代的C5-C60碳环基、取代的C1-C60杂环基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1-C60烷基、取代的C6-C60芳基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基可以选自于由下面的基团构成的组：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
如这里使用的术语“联苯基”可以指“取代有苯基的苯基”。换句话说，“联苯基”是具有苯基作为取代基的取代的苯基。
如这里使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换句话说，“三联苯基”是具有取代有苯基的苯基作为取代基的苯基。
除非另外定义，否则这里使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。
示例
在下面的示例和对比示例中，用于形成空穴注入层、空穴传输层、有机发射层、电子传输层、电子注入层、辅助层和中间层的材料均独立地对应于结合本说明书中的这些层描述的化合物。
示例1
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于臭氧和UV照射清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后在其上沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。接下来，在第一辅助层上沉积Y591以形成具有的厚度的第一中间层，并且将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第一中间层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色有机发射层中的每个的HOMO能级的绝对值和LUMO能级的绝对值如下(以eV为单位)：
第一辅助层：HOMO＝5.14，LUMO＝1.82；
第一中间层：HOMO＝5.37，LUMO＝2.10；
蓝色有机发射层：HOMO＝5.61，LUMO＝2.49。
然后，将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
对比示例1
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后在其上额外地沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。
将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第一中间层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。
然后，将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97：3的比例共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
评价示例1
测量了根据示例1和对比示例1制备的发光装置的电致发光光谱和寿命特性，其结果分别示于图3和图4中。这里，寿命(L90)是亮度下降到初始亮度的90％的时间的量度。参照图3，证明的是示例1的发光装置表现出比对比示例1的发光装置高强度的峰值发光。参照图4，证明的是示例1的发光装置表现出增加的寿命。
示例2
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后在其上额外地沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。接下来，在第一辅助层上沉积Y742以形成具有的厚度的第一中间层，并且将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第一中间层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色有机发射层中的每个的HOMO能级的绝对值和LUMO能级的绝对值如下(以eV为单位)：
第一辅助层：HOMO＝5.14，LUMO＝1.82；
第一中间层：HOMO＝5.28，LUMO＝2.06；
蓝色有机发射层：HOMO＝5.61，LUMO＝2.49。
然后，将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
对比示例2
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后，在其上额外地沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。接下来，在第一辅助层上沉积Y591以形成具有的厚度的第一中间层，并且将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第一中间层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。
第一辅助层、第一中间层和蓝色有机发射层中的每个的HOMO能级的绝对值和LUMO能级的绝对值如下(以eV为单位)：
第一辅助层：HOMO＝5.14，LUMO＝1.82；
第一中间层：HOMO＝5.37，LUMO＝2.10；
蓝色有机发射层：HOMO＝5.61，LUMO＝2.49。
然后，将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
评价示例2
测量了根据示例2和对比示例2制备的发光装置的电流密度-驱动电压关系、寿命特性和效率，其结果分别示于图5至图7中。这里，寿命(L90)是亮度下降到初始亮度的90％的时间的量度。参照图5，证明的是，与对比示例2的发光装置相比，示例2的发光装置表现出降低的驱动电压。参照图6，证明的是，示例2的发光装置表现出增加的寿命。参照图7，证明的是，与对比示例2的发光装置相比，示例2的发光装置表现出更高的效率。
示例3
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后在其上额外地沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。接下来，在第一辅助层上沉积Y591以形成具有的厚度的第一中间层，在第一中间层上沉积LGET281以形成具有的厚度的第四中间层。然后，将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第四中间层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。
第一辅助层、第一中间层、第四中间层和蓝色有机发射层中的每个的HOMO能级的绝对值和LUMO能级的绝对值如下(以eV为单位)：
第一辅助层：HOMO＝5.14，LUMO＝1.82；
第一中间层：HOMO＝5.28，LUMO＝2.06；
第四中间层：HOMO＝5.37，LUMO＝2.10；
蓝色有机发射层：HOMO＝5.61，LUMO＝2.49。
然后，将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
对比示例3(不包括中间层的发光装置)
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后，在其上额外地沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。
将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第一辅助层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。
随后，将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
对比示例4(在中间层中包括电子传输层的发光装置)
作为阳极，将康宁(Corning)ITO玻璃基底(15Ω/cm2，)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水均超声5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧清洗30分钟，然后安装在真空沉积设备上。
将HT211和NDP-9以99：1的比例共沉积在ITO玻璃基底上至的厚度，并在其上沉积HT211至的厚度，以形成具有的总厚度的空穴注入层。然后，将HTM276真空沉积在空穴注入层上，以形成具有的厚度的空穴传输层。
将NSSH6558M6(主体)和GD574(绿色掺杂剂)以94：6的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成公共层，即，具有的厚度的绿色有机发射层。
随后，将HT211和NDP-9以99：1的重量比共沉积在绿色有机发射层的绿色子像素区域内至的厚度，然后，在其上额外地沉积HT211以形成具有的厚度的第一辅助层。接下来，在第一辅助层上沉积LGET281以形成具有的厚度的第一中间层，然后，将ABH652(主体)和SBD3111(蓝色掺杂剂)以97：3的重量比共沉积在第一中间层上，以形成具有的厚度的蓝色有机发射层。将LHT2191沉积在绿色有机发射层的红色子像素区域内以形成具有的厚度的第二中间层，并且将PRH186(主体)和RD354(红色掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第二中间层上，以形成具有的厚度的红色有机发射层。
对于空穴阻挡，将DSETA1011形成在有机发射层上至具有的厚度，并将LGET281和GDI101以1：1的比例在其上共沉积，以形成具有的厚度的电子传输层。
将Yb沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以9：1的比例共沉积在电子注入层上，以形成具有的厚度的阴极，从而形成Yb/Ag：Mg电极，并完成发光装置的制造。
评价示例3
测量了根据示例3以及对比示例3和对比示例4制备的发光装置的寿命特性和电流密度-驱动电压关系，其结果分别示于图8和图9中。这里，寿命(L90)是亮度达到初始亮度的90％所需时间的量度。参照图8，证明的是，与对比示例3的发光装置相比，示例3的发光装置表现出增加的寿命。参照图9，证明的是，与对比示例4的发光装置相比，示例3的发光装置表现出降低的驱动电压。
根据本公开的一个或更多个实施例，发光装置展现出低的驱动电压和增加的寿命以及效率。本公开的范围不限于这些效果。
应该理解的是，这里描述的实施例应该被认为仅是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或多个实施例”。
此外，如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以分别被认为与术语“利用”及其变型同义。
如这里所使用的，术语“基本”、“大约”以及类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且意图解释将被本领域普通技术人员认可的测量值或计算值中的固有偏差。
另外，这里列举的任何数值范围意图包括所列举范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并且包括最小值1.0和最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里列举的任何最大数值限制意图包括其中的所有较低的数值限制，并且本说明书中所列举的任何最小数值限制意图包括其中的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地列举包含在这里所明确列举的范围内的任何子范围。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的本公开的精神和范围的情况下，在其中可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，所述发光装置包括：
多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素上；
第二电极，面向所述多个第一电极；
第一发射层，位于所述第一子像素上，以发射第一颜色光；
第二发射层，位于所述第二子像素上，以发射第二颜色光；
第一层，与所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素集成；
第一辅助层，位于所述第一层与所述第一发射层之间；以及
第一中间层，位于所述第一辅助层与所述第一发射层之间，
其中，所述第一中间层的最高占据分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最高占据分子轨道能级的绝对值大，并且比所述第一发射层的最高占据分子轨道能级的绝对值小，并且
所述第一中间层的最低未占据分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最低未占据分子轨道能级的绝对值大，并且比所述第一发射层的最低未占据分子轨道能级的绝对值小。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一中间层包括p掺杂剂或包含p掺杂剂的单层。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述p掺杂剂包括从醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中选择的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一辅助层包括空穴传输化合物。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述空穴传输化合物包括从由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中选择的至少一种：
式201
式202
其中，在式201和式202中，
L201至L204均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基；
L205选自于*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4均独立地为0至3的整数，
xa5为1至10的整数，
R201至R204以及Q201均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基以及取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
所述取代的C3-C10亚环烷基、所述取代的C1-C10亚杂环烷基、所述取代的C3-C10亚环烯基、所述取代的C1-C10亚杂环烯基、所述取代的C6-C60亚芳基、所述取代的C1-C60亚杂芳基、所述取代的二价非芳香缩合多环基、所述取代的二价非芳香缩合杂多环基、所述取代的C1-C20亚烷基、所述取代的C2-C20亚烯基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳香缩合多环基和所述取代的单价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基选自于由下面的基团构成的组：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中选择的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中选择的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23以及Q31至Q33均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括位于所述第一层与所述第二发射层之间的第二中间层。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括位于所述第一电极与所述第一层之间的第三中间层。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括位于所述第一中间层与所述第一发射层之间的第四中间层。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述第四中间层的最高占据分子轨道能级的绝对值比所述第一中间层的最高占据分子轨道能级的绝对值大，并且比所述第一发射层的最高占据分子轨道能级的绝对值小，并且
所述第四中间层的最低未占据分子轨道能级的绝对值比所述第一中间层的最低未占据分子轨道能级的绝对值大，并且比所述第一发射层的最低未占据分子轨道能级的绝对值小。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括位于所述第一电极与所述第一层之间的从空穴注入层和空穴传输层中选择的至少一者。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，从所述空穴注入层和所述空穴传输层中选择的至少一者包括p掺杂剂或包含p掺杂剂的单层。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括位于所述第一发射层和所述第二发射层之上且位于所述第二电极下方的从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其中，从所述电子注入层和所述电子传输层中选择的至少一者包括含金属的材料。
14.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括位于所述第一发射层和所述第二发射层之上并且位于所述第二电极下方的缓冲层。
15.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极是阳极，并且所述第二电极是阴极。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其中，所述阳极是反射电极或半透射电极，并且所述阴极是透射电极。
17.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置是顶部发射装置。
18.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一颜色光是蓝色光，所述第二颜色光是红色光，并且位于所述第一层中且与所述第三子像素对应的区域发射绿色光。
19.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一颜色光是红色光，所述第二颜色光是蓝色光，并且位于所述第一层中且与所述第三子像素对应的区域发射绿色光。
20.一种平板显示设备，所述平板显示设备包括：
薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层；以及
根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述发光装置的所述第一电极与从所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中选择的至少一个电连接。
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