CN109683113A - 一种光纤f-p腔磁场传感器及其制备方法 - Google Patents

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李东红
周阳
高琦
徐俊
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Abstract

本发明公开了一种光纤F‑P腔磁场传感器及其制备方法，磁场传感器包括无芯磁光光纤、同轴连接在无芯磁光光纤一端的第一单模光纤、同轴连接在无芯磁光光纤另一端的第二单模光纤；第一单模光纤的折射率与第二单模光纤的折射率相同；第一单模光纤的折射率与无芯磁光光纤的折射率相异。制备方法包括：（1）选取折射率相同的第一单模光纤和第二单模，并选取折射率与第一单模光纤相异的无芯磁光光纤；（2）将第一单模光纤的一端与无芯磁光光纤的一端同轴熔接；（3）将第二单模光纤的一端与无芯磁光光纤的另一端同轴熔接。本发明一种光纤F‑P腔磁场传感器及其制备方法，机械稳定性好，制作过程简单，可以实现批量化、高成品率和高重复率的生产。

Description

一种光纤F-P腔磁场传感器及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种光纤F-P腔磁场传感器及其制备方法。
背景技术
磁场能够穿透许多非金属物质材料，无须直接接触目标物体就可触发交换过程。通过使用磁性导体，磁场即可被传导到较远的距离，信号就能从温度较高的区域传送出去。随着技术的进步，磁场传感器的应用越来越广泛。在国民经济、国防建设、科学技术、医疗卫生等各个领域的应用越来越热。在新兴产业复杂的应用***中，要求磁性传感器体积小、重量轻、功能强、接口方便等，给磁性传感器提出了许多极高的要求。
腔具有结构简单、组装方便、使用方便、Q值不低等优点。在磁场传感领域，目前多数结构具有装置复杂的缺点，而且大多是电传感。
发明内容
本发明的目的是提供一种光纤F-P腔磁场传感器及其制备方法，机械稳定性好，制作过程简单，可以实现批量化、高成品率和高重复率的生产。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种光纤F-P腔磁场传感器，包括无芯磁光光纤、同轴连接在所述无芯磁光光纤一端的第一单模光纤、同轴连接在所述无芯磁光光纤另一端的第二单模光纤；
所述第一单模光纤的折射率与所述第二单模光纤的折射率相同；
所述第一单模光纤的折射率与所述无芯磁光光纤的折射率相异。
优选地，所述无芯磁光光纤、所述第一单模光纤、所述第二单模光纤的直径相同。
优选地，所述第一单模光纤、所述第二单模光纤的长度相同。
一种光纤F-P腔磁场传感器的制备方法，包括以下步骤：
（1）选取折射率相同的第一单模光纤和第二单模，并选取折射率与所述第一单模光纤相异的无芯磁光光纤；
（2）将所述第一单模光纤的一端与所述无芯磁光光纤的一端同轴熔接；
（3）将所述第二单模光纤的一端与所述无芯磁光光纤的另一端同轴熔接。
优选地，在步骤（1）中，选取直径相同的所述无芯磁光光纤、所述第一单模光纤、所述第二单模光纤。
优选地，在步骤（3）之后，对所述第一单模光纤和/或所述第二单模光纤的长度进行截取，使所述第一单模光纤和所述第二单模光纤的长度相同。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明一种光纤F-P腔磁场传感器及其制备方法，制作过程简单，可以实现批量化、高成品率和高重复率的生产；制得的光纤F-P腔磁场传感器具有机械稳定性好、高灵敏度、高精度、安全性好、高绝缘强度等优点。
附图说明
附图1为本发明磁场传感器的结构示意图。
其中：1、无芯磁光光纤；2、第一单模光纤；3、第二单模光纤。
具体实施方式
下面结合附图来对本发明的技术方案作进一步的阐述。
参见图1所示，上述一种光纤F-P腔磁场传感器，包括无芯磁光光纤、同轴连接在无芯磁光光纤一端的第一单模光纤、同轴连接在无芯磁光光纤另一端的第二单模光纤。第一单模光纤的折射率与第二单模光纤的折射率相同；第一单模光纤的折射率与无芯磁光光纤的折射率相异。在本实施例中，可以采用电熔接或激光熔接的方式进行连接。
在本实施例中，无芯磁光光纤、第一单模光纤、第二单模光纤的直径相同；且第一单模光纤、第二单模光纤的长度相同，形成左右对称的三段式结构。第一单模光纤和第二单模光纤均由包层和纤芯组成，中间的间隔层即为无芯磁光光纤。
通过这个设置，当周围环境的磁场发生改变时，无芯磁光光纤内部的折射率也会相应的发生改变，折射率改变，光纤F-P腔磁场传感器的传输谱也会发生相应改变，比较显著的是传输谱的中心波长会发生偏移。因此可以根据中心波长的偏移和周围磁场变化的关系，使光纤F-P腔磁场传感器达到磁场传感的目的。
一种光纤F-P腔磁场传感器的制备方法，包括以下步骤：
（1）选取折射率相同的第一单模光纤和第二单模，并选取折射率与第一单模光纤相异的无芯磁光光纤；在本实施例中，选取直径相同的无芯磁光光纤、第一单模光纤、第二单模光纤；
（2）将第一单模光纤的一端与无芯磁光光纤的一端同轴熔接；
（3）将第二单模光纤的一端与无芯磁光光纤的另一端同轴熔接；
（4）对第一单模光纤和/或第二单模光纤的长度进行截取，使第一单模光纤和第二单模光纤的长度相同，形成左右对称的三段式结构。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种光纤F-P腔磁场传感器，其特征在于：包括无芯磁光光纤、同轴连接在所述无芯磁光光纤一端的第一单模光纤、同轴连接在所述无芯磁光光纤另一端的第二单模光纤；
所述第一单模光纤的折射率与所述第二单模光纤的折射率相同；
所述第一单模光纤的折射率与所述无芯磁光光纤的折射率相异。
2.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔磁场传感器，其特征在于：所述无芯磁光光纤、所述第一单模光纤、所述第二单模光纤的直径相同。
3.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔磁场传感器，其特征在于：所述第一单模光纤、所述第二单模光纤的长度相同。
4.一种光纤F-P腔磁场传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）选取折射率相同的第一单模光纤和第二单模，并选取折射率与所述第一单模光纤相异的无芯磁光光纤；
（2）将所述第一单模光纤的一端与所述无芯磁光光纤的一端同轴熔接；
（3）将所述第二单模光纤的一端与所述无芯磁光光纤的另一端同轴熔接。
5.根据权利要求4所述的一种光纤F-P腔磁场传感器的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中，选取直径相同的所述无芯磁光光纤、所述第一单模光纤、所述第二单模光纤。
6.根据权利要求4所述的一种光纤F-P腔磁场传感器的制备方法，其特征在于：在步骤（3）之后，对所述第一单模光纤和/或所述第二单模光纤的长度进行截取，使所述第一单模光纤和所述第二单模光纤的长度相同。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111443313A (zh) * 2020-04-26 2020-07-24 浙江大学 一种利用双光子飞秒激光直写技术3d打印的f-p磁场传感器及其制作方法
CN112710246A (zh) * 2020-12-03 2021-04-27 北京信息科技大学 一种无芯光纤f-p应变传感器结构的制备方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USH371H (en) * 1987-01-14 1987-11-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical fiber interferometer
US5982174A (en) * 1997-07-21 1999-11-09 Wagreich; Richard B. External cavity fiber Fabry-Perot magnetometer
CN101055196A (zh) * 2007-05-28 2007-10-17 重庆大学 基于空芯光子晶体光纤的法－珀干涉传感器及其制作方法
CN101424696A (zh) * 2008-12-05 2009-05-06 重庆大学 全光纤温度自补偿微型f-p加速度传感器及制作方法
CN101598773A (zh) * 2009-07-02 2009-12-09 西北工业大学 一种磁感应强度传感头及磁感应强度测量方法及其装置
CN103592495A (zh) * 2013-10-31 2014-02-19 天津大学 基于磁流体和多模干涉的全光纤电流传感器及检测方法
CN103940455A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 华中科技大学 一种基于光纤多模干涉的全光纤高精度传感器及其应用
WO2015042686A1 (en) * 2013-09-25 2015-04-02 Institut National D'optique All-optical system responsive to motion and optical module for use in the same
CN104880267A (zh) * 2015-05-28 2015-09-02 北京理工大学 一种光纤微纳法珀干涉型压力传感器及其制作方法
CN105841840A (zh) * 2016-03-30 2016-08-10 东北大学 一种能同时测量氢气浓度和温度的光纤传感器
CN106248194A (zh) * 2016-07-22 2016-12-21 华中科技大学 一种基于无芯光纤的振动测量装置
CN107941390A (zh) * 2017-11-13 2018-04-20 中北大学 光纤法珀传感器及其制造方法
CN108917800A (zh) * 2018-06-21 2018-11-30 国家电网有限公司 无芯光纤混合传感器及实验***
CN109186647A (zh) * 2018-10-10 2019-01-11 武汉隽龙科技股份有限公司 消除光纤端面反射的装置及方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USH371H (en) * 1987-01-14 1987-11-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical fiber interferometer
US5982174A (en) * 1997-07-21 1999-11-09 Wagreich; Richard B. External cavity fiber Fabry-Perot magnetometer
CN101055196A (zh) * 2007-05-28 2007-10-17 重庆大学 基于空芯光子晶体光纤的法－珀干涉传感器及其制作方法
CN101424696A (zh) * 2008-12-05 2009-05-06 重庆大学 全光纤温度自补偿微型f-p加速度传感器及制作方法
CN101598773A (zh) * 2009-07-02 2009-12-09 西北工业大学 一种磁感应强度传感头及磁感应强度测量方法及其装置
WO2015042686A1 (en) * 2013-09-25 2015-04-02 Institut National D'optique All-optical system responsive to motion and optical module for use in the same
CN103592495A (zh) * 2013-10-31 2014-02-19 天津大学 基于磁流体和多模干涉的全光纤电流传感器及检测方法
CN103940455A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 华中科技大学 一种基于光纤多模干涉的全光纤高精度传感器及其应用
CN104880267A (zh) * 2015-05-28 2015-09-02 北京理工大学 一种光纤微纳法珀干涉型压力传感器及其制作方法
CN105841840A (zh) * 2016-03-30 2016-08-10 东北大学 一种能同时测量氢气浓度和温度的光纤传感器
CN106248194A (zh) * 2016-07-22 2016-12-21 华中科技大学 一种基于无芯光纤的振动测量装置
CN107941390A (zh) * 2017-11-13 2018-04-20 中北大学 光纤法珀传感器及其制造方法
CN108917800A (zh) * 2018-06-21 2018-11-30 国家电网有限公司 无芯光纤混合传感器及实验***
CN109186647A (zh) * 2018-10-10 2019-01-11 武汉隽龙科技股份有限公司 消除光纤端面反射的装置及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
马超: "基于多种光纤传感机理的磁场监测技术研究", 《万方学位论文数据库》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111443313A (zh) * 2020-04-26 2020-07-24 浙江大学 一种利用双光子飞秒激光直写技术3d打印的f-p磁场传感器及其制作方法
CN112710246A (zh) * 2020-12-03 2021-04-27 北京信息科技大学 一种无芯光纤f-p应变传感器结构的制备方法

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