CN109671723A - 一种tft阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT阵列基板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的栅极金属层、覆盖栅极金属层的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的半导体层，以及，与半导体层电性连接的源极和漏极；其中，所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述栅极金属层沿所述钝化层的厚度方向的投影相互独立。有益效果：通过将漏极设置成在钝化层的厚度方向与栅极金属层没有对应区域，增加漏极与栅极金属层之间的间距，从而减小漏极与栅极金属层形成的电容器的电容，防止产生馈通效应导致面板亮度下降。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前平板显示面板的主要驱动器件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。
薄膜晶体管阵列基板中一般包括有金属层制成的栅极、源极和漏极，源极与栅极以及漏极与栅极之间会设置一层绝缘层作为的电介质层，从而使源极与栅极以及漏极与栅极之间形成电容。
然而，漏极与栅极之间的电容较大时易产生Feed through(馈通效应)，从而导致面板亮度下降，影响面板画质。
发明内容
本发明提供一种TFT阵列基板，以解决漏极与栅极之间的电容较大时易产生馈通效应的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种TFT阵列基板，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的栅极金属层；
覆盖所述栅极金属层的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上的半导体层以及与所述半导体层电性连接的源极和漏极；
覆盖所述半导体层、所述源极和所述漏极的钝化层；以及
设置在所述钝化层上且与所述漏极电性连接的阳极金属层；
其中，所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述栅极金属层沿所述钝化层的厚度方向的投影相互独立。
进一步的，所述源极和所述漏极均设置在所述半导体层上且与所述半导体层触接。
进一步的，所述源极和所述漏极同材料制成。
进一步的，所述衬底基板上还设置有第一导电层，所述第一导电层与所述栅极金属层电性连接，并且，所述第一导电层沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影部分重合。
进一步的，所述栅极绝缘层设置在所述第一导电层上。
进一步的，所述第一导电层由透明导电金属制成。
进一步的，所述漏极为所述半导体层向远离所述源极的方向延伸的部分；或所述漏极为所述阳极金属层沿所述钝化层的厚度方向上延伸并与所述半导体层相接触的部分。
进一步的，所述衬底基板上还设置有第二导电层，所述第二导电层与所述栅极金属层电性连接，并且，所述第二导电层沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影部分重合。
进一步的，所述栅极绝缘层设置在所述第二导电层上。
进一步的，所述第二导电层由透明导电金属制成。
本发明的有益效果为：通过将漏极设置成在钝化层的厚度方向与栅极金属层没有对应区域，增加漏极与栅极金属层之间的间距，从而减小漏极与栅极金属层形成的电容器的电容，防止产生馈通效应导致面板亮度下降，同时通过设置与栅极金属层电性连接的导电层降低漏极与栅极金属层之间的导通电阻，使薄膜晶体管保持正常工作。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一中TFT阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例二中TFT阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例三中TFT阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例四中TFT阵列基板的结构示意图。
附图标记：
10、衬底基板；20、栅极金属层；30、栅极绝缘层；40、半导体层；51、源极；52、漏极；61、第一导电层；62、第二导电层；70、钝化层；80、阳极金属层。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的薄膜晶体管阵列基板中，由于漏极与栅极之间的电容较大，易产生Feed through(馈通效应)，从而导致面板亮度下降，影响面板画质。本发明可以解决上述问题。
实施例一：
一种TFT阵列基板，如图1所示，所述TFT阵列基板包括衬底基板10、设置在所述衬底基板10上的栅极金属层20、覆盖所述栅极金属层20的栅极绝缘层30、设置在所述栅极绝缘层30上的半导体层40，以及，与所述半导体层40电性连接的源极51和漏极52。
其中，所述TFT阵列基板还包括覆盖所述半导体层40、所述源极51和所述漏极52的钝化层70，以及，设置在所述钝化层70上且与所述漏极52电性连接的阳极金属层80。
其中，所述漏极52沿所述钝化层70的厚度方向的投影与所述栅极金属层20沿所述钝化层70的厚度方向的投影相互独立。
对于本领域技术人员，可以理解的是，漏极52与栅极金属层20之间形成电容器时，漏极52与栅极金属层20作为电容器的两个极板，漏极52与栅极金属层20的对应部位的面积越大、漏极52与栅极金属层20之间的间距越小，漏极52与栅极金属层20形成的电容器的电容越大。通过将漏极52设置成在钝化层70的厚度方向与栅极金属层20没有对应区域，增加漏极52与栅极金属层20之间的间距，从而减小漏极52与栅极金属层20形成的电容器的电容，防止产生Feed through(馈通效应)导致面板亮度下降。
具体的，所述源极51和所述漏极52均设置在所述半导体层40上且与所述半导体层40触接。
进一步的，所述源极51和所述漏极52同材料同工艺制成。
实施例二：
一种TFT阵列基板，如图2所示，其与实施例一的不同之处仅在于所述衬底基板10上还设置有第一导电层61。
具体的，所述第一导电层61与所述栅极金属层20电性连接，并且，所述第一导电层61沿所述钝化层70的厚度方向的投影与所述漏极52沿所述钝化层70的厚度方向的投影部分重合。
利用第二导电层62与栅极金属层20电性连接，防止产生馈通效应的同时，降低漏极52与栅极金属层20之间的导通电阻。
进一步的，所述栅极绝缘层30设置在所述第一导电层61上且与所述第一导电层61触接。
进一步的，所述第一导电层61由透明导电金属制成。
实施例三：
一种TFT阵列基板，如图3所示，所述TFT阵列基板包括衬底基板10、设置在所述衬底基板10上的栅极金属层20、覆盖所述栅极金属层20的栅极绝缘层30、设置在所述栅极绝缘层30上的半导体层40，以及，与所述半导体层40电性连接的源极51和漏极52。
其中，所述TFT阵列基板还包括覆盖所述半导体层40、所述源极51和所述漏极52的钝化层70以及设置在所述钝化层70上且与所述漏极52电性连接的阳极金属层80，所述漏极52为所述半导体层40向远离所述源极51的方向延伸的部分。
具体的，所述漏极52沿所述钝化层70的厚度方向的投影与所述栅极金属层20沿所述钝化层70的厚度方向的投影相互独立。
通过延伸半导体层40形成漏极52，从而增加穿透区的开口率，同时通过将漏极52设置成在钝化层70的厚度方向与栅极金属层20没有对应区域，增加漏极52与栅极金属层20之间的间距，从而减小漏极52与栅极金属层20形成的电容器的电容，防止产生馈通效应导致面板亮度下降。
进一步的，所述衬底基板10上还设置有第二导电层62，所述第二导电层62与所述栅极金属层20电性连接，并且，所述第二导电层62沿所述钝化层70的厚度方向的投影与所述漏极52沿所述钝化层70的厚度方向的投影部分重合。
进一步的，所述栅极绝缘层30设置在所述第二导电层62上且与所述第二导电层62触接。
进一步的，所述第二导电层62由透明导电金属制成。
实施例四：
一种TFT阵列基板，如图4所示，其与实施例三的不同之处仅在于所述漏极52的形成方式不同。
具体的，所述漏极52为所述阳极金属层80沿所述钝化层70的厚度方向上延伸并与所述半导体层40相接触的部分。
本发明的有益效果为：通过将漏极52设置成在钝化层70的厚度方向与栅极金属层20没有对应区域，增加漏极52与栅极金属层20之间的间距，从而减小漏极52与栅极金属层20形成的电容器的电容，防止产生馈通效应导致面板亮度下降，同时通过设置与栅极金属层20电性连接的导电层降低漏极52与栅极金属层20之间的导通电阻，使薄膜晶体管保持正常工作。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的栅极金属层；
覆盖所述栅极金属层的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上的半导体层以及与所述半导体层电性连接的源极和漏极；
覆盖所述半导体层、所述源极和所述漏极的钝化层；以及
设置在所述钝化层上且与所述漏极电性连接的阳极金属层；
其中，所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述栅极金属层沿所述钝化层的厚度方向的投影相互独立。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极均设置在所述半导体层上且与所述半导体层触接。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极同材料制成。
4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上还设置有第一导电层，所述第一导电层与所述栅极金属层电性连接，并且，所述第一导电层沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影部分重合。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设置在所述第一导电层上。
6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一导电层由透明导电金属制成。
7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述漏极为所述半导体层向远离所述源极的方向延伸的部分；或所述漏极为所述阳极金属层沿所述钝化层的厚度方向上延伸并与所述半导体层相接触的部分。
8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上还设置有第二导电层，所述第二导电层与所述栅极金属层电性连接，并且，所述第二导电层沿所述钝化层的厚度方向的投影与所述漏极沿所述钝化层的厚度方向的投影部分重合。
9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设置在所述第二导电层上。
10.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电层由透明导电金属制成。
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