CN109581756A - 曝光装置及间隔物的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于显示技术领域，提供了一种曝光装置及间隔物的制作方法，曝光装置包括第一工作位、第二工作位、光罩组件、第一曝光光源组件和第二曝光光源组件，光罩组件包括第一光罩和第二光罩，第一光罩具有多个第一不透光区，第一不透光区包括主不透光区和辅不透光区，第二光罩具有多个对应主不透光区的第二不透光区，第一光罩和第一曝光光源组件设于第一工作位，第二光罩和第二曝光光源组件设于第二工作位，从第一曝光光源组件照射至第一光罩的能量大于从第二曝光组件照射至第二光罩的能量，借由调整曝光的能量可以容易地获得所需要的高度差，适用于多种高度差的结构的制作，无需为了获得不同透光率而制作新的光罩，降低了生产成本。

Description

曝光装置及间隔物的制作方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，特别涉及一种曝光装置及间隔物的制作方法。
背景技术
液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)是液晶显示器的重要组成部分，其通常包括相对设置的彩色滤光片(Color Filter，CF)基板和薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)阵列基板，以及配置于该两基板之间的液晶(Liquid Crystal,LC)层构成。
CF(Color filter)基板的制作分为黑色矩阵(BM)、红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻、公共电极和光阻间隔物(Photo Spacer,PS)，其中PS起到支撑盒厚的作用。当高温引起LC体积增加时，液晶盒容易出现重力不均；当低温引起LC体积收缩时，液晶盒容易出现真空。因此，在液晶盒内设计有两种PS：一种是正常情况下维持盒厚的主间隔物(Main-PS)，一种是在受到外力挤压时或者液晶受冷收缩时才起到支撑作用的辅间隔物(Sub-PS)。这两种PS之间存在高度差，可利用灰阶光罩(Gray Tone)或者半色调光罩(Half Tone)工艺控制不同的光透过量使光阻层曝光去除不同厚度得到。但此方法工艺难度较大，且对于既定的光罩，曝光时两种PS之间的高度差总保持一定值。当高度差值设计不同时，需要更换不同的光罩形成新的光透过量，从而造成光罩成本高昂且效率低下。
发明内容
本发明的目的在于提供一种曝光装置，旨在解决利用灰阶光罩和半色调光罩工艺制作不同高度的间隔物时效率低、光罩成本高的技术问题。
本发明是这样实现的，一种曝光装置，用于对待曝光结构进行曝光，包括第一工作位、第二工作位、光罩组件、第一曝光光源组件和第二曝光光源组件；
所述光罩组件包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩具有至少一个第一不透光区，所述第一不透光区包括间隔设置的主不透光区和辅不透光区；所述第二光罩具有至少一个第二不透光区，所述第二不透光区对应所述主不透光区，所述辅不透光区对应所述第二光罩上的所述第二不透光区以外的位置；
所述第一工作位和第二工作位相互独立设置，分别用于放置所述待曝光结构；所述第一工作位与所述第一光罩相对设置，所述第二工作位与所述第二光罩相对设置；
所述第一光罩和第一曝光光源组件相对设置，所述第二光罩和第二曝光光源组件相对设置；
从所述第一曝光光源组件照射至所述第一光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量大于从所述第二曝光组件照射至所述第二光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量。
在一实施例中，所述第一曝光光源组件包括第一紫外发光二极管，用于发出波长在275nm～320纳米的紫外光，照射至所述第一光罩；
所述第二曝光光源组件包括第二紫外发光二极管，用于发出波长在320nm～420纳米的紫外光，照射至所述第二光罩。
在一实施例中，所述第一曝光光源组件包括紫外发光二极管和第一滤光器，所述第一滤光器允许第一波长范围的紫外光通过；
所述第二曝光光源组件包括所述紫外发光二极管和第二滤光器；所述第二滤光器允许第二波长范围的紫外光通过；
所述第一滤光器和第二滤光器不同，以使通过第二滤光器的紫外光的能量小于通过所述第一滤光器的紫外光的能量。
在一实施例中，所述紫外发光二极管发出的光束包括275～420纳米的紫外光，所述第一波长范围为275纳米～420纳米，所述第二波长范围为320纳米～420纳米。
在一实施例中，所述第一波长范围为275nm～320纳米。
在一实施例中，所述第一滤光器包括氮化硅，所述第二滤光器包括氮化硅，所述第一滤光器的氮化硅的含氢量小于第二滤光器的含氢量。
在一实施例中，所述第一滤光器为长波紫外截止滤光片，所述第二滤光器为中波紫外截止滤光片。
本发明的另一目的在于提供一种曝光装置，用于对待曝光结构进行曝光，包括第一工作位、第二工作位、光罩组件、第一曝光光源组件、第二曝光光源组件和传动机构；
所述光罩组件包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩具有至少一个第一不透光区，所述第一不透光区包括间隔设置的主不透光区和辅不透光区；所述第二光罩具有至少一个第二不透光区，所述第二不透光区对应所述主不透光区，所述辅不透光区对应所述第二光罩上的所述第二不透光区以外的位置；
所述第一工作位和第二工作位相互独立设置，分别用于放置所述待曝光结构；所述第一工作位与所述第一光罩相对设置，所述第二工作位与所述第二光罩相对设置；
所述第一光罩和第一曝光光源组件相对设置，所述第二光罩和第二曝光光源组件相对设置；
从所述第一曝光光源组件照射至所述第一光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量大于从所述第二曝光组件照射至所述第二光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量；
所述传动机构用于带动所述待曝光结构经所述第一工作位到达第二工作位，或经所述第二工作位到达第一工作位。
本发明的又一目的在于提供一种间隔物的制作方法，包括：
形成一层感光树脂材料层，使所述感光树脂材料层进入上述所说的曝光装置，在所述第一工作位和第二工作位下各进行一次曝光；
对应所述主不透光区形成主间隔物，对应所述辅不透光区形成辅间隔物。
在一实施例中，所述感光树脂材料层由传送机构带动经所述第一工作位到达第二工作位，或所述感光树脂材料层由传送机构带动经所述第二工作位到达第一工作位；
所述感光树脂材料层在所述第一工作位的曝光时间与在所述第二工作位的曝光时间相同或不同。
本发明提供的曝光装置，用于对待曝光结构进行曝光，包括第一工作位、第二工位位、光罩组件、第一曝光光源组件和第二曝光光源组件，光罩包括第一光罩和第二光罩，第一光罩具有至少一个第一不透光区，所述第一不透光区包括主不透光区和多个辅不透光区，第二光罩具有至少一个第二不透光区，所述第二不透光区对应所述主不透光区，辅不透光区对应第二光罩上第二不透光区以外的位置，第一光罩和第一曝光光源组件相对设置并设于第一工作位，第二光罩和第二曝光光源组件相对设置并设于第二工作位，从所述第一曝光光源组件照射至所述第一光罩和待曝光结构的紫外光的能量大于从所述第二曝光组件照射至所述第二光罩和待曝光结构的紫外光的能量，因此，该第一光罩和第一曝光光源组件的配合以及第二光罩和第二曝光光源的配合可以形成三种区域，借由调整曝光的能量可以形成三种不同的曝光程度，进而可被用于蚀刻形成三种高度不同的结构，还可以借由调整曝光的能量来容易地获得所需要的高度差，本发明的曝光装置适用于形成多种高度差的结构，无需为了获得不同透光率而制作新的光罩，提高了生产效率，降低了生产成本。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的曝光装置的结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的曝光装置中光罩组件的结构示意图；
图3是本发明一实施例提供的间隔物的制作方法中第一工作位的曝光示意图；
图4是本发明一实施例提供的间隔物的制作方法中第二工作位的曝光示意图；
图5是本发明另一实施例提供的间隔物的制作方法中第二工作位的曝光示意图；
图6是本发明另一实施例提供的间隔物的制作方法中第一工作位的曝光示意图；
图7本发明一实施例提供的显示面板中的彩膜基板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
为了说明本发明所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。
如图1所示，本发明提供一种曝光装置10，用于对待曝光结构进行曝光，包括第一工作位101、第二工作位102、光罩组件20、第一曝光光源组件103和第二曝光光源组件104。
如图2所示，光罩组件20包括第一光罩21和第二光罩22，第一光罩21具有至少一个第一不透光区212，第一不透光区212包括间隔设置的至少一个主不透光区213和至少一个辅不透光区214，第二光罩22具有至少一个第二不透光区222，第二不透光区222对应第一光罩21的主不透光区213，辅不透光区214即对应第二光罩22上的第二不透光区222以外的能够透光的位置。
该曝光装置10内的第一工作位101和第二工作位102分别用于放置待曝光结构。第一光罩21和第一曝光光源组件103相对设置并设于第一工作位101的上方，以对下方的待曝光结构进行一次曝光，第二光罩22和第二曝光光源组件104相对设置并设于第二工作位102的上方，以对下方的待曝光结构进行一次曝光，第一工作位101和第二工作位102相互独立设置，以使各自进行的曝光工序互不影响。
在具体应用中，第一工作位101和第二工作位102可以是两个机台、机架等任意可以将待曝光结构承载并固定的形式，对此不作具体限制。
第一光罩21和第二光罩22单独使用，用于对同一待曝光结构各进行一次曝光。因此，对应主不透光区213的部分在两次曝光中均被遮挡，对应辅不透光区214的部分进行一次曝光，对应其他部分的两次均被曝光。
从第一曝光光源组件103照射至第一光罩21的紫外光的能量大于从第二曝光组件照射至第二光罩22的紫外光的能量，由此，第一工作位101的曝光能量大于第二工作位102的曝光能量，对应第一光罩21和第二光罩22的图案，可以形成不同的曝光程度，如全曝光、半曝光和未曝光。由此，使用该第一光罩21和第二光罩22以及借由调整第一曝光光源组件103和第二曝光光源组件104的能量可以形成三种不同的曝光程度，可以被用于蚀刻形成三种高度不同的结构，还可以借由调整曝光的能量来容易地获得所需要的高度差。
本发明实施例提供的曝光装置可以用于形成显示面板中具有不同高度的间隔物，当然还可以用于形成任何需要的不同高度的其他结构，如不同高度的光阻图案用于蚀刻其他金属层等。
在一实施例中，第一曝光光源组件103和第二曝光光源组件104可以是直接发射不同波长范围的紫外光的光源。具体地，第一曝光光源组件103包括用于发射275nm～320纳米的紫外光的第一紫外发光二极管，第二曝光光源组件104包括用于发射波长在320nm～420纳米的紫外光的第二紫外发光二极管。第一紫外发光二极管和第二紫外发光二极管的数量可以是一个或多个。
在一实施例中，该曝光装置10中可以包括一个紫外光光源，通过对波长的选择来得到不同波长范围或不同能量的曝光光源。该紫外光光源可以为例如紫外发光二极管，其发出的光束中包括波长在270～420纳米之间的紫外光。当然，该紫外发光二极管发出的光束也可包括波长超过420纳米的一部分蓝紫光和其他可见光，对于曝光装置10而言，本发明中仅考虑270～420纳米之间的紫外光。
第一滤光器11允许第一波长范围的紫外光通过，第二滤光器12允许第二波长范围的紫外光通过，请结合参考图3至图6。
在一实施例中，第一波长范围为275～420纳米，包括长波紫外光(UVA光)和中波紫外光(UVB光)的混合光，第二波长范围为320～420纳米，为长波紫外光(UVA光)，即第二工作位102曝光时使用的紫外光仅为第一工作位101上曝光时使用的紫外光的一部分，因此，第二工作位102上用于曝光的紫外光的能量相对较小。
第一滤光器11和第二滤光器12可以均由氮化硅材料沉积于透明基底上形成，但含氢量不同。第一滤光器11可以在温度大于或等于350℃且小于或等于450℃，以及压力大于或等于4.0Torr且小于或等于6.0Torr的条件下，按照硅烷(SiH4)、氨(NH3)、氮(N2)和氩(Ar)的流量之比为0.3：7：3：1气相沉积形成，第二滤光器12可以在温度大于或等于350℃且小于或等于450℃并且压力大于或等于4.0Torr且小于或等于6.0Torr的条件下，按照硅烷(SiH4)、氨(NH3)、氮(N2)和氩(Ar)的流量之比为1.0：7：3：1气相沉积形成，从而第一滤光器11的氢含量低于第二滤光器12的氢含量，第二滤光器12中较多的N-H(氮-氢)键在紫外光通过时能够吸收能量，属于UVB波的波长区域的部分紫外光被吸收从而不能穿过第二滤光器12。
第一滤光器11和第二滤光器12的厚度可以在300～1000纳米之间，例如，第一滤光器11和第二滤光器12的厚度相等，为850纳米。
在一实施例中，第一滤光器11可以为氧化铪材料(HfO2)，其不会显著吸收紫外光，允许UVA和UVB光通过；第二滤光器12设置为中间红斑作用光谱滤光器，该中间红斑作用光谱滤光器能够明显减少UVB光通过而允许比UVB光更多的UVA光通过(可相当于第二波长范围为UVA光，而第一波长范围为UVA光和UVB光的混合光)，从而使通过第二滤光器12的紫外光能量相对较低。
在一实施例中，第一波长范围为275～320纳米，为UVB光，第二波长范围为320～420纳米，为UVA光，因此，透过第二滤光器12的紫外光的能量相对较小。
例如，第一滤光器11为阻止波长在320～420纳米的UVA光通过的长波紫外截止滤光片，第二滤光器12为阻止波长在275～320纳米的UVB光通过的中波紫外截止滤光片。
在一实施例中，曝光装置10内可以设有传送机构，用于带动待曝光结构如基板、材料层等移动。在一实施例中，传动机构可以将待曝光结构由第一工作位101传送至第二工作位102，也可以由第二工作位102传送至第一工作位101。
本发明还提供一种间隔物的制作方法，采用上述所说的曝光装置10。间隔物用于液晶显示面板中，支撑于第一基板和第二基板之间以维持盒厚。以下以制作包括间隔物的第一基板的具体步骤为例进行说明。
在本实施例中，第一基板为彩膜基板。
具体地，请结合参阅图7，提供第一衬底基层9，该第一衬底基层9为透明材料，如玻璃、透明塑料等。第一衬底基层9包括显示区和显示区***的***区。在第一衬底基层9上通过沉积一层黑色树脂材料，并通过一道光罩制程在显示区内形成黑色矩阵8，黑色矩阵8限定出多个子像素区域。当然黑色矩阵8也可以同时形成在***区，对此不作限制。
在黑色矩阵8和第一衬底基层9上制作色阻层7，具体为依次沉积并图案化红色色阻层、绿色色阻层和蓝色色阻层，分别得到位于子像素区域内规则排列的红色色阻块71、绿色色阻块72和蓝色色阻块73。
在黑色矩阵8和色阻层7上沉积一层透明导电薄膜，如ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)，作为公共电极层6。公共电极层6的厚度为40～150nm。
然后，在公共电极层6上制作间隔物。
具体地，在公共电极层6上沉积一层感光树脂材料层3，将第一衬底基层9送入曝光装置。第一衬底基层9在传送机构的带动下，感光树脂材料层3在第一工作位101和第二工作位102下分别进行一次曝光，此处对应定义为第一次曝光和第二次曝光(这里“第一次”和“第二次”并不限定顺序)。第一光罩21上的主不透光区213和辅不透光区214均对应第一衬底基层9上的黑色矩阵8设置。第二光罩22上的第二不透光区222对应第一不透光区212内的主不透光区213，也对应一衬底基层9上的黑色矩阵8设置。
在一实施例中，使用传送机构带动第一衬底基层9由第一工作位101移动至第二工作位102，第一波长范围内的紫外光的总能量大于第二波长范围的紫外光的总能量。当第一衬底基层9经过第一工作位101被第一波长范围的紫外光照射后，如图3所示，对应第一透光区211的部分感光树脂材料层3被完全曝光，得到全曝光区31，对应第一不透光区212(包括主不透光区213和辅不透光区214)的部分感光树脂材料层3层不被照射到，为未曝光区33。当第一衬底基层9继续经过第二工作位102时，如图4所示，第二波长范围的紫外光照射到在第一工作位101时未被曝光的部分感光树脂材料层3上。由于第一波长范围内的紫外光的总能量大于第二波长范围的紫外光的总能量，相同曝光时间内，对应第二透光区221的部分感光树脂材料层3被部分曝光，也即，使得在第一次曝光中对应辅不透光区214而不被曝光的部分感光树脂材料层3被部分曝光，得到部分曝光区。
经上述两次曝光后，进行显影和蚀刻。本发明实施例使用的感光树脂材料层3为正性光阻材料，因此，未被曝光的部分感光树脂材料层3得以保留，对应主不透光区213形成主间隔物41，对应辅不透光区214形成辅间隔物42。由于辅间隔物42由感光树脂材料层3部分曝光后得到，因此，辅间隔物42的高度小于主间隔物41的高度。
在一实施例中，如图5和6所示，传送机构可以带动第一衬底基层材料先到达第二工作位102，再由第二工作位102移动至第一工作位101。第二滤光器12允许第二波长范围的紫外光通过，第二光罩22上设有第二透光区221和第二不透光区222。第一滤光器11允许第一波长范围的紫外光通过，第一光罩21上设有第一透光区211和第一不透光区212，第一不透光区212分为间隔设置的主不透光区213和辅不透光区214，该主不透光区213对应第二光罩22上的第二不透光区222。
由于第一波长范围内的紫外光的总能量大于第二波长范围的紫外光的总能量，如图5所示，当第一衬底基层9首先经过第二工作位102被第二波长范围的紫外光照射后，对应第二透光区221的部分感光树脂材料层3被部分曝光，得到半曝光区32’，对应第二不透光区222的部分感光树脂材料层3不被照射到，为未曝光区33’。如图6所示，当第一衬底基层9继续经过第一工作位101时，第一波长范围的紫外光通过第一透光区211照射到在第二工作位102时未被曝光的部分感光树脂材料层3上并使该部分被完全曝光，成为全曝光区31’。也即，在第二工作位102时被部分曝光的半曝光区32’经过第一工作位101时被辅不透光区214遮挡，仍保持部分曝光的状态。
经上述两次曝光后，进行显影和蚀刻。因此，未被曝光的部分感光树脂材料层3得以保留，对应主不透光区213形成主间隔物41，对应辅不透光区21的半曝光区32’形成辅间隔物42。辅间隔物42的高度小于主间隔物41的高度。
第一不透光区212包括的主不透光区213和辅不透光区214的数量可以根据所要得到的主间隔物41和辅间隔物42的数量设置，如显示面板中要求主间隔物41和辅间隔物42的数量为1:2时，第一不透光区212可以包括一个主不透光区213和两个辅不透光区214。
在一实施例中，第一衬底基层9在第一工作位101和第二工作位102的停留时间相等，第一曝光时间和第二次曝光时间相等，可以对感光树脂材料层3进行一定程度的曝光，以得到相对于主间隔物41的高度而言较低的辅间隔物42。
在一实施例中，还可以调整第一衬底基层9的在第二工作位102的第二次曝光的时间，以改变对应辅不透光区214的感光树脂材料层3的部分曝光程度，从而可以调整辅间隔物42的高度，进而改变主间隔物41和辅间隔物42的高度之差，从而适用于不同规格和工艺的显示面板的制作要求。
本发明实施例的第一衬底基层9通过传送机构的带动在曝光装置10内移动，曝光装置10内包括第一工作位101和第二工作位102，提高了流转效率。第一滤光器11、第一光罩21、第二滤光器12和第二光罩22的设置位置可以保持固定，无需频繁调整和反复更换，降低了操作复杂性，仅需要对第一衬底基层9在第一工作位101和第二工作位102的停留时间分别调整，或者更换成本相对较低的第一滤光器11和第二滤光器12即可得到不同高度的主间隔物41和辅间隔物42，从而，主间隔物41和辅间隔物42的高度差可以根据实际要求容易地得到，也无需制作新的、昂贵的光罩，满足不同产品要求，降低了光罩的成本。
本发明实施例提供的间隔物的制作方法中，主间隔物41由未曝光区33形成，因此，主间隔物41的高度由感光树脂材料层3的厚度决定，本发明的间隔物的制作方法能够对辅间隔物42的高度进行调整。在一实施例中，所得到的主间隔物41的高度为4～7微米，辅间隔物42的高度为4～7微米，且主间隔物41和辅间隔物42的高度之差为0.1～2微米。
然后，还可以在公共电极层6、主间隔物41和辅间隔物42上制作一层配向层5。由此，第一基板也即彩膜基板的制作完成，参见图7所示。
可以理解的是，以上步骤仅作描述本发明的方案实施之用，不应当被认定为对本发明的任何限制。在其他实施例中，任何不影响本发明实施的步骤和顺序均可应用。例如，在其他实施例中，第一基板的制作中，可以不包含色阻层7的制作，也可以不包含黑色矩阵8的制作，色阻层7和黑色矩阵8均设置于第二基板中。由感光树脂材料层3制作间隔物的步骤还可以实施于第二基板的制作中，这并不影响本发明的实施。
在上述所说的间隔物的制作方法的基础上，本发明还提供一种显示面板，包括由上述所说的间隔物的制作方法所制作得到的间隔物。
该显示面板包括第一基板和第二基板，第一基板可以为彩膜基板，第二基板可以为阵列基板，第一基板包括第一衬底基层、设于衬底基层上的黑色矩阵8、设于黑色矩阵8和衬底基层上的彩色色阻层7、设于彩色色阻7层和黑色矩阵8上的公共电极层6，间隔物设置于公共电极层6上，以维持第一基板和第二基板之间的盒厚，参见图7所示。
阵列基板包括第二衬底基层，设于衬底基层上的栅极和扫描线、设于栅极和扫描线上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的有源层、形成于有源层和栅极绝缘层上的源极、漏极和数据线，以及形成于源极、漏极和数据线上的钝化层、平坦层和像素电极层，像素电极层包括多个对应红色色阻块71、绿色色阻块72和蓝色色阻块73的像素电极，像素电极经由贯穿钝化层和平坦层的过孔与漏极连接。
第一基板和第二基板之间设有液晶层，该显示面板为液晶显示面板。
间隔物包括主间隔物和辅间隔物，在一实施例中，主间隔物41的高度为4～7微米，辅间隔物42的高度为4～7微米，且主间隔物41和辅间隔物42的高度之差为0.1～2微米。
在上述所说的显示面板的基础上，本发明还提供一种显示装置，包括上述所说的显示面板，还可以包括设于阵列基板一侧的背光模组，成为一种液晶显示装置。
以上所述仅为本发明的可选实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种曝光装置，用于对待曝光结构进行曝光，其特征在于，包括第一工作位、第二工作位、光罩组件、第一曝光光源组件和第二曝光光源组件；
所述光罩组件包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩具有至少一个第一不透光区，所述第一不透光区包括间隔设置的主不透光区和辅不透光区；所述第二光罩具有至少一个第二不透光区，所述第二不透光区对应所述主不透光区，所述辅不透光区对应所述第二光罩上的所述第二不透光区以外的位置；
所述第一工作位和第二工作位相互独立设置，分别用于放置所述待曝光结构；所述第一工作位与所述第一光罩相对设置，所述第二工作位与所述第二光罩相对设置；
所述第一光罩和第一曝光光源组件相对设置，所述第二光罩和第二曝光光源组件相对设置；
从所述第一曝光光源组件照射至所述第一光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量大于从所述第二曝光组件照射至所述第二光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，
所述第一曝光光源组件包括第一紫外发光二极管，用于发出波长在275nm～320纳米的紫外光，照射至所述第一光罩；
所述第二曝光光源组件包括第二紫外发光二极管，用于发出波长在320nm～420纳米的紫外光，照射至所述第二光罩。
3.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，
所述第一曝光光源组件包括紫外发光二极管和第一滤光器，所述第一滤光器允许第一波长范围的紫外光通过；
所述第二曝光光源组件包括所述紫外发光二极管和第二滤光器；所述第二滤光器允许第二波长范围的紫外光通过；
所述第一滤光器和第二滤光器不同，以使通过第二滤光器的紫外光的能量小于通过所述第一滤光器的紫外光的能量。
4.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述紫外发光二极管发出的光束包括275～420纳米的紫外光，所述第一波长范围为275纳米～420纳米，所述第二波长范围为320纳米～420纳米。
5.如权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述第一波长范围为275nm～320纳米。
6.如权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述第一滤光器包括氮化硅，所述第二滤光器包括氮化硅，所述第一滤光器的氮化硅的含氢量小于第二滤光器的含氢量。
7.如权利要求5所述的曝光装置，其特征在于，所述第一滤光器为长波紫外截止滤光片，所述第二滤光器为中波紫外截止滤光片。
8.一种曝光装置，用于对待曝光结构进行曝光，其特征在于，包括第一工作位、第二工作位、光罩组件、第一曝光光源组件、第二曝光光源组件和传动机构；
所述光罩组件包括第一光罩和第二光罩，所述第一光罩具有至少一个第一不透光区，所述第一不透光区包括间隔设置的主不透光区和辅不透光区；所述第二光罩具有至少一个第二不透光区，所述第二不透光区对应所述主不透光区，所述辅不透光区对应所述第二光罩上的所述第二不透光区以外的位置；
所述第一工作位和第二工作位相互独立设置，分别用于放置所述待曝光结构；所述第一工作位与所述第一光罩相对设置，所述第二工作位与所述第二光罩相对设置；
所述第一光罩和第一曝光光源组件相对设置，所述第二光罩和第二曝光光源组件相对设置；
从所述第一曝光光源组件照射至所述第一光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量大于从所述第二曝光组件照射至所述第二光罩和所述待曝光结构的紫外光的能量；
所述传动机构用于带动所述待曝光结构经所述第一工作位到达第二工作位，或经所述第二工作位到达第一工作位。
9.一种间隔物的制作方法，其特征在于，包括：
形成一层感光树脂材料层，使所述感光树脂材料层进入权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，在所述第一工作位和第二工作位下各进行一次曝光；
经显影和蚀刻后，对应所述主不透光区形成主间隔物，对应所述辅不透光区形成辅间隔物。
10.如权利要求9所述的间隔物的制作方法，其特征在于，所述感光树脂材料层由传送机构带动经所述第一工作位到达第二工作位，或所述感光树脂材料层由传送机构带动经所述第二工作位到达第一工作位；
所述感光树脂材料层在所述第一工作位的曝光时间与在所述第二工作位的曝光时间相同或不同。
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