CN109634007A - 跨线结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种跨线结构及其制作方法。该方法包括如下步骤：提供基板，并在基板上沉积第一导电物质，并将第一导电物质刻蚀得到第一导电层；在第一导电层上沉积绝缘物质，并将绝缘物质刻蚀得到绝缘层；在绝缘层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；通过光罩将不需要形成第二导电物质的位置的部分光阻物质去除；将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对第二导电物质进行蚀刻；去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，第二导电层与第一导电层交叠设置，绝缘层位于交叠处；其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层与第一导电层交叠部分的宽度大于未与第一导电层交叠部分的宽度；本发明有效解决了跨线处电容过大影响信号传输的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及跨线结构及其制作方法。
背景技术
在显示面板行业，面板内的不同功能，不同层别的走线设计有数以百万条，走线和走线之间亦会有无数个位置会发生跨线交叠。
以液晶显示器为例，通常在上层导线层和下层导线层的跨线处，由于下层导线层有厚度和坡度角，在上层导线层及光阻镀膜时，坡度角上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄。曝光时，光阻比较薄的地方曝光后留下来的光阻会比较细。蚀刻时，细的光阻下面被酸刻蚀的更多，在加上坡度较上的上层导线层镀膜比较薄，很容易被酸刻蚀的比较细。为避免坡度较上的上层导线层酸蚀时变细的问题，通常将跨线处的第二导线层加宽，然而将跨线处的第二导线层加宽会导致跨线位置的电容过大，影响信号的传输。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能减小跨线处电容的跨线结构及其制作方法。
为实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：
一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：
提供基板，并在所述基板上沉积第一导电物质，并将所述第一导电物质刻蚀得到第一导电层；
在所述第一导电层上沉积绝缘物质，并将所述绝缘物质刻蚀得到绝缘层；
在所述绝缘层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；
通过光罩将不需要形成所述第二导电物质的位置的部分光阻物质去除；
将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对所述第二导电物质进行蚀刻；
去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层交叠设置，所述绝缘层位于交叠处；
其中，通过对光罩图形进行补偿使得所述第二导电层与所述第一导电层交叠部分的宽度大于未与所述第一导电层交叠部分的宽度。
在其中一个实施例中，所述第一导电层的结构包括依次连接的平坦段M1、平坦段M2和平坦段M3，所述平坦段M2的宽度分别小于所述平坦段M1和所述平坦段M3的宽度，且所述平坦段M2位于所述第一导电层与所述第二导电层的交叠处。
在其中一个实施例中，所述在所述绝缘层上依次沉积第二导电物质和光阻物质的步骤之前，所述制作方法还包括：在所述绝缘层上沉积静电隔离物质，并将所述静电隔离物质刻蚀得到静电隔离层，所述静电隔离层位于所述第一导电层与所述第二导电层的交叠处。
在其中一个实施例中，所述绝缘层的材料为半导体。
在其中一个实施例中，所述半导体为非晶硅。
在其中一个实施例中，所述第一导电层为第一金属层，所述第二导电层为第二金属层或铟锡金属氧化层。
在其中一个实施例中，所述第一导电层与所述第二导电层垂直设置。
在其中一个实施例中，所述第一导电层用来形成栅极走线，所述第二导电层用来形成源极和漏极走线。
为实现本发明的目的，本发明还采用了如下技术方案：
一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：
提供基板，并在所述基板上沉积第一导电物质，并将所述第一导电物质刻蚀得到第一导电层；
在所述第一导电层上沉积绝缘物质，并将所述绝缘物质刻蚀得到绝缘层；
在所述绝缘层上沉积静电隔离物质，并将所述静电隔离物质刻蚀得到静电隔离层；
在所述静电隔离层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；
通过光罩将不需要形成所述第二导电物质的位置的部分光阻物质去除；
将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对所述第二导电物质进行蚀刻；
去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层交叠设置，所述绝缘层、静电隔离层位于所述第一导电层与所述第二导电层的交叠处；
其中，通过对光罩图形进行补偿使得所述第二导电层与所述第一导电层交叠部分的宽度大于未与所述第一导电层交叠部分的宽度。
一种跨线结构，所述跨线结构采用如上所述的跨线结构的制作方法制成。
上述的跨线结构的制作方法，通过在第一导电层与第二导电层的交叠处设置绝缘层，解决传统跨线结构的制作方法中将跨线处的第二导电层加宽，导致第一导电层和第二导电层跨线处形成的电容过大，影响信号传输的问题。
附图说明
图1为一实施例中跨线结构的制作方法的流程图；
图2为一实施例中步骤S11制备得到的结构俯视图；
图3为一实施例中步骤S12制备得到的结构俯视图；
图4为一实施例中步骤S13制备得到的结构俯视图；
图5为一实施例中步骤S14制备得到的结构俯视图；
图6为一实施例中步骤S15制备得到的结构俯视图；
图7为一实施例中步骤S16制备得到的结构俯视图；
图8为一实施例中第一导电层的俯视图；
图9为另一实施例中跨线结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
参见图1，图1为一实施例中跨线结构的制作方法的流程图。
一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤S10：提供基板，并在基板上沉积第一导电物质，并将第一导电物质刻蚀得到第一导电层。具体地，基板可以为玻璃基板或软性基板。
在本实施例中，在步骤S10之前，所述制作方法还包括：在基板上沉积缓冲层，缓冲层可以为氧化硅层、氮化硅层、或者氧化硅与氮化硅叠加的复合层，缓冲层的主要目的是为了阻挡基板所含的杂质向第一导电层迁移。参见图2，图2为一实施例中步骤S11制备得到的结构俯视图，步骤S11:在第一导电层100上沉积绝缘物质，并将绝缘物质刻蚀得到绝缘层200。其中，沉积的绝缘层物质完全覆盖于第一导电层100上，刻蚀得到的绝缘层200的材料可以为半导体，具体地，该半导体可以为非晶硅。
参见图3，图3为一实施例中步骤S12制备得到的结构俯视图，步骤S12：在绝缘层200上依次沉积第二导电物质300和光阻物质400。具体地，沉积的光阻物质400完全覆盖于第二导电物质300上，沉积的第二导电物质300完全覆盖于绝缘层200和第一导电层100上。其中，光阻物质400可以为正向光阻或负向光阻。
在本实施例中，沉积第一导电物质和第二导电物质的方法包括磁控溅射法或物理气相沉积法。
参见图4，图4为一实施例中步骤S13制备得到的结构俯视图，步骤S13：通过光罩将不需要形成第二导电物质的位置的部分光阻物质去除。具体地，本实施例中采用的光阻物质400为正向光阻时，将需要形成第二导电物质的位置通过光罩覆盖，通过光照，使得不需要形成第二导电层上的光阻物质溶于光阻显影液中，同时配合通过光阻剥膜液将不需要形成第二导电物质的位置的部分光阻物质去除。
参见图5，图5为一实施例中步骤S14制备得到的结构俯视图，步骤S14：将未蚀刻的部分光阻物质410作为阻挡层，对第二导电物质300进行蚀刻。具体地，将未蚀刻的部分光阻物质410作为阻挡层，将已蚀刻部分光阻物质后暴露的第二导电物质进行蚀刻。
参见图6，图6为一实施例中步骤S15制备得到的结构俯视图，步骤S15：去除未蚀刻的部分光阻物质410，得到第二导电层310，第二导电层310与第一导电层100交叠设置，绝缘层200位于交叠处。
参见图7，图7为一实施例中步骤S16制备得到的结构俯视图，步骤S16：其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层310与第一导电层100交叠部分的宽度L1大于未与第一导电层交叠部分的宽度L2。
上述的跨线结构的制作方法，通过在第一导电层与第二导电层的交叠处设置绝缘层，解决传统跨线结构的制作方法中将跨线处的第二导电层加宽，导致第一导电层和第二导电层跨线处形成的电容过大，影响信号传输的问题。
在一个实施例中，参见图8，图8为一实施例中第一导电层的俯视图，第一导电层100的结构包括依次连接的平坦段M1、平坦段M2和平坦段M3，平坦段M2的宽度分别小于平坦段M1和平坦段M3的宽度，且平坦段M2位于第一导电层100与第二导电层310的交叠处。其中，交叠处为第一导电层100与第二导电层310的跨线处，由于跨线处上方的第二导电层310的加宽设计，会导致跨线位置形成的电容比较大，通过将第一导电层100在跨线位置的宽度减小，避免因为跨线处的第二导电层310的宽度过大导致电容变大的影响。
在一个实施例中，在绝缘层200上依次沉积第二导电物质300和光阻物质400的步骤之前，所述制作方法还包括：在绝缘层200上沉积静电隔离物质，并将静电隔离物质刻蚀得到静电隔离层，静电隔离层位于第一导电层100与第二导电层310的交叠处。由于静电的释放与第一导电层100与第二导电层310之间的距离有关，距离越小，静电释放的可能性越大，本实施例中，在第一导电层100与第二导电层310的交叠处设置静电隔离层，以增大第一导电层100与第二导电层310之间的距离，进而降低该交叠处发生静电释放的几率。其中，静电隔离层不仅要起到增大第一导电层100与第二导电层310的距离，还要起到静电隔离的作用，因此，静电隔离层的材料可以为绝缘材料或半导体材料。
在一个实施例中，第一导电层100为第一金属层，第二导电层310为第二金属层或铟锡金属氧化层。其中，第一金属层100和第二金属层310的材料为铝、铜、钛、钨、钼及以上金属的组合中的至少一种，且第一导电层100和第二导电层310可以为双层结构，双层结构的设计可以有效降低走线的阻抗。
具体地，第一导电层100与第二导电层310垂直设置。第一导电层100与第二导电层310垂直设置，通过减少了传输导线的长度，有效降低了跨线结构在传输信号时的损耗。
在一个实施例中，第一导电层100用来形成栅极走线，第二导电层310用来形成源极和漏极走线。其中，薄膜晶体管均包括栅极、源极和漏极，因此，第一导电层100可以用来形成薄膜晶体管的栅极，第二导电层310可以用来形成薄膜晶体管的源极和漏极，但也不限于薄膜晶体管，也可以为其他的电子元件。参见图9，图9为另一实施例中跨线结构的制作方法的流程图。
一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤S20：提供基板，并在基板上沉积第一导电物质，并将第一导电物质刻蚀得到第一导电层。
步骤S21：在第一导电层上沉积绝缘物质，并将绝缘物质刻蚀得到绝缘层。
步骤S22：在绝缘层上沉积静电隔离物质，并将静电隔离物质刻蚀得到静电隔离层。
步骤S23：在静电隔离层上依次沉积第二导电物质和光阻物质。
步骤S24：通过光罩将不需要形成第二导电物质的位置的部分光阻物质去除。
步骤S25：将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对第二导电物质进行蚀刻。
步骤S26：去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，第二导电层与第一导电层交叠设置，绝缘层、静电隔离层位于第一导电层与第二导电层的交叠处。
步骤S27：其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层与第一导电层交叠部分的宽度大于或等于未与第一导电层交叠部分的宽度。
上述的跨线结构的制作方法，通过在第一导电层100与第二导电层310的交叠处设置绝缘层200，解决传统跨线结构的制作方法将跨线处的第二导电层加宽，导致跨线处电容过大，影响信号传输的问题。且在绝缘层200与第二导电层310之间设置静电隔离层，通过增大第一导电层100与第二导电层310之间的距离，进而降低该交叠处发生静电释放的几率。
一种跨线结构，跨线结构采用如上所述的跨线结构的制作方法制成。
上述的跨线结构，采用上述的跨线结构的制作方法制作得到，有效解决了传输导线在跨线处电容过大，影响信号传输的问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种跨线结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，并在所述基板上沉积第一导电物质，并将所述第一导电物质刻蚀得到第一导电层；
在所述第一导电层上沉积绝缘物质，并将所述绝缘物质刻蚀得到绝缘层；
在所述绝缘层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；
通过光罩将不需要形成所述第二导电物质的位置的部分光阻物质去除；
将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对所述第二导电物质进行蚀刻；
去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层交叠设置，所述绝缘层位于交叠处；
其中，通过对光罩图形进行补偿使得所述第二导电层与所述第一导电层交叠部分的宽度大于未与所述第一导电层交叠部分的宽度。
2.根据权利要求1所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电层的结构包括依次连接的平坦段M1、平坦段M2和平坦段M3，所述平坦段M2的宽度分别小于所述平坦段M1和所述平坦段M3的宽度，且所述平坦段M2位于所述第一导电层与所述第二导电层的交叠处。
3.根据权利要求1所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上依次沉积第二导电物质和光阻物质的步骤之前，所述制作方法还包括：在所述绝缘层上沉积静电隔离物质，并将所述静电隔离物质刻蚀得到静电隔离层，所述静电隔离层位于所述第一导电层与所述第二导电层的交叠处。
4.根据权利要求1所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为半导体。
5.根据权利要求4所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述半导体为非晶硅。
6.根据权利要求1所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电层为第一金属层，所述第二导电层为第二金属层或铟锡金属氧化层。
7.根据权利要求1所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层垂直设置。
8.根据权利要求1所述的跨线结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电层用来形成栅极走线，所述第二导电层用来形成源极和漏极走线。
9.一种跨线结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，并在所述基板上沉积第一导电物质，并将所述第一导电物质刻蚀得到第一导电层；
在所述第一导电层上沉积绝缘物质，并将所述绝缘物质刻蚀得到绝缘层；
在所述绝缘层上沉积静电隔离物质，并将所述静电隔离物质刻蚀得到静电隔离层；
在所述静电隔离层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；
通过光罩将不需要形成所述第二导电物质的位置的部分光阻物质去除；
将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对所述第二导电物质进行蚀刻；
去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层交叠设置，所述绝缘层、静电隔离层位于所述第一导电层与所述第二导电层的交叠处；
其中，通过对光罩图形进行补偿使得所述第二导电层与所述第一导电层交叠部分的宽度大于未与所述第一导电层交叠部分的宽度。
10.一种跨线结构，其特征在于，所述跨线结构采用如权利要求1～9任意一项所述的跨线结构的制作方法制成。
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