CN109557761A - 掩膜板制作方法 - Google Patents
掩膜板制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109557761A CN109557761A CN201811493862.7A CN201811493862A CN109557761A CN 109557761 A CN109557761 A CN 109557761A CN 201811493862 A CN201811493862 A CN 201811493862A CN 109557761 A CN109557761 A CN 109557761A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- metal layer
- region
- determined
- coordinate points
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种掩膜板制作方法,所述方法包括:在衬底基板上形成一金属层,在所述金属层上确定出多个坐标点,根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域,所述第二区域围绕所述第一区域,在所述第一区域形成保护层,对所述金属层进行第一刻蚀处理,以去除所述金属层位于所述第二区域的部分并保留所述第一金属层位于所述第一区域的部分,去除所述金属层上的所述保护层。所述方法通过根据多个坐标点在金属层上绘制形成保护层的第一区域,以制作出一个较为精确的掩膜板。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种掩膜板制作方法。
背景技术
目前,掩膜板用于遮挡显示面板的部分区域,以使该部分区域不受到光线照射的影响。即对不需要光线的区域进行遮挡。
就目前来说,掩膜板的开发成本较高,而且制作时间较长。针对应急产品,可能会出现没有对应的掩膜板去遮挡显示面板的部分区域。如果掩膜板的制作过程中遮挡部分出现偏差,容易导致其他产品不能进行使用。并且因为掩膜板制作时间较长,所以无法在短时间内完成应急产品对应的掩膜板。
发明内容
本申请实施例提供一种掩膜板制作方法,从而制作较为精确的掩膜板。
本申请实施例提供了一种掩膜板制作方法,包括:
在衬底基板上形成一金属层;
在所述金属层上确定出多个坐标点;
根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域,所述第二区域围绕所述第一区域;
在所述第一区域形成保护层;
对所述金属层进行第一刻蚀处理,以去除所述金属层位于所述第二区域的部分并保留所述第一金属层位于所述第一区域的部分;
去除所述金属层上的所述保护层。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述在所述衬底基板上形成一金属层的步骤之后,还包括:
对所述金属层进行曝光处理,以在所述金属层上确定第三区域、第四区域以及至少两个定位区域,其中所述至少两个定位区域间隔设置在所述第三区域***,所述第四区域围绕所述第三区域和所述至少两个定位区域;
对所述金属层进行第二刻蚀处理,以去除所述金属层位于所述第四区域的部分并保留所述金属层位于所述第三区域的部分和位于所述至少两个定位区域的部分,以形成一子金属层;
所述在所述金属层上确定出多个坐标点的步骤包括:
在所述子金属层上确定出多个坐标点。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域的步骤包括:
将所述多个坐标点作为边界点所包围的区域确定为所述第一区域;
将所述金属层上位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域的步骤包括:
将所述多个坐标点作为边界点形成的区域确定为第五区域,其中所述第五区域包括至少三条边界;
在所述第五区域内形成一内切区域,所述内切区域的边界与所述第五区域的至少一条边界相切;
将所述内切区域确定为所述第一区域;
将所述金属层上位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定为第一区域和第二区域的步骤包括:
在所述金属层上确定第一区域,每一所述坐标点均位于所述第一区域内部;
将所述金属层位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定为第一区域和第二区域的步骤包括:
将所述多个坐标点作为边界点形成的区域确定为第六区域,所述第六区域包括至少三条边界;
在所述第六区域的外部形成一外切区域,所述外切区域的边界与所述第六区域的每一条边界相切;
将所述外切区域确定为所述第一区域;
将所述金属层上位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述去除所述金属层上的所述保护层的步骤包括:
采用清洗剂去除所述金属层上的所述保护层,其中所述清洗剂的成分包括氢氧化钠和/或碳化钠。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述第一刻蚀处理采用的气体均包括三氟化氮或者四氟化碳。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述第二刻蚀处理采用的气体均包括三氟化氮或者四氟化碳。
在本申请所述的掩膜板制作方法中,所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
本申请提供一种掩膜板制作方法,该方法包括:在衬底基板上形成一金属层。在金属层上确定出多个坐标点。根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域。第二区域围绕第一区域。在第一区域形成保护层。对金属层进行第一刻蚀处理,以去除金属层位于第二区域的部分并保留第一金属层位于第一区域的部分。去除金属层上的保护层。该方法通过多个坐标点在金属层上绘制形成保护层的第一区域,从而形成较为精确的保护层。然后,去除金属层位于第二区域的部分,以及去除金属层上的保护层,以使去除之后位于第一区域的金属层为掩膜板的精确图形。最终制作出一个较为精确的掩膜板,并且在短时间内也可以制作出适用于应急产品的掩膜板。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第一种制程示意图。
图2为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第二种制程示意图。
图3为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第三种制程示意图。
图4为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第四种制程示意图。
图5为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第五种制程示意图。
图6为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第六种制程示意图。
图7为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第七种制程示意图。
图8为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第八种制程示意图。
图9为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第九种制程示意图。
图10为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第一种流程示意图。
图11为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第二种流程示意图。
图12为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第三种流程示意图。
图13为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第四种流程示意图。
图14为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第五种流程示意图。
图15为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第六种流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
请参阅图1,图1为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第一种制程示意图。
本申请提供一种掩膜板制作方法,包括:
提供一衬底基板10,该衬底基板10的材料可以为石英、玻璃或者其他材料。
在衬底基板10上形成金属层20。该金属层20的成膜方法可以采用物理气相沉积方法(Physical Vapor Deposition,PVD)。该金属层20的材料可以为铬、铁或者铟镓锌氧化物等其他金属或者金属化合物。
参阅图2,图2为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第二种制程示意图。
提供一显影膜板30。显影膜板30包括第七区域301、至少两个第一定位区域302以及围绕该第七区域301和至少两个第一定位区域302的第八区域303。
该多个第一定位区域302间隔设置在该第七区域301的***。该第一定位区域302的形状可以为圆形、长方形或者三角形等其他形状或者该形状的任意组合。比如圆形和长方形的组合、圆形或者三角形的组合等其他任意组合。该第一定位区域302可以为两个或者两个以上。且其中一个第一定位区域302可以位于第七区域301的一侧,另一个第一定位区域302可以位于第七区域301的另一侧。该间隔L1可以设置为5mm、7mm或者1cm等。间隔的长度不唯一。可以是每相邻两个第一定位区域302的间隔相等。也可以是每相邻两个第一定位区域302的间隔不相等。在涂有金属层20的玻璃上覆盖显影膜板30,并且显影膜板30在具有光线的器件下对金属层20进行选择性的曝光,以使第七区域301、第八区域303和至少两个第一定位区域302的图形或者形状形成在金属层20上。则金属层20包括与第七区域301对应的第三区域201、与至少两个第一定位区域302对应的至少两个定位区域202以及与第八区域303对应的第四区域203。其中,该光线可以为紫外光线。
该第七区域301具有一图形。且该图形面积较大。该显影膜板30适用于对任何掩膜板进行曝光处理。即该显影膜板30可以适用于任何掩膜板的制作。可以理解的是,显影膜板30在使用的过程中,不需要根据图形的变化而做多个显影膜板30。只需要本申请中的一个显影膜板30就可以制作出产品需要的图形。
请参阅图3,图3为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第三种制程示意图。
对金属层20进行第二刻蚀处理,以去除金属层20位于第四区域203的部分。保留金属层20位于第三区域201和至少两个第一定位区域202的部分,从而形成一子金属层21。其中第二刻蚀处理采用的气体为三氟化氮或者四氟化碳等其他气体。
利用保护层绘制装置40在位于第三定位区域201的子金属层21上进行绘制保护层50。该保护层绘制装置40包括绘制笔和至少两个第二定位区域41等其他功能工具。该至少两个第二定位区域41用于与至少两个定位区域202进行对位,以使绘制笔绘图时能够在子金属层21上精确的绘制第一区域204。
在第一区域204上形成保护层50。在子金属层21上的该保护层50可以采用喷墨打印的方法实现。以及该保护层50材料可以为聚酰亚胺等其他材料。因为保护层50的成本较低,所以通过制作方法得到的掩膜板的成本也较低。
其中,绘制笔用于在子金属层21位于第三区域201的部分上确定多个坐标点51。以该多个坐标点51作为边界点所形成的区域确定为第一区域204。在第一区域204上形成保护层50。其中保护层50形成的区域与第一区域204的形状相同。但第一区域204和保护层50不位于相同的层。保护层50位于第一区域204上。该第一区域204为子金属层21位于的一部分。围绕第一区域204的区域确定为第二区域201。其中子金属层21包括第一区域204、第三区域201、定位区域202和第四区域203。
对子金属层21进行第一刻蚀处理,以去除子金属层21位于第三区域201的部分,保留子金属层21位于第一区域204的部分。其中第一刻蚀处理采用的气体为三氟化氮或者四氟化碳等其他气体。保护层50在子金属层21位于第一区域204的部分之上。
请参阅图4,图4为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第四种制程示意图。
此外,还包括另一种情况。不在子金属层21上确定多个坐标点,而是可以在金属层20上确定坐标点51。将多个坐标点51作为边界点形成的区域确定为第一区域204。将该金属层20上位于该第一区域204之外的部分确定为第二区域206。去除金属层20位于第二区域206的部分。保留金属层20位于第一区域204和至少两个定位区域202的部分,如图4所示。此种情况,衬底基板10较大。可以选取衬底基板10的某一部分进行制作掩膜板1。然后切割衬底基板10多余的部分11,从而得到掩膜板1。其中第二区域206包括衬底基板10多余的部分11和一区域205。该区域205为第一区域204之外的区域。且该区域204为金属层20的一部分。去除金属层20位于第二区域206的部分,包括切割衬底基板的多余部分11和去除第一区域50和至少两个定位区域202之外的区域205。该去除第一区域204和至少两个定位区域202之外的区域205可以采用第一刻蚀处理方法。其中第一刻蚀处理方法采用的气体均包括三氟化氮或者四氟化碳。
参阅图5,图5为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第五种制程示意图。
在金属层20上确定多个坐标点51。将多个坐标点51作为边界点形成的区域确定为第五区域60,其中该第五区域60包括至少三条边界。例如以长方形为例,长方形为第三区域60。第三区域60包括第一条边界610、第二条边界611、第三条边界612和第四条边界613。选取第一条边界610、第二条边界611、第三条边界612和第四条边界613中的至少一条作为内切边界。例如选取第二条边界611、第三条边界612和第四条边界613作为内切边界,如图5所示。在第五区域60内形成一内切区域61。内切区域61的边界与第五区域80的至少一条边界均相切。将内切区域61确定为第一区域204。将金属层上位于第一区域204之外的部分确定为第二区域206。
参阅图6,图6为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第六种制程示意图。
在金属层20上确定第一区域204。第一区域204包括多个坐标点51。即每一坐标点51均位于第一区域204内部。将金属层20位于第一区域204之外的部分确定为第二区域206。可以理解的是,多个坐标点51只要包括在第一区域204的内部,那么就可以确定该第一区域204。且第一区域204是一个任意包围多个坐标点51的区域。但不超过金属层20的区域。
参阅图7,图7为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第七种制程示意图。
将多个坐标点51作为边界点形成的区域确定为第六区域80。第六区域80包括至少三条边界。以长方形为例,长方形为第六区域80。第六区域80包括第一条边界810、第二条边界820、第三条边界830和第四边界840。其中第六区域80与第一条边界810相切。第六区域80与第二条边界820相切。第六区域80与第三条边界830相切。第六区域80与第四条边界840相切。最后形成一外切区域81。外切区域81包括第六区域80。将该外切区域81确定为第一区域204。将金属层20上位于第一区域204之外的部分确定为第二区域206。
参阅图8,图8为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第八种制成示意图。
利用保护层去除装置90,将保护层50去除。保护层去除装置90包括至少两个第三定位区域61。该第三定位区域91用于与衬底基板10上的至少两个定位区域202进行对位,以使保护层去除装置90可以精确的去除保护层50,如图6所示。其中去除保护层50采用的清洗剂的成分包括氢氧化钠和/或碳化钠等。
请参阅图9,图9为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第九种制成示意图。
去除保护层50之后,将子金属层21位于第一区域50的部分显示出来。因此得到掩膜板1,且掩膜板1上包括子金属层21位于第一区域204的部分和至少两个定位区域202。
参阅图10,图10为本申请实施例提供的掩膜板制作方法的第一种流程示意图。
110,在衬底基板上形成金属层。
衬底基板的材料可以为石英、玻璃或者其他材料。金属层的材料可以为铬、铟镓锌氧化物或者铁等其他材料。
120,在金属层上确定出多个坐标点。
130,根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域,第二区域围绕第一区域。
在金属层上确定多个坐标点,以在金属层上形成一区域。将该区域确定为第一区域。围绕该第一区域的区域确定为第二区域。
140,在第一区域形成保护层。
在第一区域形成保护层。该保护层的材料可以为聚酰亚胺。
150,对金属层进行第一刻蚀处理,以去除金属层位于第二区域的部分并保留金属层位于第一区域的部分。
160,去除金属层上的保护层。
对金属层进行第一刻蚀处理。该第一刻蚀处理的气体可以为四氟化碳、氮气或者氦气等其他气体。将位于第二区域的部分去除,以保留第一金属层位于第一区域的部分。且金属层位于第一区域的部分上有一保护层。
将该保护层去除,保留第一区域的第一金属层,则最后形成掩膜板。
在一些实施例中,如图11所示,步骤110,在衬底基板上形成一金属层的步骤之后。步骤120,在金属层上确定出多个坐标点之前,还包括以下步骤:
111,对金属层进行显影处理,以在金属层上确定第三区域、第四区域以及至少两个第一定位区域,其中至少两个第一定位区域间隔设置在第三区域***,第四区域围绕第三区域和至少两个第一定位区域。
112,对金属层进行第二刻蚀处理,以去除金属层位于第四区域的部分并保留金属层位于第三区域的部分和位于至少两个第一定位区域的部分,以形成一子金属层。
120,在金属层上确定出多个坐标点的步骤包括:
121,在子金属层上确定出多个坐标点。
在一些实施例中,如图12所示,步骤130,根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域,包括以下步骤:
131,将多个坐标点作为边界点所形成的区域确定为第一区域。
132,将金属层上位于第一区域之外的部分确定为第二区域。
在一些实施例中,如图13所示,步骤130,根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域,包括以下步骤:
133,将多个坐标点作为边界点形成的区域确定为第五区域,其中第五区域包括至少三条边界。
134,在第五区域内形成一内切区域,内切区域的边界与第五区域的至少一条边界相切。
135,将内切区域确定为第一区域。
136,将金属层上位于第一区域之外的部分确定为第二区域。
在一些实施例中,如图14所示,步骤130,根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域,包括以下步骤:
137,在金属层上确定第一区域,每一坐标点均位于第一区域内部。
138,将金属层位于第一区域之外的部分确定为第二区域。
在一些实施例中,如图15所示,步骤130,根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域,包括以下步骤:
139,将多个坐标点作为边界点形成的区域确定为第六区域,第六区域包括至少三条边界。
1310,在第六区域的外部形成一外切区域,外切区域的边界与第六区域的每一条边界相切。
1311,将外切区域确定为第一区域。
1312,将金属层上位于第一区域之外的部分确定为第二区域。
本申请提供一种掩膜板制作方法,该方法包括:在衬底基板上形成一金属层。在金属层上确定出多个坐标点。根据多个坐标点在金属层上确定出第一区域和第二区域。第二区域围绕第一区域。在第一区域形成保护层。对金属层进行第一刻蚀处理,以去除金属层位于第二区域的部分并保留第一金属层位于第一区域的部分。去除金属层上的保护层。该方法通过多个坐标点在金属层上绘制形成保护层的第一区域,从而形成较为精确的保护层。然后,去除金属层位于第二区域的部分,以及去除金属层上的保护层,以使去除之后位于第一区域的金属层为掩膜板的精确图形。最终制作出一个较为精确的掩膜板,并且在短时间内也可以制作出适用于应急产品的掩膜板。
以上对本申请实施例提供的掩膜板制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种掩膜板制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成一金属层;
在所述金属层上确定出多个坐标点;
根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域,所述第二区域围绕所述第一区域;
在所述第一区域形成保护层;
对所述金属层进行第一刻蚀处理,以去除所述金属层位于所述第二区域的部分并保留所述第一金属层位于所述第一区域的部分;
去除所述金属层上的所述保护层。
2.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上形成一金属层的步骤之后,还包括:
对所述金属层进行曝光处理,以在所述金属层上确定第三区域、第四区域以及至少两个定位区域,其中所述至少两个定位区域间隔设置在所述第三区域***,所述第四区域围绕所述第三区域和所述至少两个定位区域;
对所述金属层进行第二刻蚀处理,以去除所述金属层位于所述第四区域的部分并保留所述金属层位于所述第三区域的部分和位于所述至少两个定位区域的部分,以形成一子金属层;
所述在所述金属层上确定出多个坐标点的步骤包括:
在所述子金属层上确定出多个坐标点。
3.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域的步骤包括:
将所述多个坐标点作为边界点所包围的区域确定为所述第一区域;
将所述金属层上位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
4.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定出第一区域和第二区域的步骤包括:
将所述多个坐标点作为边界点形成的区域确定为第五区域,其中所述第五区域包括至少三条边界;
在所述第五区域内形成一内切区域,所述内切区域的边界与所述第五区域的至少一条边界相切;
将所述内切区域确定为所述第一区域;
将所述金属层上位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
5.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定为第一区域和第二区域的步骤包括:
在所述金属层上确定第一区域,每一所述坐标点均位于所述第一区域内部;
将所述金属层位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
6.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述根据所述多个坐标点在所述金属层上确定为第一区域和第二区域的步骤包括:
将所述多个坐标点作为边界点形成的区域确定为第六区域,所述第六区域包括至少三条边界;
在所述第六区域的外部形成一外切区域,所述外切区域的边界与所述第六区域的每一条边界相切;
将所述外切区域确定为所述第一区域;
将所述金属层上位于所述第一区域之外的部分确定为所述第二区域。
7.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述去除所述金属层上的所述保护层的步骤包括:
采用清洗剂去除所述金属层上的所述保护层,其中所述清洗剂的成分包括氢氧化钠和/或碳化钠。
8.根据权利要求1所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述第一刻蚀处理采用的气体均包括三氟化氮或者四氟化碳。
9.根据权利要求2所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述第二刻蚀处理采用的气体均包括三氟化氮或者四氟化碳。
10.根据权利要求1至9任一项所述的掩膜板制作方法,其特征在于,所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811493862.7A CN109557761B (zh) | 2018-12-07 | 2018-12-07 | 掩膜板制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811493862.7A CN109557761B (zh) | 2018-12-07 | 2018-12-07 | 掩膜板制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109557761A true CN109557761A (zh) | 2019-04-02 |
CN109557761B CN109557761B (zh) | 2022-03-08 |
Family
ID=65869214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811493862.7A Active CN109557761B (zh) | 2018-12-07 | 2018-12-07 | 掩膜板制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109557761B (zh) |
Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0766138A2 (en) * | 1995-09-27 | 1997-04-02 | AT&T Corp. | Spun-on glass layer as a dry etch-mask, for fabricating a metallic mask by means of a bi-level process |
DE19802369A1 (de) * | 1997-06-24 | 1999-02-04 | Lg Semicon Co Ltd | Phasenschiebe-Photomasken-Herstellungsverfahren |
JP2002231599A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Sony Corp | マスク原盤、マスク、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
TW518659B (en) * | 2000-09-04 | 2003-01-21 | Advantest Corp | Method for manufacturing a membrane mask |
US6555297B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Etch stop barrier for stencil mask fabrication |
TW561508B (en) * | 2001-09-04 | 2003-11-11 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
TW200632534A (en) * | 2005-01-27 | 2006-09-16 | Applied Materials Inc | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
CN1839350A (zh) * | 2004-06-22 | 2006-09-27 | Hoya株式会社 | 掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法 |
JP2006285122A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 両面マスクの作製方法 |
KR100778540B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-11-22 | 주식회사 이코니 | 금속 마스크 제조 방법 및 금속 마스크 프레임 어셈블리제조 방법 |
CN101174081A (zh) * | 2006-10-30 | 2008-05-07 | 应用材料股份有限公司 | 掩模刻蚀工艺 |
CN101408724A (zh) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 半色调掩模板及其制造方法 |
KR20090059249A (ko) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | 엘지마이크론 주식회사 | 반투과물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법및 하프톤마스크 |
KR20100028437A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전마스크의 제조 방법 |
CN101770161A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-07-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 移相掩膜板的制造方法及其结构 |
CN101989035A (zh) * | 2009-08-03 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩膜的铬金属膜去除方法 |
CN101989039A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩膜的制作方法 |
CN102236247A (zh) * | 2010-05-06 | 2011-11-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩膜的制作方法 |
TW201303487A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-16 | Univ Nat Cheng Kung | 光罩之製造方法 |
CN103869607A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-18 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 二元掩模铬金属膜去除方法 |
CN104749871A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于反射式光刻技术的掩模版、制作方法及其使用方法 |
WO2016165247A1 (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板的制备方法和掩模板 |
-
2018
- 2018-12-07 CN CN201811493862.7A patent/CN109557761B/zh active Active
Patent Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0766138A2 (en) * | 1995-09-27 | 1997-04-02 | AT&T Corp. | Spun-on glass layer as a dry etch-mask, for fabricating a metallic mask by means of a bi-level process |
DE19802369A1 (de) * | 1997-06-24 | 1999-02-04 | Lg Semicon Co Ltd | Phasenschiebe-Photomasken-Herstellungsverfahren |
US6555297B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Etch stop barrier for stencil mask fabrication |
TW518659B (en) * | 2000-09-04 | 2003-01-21 | Advantest Corp | Method for manufacturing a membrane mask |
JP2002231599A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Sony Corp | マスク原盤、マスク、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
TW561508B (en) * | 2001-09-04 | 2003-11-11 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
CN1839350A (zh) * | 2004-06-22 | 2006-09-27 | Hoya株式会社 | 掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法 |
TW200632534A (en) * | 2005-01-27 | 2006-09-16 | Applied Materials Inc | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
JP2006285122A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 両面マスクの作製方法 |
KR100778540B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-11-22 | 주식회사 이코니 | 금속 마스크 제조 방법 및 금속 마스크 프레임 어셈블리제조 방법 |
CN101174081A (zh) * | 2006-10-30 | 2008-05-07 | 应用材料股份有限公司 | 掩模刻蚀工艺 |
CN101408724A (zh) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 半色调掩模板及其制造方法 |
KR20090059249A (ko) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | 엘지마이크론 주식회사 | 반투과물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법및 하프톤마스크 |
KR20100028437A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전마스크의 제조 방법 |
CN101989035A (zh) * | 2009-08-03 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩膜的铬金属膜去除方法 |
CN101989039A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩膜的制作方法 |
CN101770161A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-07-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 移相掩膜板的制造方法及其结构 |
CN102236247A (zh) * | 2010-05-06 | 2011-11-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光掩膜的制作方法 |
TW201303487A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-16 | Univ Nat Cheng Kung | 光罩之製造方法 |
CN104749871A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于反射式光刻技术的掩模版、制作方法及其使用方法 |
CN103869607A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-18 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 二元掩模铬金属膜去除方法 |
WO2016165247A1 (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板的制备方法和掩模板 |
US20170139315A1 (en) * | 2015-04-17 | 2017-05-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for producing a mask and the mask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109557761B (zh) | 2022-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7836727B2 (en) | Glass cutting method | |
KR102071840B1 (ko) | 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법 | |
US10562273B2 (en) | Cover glass lamination structure and manufacturing method thereof | |
TW201743488A (zh) | 中空電子顯示器 | |
EP2592653B1 (en) | Method of manufacturing flexible electronic device | |
CN103813638A (zh) | 用于制造印刷电路板的方法 | |
JP2020045571A (ja) | 蒸着マスク | |
JP5789889B2 (ja) | 端面保護層付きガラス基板の製造方法 | |
CN105094444A (zh) | 一种触控面板的制作方法、触控面板及触控显示装置 | |
CN109557761A (zh) | 掩膜板制作方法 | |
KR20170019698A (ko) | 글라스 절단 방법 | |
US4770947A (en) | Multiple density mask and fabrication thereof | |
CN104755441A (zh) | 蚀刻方法、掩膜、功能部件以及功能部件的制造方法 | |
JP2008224802A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
CN110382161B (zh) | 用于制造工程用掩膜的方法 | |
JP2012246182A (ja) | 携帯機器用カバーガラスの製造方法 | |
KR20110016101A (ko) | 글래스 기판의 가공 방법 | |
JP2009292699A (ja) | ガラス基板の切断方法、表示パネル用の基板の切断方法および表示パネル用の基板の製造方法 | |
CN108958548A (zh) | 表面具有触控膜层的超薄玻璃及其制作方法、显示装置 | |
JP2016224201A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
JP2016157056A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
CN106646938A (zh) | 一种薄膜图形化方法 | |
KR20140058724A (ko) | 디스플레이용 유리 기판의 가공 방법 | |
TW201339116A (zh) | 提升玻璃之機械強度的方法 | |
JP2011184736A (ja) | 金属円筒部材または金属円柱部材における表面加工穴の形成方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |