CN109669321B - 一种晶圆洗边***和晶圆洗边方法 - Google Patents

一种晶圆洗边***和晶圆洗边方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种晶圆洗边***和晶圆洗边方法，所述***包括：晶圆承载***，所述晶圆承载***用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；光刻***，所述光刻***设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻***具有可调节的曝光区域；以及控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整，以使所述光刻***对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。根据本发明的晶圆洗边***和晶圆洗边方法可以精确曝光晶圆边缘损坏的、不完整的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。

Description

一种晶圆洗边***和晶圆洗边方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种晶圆洗边***和晶圆洗边方法。
背景技术
在集成电路制造工艺中要进行多次光刻步骤，光刻质量的好坏直接影响产品的合格率。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、涂胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。在晶圆的涂胶过程中，由于旋转产生的离心力的作用，使得晶圆上的光刻胶逐渐向晶圆边缘散布，导致光刻胶累积在晶圆的边缘形成突起残留，进而导致后续工艺的污染状况。为了去除累积于晶圆边缘的光刻胶残留，通常在涂胶工艺后加入洗边(Edge Bean Removal，EBR)工艺，也称作边缘球状物去除工艺、边胶去除工艺，以去除晶圆边缘的光刻胶残留。
随着制程越来越复杂，半导体器件关键尺寸越来越小，由传统洗边造成小尺寸缺陷对器件良率和器件稳定性影响越来越大。传统洗边产生的部分芯片裸片(Partial Die)和部分芯片图形(Partial Pattern)，是后续工艺产生缺陷的来源。现在没有解决由此缺陷的工艺或者制程。
当前工艺，只能通过修改洗边的CD，来减少因为传统洗边带来的缺陷影响，但无法根除。业界也有通过CMP的方式研磨掉部分芯片图形(Partial Pattern)，但对于部分芯片裸片(Partial Die)则无能为力。
为此，本发明提供了一种新的晶圆洗边***和晶圆洗边方法，用以解决现有技术中的问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明提供了一种晶圆洗边***，所述***包括：
晶圆承载***，所述晶圆承载***用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；
光刻***，所述光刻***设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻***具有可调节的曝光区域；以及
控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整，以使所述光刻***对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，所述控制模块对所述光刻***进行调整的步骤包括：
获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸，基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻***的曝光区域；
将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片，以使所述光刻***对所述待洗边芯片进行逐个曝光。
示例性的，所述控制模块对所述光刻***进行调整的步骤还包括：
获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据所述芯片检测结果指示的所述待洗边芯片；
基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标；
基于所述位置坐标变换所述光刻***和所述晶圆的相对位置，以使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，所述控制模块还配置为对所述晶圆承载***进行调整，以使所述晶圆载台带动所述待洗边晶圆旋转，从而使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，所述控制模块对所述晶圆承载***进行调整的步骤包括：
获取待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸；
根据所述芯片裸片尺寸确定待洗边晶圆转动角度；
基于所述转动角度调整所述晶圆承载***转动，以使所述待洗边晶圆相对所述光刻***转动，从而使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，所晶圆承载***还包括驱动装置，用以驱动所述晶圆载台带动所述待洗边晶圆旋转。
示例性的，所述晶圆洗边***还包括零标记校准***，所校零标记校准***用于将所光刻***的光刻区域精确对准所带洗边晶圆上的一个待洗边芯片裸片。
示例性的，所述晶圆洗边***包括水平校准***，所述水平校准***用于校准所述待洗边晶圆的水平位置以使所述待洗边晶圆保持水平。
示例性的，所述光刻***包括从上到下依次设置的光源***、掩膜版***、以及棱镜组。
示例性的，所述掩膜版***包括掩膜版，所掩膜版根据所述待洗边晶圆的芯片裸片尺寸确定曝光区域。
本发明还提供了一种晶圆洗边的方法，所述方法包括：
提供待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；
获取所述待洗边晶圆的待洗边芯片裸片，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光的过程中，保持所述待洗边晶圆旋转。
示例性的，所述提供所述待洗边晶圆的步骤包括：
提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层；
对所述光刻胶掩膜层进行曝光，以获得所述待洗边晶圆。
示例性的，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层之后，对所述光刻胶掩膜层进行曝光之前，还包括边缘光刻胶去除的步骤。
示例性的，所述边缘光刻胶去除的步骤采用硅片边缘曝光的方法。
示例性的，所述方法还包括对所述待洗边芯片裸片进行曝光之后进行去除所述待洗边芯片裸片的步骤。
根据本发明的晶圆洗边***和晶圆洗边方法可以精确曝光晶圆边缘损坏的、不完整的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1为一种晶圆洗边装***的结构示意图；
图2为一种晶圆洗边方法的示意性流程图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的描述，以说明本发明所述的晶圆洗边***和晶圆洗边方法。显然，本发明的施行并不限于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的元件，因而将省略对它们的描述。
随着制程越来越复杂，半导体器件关键尺寸越来越小，由传统洗边造成小尺寸缺陷对器件良率和器件稳定性影响越来越大。传统洗边产生的部分芯片裸片(Partial Die)和部分芯片图形(Partial Pattern)，是后续工艺产生缺陷的来源。现在没有解决有此缺陷的工艺或者制程。
当前工艺，只能通过修改洗边的宽度(CD)，来减少因为传统洗边带来的缺陷影响，但无法根除。业界也有通过CMP的方式研磨掉部分芯片图形(Partial Pattern)，但对于部分芯片裸片(Partial Die)则无能为力。
为此，本发明提供了一种晶圆洗边***：
晶圆承载***，所述晶圆承载***用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；
光刻***，所述光刻***设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻***具有可调节的曝光区域；以及
控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整，以使所述光刻***对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
参看图1，示出了根据本发明的一个实施例的、晶圆洗边***的结构示意图。所述晶圆洗边***包括晶圆承载***，所述晶圆承载***用于水平承载待洗边晶圆。如图1所示，所述晶圆承载***包括晶圆载台101，所述晶圆载台101可以是任意类型的可用于承载晶圆并保持晶圆水平的装置，如将晶圆用静电吸引固定的静电卡盘装置，本领域技术人员可以根据需要进行选择，在此并不限定。
示例性的，所述晶圆承载***还包括驱动装置，用以驱动所述晶圆载台带动所述待洗边晶圆旋转。所述驱动装置可以是任意类型的可用于驱动晶圆载台旋转的装置，如给所述晶圆载台提供扭矩的驱动马达。需要理解的是，本实施例以晶圆载台和驱动装置为示例对晶圆承载***进行说明仅仅是示例性的，任何晶圆承载***，用于水平承载待洗边晶圆转均适用于本发明。
所述晶圆洗边***还包括光刻***，所述光刻***设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻***具有可调节的曝光区域。示例性的，所述光刻***包括从上到下依次设置的光源***、掩膜版***、以及棱镜组。参看图1，所述光源***包括从上到下依次设置的光源1021、滤光片1022。所述光源1021提供用于半导体晶圆光刻的光束，如可见过、紫外光、深紫外光等光束，本领域技术人员可以根据需要对光束进行选择。所述滤光片1022可以根据曝光所需要的光束进行选择，如红外滤光片、紫外滤光片等，从而得到可用于光刻的波长范围以用于光刻。所述掩膜版***包括掩膜版1023，所述掩膜版1023根据所述待洗边晶圆的芯片裸片尺寸确定曝光区域，以曝光出待洗边晶圆的单个芯片大小区域的芯片裸片，从而使所述光刻***对待洗边芯片裸片进行逐个曝光。所述棱镜组包括棱镜1025，所述棱镜组用于将光束聚焦实现精确对准。示例性的，所述光刻***还包括设置在掩膜版***和棱镜组***之间的中性密度滤光片，继续参看图1，中性密度滤光片1024设置在掩膜版1023和棱镜1025之间用于减弱曝光光束的光线强度，防止过曝。
示例性的，所述晶圆洗边***包括水平校准***，所述水平校准***用于校准所述待洗边晶圆的水平位置以使所述待洗边晶圆保持水平。继续参看图1，所述校准***包括水平校准***103。在半导体光刻工艺中，晶圆位置对光刻中光束的照***确性影响重大，必须保持晶圆水平状态，以避免曝光尺寸偏差，为此设置水平校准装置有助于减少曝光偏差。示例性的，所述水平校准***103设置为位于所述待洗边晶圆下方和一侧的晶圆校准传感器，其依据发出的激光光束对晶圆所处的位置进行检测，获取晶圆的水平位置信息，通过获取的水平位置信息对晶圆进行校准。
示例性的，所述晶圆洗边***还包括零标记校准***，所校零标记校准***用于将所光刻***的光刻区域精确对准所带洗边晶圆上的一个待洗边芯片裸片。继续参看图1，所述晶圆承载***还包括零标记(Zero Mark)校准***104。示例性的，所述零标记校准***通过设置在晶圆上“十字”或“L”字图形的对准标记将待洗边晶圆进行对准。所述零标记校准***可以是任何将光刻***的光刻区域和待洗边芯片进行精确对准的任何校准***，在此并不限定。
所述晶圆洗边***还包括控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整，以使所述光刻***对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光。根据本发明的晶圆洗边***可以精确曝光晶圆边缘损坏的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。示例性的，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整的步骤包括：获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸，基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻***的曝光区域；将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片以对所述待洗边芯片进行逐个曝光。示例性的，所述获取晶圆上芯片裸片尺寸的方法可以通过测量，计算等任何可获得芯片裸片尺寸的方法。根据芯片裸片的尺寸调整光刻***的曝光区域，示例性的，根据芯片裸片的尺寸选择掩膜版，所述掩膜版上曝光区域的大小即为芯片裸片的尺寸，从而在光刻过程中确保曝光区域整好是一个芯片裸片的尺寸区域，从而实现对待洗边芯片的逐个曝光。需要理解的是，所述根据芯片裸片的尺寸选择掩膜版尺寸以调整光刻***的曝光区域的方法仅仅是示例性的，任何可以实现对光刻***的曝光区域进行调整的方法均适用于本发明。
示例性的，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整的步骤还包括：获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据所芯片检测结果指示的所述待洗边芯片；基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标；基于所述位置坐标变换所述光刻***和所述晶圆的相对位置以对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。所述获取芯片检测结果的方法可以是任何检测晶圆的方法，例如，采用电性测试的方法，将晶圆置于电性设备上获取芯片电性测试结果的晶圆图，从电性测试结果反映出残缺芯片位于晶圆图上的位置信息；也可以采用观察检测的方法，对洗边晶圆的边缘不完整的芯片裸片或残缺芯片(ugly die)进行观测，根据芯片尺寸绘制出晶圆图并在晶圆图中标示出待洗边的芯片裸片。基于所述芯片裸片尺寸计算所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标的步骤中，本领域技术人员可以根据任何可以对待洗边晶圆进行定位的方法实现，示例性的，基于芯片裸片的尺寸以及晶圆的位置信息固定晶圆上每一芯片的位于晶圆图中的坐标信息，基于坐标信息结合待洗边的芯片裸片在晶圆图中的信息，标示出待洗边的芯片裸片的位置坐标。通过确定的待洗边芯片裸片的位置坐标，变换所述光刻***和所述晶圆的相对位置以对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
需要理解的是，本实施例以控制模块对光刻***进行调整获得晶圆图上的待洗边芯片裸片的位置坐标，根据位置坐标对待洗边芯片裸片进行曝光的方法为示例说明使所述光刻***对所述待洗边芯片进行逐个曝光的步骤并不是要对本发明进行限定，基于光刻***确定曝光区域并对准待洗边的芯片裸片的步骤完成之后，任何可以使光刻***逐个曝光的方法，如光刻***转动而晶圆保持位置不变或者晶圆保持转动而光刻***保持位置不变，均可以适用于本发明，本领域技术人员可以根据需要设置对晶圆洗边***的控制和实施方式。采用控制模块对晶圆洗边***进行控制，基于芯片的检测结果和芯片裸片的尺寸对光刻***的光刻区域进行精准定位，进一步减少曝光误差，减少洗边缺陷，提升产品良率和稳定性。
下面，介绍在基于光刻***确定曝光区域并对准待洗边的芯片裸片的步骤完成之后，晶圆保持转动而光刻***保持位置不变以使光刻***和晶圆承载***相对位置变换，从而对待洗边芯片裸片进行逐个曝光的方法。
示例性的，所述控制模块海配置为对所述晶圆承载***转动进行调整，以使所述晶圆载台带动所述待洗边晶圆旋转，从而使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。其中，所述控制模块对所述晶圆承载***转动进行调整的步骤包括：获取待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸；根据所述芯片裸片尺寸计算晶圆转动角度；基于所述转动角度调整所述晶圆承载***转动，以使所述待洗边晶圆相对所述光刻***转动，从而使光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。为了使光刻***对待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光，需要保持待洗边晶圆和光刻***之间具有相对运动，因而保持每一次相对运动后的光刻***的再次对准就至关重要。在控制模块配置为对光刻***进行控制的同时，对晶圆承载***也进行控制，使得精准光刻与精确的晶圆转动进行配合，一方面进一步提升了曝光精确性，另一方面也提升了曝光洗边的速率。示例性的，这一控制过程具体可通过下述方式实现：在零标记校准***的校准下，确定光刻***对准的第一颗待洗边芯片裸片；通过芯片裸片尺寸，计算位于待洗边晶圆沿半径方向最***的相邻芯片所处位置的半径之间的夹角，从而获得待洗边转动角度；基于所述转动角度调整所述晶圆承载***转动，以使所述待洗边晶圆相对所述光刻***转动，其中，所述待洗边晶圆相对所述光刻***转动的角度为***的相邻芯片所处位置的半径之间的夹角，从而实现光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。需要理解的是，本实施例所描述的控制模块对所述晶圆承载***转动进行调整的方法仅仅是示例性的，其他方法，如通过相邻芯片上的对准标记确定转动角度等等，均可以实现对晶圆承载***转动进行调整，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，在此并不限定。
本发明还提供了一种晶圆洗边的方法，所述方法包括：
提供待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；
获取所述待洗边晶圆的待洗边芯片裸片，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
下面结合图1和图2对根据本发明的一个实施例的晶圆洗边方法进行说明。
参看图2，示出了根据本发明的一个实施例的晶圆洗边方法的示例性流程图。
首先，执行步骤S201：提供待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层。
所述待洗边晶圆可以是任意类型的，其上形成有任意半导体器件的半导体晶圆。所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层。示例性的，形成所述具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层的过程包括：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层；对所述光刻胶掩膜层进行曝光，以获得形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层的所述待洗边晶圆。一般的，通过涂胶工艺在半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层，所述涂胶工艺的步骤包括：硅片清晰烘干，用于去除晶圆表面的颗粒、有机物等污染物；涂底(又称HMDS沉积)，是半导体晶圆表面具有疏水性，增强基地表面与光刻胶的粘附性；旋转涂胶(PR coating)，通过晶圆旋转过程中滴胶使光刻胶铺满整个晶圆；以及软烘，用于增强光刻胶粘附性，释放光刻胶膜内的应力，防止光刻胶玷污设备。在进行涂胶完之后，对所述光刻胶掩膜进行曝光，以获得形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层的所述待洗边晶圆。在涂胶工艺中往往产生半导体晶圆边缘散步光刻胶残留而引起光刻胶累积，在曝光之前通常还需要对晶圆边缘进行传统洗边工艺，又称边缘光刻胶去除(EBR，Edge Bead Removal)。示例性的，采用硅片边缘曝光(WEE，Wafer EdgeExposure)法进行边缘光刻胶去除。在对硅片进行边缘光刻胶去除后再进行曝光，尽管WEE工艺对晶圆边缘的光刻胶进行了去除，其在后面的曝光工艺中形成部分芯片裸片(PartialDie)则无法去除，在后续工艺中形成残缺芯片(ugly die)，成为后续工艺的缺陷源。为此，基于曝光后的半导体晶圆获得的具有独立芯片裸片图形，本发明对形成的残缺芯片进行逐一曝光，以去除待洗边的残缺芯片裸片，进一步提升晶圆洗边工艺质量，防止洗边缺陷为后续工艺带来缺陷，影响洗边良率；为此继续执行步骤S202。
接着，继续参看图2，执行步骤S202，获取所述带洗边晶圆的待洗边芯片裸片，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
基于前期曝光形成的具有独立芯片裸片图形的待洗边晶圆，获取待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片。示例性的，所述获取所述带洗边晶圆的待洗边芯片裸片的步骤包括：
首先，执行步骤A1：获取芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据检测结果指示的所述待洗边芯片。所述获取芯片检测结果的方法可以是任何检测晶圆的方法，例如，采用电性测试的方法，将晶圆至于电性设备上获取芯片电性测试结果的晶圆图，从电性测试结果反映出残缺芯片位于晶圆图上的位置信息；也可以采用观察检测的方法，对洗边晶圆的边缘不完整的芯片裸片或残缺芯片(uglydie)进行观测，根据芯片尺寸绘制出晶圆图并在晶圆图中标示出待洗边的芯片裸片。
接着，执行步骤A2：获取所述晶圆上芯片裸片尺寸。所述芯片裸片尺寸即一个完整的芯片裸片的尺寸，可以采用任何可以测量芯片尺寸的方法对芯片进行测量。
接着，执行步骤A3：基于所述芯片裸片尺寸计算所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标。本步骤中，本领域技术人员可以根据任何可以对待洗边晶圆进行定位的方法实现，示例性的，基于晶圆的位置信息固定晶圆上每一芯片的位于晶圆图中的坐标信息，基于坐标信息结合待洗边的芯片裸片在晶圆图中的信息，标示出待洗边的芯片裸片的位置坐标。
需要理解的是，所述获取芯片裸片的方法仅仅是示例性的，本领域技术人员可以根据需要，选择任何可获取待洗边芯片裸片的方法。
获取待洗边芯片之后，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，在获取待洗边的芯片裸片在晶圆图中的位置坐标，可以基于所述位置坐标变换所述光刻***和所述晶圆的相对位置以对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
示例性的，对所述晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光的过程中，保持待洗边晶圆旋转。参看图1，待洗边晶圆100上覆盖有光刻胶掩膜105，在光刻***102精确对准待洗边晶圆100上其中一个待洗边芯片之后，保持光刻***位置不变，同时保持待洗边晶圆旋转，从而使得精准光刻与精确的晶圆转动进行配合，一方面进一步提升了曝光精确性，另一方面也提升了曝光洗边的速率。示例性的，所述晶圆旋转的角度可以通过待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸计算获得。在一个示例中，晶圆旋转的角度为晶圆上相邻两颗待洗边芯片所处位置的半径的夹角，其中，待洗边芯片均位于晶圆上沿半径方向最外层。
通过对待洗边芯片裸片进行逐个曝光，从而实现精确曝光晶圆边缘损坏的、不完整的芯片裸片，解决传统洗边工艺带来的部分芯片裸片缺陷，提升芯片良率和生产的稳定性。示例性的，在对所述待洗边芯片裸片的光刻胶掩膜进行曝光之后还包括进一步去除所述待洗边芯片裸片的步骤，从而进一步减少对完整芯片的影响，提升产品良率，和后续工艺的稳定性，示例性的，采用刻蚀方法以进一步去除对地洗边芯片裸片曝光后的不完整芯片。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (16)

1.一种晶圆洗边***，其特征在于，所述***包括：
晶圆承载***，所述晶圆承载***用于水平承载待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；
光刻***，所述光刻***设置在所述待洗边晶圆上方，所光刻***具有可调节的曝光区域；以及
控制模块，所述控制模块配置为对所述光刻***进行调整，以使所述光刻***对所述待洗边晶圆上的待洗边芯片裸片进行逐个曝光，以去除所述待洗边芯片裸片上的所述光刻胶掩膜层。
2.如权利要求1所述的***，其特征在于，所述控制模块对所述光刻***进行调整的步骤包括：
获取所述待洗边晶圆上芯片裸片尺寸，基于所述芯片裸片尺寸设定所述光刻***的曝光区域；
将所述曝光区域对准所述待洗边芯片裸片，以使所述光刻***对所述待洗边芯片进行逐个曝光。
3.如权利要求2所述的***，其特征在于，所述控制模块对所述光刻***进行调整的步骤还包括：
获取所述待洗边晶圆的芯片检测结果，并基于所述检测结果结合晶圆形状获取晶圆图，其中所述晶圆图上显示根据所述芯片检测结果指示的所述待洗边芯片；
基于所述芯片裸片尺寸确定所述待洗边芯片裸片在所述晶圆图上的位置坐标；
基于所述位置坐标变换所述光刻***和所述晶圆的相对位置，以使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
4.如权利要求2所述的***，其特征在于，所述控制模块还配置为对所述晶圆承载***进行调整，以使所述晶圆承载***带动所述待洗边晶圆旋转，从而使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
5.如权利要求4所述的***，其特征在于，所述控制模块对所述晶圆承载***进行调整的步骤包括：
获取待洗边晶圆上的芯片裸片尺寸；
根据所述芯片裸片尺寸确定待洗边晶圆转动角度；
基于所述转动角度调整所述晶圆承载***转动，以使所述待洗边晶圆相对所述光刻***转动，从而使所述光刻***对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光。
6.如权利要求1所述的***，其特征在于，所述晶圆承载***包括用以水平承载晶圆的晶圆载台和用以驱动所述晶圆载台、带动所述待洗边晶圆旋转的驱动装置。
7.如权利要求1所述的***，其特征在于，所述晶圆洗边***还包括零标记校准***，所述 零标记校准***用于将所光刻***的光刻区域精确对准所述待洗边晶圆上的一个待洗边芯片裸片。
8.如权利要求1所述的***，其特征在于，所述晶圆洗边***包括水平校准***，所述水平校准***用于校准所述待洗边晶圆的水平位置以使所述待洗边晶圆保持水平。
9.如权利要求1所述的***，其特征在于，所述光刻***包括从上到下依次设置的光源***、掩膜版***、以及棱镜组。
10.如权利要求9所述的***，其特征在于，所述掩膜版***包括掩膜版，所述 掩膜版根据所述待洗边晶圆的芯片裸片尺寸确定曝光区域。
11.一种晶圆洗边的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待洗边晶圆，所述待洗边晶圆表面形成有具有独立芯片裸片图形的光刻胶掩膜层；
获取所述待洗边晶圆的待洗边芯片裸片，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光，以去除所述待洗边芯片裸片上的所述光刻胶掩膜层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，对所述待洗边芯片裸片进行逐个曝光的过程中，保持所述待洗边晶圆旋转。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述提供所述待洗边晶圆的步骤包括：
提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层；
对所述光刻胶掩膜层进行曝光，以获得所述待洗边晶圆。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述半导体晶圆表面覆盖一层光刻胶掩膜层之后，对所述光刻胶掩膜层进行曝光之前，还包括边缘光刻胶去除的步骤。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述边缘光刻胶去除的步骤采用硅片边缘曝光的方法。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对所述待洗边芯片裸片进行曝光之后进行去除所述待洗边芯片裸片的步骤。
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