CN109585583A - 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺 - Google Patents

一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN109585583A
CN109585583A CN201811476404.2A CN201811476404A CN109585583A CN 109585583 A CN109585583 A CN 109585583A CN 201811476404 A CN201811476404 A CN 201811476404A CN 109585583 A CN109585583 A CN 109585583A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
wool
etching
solar battery
battery sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811476404.2A
Other languages
English (en)
Inventor
皇韶峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd
Original Assignee
JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd filed Critical JIANGSU SOLARSPACE CO Ltd
Priority to CN201811476404.2A priority Critical patent/CN109585583A/zh
Publication of CN109585583A publication Critical patent/CN109585583A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02363Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,包括以下步骤:S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理。该用于太阳能电池片生产的制绒工艺,利用新工艺对硅片进行制绒,多次操作,从而获得高质量的制绒硅片。

Description

一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺
技术领域
本发明属于制绒工艺技术领域,具体涉及一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何环境污染。近年来,太阳能被人类广泛应用,尤其在光伏发电方面,发展迅速,通过太阳能电池片可以将太阳能转换为电能。太阳能电池片的生产制造工艺较为复杂,其中制绒工艺是在硅片表面形成金字塔结构,降低光在硅片表面的反射,并提高硅片对光的吸收,进而增加太阳能电池的光电转化效率。在制绒过程中,传统的制绒是直接一步到位,利用酸液和碱液进行反应从而在硅片表面获得坑凹状表面,但是此种工艺对于硅片的处理过于粗糙,很容易导致制绒效果不好,影响硅片质量。
因此针对这一现状,迫切需要设计和生产一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,以满足实际使用的需要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,包括以下步骤:
S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;
S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;
S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理;
S4、后清洗:对制绒后的硅片进行清洗,然后对后清洗的硅片进行水洗,干燥处理;
S5、酸洗:将得到的硅片再经过酸洗,具体是第一步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的HF酸清洗,时间240s,第二步用纯水清洗,时间为180s,第三步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为180s,第四步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为120ss,然后用水清洗干净,最后进行干燥,进入下一流程。
优选的,所述预清洗是用质量百分比浓度为0.18%~0.22%的氢氧化钠和体积百分比浓度为2-5%的双氧水混合溶液清洗硅片表面,对硅片表面进行预处理240s,处理完的硅片再次使用质量百分比浓度为0.15%~0.25%的氢氧化钠溶液处理240s。
优选的,所述制绒的过程中对于156*156单晶硅片,补加用量为:固体氢氧化钠180g/200片,无醇添加剂80mL/200片;对于125*125单晶硅片,补加用量为固体氢氧化钠150g/200片,无醇添加剂60mL/200片。
优选的,所述后清洗的过程中是将制绒后的硅片依次经过快排槽、水槽清洗时间为240s、体积百分比浓度为10.7%的HF酸槽清洗时间为240s,最后水槽清洗时间为240s,从而充分清洗硅片。
优选的,所述制绒过程中,制绒深度设置为2.8微米,制绒时间为1020s~1080s,制绒温度为80℃~85℃。
优选的,所述HNO3和HF混酸溶液中HNO3与HF的体积比在3:1~5:1之间。
优选的,所述硅片为多晶硅片、单晶硅片和准单晶硅片中的任意一种。
优选的,所述干燥温度为90~120℃,干燥时间为500~550s。
本发明的技术效果和优点:该用于太阳能电池片生产的制绒工艺,通过初反应对硅片的表面进行处理,降低其外面的多余物质,以及形成孔洞,预处理实现第一步的制绒,避免过强的反应损伤硅片,然后进行正式制绒,从而形成硅片表面的坑凹,然后在进行酸清洗进行中和碱液,如不清洗硅片表面残留的碱液,在烘干后硅片的表面会有结晶,影响后续流程的进行,该用于太阳能电池片生产的制绒工艺,利用新工艺对硅片进行制绒,多次操作,从而获得高质量的制绒硅片。
具体实施方式
下面将结合本发明的内容,对本发明内容中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的内容仅仅是本发明一部分内容,而不是全部的内容。基于本发明中的内容,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他内容,都属于本发明保护的范围。
本发明的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,包括以下步骤:
S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;
S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;
S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理;
S4、后清洗:对制绒后的硅片进行清洗,然后对后清洗的硅片进行水洗,干燥处理;
S5、酸洗:将得到的硅片再经过酸洗,具体是第一步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的HF酸清洗,时间240s,第二步用纯水清洗,时间为180s,第三步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为180s,第四步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为120ss,然后用水清洗干净,最后进行干燥,进入下一流程。
具体的,所述预清洗是用质量百分比浓度为0.18%~0.22%的氢氧化钠和体积百分比浓度为2-5%的双氧水混合溶液清洗硅片表面,对硅片表面进行预处理240s,处理完的硅片再次使用质量百分比浓度为0.15%~0.25%的氢氧化钠溶液处理240s。
具体的,所述制绒的过程中对于156*156单晶硅片,补加用量为:固体氢氧化钠180g/200片,无醇添加剂80mL/200片;对于125*125单晶硅片,补加用量为固体氢氧化钠150g/200片,无醇添加剂60mL/200片。
具体的,所述后清洗的过程中是将制绒后的硅片依次经过快排槽、水槽清洗时间为240s、体积百分比浓度为10.7%的HF酸槽清洗时间为240s,最后水槽清洗时间为240s,从而充分清洗硅片。
具体的,所述制绒过程中,制绒深度设置为2.8微米,制绒时间为1020s~1080s,制绒温度为80℃~85℃。
具体的,所述HNO3和HF混酸溶液中HNO3与HF的体积比在3:1~5:1之间。
具体的,所述硅片为多晶硅片、单晶硅片和准单晶硅片中的任意一种。
具体的,所述干燥温度为90~120℃,干燥时间为500~550s。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选内容而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述内容对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各内容所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、初反应:将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀,腐蚀时间在240s时,将硅片从混酸溶液中取出,再对酸腐蚀后的硅片进行水洗,干燥处理;
S2、预清洗:对硅片表面进行预清洗,然后对预清洗后的硅片进行水洗,干燥处理;
S3、制绒:将预清洗后的硅片经过盛有纯水的水槽清洗时间为240s后,置于盛有制绒液的制绒槽内,在该制绒液中氢氧化钠的质量百分比浓度为1.0%—1.5%,无醇添加剂的体积百分比浓度为0.2%—1.4%,然后对制绒后的硅片进行水洗,干燥处理;
S4、后清洗:对制绒后的硅片进行清洗,然后对后清洗的硅片进行水洗,干燥处理;
S5、酸洗:将得到的硅片再经过酸洗,具体是第一步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的HF酸清洗,时间240s,第二步用纯水清洗,时间为180s,第三步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为180s,第四步用体积百分比浓度为10.5%~10.9%的盐酸清洗,时间为120ss,然后用水清洗干净,最后进行干燥,进入下一流程。
2.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述预清洗是用质量百分比浓度为0.18%~0.22%的氢氧化钠和体积百分比浓度为2-5%的双氧水混合溶液清洗硅片表面,对硅片表面进行预处理240s,处理完的硅片再次使用质量百分比浓度为0.15%~0.25%的氢氧化钠溶液处理240s。
3.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述制绒的过程中对于156*156单晶硅片,补加用量为:固体氢氧化钠180g/200片,无醇添加剂80mL/200片;对于125*125单晶硅片,补加用量为固体氢氧化钠150g/200片,无醇添加剂60mL/200片。
4.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述后清洗的过程中是将制绒后的硅片依次经过快排槽、水槽清洗时间为240s、体积百分比浓度为10.7%的HF酸槽清洗时间为240s,最后清水240s,从而充分清洗硅片。
5.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述制绒过程中,制绒深度设置为2.8微米,制绒时间为1020s~1080s,制绒温度为80℃~85℃。
6.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述HNO3和HF混酸溶液中HNO3与HF的体积比在3:1~5:1之间。
7.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述硅片为多晶硅片、单晶硅片和准单晶硅片中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺,其特征在于:所述干燥的温度为90~120℃,干燥时间为500~550s。
CN201811476404.2A 2018-12-03 2018-12-03 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺 Pending CN109585583A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811476404.2A CN109585583A (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811476404.2A CN109585583A (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109585583A true CN109585583A (zh) 2019-04-05

Family

ID=65927043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811476404.2A Pending CN109585583A (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109585583A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110473810A (zh) * 2019-08-21 2019-11-19 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 单晶硅制绒工艺及装置
CN110957207A (zh) * 2019-11-07 2020-04-03 上海申和热磁电子有限公司 一种p重掺型硅片喷砂前预处理方法
CN111105995A (zh) * 2019-12-31 2020-05-05 北京北方华创真空技术有限公司 一种单晶硅片的清洗及制绒方法
CN112768552A (zh) * 2020-12-11 2021-05-07 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 一种双面perc电池的制备方法
CN113299795A (zh) * 2021-05-23 2021-08-24 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种原料油污电池片的表面织构清洗工艺
CN113930846A (zh) * 2021-12-15 2022-01-14 南京日托光伏新能源有限公司 匹配氢氧化钠单晶制绒方法
CN115472715A (zh) * 2022-09-05 2022-12-13 通威太阳能(安徽)有限公司 硅片碱式制绒方法、硅片制绒剂及太阳电池

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104018229A (zh) * 2014-05-15 2014-09-03 宁夏银星能源股份有限公司 一种单晶硅太阳能电池片的无醇制绒工艺
CN104328503A (zh) * 2014-08-28 2015-02-04 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104018229A (zh) * 2014-05-15 2014-09-03 宁夏银星能源股份有限公司 一种单晶硅太阳能电池片的无醇制绒工艺
CN104328503A (zh) * 2014-08-28 2015-02-04 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种金刚线切割的多晶硅的制绒方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110473810A (zh) * 2019-08-21 2019-11-19 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 单晶硅制绒工艺及装置
CN110957207A (zh) * 2019-11-07 2020-04-03 上海申和热磁电子有限公司 一种p重掺型硅片喷砂前预处理方法
CN110957207B (zh) * 2019-11-07 2021-12-10 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种p重掺型硅片喷砂前预处理方法
CN111105995A (zh) * 2019-12-31 2020-05-05 北京北方华创真空技术有限公司 一种单晶硅片的清洗及制绒方法
CN111105995B (zh) * 2019-12-31 2022-12-13 北京北方华创真空技术有限公司 一种单晶硅片的清洗及制绒方法
CN112768552A (zh) * 2020-12-11 2021-05-07 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 一种双面perc电池的制备方法
CN112768552B (zh) * 2020-12-11 2023-12-22 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 一种双面perc电池的制备方法
CN113299795A (zh) * 2021-05-23 2021-08-24 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种原料油污电池片的表面织构清洗工艺
CN113299795B (zh) * 2021-05-23 2023-05-12 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种原料油污电池片的表面织构清洗工艺
CN113930846A (zh) * 2021-12-15 2022-01-14 南京日托光伏新能源有限公司 匹配氢氧化钠单晶制绒方法
CN115472715A (zh) * 2022-09-05 2022-12-13 通威太阳能(安徽)有限公司 硅片碱式制绒方法、硅片制绒剂及太阳电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109585583A (zh) 一种用于太阳能电池片生产的制绒工艺
CN102593268B (zh) 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法
CN102181935B (zh) 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液
CN103087850B (zh) 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法
CN102315113B (zh) 一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用
CN101876088A (zh) 多晶硅片制绒方法
CN101515611A (zh) 酸碱结合的太阳电池制绒工艺
CN102005504A (zh) 可提高太阳电池转化效率的硅片制绒方法
CN107675263A (zh) 单晶硅金字塔结构绒面的优化方法
CN103199005A (zh) 一种晶体硅片的清洗工艺方法
CN101937946A (zh) 一种太阳电池硅片的表面织构方法
CN103337560A (zh) 用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法
CN101717946A (zh) 一种硅片表面制绒液及硅片表面制绒的方法
CN102108557B (zh) 一种制备单晶硅绒面的方法
CN106449878A (zh) 一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅
CN103789839B (zh) 一种弱氧化单晶硅片的制绒方法
CN103981575B (zh) 一种单晶硅片的退火制绒方法
CN103606595B (zh) 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法
CN112458540A (zh) 一种太阳能单晶制绒工艺
CN103413759B (zh) 一种多晶硅片的制绒方法
CN107275423B (zh) 一种提升黑硅电池转换效率的处理方法
CN103184523A (zh) 一种单晶硅制绒剂及绒面单晶硅的制备方法
CN107170846A (zh) 单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法
CN105839193A (zh) 一种绒面单晶硅的制备方法
CN102263154A (zh) 一种改善太阳能电池制绒表面状况的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190405